JP2015084341A - Ｅｓｄ保護装置 - Google Patents

Ｅｓｄ保護装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015084341A
JP2015084341A JP2015018613A JP2015018613A JP2015084341A JP 2015084341 A JP2015084341 A JP 2015084341A JP 2015018613 A JP2015018613 A JP 2015018613A JP 2015018613 A JP2015018613 A JP 2015018613A JP 2015084341 A JP2015084341 A JP 2015084341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge
particles
esd protection
insulating material
discharge electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015018613A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5954447B2 (ja
Inventor
孝之 築澤
Takayuki Tsukizawa
孝之 築澤
足立　淳
Atsushi Adachi
淳 足立
貴之 今田
Takayuki Imada
貴之 今田
鷲見　高弘
Takahiro Washimi
高弘 鷲見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2015018613A priority Critical patent/JP5954447B2/ja
Publication of JP2015084341A publication Critical patent/JP2015084341A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5954447B2 publication Critical patent/JP5954447B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/18—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T1/00—Details of spark gaps
    • H01T1/20—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap
    • H01T1/22—Means for starting arc or facilitating ignition of spark gap by the shape or the composition of the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
    • H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
    • H01T4/10—Overvoltage arresters using spark gaps having a single gap or a plurality of gaps in parallel
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/04—Carrying-off electrostatic charges by means of spark gaps or other discharge devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257—Overvoltage protection
    • H05K1/026—Spark gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09063—Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H05K2201/0919—Exposing inner circuit layers or metal planes at the side edge of the PCB or at the walls of large holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4697—Manufacturing multilayer circuits having cavities, e.g. for mounting components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

【課題】ＥＳＤ特性が劣化し難いＥＳＤ保護装置を提供する。
【解決手段】ＥＳＤ保護装置１は、セラミック絶縁材１０と、第１及び第２の放電電極２１，２２と、放電補助部５１と、保護層５２を備える。第１及び第２の放電電極２１，２２は、セラミック絶縁材１０に設けられている。放電補助部５１は、第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部との間に配されている。放電補助部５１は、第１の放電電極２１と第２の放電電極２２との間の放電開始電圧を低下させる電極である。放電補助部５１は、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる。保護層５２は、半導体粒子を構成している半導体材料及び絶縁性粒子を構成している絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＥＳＤ保護装置に関する。
従来、静電気放電（ＥＳＤ：ｅｌｅｃｔｒｏ−ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）による電子機器の破壊を抑制するためのＥＳＤ保護装置が種々提案されている。例えば特許文献１には、一対の放電電極間を接続する領域に、導電性を有さない無機材料によりコートされた導電材料が分散してなる放電補助部を備えるＥＳＤ保護装置が記載されている。
ＷＯ２００９−０９８９４４号公報
特許文献１に記載のように、放電補助部を設けることにより、例えば、ＥＳＤ保護装置のＥＳＤ特性の調整や安定化を行うことができる。
しかしながら、放電補助部を有するＥＳＤ保護装置では、放電が繰り返し生じることにより、ＥＳＤ特性が劣化するという問題がある。
本発明の主な目的は、ＥＳＤ特性が劣化し難いＥＳＤ保護装置を提供することにある。
本発明に係るＥＳＤ保護装置は、セラミック絶縁材と、第１及び第２の放電電極と、放電補助部とを備える。第１及び第２の放電電極は、セラミック絶縁材に設けられている。放電補助部は、第１の放電電極の先端部と第２の放電電極の先端部との間に配されている。放電補助部は、第１の放電電極と第２の放電電極との間の放電開始電圧を低下させる電極である。放電補助部は、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる。第１及び第２の放電電極は、半導体粒子を構成している半導体材料及び絶縁性粒子を構成している絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む。
本発明に係るＥＳＤ保護装置のある特定の局面では、第１及び第２の放電電極における半導体材料及び絶縁性材料の総含有量が、２０質量％以下である。
本発明に係るＥＳＤ保護装置の別の特定の局面では、第１及び第２の放電電極における絶縁性材料の含有量が、１質量％〜１０質量％である。
本発明に係るＥＳＤ保護装置の他の特定の局面では、第１及び第２の放電電極における半導体材料の含有量が、１質量％〜２０質量％である。
本発明に係るＥＳＤ保護装置の他の特定の局面では、第１及び第２の放電電極は、半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方によりコートされた導電性粒子を含む。
本発明に係るＥＳＤ保護装置のさらに他の特定の局面では、第１及び第２の放電電極が、セラミック絶縁材の表面上に設けられている。
本発明に係るＥＳＤ保護装置のさらに別の特定の局面では、第１及び第２の放電電極は、セラミック絶縁材の内部に設けられている。
本発明に係るＥＳＤ保護装置のまた他の特定の局面では、セラミック絶縁材は、空洞を有する。第１及び第２の放電電極は、それぞれの先端部が空洞内に位置するように設けられている。
本発明に係るＥＳＤ保護装置のまた別の特定の局面では、ＥＳＤ保護装置は、第１の外部電極と、第２の外部電極とをさらに備える。第１の外部電極は、セラミック絶縁材の上に配されている。第１の外部電極は、第１の放電電極に電気的に接続されている。第２の外部電極は、セラミック絶縁材の上に配されている。第２の外部電極は、第２の放電電極に電気的に接続されている。
本発明によれば、ＥＳＤ特性が劣化し難いＥＳＤ保護装置を提供することができる。
図１は、第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。 図２は、第２の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。 図３は、第３の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。 図４は、第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
図１は、本実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
図１に示されるように、ＥＳＤ保護装置１は、空洞１１を有するセラミック絶縁材１０を有する。セラミック絶縁材１０は、直方体状である。セラミック絶縁材１０は、適宜の絶縁性セラミックスにより構成することができる。具体的には、セラミック絶縁材１０は、例えば、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを主成分として含む低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）により構成することができる。セラミック絶縁材１０は、アルカリ金属成分及びホウ素成分のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。セラミック絶縁材１０は、ガラス成分を含んでいることが好ましい。
セラミック絶縁材１０には、第１及び第２の放電電極２１，２２が設けられている。第１及び第２の放電電極２１，２２は、セラミック絶縁材１０の内部に設けられている。第１の放電電極２１の先端部と、第２の放電電極２２の先端部とは、空洞１１内に位置している。第１の放電電極２１の先端部と、第２の放電電極２２の先端部とは、空洞１１内において対向している。このような構成とすることにより、ＥＳＤ保護装置１の応答性を向上すると共に、ＥＳＤ保護装置１の耐久性を向上することができる。
なお、第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部が対向している必要は必ずしもない。例えば、第１の放電電極２１の先端部が空洞１１の一の内表面上に位置している一方、第２の放電電極２２の先端部が空洞１１の他の内表面上に位置していてもよい。つまり、第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部との間で放電が生じるような形態である限りにおいて、第１及び第２の放電電極２１，２２の形状や配置等は特に限定されない。
また、第１及び第２の放電電極２１，２２が複数組設けられていてもよい。
セラミック絶縁材１０の外表面の上には、第１及び第２の外部電極３１，３２が設けられている。第１の外部電極３１は、第１の放電電極２１と電気的に接続されている。第２の外部電極３２は、第２の放電電極２２と電気的に接続されている。
なお、第１及び第２の放電電極２１，２２並びに第１及び第２の外部電極３１，３２は、それぞれ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗやそれらの少なくとも一種を含む合金などの適宜の材料により構成することができる。
第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部との間には、放電補助部５１が配されている。放電補助部５１は、第１の放電電極２１と第２の放電電極２２との間の放電開始電圧を低下させる機能を有する。具体的には、放電補助部５１を設けることにより、沿面放電と気中放電とに加えて、放電補助部５１を経由した放電も生じる。通常、沿面放電と気中放電と放電補助部５１を経由した放電とでは、放電補助部５１を経由した放電の開始電圧が最も低い。従って、放電補助部５１を設けることにより、第１の放電電極２１と第２の放電電極２２との間の放電開始電圧を低下させることができる。よって、ＥＳＤ保護装置１の絶縁破壊を抑制することができる。また、放電補助部５１を設けることによりＥＳＤ保護装置１の応答性を改善することができる。
放電補助部５１は、第１の粒子５１ａと、第２の粒子５１ｂとを含む焼結体により構成されている。第１の粒子５１ａの粒子径は、第２の粒子５１ｂの粒子径よりも大きい。第１の粒子５１ａの粒子径は、例えば２μｍ〜３μｍ程度とすることができる。第２の粒子５１ｂの粒子径は、例えば０．１μｍ〜１μｍ程度とすることができる。
第１の粒子５１ａは、導電性粒子により構成されている。第２の粒子５１ｂは、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方により構成されている。ここで、半導体粒子は、少なくとも表層が半導体材料からなる粒子であり、全体が半導体材料からなる粒子に限定されない。絶縁性粒子は、少なくとも表層が絶縁材料からなる粒子であり、全体が絶縁材料からなる粒子に限定されない。
第２の粒子５１ｂは、半導体粒子のみにより構成されていてもよいし、絶縁性粒子のみにより構成されていてもよいし、半導体粒子と絶縁性粒子とにより構成されていてもよい。好ましく用いられる導電性粒子の具体例としては、例えば、Ｃｕ粒子、Ｎｉ粒子等が挙げられる。導電性粒子は、例えば、絶縁材料や半導体材料によりコートされていてもよい。好ましく用いられる半導体粒子の具体例としては、例えば、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデンもしくは炭化タングステン等の炭化物からなる粒子、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化クロム、窒化バナジウムもしくは窒化タンタル等の窒化物からなる粒子、ケイ化チタン、ケイ化ジルコニウム、ケイ化タングステン、ケイ化モリブデン、ケイ化クロム等のケイ化物からなる粒子、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム、ホウ化クロム、ホウ化ランタン、ホウ化モリブデン、ホウ化タングステンなどのホウ化物からなる粒子、酸化亜鉛、チタン酸ストロンチウム等の酸化物からなる粒子等が挙げられる。好ましく用いられる絶縁性粒子の具体例としては、例えば、酸化アルミニウム粒子等が挙げられる。
セラミック絶縁材１０と第１及び第２の放電電極２１，２２の少なくとも一方の先端部との間には、保護層５２が設けられている。具体的には、保護層５２は、空洞１１の内壁の実質的に全体を覆うように設けられている。この保護層５２を設けることによりセラミック絶縁材１０に含まれる成分が先端部に達することを抑制することができる。よって、ＥＳＤ保護装置１の第１及び第２の放電電極２１，２２の劣化に起因する放電特性の低下を抑制することができる。
保護層５２は、セラミック絶縁材１０を構成しているセラミックスよりも焼結温度が高いセラミックスにより構成されていることが好ましい。セラミック絶縁材１０は、例えば、アルミナ、ムライト、ジルコニア、マグネシア及び石英からなる群から選ばれた少なくとも一種を含んでいることが好ましい。
ＥＳＤ保護装置１では、第１及び第２の放電電極２１，２２が、第２の粒子５１ｂを構成している半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む。第２の粒子５１ｂが半導体粒子により構成されている場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２が半導体粒子を構成している半導体材料を含む。第２の粒子５１ｂが絶縁性粒子により構成されている場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２が絶縁性粒子を構成している絶縁材料を含む。第２の粒子５１ｂが半導体粒子と絶縁性粒子とにより構成されている場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２が半導体粒子を構成している半導体材料と絶縁性粒子を構成している絶縁材料とのうちの少なくとも一方を含む。このため、ＥＳＤ保護装置１において放電が繰り返し生じた場合であっても、ＥＳＤ特性が劣化し難い。この理由としては、定かではないが、第１及び第２の放電電極２１，２２が、第２の粒子５１ｂを構成している半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２と放電補助部５１との密着性が向上し、また、第１及び第２の放電電極２１，２２と放電補助部５１との間の熱膨張率差が小さくなるためであると考えられる。
なお、半導体材料や絶縁材料は、導電性を低下させる成分である。従って、従来は、放電電極に半導体材料や絶縁材料を添加することは、放電補助部の導電性を低下させる観点から、好ましくないものと考えられていた。
第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料及び絶縁材料の総含有量が２０質量％以下であることが好ましい。第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料及び絶縁材料の総含有量が多すぎると、第１及び第２の放電電極２１，２２の導電性が低くなりすぎる場合がある。
第２の粒子５１ｂが絶縁性粒子を含む場合、第１及び第２の放電電極２１，２２における絶縁材料の含有量は、１質量％〜１０質量％であることが好ましい。第１及び第２の放電電極２１，２２における絶縁材料の含有量が少なすぎると、ＥＳＤ特性の劣化を十分に抑制できない場合がある。第１及び第２の放電電極２１，２２における絶縁材料の含有量が多すぎると、第１及び第２の放電電極２１，２２の導電性が低くなりすぎる場合がある。
第２の粒子５１ｂが半導体粒子を含む場合、第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料の含有量は、１質量％〜２０質量％であることが好ましい。第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料の含有量が少なすぎると、ＥＳＤ特性の劣化を十分に抑制できない場合がある。第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料の含有量が多すぎると、第１及び第２の放電電極２１，２２の導電性が低くなりすぎる場合がある。
また、導電性粒子が半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方によりコートされていると、導電性粒子の周囲に半導体材料や絶縁材料を高い均一性で分散させることができる。従って、半導体材料や絶縁材料の添加量が少ない場合であっても、第１及び第２の放電電極２１，２２と放電補助部５１との密着性を高めることができる。
また、ＥＳＤ保護装置１のように、保護層５２が設けられている場合は、保護層５２も、第１及び第２の放電電極２１，２２と同様に、半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合は、保護層５２と放電補助部５１との密着性を改善でき、かつ、保護層５２と放電補助部５１との熱膨張率差を小さくできる。従って、放電補助部５１が保護層５２から剥離することも抑制できるため、ＥＳＤ特性の劣化をさらに効果的に抑制することができる。
次に、ＥＳＤ保護装置１の製造方法の一例について説明する。
まず、セラミック絶縁材１０を構成するためのセラミックグリーンシートを用意する。セラミックグリーンシートは、ガラス成分を含むことが好ましい。セラミックグリーンシートは、アルカリ金属成分やホウ素成分を含んでいてもよい。セラミックグリーンシートは、例えば、アルカリ金属成分として、酸化カリウムなどのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属硝酸塩等を含んでいてもよい。
次に、セラミックグリーンシートの上に、放電補助部を構成するための、放電補助部形成用ペーストを塗布し、放電補助部形成用ペースト層を形成する。また、セラミックグリーンシートの上に、放電電極を構成するための導電性ペーストを塗布し、導電性ペースト層を形成する。セラミックグリーンシートの上に、空洞１１を形成するための樹脂ペーストを塗布し、樹脂ペースト層を形成する。なお、放電電極を構成するための導電性ペーストは、放電補助部形成用ペーストに含まれる絶縁材料及び半導体材料のうちの少なくとも一方が含まれる。樹脂ペーストとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂等が好ましく用いられる。
次に、放電補助部形成用ペースト層が表面上に形成されたセラミックグリーンシート、導電性ペースト層が表面上に形成されたセラミックグリーンシート、樹脂ペースト層が表面上に形成されたセラミックグリーンシート、及び表面上に層が形成されていないセラミックグリーンシートを適宜積層し、グリーンシート積層体を作製する。
次に、グリーンシート積層体を焼結させる。その後、焼結体の上に、例えばめっきや導電性ペーストの焼き付けなどにより第１及び第２の外部電極３１，３２を形成することによりＥＳＤ保護装置１を完成させることができる。なお、グリーンシート積層体の焼結は、例えば、８５０℃〜１０００℃程度の温度で行うことができる。
なお、本実施形態では、第１及び第２の放電電極２１，２２がセラミック絶縁材１０の内部に設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図２に示されるように、第１及び第２の放電電極２１，２２は、セラミック絶縁材１０の表面上に設けられていてもよい。その場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２のそれぞれの先端部を覆うように、セラミック絶縁材１０上に保護層６０が設けられていることが好ましい。保護層６０は、例えば樹脂により構成することができる。
また、図３に示されるように、ＥＳＤ保護装置２は、配線基板と一体に設けられていてもよい。すなわち、ＥＳＤ保護装置２は、少なくとも一つのＥＳＤ保護機能を有するＥＳＤ保護機構を内蔵するＥＳＤ保護機構内蔵配線基板を構成していてもよい。
また、図４に示されるように、ＥＳＤ保護装置は、保護層５２を備えていなくてもよい。
（比較例１）
下記の条件で、上記実施形態に係るＥＳＤ保護装置１と実質的に同様の構成を有するＥＳＤ保護装置を上記実施形態で説明した方法により作製した。
セラミック絶縁材の構成に用いたセラミックス：Ｂａ、Ａｌ及びＳｉを主体とするセラミックス
外部電極、内部導体：Ｃｕ
ＥＳＤ保護装置の寸法：長さ１．０ｍｍ×幅０．５ｍｍ×厚み０．３ｍｍ
放電電極の幅：１００μｍ
放電ギャップの距離：３０μｍ
放電補助部の第１の粒子：平均粒子径が２μｍである、酸化アルミニウムによりコートされたＣｕ粒子
放電補助部の第２の粒子：平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子
（実施例１）
以下の通り、放電電極に平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子をさらに含有させたこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子と、平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子とを含む。なお、放電補助部における酸化アルミニウムによりコートされたＣｕ粒子と炭化ケイ素粒子との質量比は、９０：１０であった。
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９．５：０．５：０
（実施例２）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９：１：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例３）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９５：５：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例４）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９０：１０：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例５）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝８０：２０：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例６）
以下の通り、放電電極に平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子を含有させたこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子と、平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子とを含む。
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９．５：０：０．５
（実施例７）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９：０：１としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例８）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９５：０：５としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例９）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９０：０：１０としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１０）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝８０：０：２０としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１１）
以下の通り、放電電極に平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子と、平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子とをさらに含有させたこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子と、平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子と、平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子とを含む。
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９：０．５：０．５
（実施例１２）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９５：２．５：２．５としたこと以外は実施例１１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１３）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９０：５：５としたこと以外は実施例１１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１４）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝８０：１０：１０としたこと以外は実施例１１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（放電応答性評価）
比較例１及び実施例１〜１４のそれぞれにおいて作製したＥＳＤ保護装置の放電応答性をＩＥＣの規格ＩＥＣ６１０００−４−２に定められている静電気放電イミュニティ試験を行うことで評価した。保護回路で検出されたピーク電圧が７００Ｖを超えるものを放電応答性が不良（×）とし、５００Ｖ〜７００Ｖのものを放電応答性が良好（○）とし、５００Ｖ未満のものを放電応答性が特に良好（◎）と評価した。結果を表１に示す。
（繰り返し耐性評価）
比較例１及び実施例１〜１４のそれぞれにおいて作製したＥＳＤ保護装置の放電が繰り返し生じた際の耐性を評価した。具体的には、まず、８ｋＶの電圧を印加し、接触放電を１００回行った後に、上記放電応答性評価を行った。その後、さらに接触放電を２００回（合計３００回）行った後に、上記放電応答性評価を行った。その後、さらに接触放電を２００回（合計５００回）行った後に、上記放電応答性評価を行った。その後、さらに接触放電を５００回（合計１０００回）行った後に、上記放電応答性評価を行った。結果を表１に示す。
Figure 2015084341
（実施例１５）
放電電極に含まれているＣｕ粒子の８０質量％に相当する量の粒子を、酸化アルミニウムによりコートされたＣｕ粒子に変更したこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。なお、実施例１５においては、放電電極における酸化アルミニウムの含有量は０．５質量％であった。
（実施例１６）
放電電極における酸化アルミニウムの含有量を１質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１７）
放電電極における酸化アルミニウムの含有量を３質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１８）
放電電極における酸化アルミニウムの含有量を５質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例１９）
放電電極に含まれているＣｕ粒子の８０質量％に相当する量の粒子を、炭化ケイ素によりコートされたＣｕ粒子に変更したこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。なお、実施例１９においては、放電電極における炭化ケイ素の含有量は０．５質量％であった。
（実施例２０）
放電電極における炭化ケイ素の含有量を１質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例２１）
放電電極における炭化ケイ素の含有量を３質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
（実施例２２）
放電電極における炭化ケイ素の含有量を５質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
実施例１５〜２２のそれぞれにおいて作製したＥＳＤ保護装置についても、実施例１等と同様に放電応答性評価及び繰り返し耐性評価を行った。結果を表２，３に示す。
Figure 2015084341
Figure 2015084341
表１〜３に示す結果から、放電補助部に含まれる絶縁材料及び半導体材料の少なくとも一方を放電電極に含ませることにより、放電応答性の低下を抑制しつつ、放電が繰り返し発生した場合のＥＳＤ特性の劣化を抑制できることが分かる。
１，２…ＥＳＤ保護装置
１０…セラミック絶縁材
１１…空洞
２１…第１の放電電極
２２…第２の放電電極
３１…第１の外部電極
３２…第２の外部電極
５１…放電補助部
５１ａ…第１の粒子
５１ｂ…第２の粒子
５２…保護層
６０…保護層

Claims (5)

  1. セラミック絶縁材と、
    前記セラミック絶縁材に設けられた第１及び第２の放電電極と、
    前記第１の放電電極の先端部と前記第２の放電電極の先端部との間に配されており、前記第１の放電電極と前記第２の放電電極との間の放電開始電圧を低下させる電極であって、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる放電補助部と、
    前記セラミック絶縁材と、第１及び第２の放電電極の先端部の少なくとも一方との間に配置された保護層と、
    を備え、
    前記保護層は、前記半導体粒子を構成している半導体材料及び前記絶縁性粒子を構成している絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む、ＥＳＤ保護装置。
  2. 前記セラミック絶縁材は、空洞を有し、
    前記第１及び第２の放電電極は、それぞれの先端部が前記空洞内に位置するように設けられており、
    前記保護層が、前記空洞の内壁を覆うように設けられている、請求項１に記載のＥＳＤ保護装置。
  3. 前記第１及び第２の放電電極が、前記セラミック絶縁材の表面上に設けられている、請求項１または２のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
  4. 前記第１及び第２の放電電極は、前記セラミック絶縁材の内部に設けられている、請求項１または２のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
  5. 前記セラミック絶縁材の上に配されており、前記第１の放電電極に電気的に接続された第１の外部電極と、
    前記セラミック絶縁材の上に配されており、前記第２の放電電極に電気的に接続された第２の外部電極と、
    をさらに備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
JP2015018613A 2012-08-13 2015-02-02 Ｅｓｄ保護装置 Active JP5954447B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015018613A JP5954447B2 (ja) 2012-08-13 2015-02-02 Ｅｓｄ保護装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012179354 2012-08-13
JP2012179354 2012-08-13
JP2015018613A JP5954447B2 (ja) 2012-08-13 2015-02-02 Ｅｓｄ保護装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014530509A Division JP5692470B2 (ja) 2012-08-13 2013-07-25 Ｅｓｄ保護装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015084341A true JP2015084341A (ja) 2015-04-30
JP5954447B2 JP5954447B2 (ja) 2016-07-20

Family

ID=50685546

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014530509A Active JP5692470B2 (ja) 2012-08-13 2013-07-25 Ｅｓｄ保護装置
JP2015018613A Active JP5954447B2 (ja) 2012-08-13 2015-02-02 Ｅｓｄ保護装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014530509A Active JP5692470B2 (ja) 2012-08-13 2013-07-25 Ｅｓｄ保護装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9698109B2 (ja)
JP (2) JP5692470B2 (ja)
CN (1) CN104521079B (ja)
WO (1) WO2014027552A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015170584A1 (ja) 2014-05-09 2015-11-12 株式会社村田製作所 静電気放電保護デバイス
KR101640218B1 (ko) * 2014-06-26 2016-07-18 파낙스 이텍(주) 전도성 실리콘 수지 조성물 및 이로부터 제조된 전자파 차폐용 가스켓
CN108701972B (zh) * 2016-04-13 2020-05-26 株式会社村田制作所 Esd保护装置及其制造方法
DE102019125819A1 (de) * 2019-04-17 2020-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Halbleiterverarbeitungsvorrichtung und verfahren unter einsatz einer elektrostatischen entladungs-(esd)- verhinderungsschicht

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074269A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Murata Mfg Co Ltd Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101542856B (zh) * 2007-05-28 2012-05-30 株式会社村田制作所 静电放电保护装置
JP4434314B2 (ja) * 2008-02-05 2010-03-17 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス
JPWO2010061519A1 (ja) * 2008-11-26 2012-04-19 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法
WO2010061522A1 (ja) * 2008-11-26 2010-06-03 株式会社 村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス
JP5262624B2 (ja) * 2008-11-26 2013-08-14 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法
EP2357709B1 (en) * 2008-12-10 2019-03-20 Murata Manufacturing Co. Ltd. Esd protection device
CN102299485B (zh) * 2010-05-18 2013-09-18 株式会社村田制作所 Esd保护装置的制造方法及esd保护装置
JP5088396B2 (ja) 2010-05-20 2012-12-05 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス及びその製造方法
JP5692240B2 (ja) * 2010-12-27 2015-04-01 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護装置及びその製造方法
US8724284B2 (en) * 2011-05-25 2014-05-13 Tdk Corporation Electrostatic protection component

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074269A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Murata Mfg Co Ltd Ｅｓｄ保護デバイスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150155246A1 (en) 2015-06-04
WO2014027552A1 (ja) 2014-02-20
JP5692470B2 (ja) 2015-04-01
US9698109B2 (en) 2017-07-04
CN104521079B (zh) 2016-09-28
JP5954447B2 (ja) 2016-07-20
JPWO2014027552A1 (ja) 2016-07-25
CN104521079A (zh) 2015-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4434314B2 (ja) Ｅｓｄ保護デバイス
US8711537B2 (en) ESD protection device and method for producing the same
JP5741708B2 (ja) Ｅｓｄ保護デバイス
JPWO2010067503A1 (ja) Ｅｓｄ保護デバイス
JP5954447B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
US9516728B2 (en) ESD protection device
JP6107945B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP5725262B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP6075447B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP5971413B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP6390816B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP6086151B2 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP6365205B2 (ja) 静電気対策素子
US9413168B2 (en) ESD protection device
WO2014168141A1 (ja) Ｅｓｄ保護装置
JP2023028121A (ja) 過渡電圧保護部品
WO2013146324A1 (ja) Ｅｓｄ保護装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160105

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160517

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160530

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5954447

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150