JP2008028326A - ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1の制御部100は、熱処理装置1の内部に付着した付着物を除去するために、ガス供給部20の少なくとも、フッ化水素の流量を制御するMFCより上流側の温度及び圧力を、フッ化水素における準単分子領域内の温度及び圧力に設定し、フッ化水素を含むクリーニングガスを反応管2内に供給する。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、薄膜形成装置の洗浄を安定して行うことができるガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、及び、薄膜形成装置を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、クリーニングガスを安定して供給することができるガス供給装置、及び、ガス供給方法を提供することを目的とする。
薄膜形成装置の内部に付着した付着物を除去するために、薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給するガス供給方法であって、
前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定する、ことを特徴とする。
前記ガス供給部の温度を80℃以下に設定し、前記ガス供給部の圧力を13300Pa以上に設定することが好ましい。
前記ガス供給部の温度を50℃以上に設定し、前記ガス供給部の圧力を66500Pa以下に設定することが好ましい。
前記ハロゲン酸性ガスとしては、例えば、フッ化水素が用いられる。
薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部からクリーニングガスを供給し、装置の内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガス供給方法によりクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする。
薄膜形成装置の反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガス供給方法によりクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、を備える、ことを特徴とする。
薄膜形成装置の内部に付着した付着物を除去するために、薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給するガス供給装置であって、
前記ガス供給部からクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定するように、前記クリーニングガス供給手段を制御する、ことを特徴とする。
前記制御手段は、例えば、前記ガス供給部の温度を80℃以下に設定し、前記ガス供給部の圧力を13300Pa以上に設定する。
前記制御手段は、例えば、前記ガス供給部の温度を50℃以上に設定し、前記ガス供給部の圧力を66500Pa以下に設定する。
前記ハロゲン酸性ガスは、例えば、フッ化水素である。
被処理体が収容された反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
第4の観点にかかるガス供給装置を備える、ことを特徴とする。
薄膜形成装置の内部に付着した付着物を除去するために、薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給するガス供給装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記ガス供給部からクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段、
前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定するように、前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
被処理体が収容された反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記ガス供給部からクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段、
前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定するように、前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
MFC23は、第1バルブ22と第2バルブ24との間に設けられ、処理ガス導入管17を流れるガスの流量を所定量に制御する。
第2バルブ24は、ガス供給源25の下流側(ガス供給源25とMFC23との間)に設けられ、処理ガス導入管17のガス供給源25下流側の開度を調整する。
ガス供給源25は、処理ガス導入管17の端部に設けられ、反応管2(処理ガス導入管17)に供給する処理ガスを収容する。
加熱部26は、処理ガス導入管17に設けられ、処理ガス導入管17(処理ガス導入管17を流れる処理ガス)を所定の温度に加熱する。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内、接続管21e内等の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
20 ガス供給部
21 接続管
22 第1バルブ
23 マスフローコントローラ(MFC)
24 第2バルブ
25 ガス供給源
26 加熱部
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (17)
- 薄膜形成装置の内部に付着した付着物を除去するために、薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給するガス供給方法であって、
前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定する、ことを特徴とするガス供給方法。 - 前記ガス供給部の温度及び圧力を、前記準単分子領域内の温度及び圧力に設定する、ことを特徴とする請求項1に記載のガス供給方法。
- 前記ガス供給部の温度を80℃以下に設定し、前記ガス供給部の圧力を13300Pa以上に設定する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のガス供給方法。
- 前記ガス供給部の温度を50℃以上に設定し、前記ガス供給部の圧力を66500Pa以下に設定する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のガス供給方法。
- 前記ガス供給部の前記流量制御部より下流側の圧力を、前記流量制御部より上流側の圧力より低圧に設定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のガス供給方法。
- 前記ハロゲン酸性ガスにフッ化水素を用いる、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のガス供給方法。
- 薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部からクリーニングガスを供給し、装置の内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガス供給方法によりクリーニングガスを供給する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 薄膜形成装置の反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載のガス供給方法によりクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去する洗浄工程と、を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 薄膜形成装置の内部に付着した付着物を除去するために、薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給するガス供給装置であって、
前記ガス供給部からクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定するように、前記クリーニングガス供給手段を制御する、ことを特徴とするガス供給装置。 - 前記制御手段は、前記ガス供給部の温度及び圧力を、前記準単分子領域内の温度及び圧力に設定する、ことを特徴とする請求項9に記載のガス供給装置。
- 前記制御手段は、前記ガス供給部の温度を80℃以下に設定し、前記ガス供給部の圧力を13300Pa以上に設定する、ことを特徴とする請求項9または10に記載のガス供給装置。
- 前記制御手段は、前記ガス供給部の温度を50℃以上に設定し、前記ガス供給部の圧力を66500Pa以下に設定する、ことを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載のガス供給装置。
- 前記制御手段は、前記ガス供給部の前記流量制御部より下流側の圧力を、前記流量制御部より上流側の圧力より低圧に設定する、ことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載のガス供給装置。
- 前記ハロゲン酸性ガスはフッ化水素である、ことを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載のガス供給装置。
- 被処理体が収容された反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
請求項9乃至14のいずれか1項に記載のガス供給装置を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 薄膜形成装置の内部に付着した付着物を除去するために、薄膜形成装置の反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給するガス供給装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記ガス供給部からクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段、
前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定するように、前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段、
として機能させるためのプログラム。 - 被処理体が収容された反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、反応室、または、該反応室内のガスを排気する排気管に接続されたガス供給部から、ハロゲン酸性ガスを含むクリーニングガスを供給し、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記ガス供給部からクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段、
前記ガス供給部の少なくとも前記ハロゲン酸性ガスの流量を制御する流量制御部より上流側の温度及び圧力を、当該ハロゲン酸性ガスにおける準単分子領域内の温度及び圧力に設定するように、前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
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