JP2007200512A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置は、各々が、データを記憶するメモリセルを含むメモリマットM_LおよびメモリマットM_Rと、メモリセルが記憶するデータの検出を行なうセンスラッチ部SLUと、センスラッチ部SLUが検出した読み出しデータを外部へ出力するバッファ回路BFとを備え、センスラッチ部SLUおよびバッファ回路BFは、メモリマットM_LおよびメモリマットM_R間で共有され、メモリマットM_LおよびメモリマットM_Rに挟まれた状態で配置される。
【選択図】図7
Description
間の増大を防ぐことが可能な半導体記憶装置を提供することである。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を概略的に示す図である。
チャージMOSトランジスタMPC4〜MPC6のソースが電圧供給線FPC_Rに接続され、ゲートが電圧供給線PC_Rに接続され、ドレインがグローバルビット線GBL_R<1>〜GBL_R<3>に接続される。
次に、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置がメモリセルに対してデータ読み出しおよびデータ書き込みを行なう際の動作について説明する。
がプリチャージされる、すなわちグローバルビット線GBL_L<1>〜GBL_L<3>に電荷が蓄積される。
データ書き込み時、バッファ回路BFは、半導体記憶装置外部から受けた書き込みデータをセンスラッチSLへ出力する。そして、たとえば3.5Vの電圧が電圧供給線TR_Lに印加される。書き込み対象のメモリセルMCに対応するグローバルビット線GBL_Lには、センスラッチSLからたとえば接地電圧の電圧が印加され、書き込み対象でないメモリセルMCに対応するグローバルビット線GBL_Lには、センスラッチSLからたとえば4.5Vの電圧が印加される。
な説明を繰り返さない。
パラレルデータ読み出し時、制御回路CNTLは、電圧発生回路PSを制御して、プリチャージ/ディスチャージMOSトランジスタMPC1〜MPC6をオン状態としてグローバルビット線GBL_L<1>〜GBL_L<3>およびGBL_R<1>〜GBL_R<3>をプリチャージする。そして、制御回路CNTLは、トランスファMOSトランジスタMT51〜MT56をオン状態としてグローバルビット線GBL_L<1>〜GBL_L<3>およびGBL_R<1>〜GBL_R<3>をディスチャージする。
パラレルデータ書き込み時、バッファ回路BFは、半導体記憶装置外部から受けた、メモリマットM_LのメモリセルMCに対する書き込みデータをセンスラッチSLへ出力する。そして、制御回路CNTLは、電圧発生回路PSを制御して、トランスファMOSトランジスタMT1〜MT3をオン状態とし、トランスファMOSトランジスタMT4〜MT6をオフ状態とし、プリチャージ/ディスチャージMOSトランジスタMPC1〜MPC3をオン状態とする。センスラッチSLは、トランスファMOSトランジスタMT1〜MT3を介してグローバルビット線GBL_L<1>〜GBL_L<3>に書き込みデータに対応する電荷をチャージする。
図5は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置におけるプリチャージ/ディスチャージMOSトランジスタのレイアウトを示す図である。
図6は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置におけるプリチャージ/ディスチャージMOSトランジスタのレイアウトの変形例を示す図である。
よびMPC_Rをセンスラッチに対して対称な配置とすると、プリチャージ/ディスチャージMOSトランジスタMPC_Lではドレイン領域として使用していた領域をプリチャージ/ディスチャージMOSトランジスタMPC_Rではソース領域として使用することになるため、ドレイン領域およびソース領域の構造が異なる場合に対応することができない。
本実施の形態は、バッファ回路の配置を変更した半導体記憶装置に関する。以下で説明する内容以外の構成および動作は第1の実施の形態に係る半導体記憶装置と同様である。
して外部へ出力する。したがって、メモリセルが複数ビットのデータを記憶する場合には、バッファ回路と外部とのデータ転送回数に対してセンスアンプおよびバッファ回路間におけるデータ転送回数が多くなるため、データ読み出し時間の増大が顕著になる。
4> ワード線(電圧供給線)、TD_L,TG_L,TS_L,TD_R,TG_R,TS_R コンタクト、G_L,G_R ゲート領域、S_L,S_R,S ソース領域、D_L,D_R,D1,D2 ドレイン領域、T1〜T4 MOSトランジスタ(第4〜第7のトランジスタ)、P 拡散層、IO 配線。
Claims (7)
- 各々が、データを記憶するメモリセルを含む複数個のメモリマットと、
前記メモリセルが記憶するデータの検出を行なうセンスアンプと、
前記センスアンプが検出した読み出しデータを外部へ出力するバッファ回路とを備え、
前記センスアンプおよび前記バッファ回路は、前記複数個のメモリマット間で共有され、前記複数個のメモリマットに挟まれた状態で配置される半導体記憶装置。 - 前記バッファ回路は、さらに、前記メモリセルに対する書き込みデータを外部から入力し、
前記半導体記憶装置は、さらに、
前記入力したメモリセルに対する書き込みデータおよび前記検出された読み出しデータの一時保存を行なうラッチ回路を備え、
前記センスアンプ、前記バッファ回路および前記ラッチ回路は、前記複数個のメモリマット間で共有され、前記複数個のメモリマットに挟まれた状態で配置される請求項1記載の半導体記憶装置。 - 各々が、データを記憶するメモリセルを含む第1のメモリマットおよび第2のメモリマットと、
前記メモリマットごとに少なくとも1本ずつ配置され、前記メモリセルの一方の導通電極に接続される第1の電流線と、
前記各メモリマット間で共有され、前記メモリセルに対する書き込みデータに対応する電荷を前記第1の電流線に蓄え、かつ前記第1の電流線の電圧値または電流値に基づいて前記メモリセルが記憶するデータを検出するセンスラッチと、
前記メモリマットごとに少なくとも1本ずつ配置される第2の電流線と、
前記第1の電流線に対応して配置され、前記第1の電流線と前記第2の電流線との接続および非接続を切り替える複数個の第1のトランジスタと、
前記第1の電流線に対応して配置され、前記第1の電流線と前記センスラッチとの接続および非接続を切り替える複数個の第2のトランジスタと、
前記メモリマットごとに少なくとも1本ずつ配置される第3の電流線と、
前記第1の電流線に対応して配置され、前記メモリセルの他方の導通電極と前記第3の電流線との接続および非接続を切り替える複数個の第3のトランジスタとを備える半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記各トランジスタに電圧を供給する電圧発生回路と、
前記センスラッチおよび前記電圧発生回路を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記センスラッチおよび前記電圧発生回路を制御して、
前記各メモリマットの前記メモリセルに対するデータ読み出し時、前記各メモリマットに対応する前記第1のトランジスタを活性化させて前記第1の電流線および前記第2の電流線を接続した後、前記各メモリマットに対応する前記第3のトランジスタを活性化させて前記メモリセルの他方の導通電極および前記第3の電流線を接続し、その後、
前記各メモリマットのいずれか1つに対応する前記第2のトランジスタを順次活性化させるとともに他の前記メモリマットの前記第2のトランジスタを非活性化させて、前記活性化させた第2のトランジスタに対応する前記第1の電流線の電圧値または電流値に基づいて、前記活性化させた第2のトランジスタに対応する前記第1の電流線に接続される前記メモリセルの記憶データを順次検出する請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、さらに、
前記各トランジスタに電圧を供給する電圧発生回路と、
前記センスラッチおよび前記電圧発生回路を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記センスラッチおよび前記電圧発生回路を制御して、
前記各メモリマットの前記メモリセルに対するデータ書き込み時、前記各メモリマットのいずれか1つに対応する前記第2のトランジスタを順次活性化させ、他の前記メモリマットの前記第2のトランジスタを非活性化させるとともに前記活性化させた第2のトランジスタに接続される前記第1の電流線に前記書き込みデータに対応する電荷を蓄え、その後、前記各メモリマットに対応する前記第3のトランジスタを活性化させて前記メモリセルの他方の導通電極および前記第3の電流線を接続する請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の電流線の延在方向に順次、前記第1のメモリマット、前記第1のメモリマットに対応する前記第1のトランジスタのドレイン領域、ゲート領域、ソース領域、前記センスラッチ、前記第2のメモリマットに対応する前記第1のトランジスタのドレイン領域、ゲート領域、ソース領域および前記第2のメモリマットが配置される請求項3記載の半導体記憶装置。
- 前記センスラッチおよび前記第1のメモリマット間に第4のトランジスタおよび第5のトランジスタが配置され、前記第4のトランジスタおよび前記第5のトランジスタのソース領域が共通に形成され、
前記センスラッチおよび前記第2のメモリマット間に第6のトランジスタおよび第7のトランジスタが配置され、前記第6のトランジスタおよび前記第7のトランジスタのソース領域が共通に形成され、
前記第1の電流線の延在方向に順次、前記第1のメモリマット、前記第4のトランジスタのドレイン領域、ゲート領域、前記第4のトランジスタおよび前記第5のトランジスタのソース領域、前記第5のトランジスタのゲート領域、ドレイン領域、前記センスラッチ、前記第6のトランジスタのドレイン領域、ゲート領域、前記第6のトランジスタおよび前記第7のトランジスタのソース領域、前記第7のトランジスタのゲート領域、ドレイン領域および前記第2のメモリマットが配置され、
前記第4のトランジスタが前記第1のメモリマットに対応する前記第1のトランジスタとして使用され、前記第6のトランジスタが前記第2のメモリマットに対応する前記第1のトランジスタとして使用される請求項3記載の半導体記憶装置。
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