JP2007533073A - 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 - Google Patents
高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007533073A JP2007533073A JP2007507245A JP2007507245A JP2007533073A JP 2007533073 A JP2007533073 A JP 2007533073A JP 2007507245 A JP2007507245 A JP 2007507245A JP 2007507245 A JP2007507245 A JP 2007507245A JP 2007533073 A JP2007533073 A JP 2007533073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- organic light
- layer
- stacked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 30
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 10
- -1 cyano PTCDA Chemical compound 0.000 claims description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical group FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 3
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims description 3
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 claims description 3
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 3
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003974 aralkylamines Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QCXLJIDMVHBVLQ-UHFFFAOYSA-N C1=CC(=C2C(=CC=C3C4=CC=C(C=5C(=CC=C(C1=C23)C45)C(=O)F)C(=O)F)C(=O)F)C(=O)F Chemical compound C1=CC(=C2C(=CC=C3C4=CC=C(C=5C(=CC=C(C1=C23)C45)C(=O)F)C(=O)F)C(=O)F)C(=O)F QCXLJIDMVHBVLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 Cc1nc(c2c(c3c4nc(*)c(*)n3)nc(*)c(*)n2)c4nc1* Chemical compound Cc1nc(c2c(c3c4nc(*)c(*)n3)nc(*)c(*)n2)c4nc1* 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000003336 coronenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C1C1=C6C5=C4C3=C21)* 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003933 pentacenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/731—Liquid crystalline materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】外部電源が接続された陽極、外部電源が接続された陰極、これらの陽極と陰極との間に位置して発光層を含む2以上の発光部、及びこれらの発光部の間に位置する内部電極を含む積層型有機発光素子において、前記内部電極は、仕事関数が4.5eV以下である金属、その合金及びその酸化物よりなる群から選ばれる物質よりなる単一層の内部電極であり、前記発光部はそれぞれが発光部に含まれている発光層とこの発光部が接する電極のうち外部電源が接続された陽極方向の電極との間に電子親和度が4eV以上である有機物が含有された有機物層を含むことを特徴とする積層型有機発光素子とこの積層型有機発光素子を含むディスプレイ。
Description
一方、現在の有機発光素子から高い輝度を得るために数多くの試みが行われている。その方法の一つが、素子に電界を加えて得られる電流密度を高めることである。しかしながら、通常、高い電流密度は、熱などへの安定性に劣っている有機物層物質及び有機発光素子の薄膜構造に悪影響を及ぼすため、素子の安定性を劣化させると知られている。この理由から、低い電流密度下で高い輝度を得るための各種の方法への研究に力が注がれている。
例えば、下記の特許文献1には、相異なる波長の光が発光可能な個別の有機発光素子ユニットが積層されることにより、所望のカラーの光が得られる積層型有機発光素子が記載されている。この積層型有機発光素子においては、ぞれぞれの有機発光素子ユニットが2本の電極とこれらの電極間に位置する発光層よりなり、それぞれの有機発光素子ユニットがいずれも独立的に発光駆動可能に前記電極のいずれもに外部電源が印加されている。
また、例えば、下記の特許文献2には、同じ波長の光が発光可能な個別の有機発光素子ユニットが積層されることにより、より高輝度の光が得られる積層型有機発光素子が記載されている。この積層型有機発光素子は、構造面からみるときに下記の特許文献1に記載の積層型有機発光素子と類似しているとはいえ、外部電源が全体素子の両端、つまり、外部電極にのみ印加可能になっており、内部電極は外部電源と短絡されているという点で相違点がある。
一方、例えば、下記の特許文献3には、積層された発光部の間に2層の内部電極が接触されておらず、比抵抗が105Ωcm以上である単一不導体薄膜よりなる単一層の内部電極を含む積層型有機発光素子が記載されている。前記単一不導体薄膜は、積層型有機発光素子に電界が加えられると、正孔と電子を同時に生じさせてこららをそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層に注入可能な物質よりなっている。しかしながら、この技術は、前記単一不導体薄膜の構成物質が高価であり、しかも、単一不導体薄膜の形成工程が煩雑であるという不具合がある。
本発明による積層型有機発光素子においては、積層される発光部の数に比例して発光効率と輝度を高められ、発光部の波長によって所望の発光が得られる。のみならず、内部電極を単一層の内部電極に構成することにより、従来の2層の内部電極が接触されていた場合に比べて製造工程が容易になると共に、製造コストが低いというメリットがある。さらに、内部電極の形成に当たり、スパッタ工程を行うべき物質を使用する必要がないため、全体としての素子安全性の向上に寄与することができる。
本発明において、外部陽極と隣り合う発光部のうち外部陽極と発光層との間に電子親和度が4eV以上である有機物が含有された有機物層を含む場合、外部陽極は従来の有機発光素子の陽極形成時に使われていた仕事関数が比較的に大きな化合物に限定されることなく、前記内部電極の形成時に使われた仕事関数が比較的に小さな物質から形成することもできる。このため、外部陽極が形成可能な物質の具体例としては、前記内部電極を形成するために挙げられた物質の他に、仕事関数が大きなバナジウム、クロム、銅、亜鉛、金などの金属またはこれらの合金;亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などの金属酸化物;ZnO:AlまたはSnO2:Sbなどの金属と酸化物との組み合わせ;ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ[3,4−(エチレン−1,2−ジオキシ)チオフェン](PEDT)、ポリピロール及びポリアニリンなどの伝導性高分子などが挙げられる。しかしながら、本発明は必ずしもこれらに限定されるとは限らない。
参照例1:HATのHOMOとLUMO準位(UPSとUV−VIS吸光法)
ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン(HAT)のHOMO準位を検出するために紫外線分光分析(UPS:Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)法を使用した。UPSとは、超高真空(<10−8Torr)の条件下で試料にヘリウムランプからの真空紫外線(21.20eV)を照射するとき、試料から放出される電子の運動エネルギーを分析することにより、金属の場合には仕事関数を、有機物の場合にはイオン化エネルギー、すなわち、HOMO準位及びフェルミエネルギー準位を検出する方法である。すなわち、真空紫外線(21.20eV)を試料に照射する場合、試料から放出される電子の運動エネルギーは、真空紫外線のエネルギーである21.2eVと測定しようとする試料の電子結合エネルギーとの差分となる。そして、試料から放出される電子の運動エネルギーの分布を分析することにより、試料内物質の結合エネルギー分布が分かる。このとき、電子の運動エネルギーが最大値を有する場合に試料の結合エネルギーは最小値を有し、これを用いることにより、試料の仕事関数(フェルミエネルギー準位)及びHOMO準位を決めることができる。
単一層の発光部を含む単一型有機発光素子を下記のようにして製造した。
まず、透明ガラス基板の上にインジウム亜鉛酸化物を用いて1500Åの膜厚を有する透明な陽極をスパッタ工程により形成した。次いで、前記陽極に対し、アルゴン(Ar)に水素(H2)を約4%加えて得られる形成ガスを用いてプラズマ処理を施した。
前記陽極の上に下記式1aで表わされる化合物(ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン;HAT)を真空蒸着して約500Åの膜厚を有する正孔注入層を形成した。
電子輸送層の上にLiFとAlを順次に蒸発法を用いて蒸着して陰極を形成した。
このようにして得られた有機発光素子の構造を図6に示す。
発光部の形成過程2を2回連続して繰り返し行った以外は、前記比較例1の方法と同様にして有機発光素子を製造することにより、発光部が2層に積層されているものの、内部電極{内部の陰電極(Al)、内部の陽電極(インジウム亜鉛酸化物)}を含まない積層型有機発光素子を得た。このようにして得られた積層型有機発光素子の構造を図7に示す。
発光部の形成過程2を2回連続して繰り返し行うが、第1の発光部を形成した後にAlにより約60Åの膜厚を有する単一層の内部電極を形成し、さらに第2の発光部を形成するが、第2の発光部の形成時にHAT有機物層の形成を省いた以外は、前記比較例1の方法と同様にして有機発光素子を製造することにより、発光部が2層に積層されており、これらの発光部の間にAlよりなる内部電極(別途の内部陽電極(インジウム亜鉛酸化物)無し)が位置しているが、第2の発光部にはHAT有機物層が存在しない積層型有機発光素子を得た。このようにして得られた積層型有機発光素子の構造を図8に示す。
第1の発光部を形成した後にAlにより約60Åの膜厚を有する単一層の内部電極を形成し、さらに第2の発光部を形成した以外は、前記比較例1の方法と同様にして有機発光素子を製造することにより、発光部が2層に積層されており、これらの発光部の間にAlよりなる内部電極が位置し、第2の発光部にもHAT有機物層が存在する積層型有機発光素子を得た。このようにして得られた積層型有機発光素子の構造を図8に示す。
比較例1に従い得られた単一型有機発光素子の場合、印加電圧3.9Vにおける電流密度が10mA/cm2であり、このときの発光効率は7.9cd/Aであり、輝度は790cd/m2であった。そして、比較例2に従い得られた内部電極無し積層型有機発光素子の場合、印加電圧8.7Vにおける電流密度が10mA/cm2であり、このときの発光効率は7.4cd/Aであり、輝度は742cd/m2であった。さらに、比較例3に従い得られた第2の発光部にHAT有機物層が存在しない積層型有機発光素子の場合、印加電圧16.5Vにおける電流密度が10mA/cm2であり、このときの発光効率は5cd/Aであり、輝度は500cd/m2であった。一方、実施例1に従い得られた積層型有機発光素子の場合、比較例2と同様に印加電圧8.7Vにおける電流密度が10mA/cm2であり、このときの発光効率は13.8cd/Aであり、輝度は1380cd/m2であった。その結果を下記表1にまとめて示す。
比較例1、2、3及び実施例1の結果を比較すれば、実施例1による積層型有機発光素子の効率と輝度は、比較例1による単一型発光素子及び比較例2による内部電極なし積層型有機発光素子の効率と輝度に比べて2倍ほど高くなる。さらに、実施例1と比較例3を比較すれば、電子親和度が4eV以上である有機物(例えば、HAT)層を内部電極と発光層との間に位置させると、内部陽極が無くて内部陰極のみ存在しても駆動電圧は下がり、且つ、効率と輝度は高くなるということが分かる。そして、この結果より、2層の発光部の間に位置する本発明による単一層の内部電極は、前記電子親和度が4eV以上である有機物層と共に、積層された両発光部に対してそれぞれ内部陽極と内部陰極の役割、すなわち、正孔を注入する役割と電子を注入する役割を効率よく果たしているということが分かる。
2:ガラス基板
3:外部の陽電極
4:発光部
5:内部電極
6:発光部
7:外部の陰電極
8,9:有機発光素子ユニット
10:外部電源
Claims (8)
- 外部電源が接続された陽極、外部電源が接続された陰極、これら陽極と陰極との間に位置して発光層を含む2以上の発光部、及びこれらの発光部の間に位置する内部電極を含む積層型有機発光素子であって、
前記内部電極は、仕事関数が4.5eV以下である金属、その合金及びその酸化物よりなる群から選ばれる物質よりなる単一層の内部電極であり、
前記発光部はそれぞれこの発光部に含まれている発光層と、この発光部が接する電極のうち外部電源が接続された陽極方向の電極との間に電子親和度が4eV以上である有機物が含有された有機物層を含むことを特徴とする、積層型有機発光素子。 - 前記電子親和度が4eV以上である有機物は、下記式1:
で表わされる化合物であることを特徴とする、請求項1に記載の積層型有機発光素子。 - 前記式中、R1〜R6はいずれもニトリル(−CN)であることを特徴とする、請求項2に記載の積層型有機発光素子。
- 前記電子親和度が4eV以上である有機物は、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン、フッ化3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸2無水化物(PTCDA)、シアノPTCDA、ナフタレンテトラカルボン酸2無水化物(NTCDA)、フッ化NTCDA、及びシアノNTCDAよりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の積層型有機発光素子。
- 前記内部電極は、アルミニウム(Al,4.28eV)、銀(Ag,4.26eV)、亜鉛(Zn,4.33eV)、ニオブ(Nb,4.3eV)、ジルコニウム(Zr,4.05eV)、錫(Sn,4.42eV)、タンタル(Ta,4.25eV)、バナジウム(V,4.3eV)、水銀(Hg,4.49eV)、ガリウム(Ga,4.2eV)、インジウム(In,4.12eV)、カドミウム(Cd,4.22eV)、ホウ素(B,4.4eV)、ハフニウム(Hf,3.9eV)、ランタン(La,3.5eV)、チタン(Ti,4.3eV)、カルシウム(Ca,2.87eV)、マグネシウム(Mg,3.66eV)、リチウム(Li,2.9eV)、ナトリウム(Na,2.75eV)、カリウム(K,2.3eV)、セシウム(Cs,2.14eV)及びこれら金属の合金よりなる群から選ばれるいずれか1種以上の物質よりなることを特徴とする、請求項1に記載の積層型有機発光素子。
- 積層された発光部がそれぞれ赤色、緑色、青色またはこれらの組み合わせから選ばれる色の発光中心スペクトルを有することにより、前記積層型有機発光素子は白色を実現することを特徴とする、請求項1に記載の積層型有機発光素子。
- 前記積層型有機発光素子は微小空洞効果により広範な白色を発光することを特徴とする、請求項1に記載の積層型有機発光素子。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層型有機発光素子を備えてなる、ディスプレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040024470 | 2004-04-09 | ||
PCT/KR2005/001001 WO2006075822A1 (en) | 2004-04-09 | 2005-04-07 | Stacked organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011194382A Division JP2012018931A (ja) | 2004-04-09 | 2011-09-06 | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007533073A true JP2007533073A (ja) | 2007-11-15 |
Family
ID=36677829
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007507245A Pending JP2007533073A (ja) | 2004-04-09 | 2005-04-07 | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
JP2011194382A Pending JP2012018931A (ja) | 2004-04-09 | 2011-09-06 | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
JP2014135238A Pending JP2014179344A (ja) | 2004-04-09 | 2014-06-30 | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011194382A Pending JP2012018931A (ja) | 2004-04-09 | 2011-09-06 | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
JP2014135238A Pending JP2014179344A (ja) | 2004-04-09 | 2014-06-30 | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8951645B2 (ja) |
EP (1) | EP1743508B1 (ja) |
JP (3) | JP2007533073A (ja) |
KR (1) | KR100705256B1 (ja) |
CN (1) | CN100493289C (ja) |
TW (1) | TWI303658B (ja) |
WO (1) | WO2006075822A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049395A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006049396A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006049394A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006066379A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006156828A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006210845A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2007149605A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2010502807A (ja) * | 2006-09-08 | 2010-01-28 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光電気素子の導電性ポリマー組成物 |
WO2009139607A3 (ko) * | 2008-05-16 | 2010-02-18 | 주식회사 엘지화학 | 적층형 유기발광소자 |
US8008652B2 (en) | 2004-09-24 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US9379347B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-06-28 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element |
JP2016536805A (ja) * | 2013-09-17 | 2016-11-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100721656B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
CN100551187C (zh) | 2003-12-26 | 2009-10-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
WO2005109542A1 (en) | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Lg Chem. Ltd. | Organic electronic device |
CN100565963C (zh) * | 2004-09-30 | 2009-12-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
JP2006114544A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | Chisso Corp | 有機電界発光素子 |
US20070103066A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | D Andrade Brian W | Stacked OLEDs with a reflective conductive layer |
US7800295B2 (en) | 2006-09-15 | 2010-09-21 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a microcavity |
CN100484353C (zh) | 2008-01-29 | 2009-04-29 | 清华大学 | 有机电致发光器件 |
CN101591764B (zh) * | 2008-05-29 | 2013-03-20 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 材料成膜方法及其制备的有机电致发光器件 |
DK2157314T4 (en) † | 2008-08-20 | 2019-04-08 | Siemens Ag | Windmill |
KR101659935B1 (ko) | 2008-12-01 | 2016-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
JP5279583B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2013-09-04 | 出光興産株式会社 | 有機el素子 |
WO2010107249A2 (ko) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
DE112012001477B4 (de) * | 2011-03-31 | 2018-04-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organisches Elektrolumineszenzelement |
US9406907B2 (en) * | 2012-05-25 | 2016-08-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
KR102025834B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2019-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
CN105247649B (zh) * | 2013-03-28 | 2017-06-09 | 英派尔科技开发有限公司 | 产生偏振光的方法和组合物 |
TWI515939B (zh) * | 2013-12-06 | 2016-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光裝置 |
KR102008896B1 (ko) * | 2016-05-02 | 2019-08-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
JP7178215B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2022-11-25 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 無機発光素子 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11329749A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Tdk Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2001527688A (ja) * | 1996-12-23 | 2001-12-25 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | 保護層を含有する有機発光デバイス |
JP2003045676A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003519432A (ja) * | 1999-12-31 | 2003-06-17 | エルジー・ケミカル・カンパニー・リミテッド | p−型半導体性質を有する有機化合物を含む電子素子 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2006503443A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-01-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 低い仕事関数の陽極を有する電界発光素子 |
JP2006173550A (ja) * | 2004-02-18 | 2006-06-29 | Sony Corp | 表示素子 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9317932D0 (en) | 1993-08-26 | 1993-10-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
JPH09129376A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
JPH09232079A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
JPH09320763A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el素子 |
US5998803A (en) * | 1997-05-29 | 1999-12-07 | The Trustees Of Princeton University | Organic light emitting device containing a hole injection enhancement layer |
US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
US5949187A (en) * | 1997-07-29 | 1999-09-07 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device with plural microcavities |
JP3884564B2 (ja) | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2001345180A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-12-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP2003297575A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
KR100769946B1 (ko) | 2003-01-15 | 2007-10-25 | 주식회사 엘지화학 | 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자 |
US6991859B2 (en) * | 2003-03-18 | 2006-01-31 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices |
KR100808790B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2008-03-03 | 주식회사 엘지화학 | 질소 플라즈마 처리된 ito 필름 및 이를 양극으로사용한 유기 발광 소자 |
JP4035481B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2008-01-23 | 池田食研株式会社 | 皮膚外用剤 |
KR100569607B1 (ko) | 2003-08-26 | 2006-04-10 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법 |
US7075231B1 (en) * | 2005-01-03 | 2006-07-11 | Eastman Kodak Company | Tandem OLEDs having low drive voltage |
-
2005
- 2005-04-07 WO PCT/KR2005/001001 patent/WO2006075822A1/en active Application Filing
- 2005-04-07 JP JP2007507245A patent/JP2007533073A/ja active Pending
- 2005-04-07 KR KR1020050028942A patent/KR100705256B1/ko active IP Right Grant
- 2005-04-07 EP EP05856305A patent/EP1743508B1/en active Active
- 2005-04-07 CN CNB2005800122826A patent/CN100493289C/zh active Active
- 2005-04-07 US US11/547,669 patent/US8951645B2/en active Active
- 2005-04-08 TW TW094111265A patent/TWI303658B/zh active
-
2011
- 2011-09-06 JP JP2011194382A patent/JP2012018931A/ja active Pending
-
2014
- 2014-06-30 JP JP2014135238A patent/JP2014179344A/ja active Pending
-
2015
- 2015-01-07 US US14/591,606 patent/US9647225B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001527688A (ja) * | 1996-12-23 | 2001-12-25 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | 保護層を含有する有機発光デバイス |
JPH11329749A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Tdk Corp | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2003519432A (ja) * | 1999-12-31 | 2003-06-17 | エルジー・ケミカル・カンパニー・リミテッド | p−型半導体性質を有する有機化合物を含む電子素子 |
JP2003045676A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2006503443A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-01-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 低い仕事関数の陽極を有する電界発光素子 |
JP2006173550A (ja) * | 2004-02-18 | 2006-06-29 | Sony Corp | 表示素子 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4565922B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006049396A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006049394A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006066379A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006049395A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4565921B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
US8643003B2 (en) | 2004-09-24 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8008652B2 (en) | 2004-09-24 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2006156828A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4578215B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-11-10 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006210845A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2007149605A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2010502807A (ja) * | 2006-09-08 | 2010-01-28 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 光電気素子の導電性ポリマー組成物 |
WO2009139607A3 (ko) * | 2008-05-16 | 2010-02-18 | 주식회사 엘지화학 | 적층형 유기발광소자 |
US8637854B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-01-28 | Lg Chem, Ltd. | Stacked organic light emitting diode |
US9379347B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-06-28 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element |
JP2016536805A (ja) * | 2013-09-17 | 2016-11-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子 |
US9966552B2 (en) | 2013-09-17 | 2018-05-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting element |
US10403844B2 (en) | 2013-09-17 | 2019-09-03 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150162558A1 (en) | 2015-06-11 |
EP1743508A4 (en) | 2011-04-27 |
KR20060001821A (ko) | 2006-01-06 |
JP2014179344A (ja) | 2014-09-25 |
US9647225B2 (en) | 2017-05-09 |
TWI303658B (en) | 2008-12-01 |
TW200602459A (en) | 2006-01-16 |
WO2006075822A1 (en) | 2006-07-20 |
KR100705256B1 (ko) | 2007-04-09 |
CN1947469A (zh) | 2007-04-11 |
JP2012018931A (ja) | 2012-01-26 |
EP1743508B1 (en) | 2012-05-23 |
US8951645B2 (en) | 2015-02-10 |
EP1743508A1 (en) | 2007-01-17 |
US20070221912A1 (en) | 2007-09-27 |
CN100493289C (zh) | 2009-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014179344A (ja) | 高効率及び高輝度を有する積層型有機発光素子 | |
US20210408421A1 (en) | Organic light-emitting diode containing co-hosts forming exciplex, and lighting device and display apparatus including same | |
JP4915650B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4915913B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR101065912B1 (ko) | 적층형 유기발광소자 | |
JP4939284B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
JP5710704B2 (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
JP5576430B2 (ja) | 高効率の有機発光素子およびその製造方法 | |
JP5615830B2 (ja) | 低電圧駆動有機発光素子およびその製造方法 | |
US20100301315A1 (en) | Organic electroluminescence element | |
JPWO2005117499A1 (ja) | 有機el素子 | |
TW201006305A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2008270674A (ja) | 有機発光素子 | |
JP4915651B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4915652B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR101789151B1 (ko) | 적층 유기 발광소자 | |
JP5102522B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4950632B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4886476B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4938116B2 (ja) | 有機電解発光素子 | |
KR20160131561A (ko) | 유기광전소자용 화합물, 이를 포함하는 유기광전소자, 및 표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100312 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100614 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100621 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100712 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100720 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100811 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100913 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110506 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110906 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111019 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120406 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120912 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120920 |