JP2008077766A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置101は、閾値電圧に基づいてデータを記憶する複数個のメモリセルMCと、対応のメモリセルMCの記憶データに基づく読み出し信号が現われる複数のビット線GBLと、ビット線GBLに対応して配置され、対応のビット線GBLに現われた読み出し信号を検出し、検出した読み出し信号に基づいて互いに異なる論理レベルを有する第1の信号および第2の信号をそれぞれ第1ノードおよび第2ノードから出力する複数個のセンスアンプ1と、複数個のセンスアンプ1の第1ノードおよび第2ノードからそれぞれ受けた第1の信号および第2の信号に基づいて複数個のメモリセルMCの閾値電圧の良否を判定する判定部12とを備える。
【選択図】図1
Description
[構成および基本動作]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す図である。
次に、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置のベリファイ動作について説明する。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて判定部の構成を変更した半導体装置に関する。
図6を参照して、半導体装置102は、半導体装置101と比べて、判定部12の代わりに判定部21を備える。判定部21は、PチャネルMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)M23A〜M23Cと、PチャネルMOSトランジスタ(第2のトランジスタ)M24A〜M24Cと、電流判定回路22と、切り替え回路3とを含む。
本実施の形態は、第1の実施の形態に係る半導体装置と比べて判定部の構成を変更した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図8を参照して、半導体装置103は、半導体装置101と比べて、判定部12の代わりに判定部31を備える。判定部31は、NチャネルMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)M21A〜M21Cと、NチャネルMOSトランジスタ(第2のトランジスタ)M22A〜M22Cと、NチャネルMOSトランジスタ(第3のトランジスタ)M25A〜M25Cと、NチャネルMOSトランジスタ(第4のトランジスタ)M26A〜M26Cと、電流判定回路32と、切り替え回路3とを含む。
NチャネルMOSトランジスタM33A〜M33Cは、並列に接続され、比較回路51に基準電流IBを出力する。NチャネルMOSトランジスタM34A〜M34Cは、それぞれNチャネルMOSトランジスタM33A〜M33Cの出力すなわちソースに接続される。NチャネルMOSトランジスタM34A〜M34Cは、ゲートに供給されるバイアス電圧BIAS1に基づいて、それぞれNチャネルMOSトランジスタM33A〜M33Cの出力電流を所定値に制限する。すなわち、NチャネルMOSトランジスタM34A〜M34Cの出力電流が、NチャネルMOSトランジスタM33A〜M33Cの出力電流より小さくなるようにバイアス電圧BIAS1を調整する。
本実施の形態は、第3の実施の形態に係る半導体装置と比べて判定部の構成を変更した半導体装置に関する。以下で説明する内容以外は第3の実施の形態に係る半導体装置と同様である。
図10を参照して、半導体装置104は、半導体装置103と比べて、判定部31の代わりに判定部41を備える。判定部41は、NチャネルMOSトランジスタ(第1のトランジスタ)M21A〜M21Cと、NチャネルMOSトランジスタ(第2のトランジスタ)M22A〜M22Cと、電流判定回路32と、切り替え回路3と、電圧切り替え回路42とを含む。
Claims (6)
- 閾値電圧に基づいてデータを記憶する複数個のメモリセルと、
対応の前記メモリセルの記憶データに基づく読み出し信号が現われる複数のビット線と、
前記ビット線に対応して配置され、対応の前記ビット線に現われた読み出し信号を検出し、前記検出した読み出し信号に基づいて互いに異なる論理レベルを有する第1の信号および第2の信号をそれぞれ第1ノードおよび第2ノードから出力する複数個のセンスアンプと、
前記複数個のセンスアンプの前記第1ノードおよび前記第2ノードからそれぞれ受けた前記第1の信号および前記第2の信号に基づいて前記複数個のメモリセルの閾値電圧の良否を判定する判定部とを備える半導体装置。 - 前記判定部は、
前記複数個のセンスアンプの前記第1ノードからそれぞれ受けた第1の信号に基づいて前記複数個のメモリセルの閾値電圧がそれぞれ所定範囲における最大値未満であるか否かを判定し、かつ前記複数個のセンスアンプの前記第2ノードからそれぞれ受けた第2の信号に基づいて前記複数個のメモリセルの閾値電圧がそれぞれ前記所定範囲における最小値以上であるか否かを判定する請求項1記載の半導体装置。 - 前記判定部は、
前記センスアンプに対応して配置され、対応の前記センスアンプの前記第1ノードから受けた第1の信号に基づいてオン状態およびオフ状態を切り替える複数個の第1のトランジスタと、
前記センスアンプに対応して配置され、対応の前記センスアンプの前記第2ノードから受けた第2の信号に基づいてオン状態およびオフ状態を切り替える複数個の第2のトランジスタと、
前記複数個の第1のトランジスタの出力電流および前記複数個の第2のトランジスタの出力電流を検出し、前記検出結果に基づいて前記複数個のメモリセルの閾値電圧の良否を表わす信号を出力する電流判定回路とを含む請求項1記載の半導体装置。 - 前記判定部は、さらに、
対応の前記第1のトランジスタの出力に電気的に接続され、前記対応の第1のトランジスタの出力電流を所定値に制限する複数個の第3のトランジスタと、
対応の前記第2のトランジスタの出力に電気的に接続され、前記対応の第2のトランジスタの出力電流を所定値に制限する複数個の第4のトランジスタとを含む請求項3記載の半導体装置。 - 前記判定部は、さらに、
前記第3のトランジスタおよび前記第4のトランジスタへ第1の制御電圧を出力するかあるいは第2の制御電圧を出力するかを切り替える電圧切り替え回路を含み、
前記第3のトランジスタは、前記電圧切り替え回路から受けた制御電圧に基づいて前記対応の第1のトランジスタの出力電流を所定値に制限するか否かを切り替え、
前記第4のトランジスタは、前記電圧切り替え回路から受けた制御電圧に基づいて前記対応の第2のトランジスタの出力電流を所定値に制限するか否かを切り替える請求項4記載の半導体装置。 - 前記判定部は、さらに、
対応の前記第1のトランジスタの出力に電気的に接続され、前記対応の第1のトランジスタの出力電流を所定値に制限する複数個の第3のトランジスタを含み、
前記電流判定回路は、
前記第1のトランジスタの出力電流と基準電流とを比較し、前記比較結果に基づいて前記複数個のメモリセルの閾値電圧の良否を表わす信号を出力する比較回路と、
前記基準電流を前記比較回路に供給する基準電流発生回路とを含み、
前記基準電流発生回路は、
並列に接続され、前記比較回路に基準電流を出力する複数個の第5のトランジスタと、
対応の前記第5のトランジスタの出力に電気的に接続され、前記対応の第5のトランジスタの出力電流を所定値に制限する複数個の第6のトランジスタとを含み、
前記第6のトランジスタの制御電極および前記第3のトランジスタの制御電極に所定電圧が供給され、
前記複数個の第6のトランジスタのうち、1個の前記第6のトランジスタは他の前記第6のトランジスタよりもサイズが小さく、残りの前記第6のトランジスタのサイズと、前記第3のトランジスタのサイズとが同一である請求項3記載の半導体装置。
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