JP2008047880A - 半導体素子のヒューズボックス及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1ヒューズは、一方向に配列されて第1カッティング軸を有し、第1ヒューズピッチを有する第1部分、第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、第1部分と第2部分を電気的に連結する第3部分を備える。第2ヒューズは、一方向に配列されて第2カッティング軸を有し、第1ヒューズピッチを有する第1部分、第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、第1部分と第2部分を電気的に連結する第3部分を備える。第3ヒューズは、第1または第2カッティング軸のうち一つのカッティング軸を有し、一方向に配列されて第1ヒューズピッチを有する第1パターン、第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有し、第1または第2ヒューズをバイパスするように配列された第2パターンを備える。
【選択図】図2A
Description
110、130、160 層間絶縁膜
120a、140a、150a ヒューズ
170 キャッピング層
180 パッシベーション膜
101 ヒューズ開口領域
Claims (23)
- 第1方向に配列されて第1カッティング軸を有する複数の第1ヒューズを備えるが、各第1ヒューズは、第1ヒューズピッチを有する第1部分、前記第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分とを連結する第3部分を備える第1ヒューズ群と、
前記第1方向に配列されて第2カッティング軸を有する複数の第2ヒューズを備えるが、各第2ヒューズは、第1ヒューズピッチを有する第1部分、前記第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分とを連結する第3部分を備える第2ヒューズ群と、
複数の第3ヒューズを備えるが、各第3ヒューズは、前記第1カッティング軸または前記第2カッティング軸のうち一つのカッティング軸を有し、前記第1方向に配列されて第1ヒューズピッチを有する第1パターンと、第2方向に配列されて前記第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有し、前記第1ヒューズまたは前記第2ヒューズをバイパスするように配列された第2パターンとを備える第3ヒューズ群と、を備える半導体素子のヒューズボックス。 - 前記第1ヒューズ群の前記第1ヒューズの前記第1部分と前記第2ヒューズ群の前記第2ヒューズの前記第2部分とは、前記第1方向に平行に配列され、前記第1ヒューズ群の前記第1ヒューズの前記第2部分と前記第2ヒューズ群の前記第2ヒューズの前記第1部分とは、前記第1方向に平行に配列され、
前記第3ヒューズ群の前記第3ヒューズの前記第1パターンは、前記第1ヒューズの前記第1部分または前記第2ヒューズの前記第1部分と平行に、前記第1方向に配列されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のヒューズボックス。 - 前記第1ヒューズの前記第1ヒューズピッチは、前記第2ヒューズの前記第1ヒューズピッチ及び前記第3ヒューズの前記第1ヒューズピッチと同一であり、前記第1ヒューズの前記第2ヒューズピッチは、前記第2ヒューズの前記第2ヒューズピッチ及び前記第3ヒューズの前記第2ヒューズピッチと同一であることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記第1ヒューズ群の前記第1ヒューズの前記第1部分が、前記第1カッティング軸に配列され、前記第2ヒューズ群の前記第2ヒューズの前記第1部分が、前記第2カッティング軸に配列され、前記第3ヒューズ群の前記第3ヒューズの前記第1パターンが、前記第1または前記第2カッティング軸のうち前記一つのカッティング軸に配列されることを特徴とする請求項3に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記第3ヒューズ群の前記第1パターンと前記第2パターンとは、コンタクトを介して連結されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 半導体基板上に配列されて、第2ヒューズピッチを有する第3ヒューズ群の第2パターンと、
前記第3ヒューズ群の前記第2パターン上に形成される第1絶縁膜と、
前記第3ヒューズ群の前記第2パターンの一部分を選択的に露出させるコンタクトと、
前記第1絶縁膜上に配列され、各第1ヒューズが第1ヒューズピッチを有する第1部分、前記第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分とを連結する第3部分を備える第1ヒューズ群と、
前記第1絶縁膜上に配列され、各第2ヒューズが第1ヒューズピッチを有する第1部分、前記第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分とを連結する第3部分を備える第2ヒューズ群と、
前記第1絶縁膜上に配列され、前記コンタクトを介して前記第3ヒューズ群の前記第2パターンと連結され、第1ヒューズピッチを有する前記第3ヒューズ群の第1パターンと、を備える半導体素子のヒューズボックス。 - 前記第1ないし第3ヒューズ群の各ヒューズは、金属膜またはポリシリコン膜を含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記第3ヒューズ群の前記第2パターンは、前記第1ヒューズの前記第2部分または前記第2ヒューズの前記第2部分に対応して配列されることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分と前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第2部分とは、前記第1方向に平行に配列され、前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第2部分と前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分とは、前記第1方向に平行に配列され、
前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第1パターンは、前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分または前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分と平行に、前記第1方向に配列されることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子のヒューズボックス。 - 前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第1ヒューズピッチは、前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第1ヒューズピッチ及び前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第1ヒューズピッチと同一であり、前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第2ヒューズピッチは、前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第2ヒューズピッチ及び前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第2ヒューズピッチと同一であることを特徴とする請求項9に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記第1絶縁膜上に形成される第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分、前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分、及び前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第1パターンの一部を露出させるヒューズ開口領域が形成されたキャッピング層と、をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子のヒューズボックス。 - 前記キャッピング層は、金属膜を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記キャッピング層上に、前記第1ヒューズ群及び前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第3部分に対応して形成されたパッシベーション膜をさらに備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 前記パッシベーション膜は、窒化膜を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体素子のヒューズボックス。
- 半導体基板上に第2ヒューズピッチを有する第3ヒューズ群の第2パターンを形成する段階と、
前記第3ヒューズ群の前記第2パターン上に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1絶縁膜をエッチングして、前記第3ヒューズ群の前記第2パターンの一部分を選択的に露出させるコンタクトを形成する段階と、
前記第1絶縁膜上に各ヒューズが第1ヒューズピッチを有する第1部分、前記第1ヒューズピッチより小さな第2ヒューズピッチを有する第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分とを連結する第3部分を備える第1ヒューズ群と、各ヒューズが第1ヒューズピッチを有する第1部分、第2ヒューズピッチを有する第2部分、及び前記第1部分と前記第2部分とを連結する第3部分を備える第2ヒューズ群と、前記コンタクトを介して前記第2パターンと電気的に連結され、前記第2ヒューズピッチより大きい第1ヒューズピッチを有し、前記第1方向に配列される前記第3ヒューズ群の第1パターンとを形成する段階を含む半導体素子のヒューズボックス形成方法。 - 前記第1ヒューズ群、前記第2ヒューズ群及び前記第3ヒューズ群の各ヒューズは、金属膜またはポリシリコン膜を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。
- 前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第2パターンは、前記第1ヒューズの前記第2部分または前記第2ヒューズの前記第2部分に対応して形成されることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。
- 前記第1ヒューズの前記第1部分と前記第2ヒューズの前記第2部分とは平行に配列され、前記第1ヒューズの前記第2部分と前記第2ヒューズの前記第1部分とは平行に配列され、
前記第3ヒューズの前記第1パターンは、前記第1ヒューズの前記第2部分または前記第2ヒューズの前記第2部分と平行に配列されることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。 - 前記第1ヒューズの前記第1ヒューズピッチは、前記第2ヒューズの前記第1ヒューズピッチ及び前記第3ヒューズの前記第1ヒューズピッチと同一であり、前記第1ヒューズの前記第2ヒューズピッチは、前記第2ヒューズの前記第2ヒューズピッチ及び前記第3ヒューズの前記第2ヒューズピッチと同一であることを特徴とする請求項18に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。
- 前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第2絶縁膜上に前記第1ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分、前記第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分、及び前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第1パターンの一部を露出させるヒューズ開口領域が形成されたキャッピング層を形成する段階と、
前記キャッピング層上に第3絶縁膜を形成する段階と、
前記第3絶縁膜と前記第2絶縁膜とをエッチングして、前記キャッピング層のうち、前記第1ヒューズ群及び前記第2ヒューズ群の前記第3部分に対応する部分に第3絶縁膜を残し、前記第2絶縁膜に前記ヒューズ開口領域を形成する段階と、をさらに備えることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。 - 前記キャッピング層は、前記第2絶縁膜に前記ヒューズ開口領域を形成するときに、エッチングマスクとして作用することを特徴とする請求項20に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。
- 前記キャッピング層は、金属膜を含み、前記第3絶縁膜は、窒化膜を含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。
- 前記ヒューズ開口領域によって露出された前記第1ヒューズ群及び第2ヒューズ群の各ヒューズの前記第1部分と、前記第3ヒューズ群の各ヒューズの前記第1パターンとを一部分エッチングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体素子のヒューズボックス形成方法。
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