JP2008010571A - 半導体装置、ledヘッド及び画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板10上の下地絶縁層11に対し、基板10の端部に分離して形成されている分離パターン部15を設け、ダイシング時に分離パターン部15の微小分離部分15aを剥離させて下地絶縁層11に外力が加わり膜剥離が広がることを防止する。
【選択図】 図1
Description
そして、この種の画像形成装置では高解像度が要求されるため、複数のLEDアレイチップと、複数のドライバチップとを支持基板に実装したLEDヘッドが採用されている。
ところで、実装するチップ数を減らすために、駆動回路を形成した半導体基板上に、予めLED素子を設けた半導体薄膜を固着し、各LED素子と駆動回路とを配線パターンにより電気的に接続した構成の半導体装置が提案されている(特許文献1)。
このような半導体装置は、半導体ウエハ上に形成した下地絶縁層に多数の半導体薄膜を固着した後、半導体ウエハをダイシングすることで製造されている。
本発明は、下地絶縁層が剥離することのない構造の半導体装置、この半導体装置を用いたLEDヘッド及び画像形成装置を提供することを目的とする。
基板上の端部に下地絶縁層に対して分離して形成され、ダイシング時に下地絶縁層の剥離を阻止する分離パターン部を有することを特徴としている。
本発明の半導体装置は、半導体基板10、例えばSi基板の上に集積回路領域106が形成されている。集積回路領域106上にはSiN等の絶縁膜(図1には図示せず)が設けられ、更に、最上層にはSiN、SiO2、Al2O3などの無機絶縁膜やポリイミドなどの有機絶縁材料からなる絶縁層が、半導体薄膜20の下地絶縁層11(図1には図示せず)として設けられている。半導体薄膜20は、下地絶縁層11上、又は下地絶縁層11上に設けられた導通層(後述)上に分子間力によって直接固着(ボンディング)されている。半導体薄膜20には、例えば、LEDの発光部21が設けられている。発光部21上には、第2導電型(例えば、p型)の導電コンタクト104が設けられている。p型の導電コンタクト104は、配線30を経て、集積回路領域に設けられた接続パット12に至る。
図に示すように実施例1に係る半導体装置は、3層の多層構造である(一例)。この層数は、例えば集積回路回路を構成する多層配線層の層数と同じである。各層は、分離パターン部15と、それを被覆する層間絶縁層27で構成されている。更に、その上に下地絶縁層11が積層されている。この半導体装置では、半導体基板10上に三層の分離パターン部15が設けられており、各層の分離パターン部15が層間絶縁層27で被覆されている。
この図は図1のCC断面図に該当する。
図4は、実施例1の半導体装置の半導体薄膜の断面図である。
この図は図1のDD断面図に該当する。
図に示すダイシングラインA−Aに沿ってダイシングを行うと、ダイシングソーにより外側の1列の微小分離部分15a及びその上の層間絶縁層27部分に外力が加わるので、これらが基板10上から剥離する。しかし、内側の列の微小分離部分15aは、分離されているのでダイシングソーによって加わる外力が広範囲に伝搬することが防止でき、広範囲にわたる膜剥れが発生しない。従って、分離している下地絶縁層11にも外力が加わることがないので、その剥離、破断が阻止され、従って、半導体薄膜20に剥離が生じることもない。
図6(A)の変形例では、半導体基板10の端部に1列の微小分離部分15aから成る分離パターン部15が形成され、又図6(B)の変形例では、4列の微小分離部分から成る分離パターン部15が形成されている。
この変形例では、半導体基板10のダイシング開始位置である角部にのみ分離パターン部15が形成されている。このように分離パターンを設けることによって、少なくとも、半導体薄膜20を保護することが出来る。半導体薄膜20が、上記実施例1で説明したように、分離パターン上に延在する場合には、特に、この形態は有効である。
この変形例では、分離パターン部15を形成する3列の微小分離部分15aが千鳥模様状に配置されている。
この変形例では、分離パターン部15を形成する各微小分離部分15aは幅が小さく、長さ寸法の大きな矩形状に形成されている。
この変形例では、分離パターン部15の各列は、正方形状の複数の微小分離部分15aと長さ寸法の大きな矩形状の微小分離部分15aとから形成されている。
この変形例では、分離パターン部15の各列が長さ寸法の大きな1つの微小分離部分15aから形成されている。
この変形例では、半導体基板10の四辺の各端部に、分離パターン部15を形成する多数の微小分離部分15aが設けられている。LEDアレイチップでは、ダイシングラインA−Aの方向のダイシング位置と半導体薄膜端部位置(場合によっては集積回路領域端部位置も)が特に距離をとることが出来ないので、実施例1のように分離パターンを設けることが必要になるが、図に示すように、チップ予定領域の四方に分離パターンを設けることによって、X軸方向(横方向)においても、ダイシング位置を半導体薄膜端部、あるいは、集積回路領域端部に近づけることができ、より幅(Y方向の幅)の狭いチップすることが出来る。
この図には、図4で示す半導体装置の変形例が示されている。この変形例の半導体装置は、Si基板10Aと、その上に設けられている駆動回路の多層配線領域13と、その上に設けられている集積回路ウエハの下地絶縁層(バッシベーション膜)1303と、その上に設けられている反射メタル層40と、その上に設けられている平坦化層41(下地絶縁層11に相当)とを備えている。一方、半導体薄膜20の第1導電領域は、平坦化層41に固着されているGaAs層から成るコンタクト層22と、その上に設けられているAlzGa1−zAs層から成る下側クラッド層23と、その上に設けられているAlyGa1−gAs層から成る活性層24と、その上に設けられているAlxGa1−xAs層から成る上側クラッド層25と、その上に設けられているGaAs層から成るコンタクト層26とから形成されている。半導体薄膜20の第2導電領域は、活性層24、上側クラッド層25及びコンタクト層26に第2導電型の不純物を選択的に拡散させた拡散領域24a、25a、26aから形成されている。
この変形例では、GaAs基板16上にLEDを構成する第1導電型の半導体層(図14の符号22から26の層)がエピタキシャル成長されており、該半導体層に第2導電型不順物が選択的に拡散されており、その他の構成は図13の装置と同一である。この図では、図示を省略しているが、GaAs基板上の別の領域には、LEDを駆動するための集積回路とGaAs基板上で接続されている。尚、図13、14において、コンタクト層に代えてITO、ZnO等から成る透明電極を設けてもよい。
上記図4では、Si基板に設けた集積回路上に半導体基板を設けた場合について説明したが、この図では、Si基板ではなく化合物半導体基板、例えばGaAs基板16を用いる。図中1221〜1225は、順に、第1導電型のGaAs、第1導電型のAlZGa1−ZAs、第1導電型のAlYGa1−YAs、第2導電型のAlXGa1−XAs、第2導電型のGaAsである。
この変形例では、図に示すように、発光領域を第1導電型の半導体層を積層した構造体に、第2導電型の不純物を選択的に拡散した形態をとる。図中、1311〜1315は、第1導電型の半導体層で、順に、GaAs、AlZGa1−ZAs、AlYGa1−YAs、AlXGa1−XA、GaAsである。
この変形例では、半導体基板10の下地絶縁層11上に、半導体薄膜20の外に、他の半導体薄膜20Aが設けられている。そして、基板10の端部上に、複数の微小分離部分15aを有する分離パターン部15が形成されている。尚、図中、12aは接続パッド、30Aは配線を示している。
この図は、微小分割パターンを被覆する層間絶縁膜を分離している形態を示している。
図19は、実施例2の半導体装置の断面図である。
この図は図16におけるA−A断面図である。
図19で、10はSi基板、17a、17b、17cは、それぞれ、第1配線層のメタル層領域、第2配線層のメタル領域、第3配線層のメタル領域、27a、27b、27cは、それぞれ第1配線層の層間絶縁層、第2配線層の層間絶縁層、第3配線層の層間絶縁層を示している。15a、15b、15cは、第1配線層の微小分離部分、第2配線層の微小分離部分、第3配線層の微小分離部分を示している。第1配線層の微小分離部分領域、第2配線層の微小分離部分領域、第3配線層の微小分離部分領域は、それぞれ分割された層間絶縁層27a、27b、27cによって、独立的に被覆されている。最上層には、下地絶縁層11が設けられている。下地絶縁層は、少なくとも半導体薄膜20が固着(ボンディング)される領域の下の領域に形成されている。
図に示すように、ダイシングラインA−Aに沿ってダイシングを行うと、ダイシングソーにより外側の列の微小分離部分15a及びその上の層間絶縁層27に外力が加わるので、これらが基板10から剥離する可能性がある。本実施例では、最上層の微小分離部分15aがそれぞれ独立的に層間絶縁層27aにより覆われているので、隣接する内側の微小分離部分15aには層間絶縁層27aを介して外力が伝わることがない。よって、層間絶縁層やメタル膜の剥離が内側へ広がることを、より効果的に防止することが出来る。
図22は、実施例2の変形例を示す平面図(その2)である。
この変形例では、最も内側の各微小分離部分15aを覆う層間絶縁層27aのパターンが、図21の例では、縦にそれぞれ分離したパターンとして形成され、図22の例では、集積回路領域との間のみが分離されたパターンとして形成されている。その他、層間絶縁層27aは、図21、図22で示したパターンの類推で、種々の分離パターンに変更することが可能である。
図23は、実施例2の変形例を示す平面図(その3)である。
図24は、実施例2の変形例を示す平面図(その4)である。
図23、図24は、別の変形例を示している。図23、図24では、発光部の形態、配線、集積回路106との接続などは省略している。図23は、個別素子を1つ備えた半導体薄膜20が個別に離され、独立している形態である。図24は、個別に分離された半導体20が分離パターン領域15上に形成されている形態である。
図26は、LEDヘッドの一構成例を示す平面配置図である。
図25に示すように、ベース部材201上には、LEDユニット202が搭載されている。このLEDユニット202は、実施例1乃至3のいずれかの半導体装置が実装基板上に搭載されたものである。図26に示すように、実装基板202e上には、前記した各実施の形態で説明した、発光部と駆動部を複合した半導体装置が、発光部ユニット202aとして長手方向に沿って複数配設されている。実装基板202e上には、その他に、電子部品が配置されて配線が形成されている電子部品実装エリア202b、202c、及び外部から制御信号や電源などを供給するためのコネクタ202d等が設けられている。
同図に示すように、画像形成装置300内には、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの各色の画像を、各々に形成する四つのプロセスユニット301〜304が記録媒体305の搬送経路320に沿ってその上流側から順に配置されている。これらのプロセスユニット301〜304の内部構成は共通しているため、例えばシアンのプロセスユニット303を例にとり、これらの内部構成を説明する。
まず、用紙カセット306に堆積した状態で収納されている記録媒体305がホッピングローラ307によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体305は、レジストローラ310、311及びピンチローラ308、309に狭持されて、プロセスユニット301の感光体ドラム301a及び転写ローラ312に搬送される。その後、記録媒体305は、感光体ドラム301a及び転写ローラ212に狭持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム301aの回転によって搬送される。
図29は、図28のC−C断面図である。
図30は、図28のB―B断面図である。
この変形例では分離した複数の剥離防止パターン部77Aが設けられている。その他の構成は実施例5の構成と同一である。
この変形例では、剥離防止パターン部77Bがメタル材料で形成されている。このメタル材料としては、例えば、Ti/Pt/Auや、Ni/Au等のAu系メタル材料、Ni/Al、Al等のAl系メタル材料を用いることができる。
この変形例では、第2電極側の配線69と一体的にメタル製の剥離防止パターン部77Cが分離して設けられている。これらの剥離防止パターン部77Cも絶縁層54を押し付けてダイシング時にその剥離を防止する。上記実施例又は変形例では、剥離防止パターンを有機膜又はメタル材料で形成するように述べたが、有機膜の他、SOGなどの無機材料膜であっても良い。又、メタル層の上に有機膜や無機膜を形成するなど積層構造とすることも出来る。
11 下地絶縁層
12 接続パッド
15 分離パターン部
15a 微小分離部分
20 半導体薄膜
21 発光部
30 配線
106 集積回路領域
Claims (10)
- 半導体ウエハをダイシングして形成される半導体装置であって、
基板及び該基板上に設けられる下地絶縁層と
前記下地絶縁層上に設けられる半導体素子とを備え、
前記基板上の端部に前記下地絶縁層に対して分離して形成され、前記ダイシング時に前記下地絶縁層の剥離を阻止する分離パターン部を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体素子は半導体薄膜に形成され、該半導体薄膜が前記下地絶縁層上に固着されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記分離パターン部は、前記基板上の端部に沿って少なくとも一列に配置されている複数の微小分離部分から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記分離パターン部は、金属材料及び誘電材料のいずれかから形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置を備え、複数の前記半導体素子がLED(Light Emitting Diode)から成るLEDヘッドであって、
前記半導体装置を支持する支持体と、前記各LEDからの出射光を集光するレンズアレイとを含むことを特徴とするLEDヘッド。 - 請求項5記載のLEDヘッドを備え、該LEDヘッドからの出射光で露光されて静電潜像が形成される感光体と、前記静電潜像を現像するための現像器とを含むことを特徴とする画像形成装置。
- 半導体ウエハをダイシングして形成される半導体装置であって、
基板及び該基板上に設けられる下地絶縁層と、該下地絶縁層上に固着される半導体素子を有する半導体薄膜とを備え、
前記基板上の前記ダイシング位置近傍の端部に、前記下地絶縁層の端部を押さえる剥離防止パターン部を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記剥離防止パターン部は、金属材料、有機材料、無機材料のいずれかより形成されることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置を備え、複数の前記半導体素子がLEDから成るLEDヘッドであって、
前記半導体装置を支持する支持体と、前記各LEDからの出射光を集光するレンズアレイとを含むことを特徴とするLEDヘッド。 - 請求項9記載のLEDヘッドとを備え、該LEDヘッドからの出射光で露光されて静電潜像が形成される感光体と、前記静電潜像を現像するための現像器とを含むことを特徴とする画像形成装置。
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