JP4279304B2 - 半導体装置、ledプリントヘッドおよび画像形成装置 - Google Patents
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Description
化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成される半導体装置であって、
前記複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される電極である第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される電極である第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、
前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜を介して配置され、
前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置され、
前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられる
ことを特徴とする。
本実施形態の画像形成装置は、後述するように発光素子がLED(Light Emitting Diode)の光学ヘッド(LEDプリントヘッド)により帯電された感光体の表面を選択的に露光させることで静電潜像が形成される感光体と、その感光体の表面を帯電させる帯電器と、静電潜像を形成させる光学ヘッドと、露光された静電潜像を現像する現像器とを備える。LEDプリントヘッドは、発光素子を含む半導体装置(LEDアレイ)と、その半導体装置の各発光素子を選択的に駆動可能である駆動回路と、これらを支持する支持体とを備える。
図7に示すように、画像形成装置300内には、記録媒体305の搬送経路320に鉛ってその上流側から順に、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの各色の画像を、各々に形成する4つのプロセスユニット301〜304が配置されている。これらのプロセスユニット301〜304の内部構成については共通しているため、シアンのプロセスユニット303をその代表例として、その内部構成を説明する。
図8は、第1の実施形態の図1に対応する変形例を示した上面図であり、図9は第1の実施形態の図4に対応する変形例を示した断面図である。図8〜9に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図8〜9においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
この変形例では、図8、図9に示したように、発光素子の薄膜の同一の面側における、発光領域120と第1導電型側電極と第2導電型側電極が形成されない位置に、外光を遮断する遮光層170が発光領域120近傍を端部とするように形成されている。このように遮光層170を設けることで外光又はLEDプリントヘッド内の反射光の影響を抑制することができる。
図10は本発明の第2の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。図11は、図10に示されたA−A断面を示す断面図である。図12は、図10に示されたB−B断面を示す断面図である。図10〜12に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図10〜12においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図13は本実施形態の図12に対応する第1の変形例を示した断面図である。図13に示した以外の部分は、第2の実施形態と同様である。又、図13においても、第2の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
上記した図10〜12の本実施形態では、半導体薄膜の層構造に発光素子の発光領域120を形成する場合に、予め第1導電型半導体層および第2導電型半導体層を積層してpn接合を含む構造で半導体薄膜の層構造を形成しておき、その半導体薄膜をメサエッチングによって素子分離させて発光素子を形成した場合について説明した。しかし、発光素子の発光領域120は、上記した方法で形成されたものに限らず、例えば、図13に示したように、第1導電型半導体層を積層した構造体に第2導電型不純物を選択的に拡散させる形態のように、半導体薄膜の層構造に不純物を選択的にドーピング、言い換えれば、半導体薄膜の層構造に不純物を選択的に拡散させることによって形成してもよい。
図14は第2の実施形態の図10に対応する第2の変形例の上面図である。図14に示した以外の部分は、第2の実施形態と同様である。又、図14においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図14では、図10の第1導電型側電極122と異なり、第2導電型側電極130及び配線部136と重複しない領域で、発光領域120の第4辺の外側にも、第1導電型側電極122d及び122eを設けている。
図15は第2の実施形態の図10に対応する第3の変形例の上面図ある。図15に示した以外の部分は、第2の実施形態と同様である。又、図15においても、第2の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図15では、図10及び図14の第1導電型側電極122と異なり、第2導電型側電極130及び配線部136と重複する領域も含んで、発光領域120の第4辺の外側にも、第1導電型側電極122fを設けている。
図16は、本発明の第3の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)の薄膜チップにおける1ブロック分の複数の発光領域120とその周囲の電極及び配線部の概略構成を拡大して示す上面図である。図16に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図16においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
第3の実施形態が第1、第2の実施形態と異なる点は、発光領域120の配列方向の領域に形成されている第1導電型側電極が2つの発光領域120の間に設けられている点にある。
図18は第3の実施形態の変形例の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。図18に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図18においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図18に示したように、各第1導電型側電極122は、各発光領域120の略矩形状における、各発光領域120の間の1個置きの電極が設けられない間側の辺を除いて、隣接する3辺の外側を連続して囲む位置(122a、122b、122cの位置)に設けてもよい。又、各第1導電型側電極122は、第2導電型側の電極130及び配線部136が延伸されて発光領域120の辺と交差する位置の外側では層間絶縁膜145を挟んで設ければよい
図19は本発明の第4の実施形態の半導体装置(LEDアレイ)における発光領域120とその周囲の電極の概略構成を拡大して示す上面図である。図19に示した以外の部分は、第1の実施形態と同様である。又、図19においても、第1の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
第4の実施形態が前出の各実施形態と異なる点は、1つの連続した半導体薄膜210に複数の発光領域120が配列されて設けられ、その複数の発光領域120の配列方向の間に第1導電型側電極222の電極部分222bが設けられ、発光領域120の配列方向と垂直方向で発光領域120の外側の近傍に第1導電型側電極222の電極部分222aが設けられる点である。
又、半導体薄膜の底面積が広くなるので、平坦化膜とのポンディング強度を強くできるので素子の信頼性を高くすることができる。
図20は第4の実施形態の図19に対応する第1の変形例の上面図である。図20に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図20においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図20に示したように第1導電型側電極222は、図19に示した電極部分222aとは発光領域220を挟んで反対側(図19に示した電極部分222aとは発光領域220の辺と対向する辺の外側領域)の位置に形成してもよい。その場合、第2導電型側の電極230及び配線部236が延伸されて発光領域120の辺と交差する位置の外側では、層間絶縁膜145を挟んで設けられる。
図21は第4の実施形態の図19に対応する第2の変形例の上面図である。図21に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図21においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図21では、各第1導電型側電極222は、図19の第1導電型側電極222と異なり、発光領域120の第4辺の外側で、第2導電型側電極230及び配線部236と重複しない領域、すなわち第2導電型側の電極230及び配線部236を除く位置にも、第1導電型側電極122の電極部分220cとして、電極部分220bが延伸されて設けられる。
図22は第4の実施形態の図19に対応する第3の変形例の上面図である。図22に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図22においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図22では、図19及び図21の第1導電型側電極122と異なり、化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域120から構成されるブロック単位毎に、配列方向に両端の各発光領域120のブロックの配列方向外側に面した辺の外側にも、電極部分220bと同様な電極の一部分である電極部分220dが形成されている。従って、その電極部分220dにも、前記したように回り込む電極部分220cが設けられる。
図23は第4の実施形態の図19に対応する第4の変形例の上面図である。図23に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図23においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図23では、各第1導電型側電極222は、図22の第1導電型側電極222と異なり、発光領域120の第4辺の外側で、第2導電型側電極230及び配線部236と重複する領域、すなわち第2導電型側の電極230及び配線部236と重なる位置にも、第1導電型側電極122の電極部分220eとして、電極部分220bが延伸されて設けられる。
図24は第4の実施形態の図19に対応する第5の変形例の上面図である。図24に示した以外の部分は、第4の実施形態と同様である。又、図24においても、第4の実施形態と同様な部分については同じ符号を付与して重複する説明を省略する。
図24の変形例では、発光素子の薄膜の同一の面側における、発光領域120と第1導電型側電極222と第2導電型側電極230が形成されない位置に、外光を遮断する遮光層170が発光領域120近傍を端部とするように形成されている。このように遮光層170を設けることで外光又はLEDプリントヘッド内の反射光の影響を抑制することができる。
102 集積回路領域、
103 層間絶縁膜、
104 反射層、
105 平坦化層、
110 半導体薄膜、
110a エピタキシャル半導体薄膜層、
110b エピタキシャル半導体薄膜層、
110c エピタキシャル半導体薄膜層のn側コンタクト層、
120 発光領域(半導体薄膜)、
120a エピタキシャル半導体薄膜層のクラッド層、
120b エピタキシャル半導体薄膜層の活性層、
120c エピタキシャル半導体薄膜層のクラッド層、
120d エピタキシャル半導体薄膜層のp側コンタクト層、
122 第1導電型側(n型側)電極、
122a 電極部分(発光領域120の配列方向の辺の外側を囲むように隣接する領域)、
122b 電極部分(電極部分122aが設けられる辺と隣接する辺の外側を囲むように隣接する領域の電極部分)、
130 第2導電型側(p型側)電極、
132 第1導電型側配線部(第1導電型側電極122上の領域)、
134 第1導電型側配線部、
136 第2導電型側配線部、
140 共通配線部、
145 層間絶縁膜、
150 接続パッド、
152 共通配線接続開口部、
160 接続パッド、
162 接続領域。
Claims (15)
- 化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成される半導体装置であって、
前記複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される電極である第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される電極である第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、
前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜を介して配置され、
前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置され、
前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の略矩形状における隣接する4辺の外側を連続して囲む位置に設けられる
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部を除く位置に設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側にも、絶縁膜を挟んで設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成される半導体装置であって、
前記複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される電極である第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される電極である第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、
前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜を介して配置され、
前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置され、
前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の間の1個置きの位置に、その両側の発光素子に対応する電極の少なくとも一部分が配置される
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の略矩形状における、前記各発光領域の間の1個置きの電極が設けられない間側の辺を除いて、隣接する3辺の外側を連続して囲む位置に設けられ、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側では絶縁膜を挟んで設けられる
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記各第2導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、複数の前記電極部分が薄膜チップ長手方向に結合されて、電気的に導通した一個の電極として配置される
ことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体装置。 - 化合物半導体の薄膜から構成される、複数の発光素子が一方向に等間隔ピッチで少なくとも1列に配列されて形成される半導体装置であって、
前記複数の発光素子の各々に略矩形状に形成される発光領域と、前記発光素子の一方側と電気的に接続される電極である第1導電型側電極と、前記発光素子の他方側と電気的に接続される電極である第2導電型側電極とが、前記発光素子の薄膜の同一の面側に位置されるように形成され、
前記各第1導電型側電極は、対応する前記発光領域の略矩形状における少なくとも隣接する2辺の外側を連続して囲む位置に絶縁膜を介して配置され、
前記各第2導電型側電極は、対応する前記各発光領域の上部に配置され、
前記各第1導電型側電極は、前記化合物半導体の薄膜チップ内の複数の発光領域から構成されるブロック単位毎に、複数の前記各発光領域の間の電極を除く残りの部分が薄膜チップ長手方向に結合されて、電気的に導通した一個の電極として配置され、
前記各第1導電型側電極は、前記各発光領域の間の電極を、前記発光領域の各辺における前記一個の電極の反対側の辺の外側まで回り込むように延伸させて形成する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部を除く位置に設けられる
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記各第1導電型側電極は、前記第2導電型側の配線部が延伸されて前記発光領域の辺と交差する位置の外側にも、絶縁膜を挟んで設けられる
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記化合物半導体の薄膜に形成される複数の発光素子が、予め第1導電型半導体と第2導電型半導体を積層して設けたpn接合を含む構造を、メサエッチングにより素子分離して形成する
ことを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記化合物半導体の薄膜に形成される複数の発光素子が、第1導電型半導体の層内に、第2導電型半導体用の不純物を選択的に拡散させて第2導電型半導体領域を設けることで、pn接合を含む構造を形成する
ことを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記発光素子の薄膜の同一の面側における、前記発光領域と前記第1導電型側電極と前記第2導電型側電極が形成されない位置に外光を遮断する遮光層が形成される
ことを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記各電極は、前記化合物半導体の薄膜とオーミック接触するオーミック電極である
ことを特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載の半導体装置。 - 請求項1〜13の何れか1項に記載の半導体装置と、
該半導体装置の各発光素子を選択的に駆動可能である駆動回路と、
これらを支持する支持体とを備え、
前記発光素子が、LED(Light Emitting Diode)である
ことを特徴とするLEDプリントヘッド。 - 前記光学ヘッドにより露光させることで静電潜像が形成される感光体と、
該感光体の表面を帯電させる帯電器と、
帯電された感光体の表面を選択的に露光することで静電潜像を形成させる光学ヘッドと、
露光された静電潜像を現像する現像器と
を備え、
前記光学ヘッドが、請求項14に記載のLEDプリントヘッドである
ことを特徴とする画像形成装置。
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