JP5615830B2 - 低電圧駆動有機発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2008年11月13日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2008−0112886号の出願日の利益を主張し、その内容すべては本明細書に含まれる。
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質を含む第1正孔注入または輸送層、および
前記第1正孔注入または輸送層に接するHOMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質とLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質とを含む第2正孔注入または輸送層
を含む有機発光素子を提供する。
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質を含む第1正孔注入または輸送層を形成させるステップ、および
HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質とLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質とを含む第2正孔注入または輸送層を、前記第1正孔注入または輸送層と接するように形成させるステップ
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法を提供する。
本発明は、有機物層として、
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質を含む第1正孔注入または輸送層、および
前記第1正孔注入または輸送層と接するHOMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質と共にLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質を含む第2正孔注入または輸送層
を含むことを特徴とする。
このような特性を考慮するとき、HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質と共にLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の物質を含む正孔注入または輸送層のみを用いる場合には、光学的な共鳴構造が形成され、高い効率の有機発光素子を得ることができるが、各界面における正孔または電子注入が円滑でない場合、あるいは厚さが増加した場合に、駆動電圧が上昇することがある。
有機基板上に正孔注入層電極として透明電極(Indium Tin Oxide)を100nmの厚さに蒸着し、酸素プラズマ処理を30mtorr圧力で80wで30秒の間実行した。その上に真空状態で熱を加え、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカーボンニトリル(LUMO:約−5.5〜−6eV)[cp10]を1nmの厚さに蒸着して第1正孔注入または輸送層を形成させた。その上に第2正孔注入または輸送層として、N,N’−ビス−(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(NPB)[cp3](HOMO:約−5.5eV)および[cp10]を下記の表のようにドーピング濃度を体積比率として1:0〜0:1で調節して40nmの厚さで蒸着した。その上に正孔輸送および電子遮断層としてNPBを30nmの厚さに蒸着し、その上に発光層として[cp1]および[cp2]を20nmの厚さで蒸着した。続いて、その上に電子輸送および注入層としてtris(8−hydroxyquinolino)aluminum(Alq3)を20nmの厚さに蒸着し、その上に電子注入層としてLiFを1nmの厚さに蒸着し、その上に電子注入電極としてアルミニウム(Al)を150nmの厚さに蒸着して有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
前記実施例1において、第2正孔注入または輸送層として[cp3]および[cp10]のドーピング濃度を体積比率として1:1で調節してそれぞれ30〜150nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製造した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
前記実施例1において、第2正孔注入または輸送層として[cp4](HOMO:−5.33eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
前記実施例1において、第2正孔注入または輸送層として[cp5](HOMO:−5.3eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
前記実施例1において、第2正孔注入または輸送層として[cp6](HOMO:−5.2eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
前記実施例において、第2正孔注入または輸送層として[cp7](HOMO:−5.4eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cmで、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
前記実施例1において、第2正孔注入または輸送層として[cp8](HOMO:−5.4eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で製造された素子特性は、下記の表のとおりである。
前記実施例1において、透明電極上に[cp9](LUMO:約−5.0〜−5.3eV)を1nmの厚さに蒸着して第1正孔注入または輸送層を形成し、その上に第2正孔注入または輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)および[cp9](LUMO:約−5.0〜−5.3eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
実施例1において、透明電極上に[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)を1nmの厚さに蒸着して第1正孔注入または輸送層を形成し、その上に第2正孔注入または輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)を1nmの厚さに蒸着した後、[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)を1nmの厚さで蒸着した。その上に正孔注入層および正孔輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:1で調節して30nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は5.61(V)である。
実施例1において、透明電極(Indium Tin Oxide)のすぐ上に正孔注入または輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:0〜1:4で調節して40nmの厚さに蒸着し、その上に正孔輸送および電子遮断層としてNPBを40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で製造された素子特性は、下記の表のとおりである。
実施例1において、正孔注入または輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)を0nm〜120nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
実施例1において、透明電極(Indium Tin Oxide)のすぐ上に正孔注入または輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)を40nm〜150nmの厚さに蒸着し、その上に正孔輸送および電子遮断層としてNPBを40nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
実施例1において、透明電極(Indium Tin Oxide)のすぐ上にNPBを1nmの厚さに蒸着し、その上に正孔注入または輸送層として[cp3](HOMO:約−5.5eV)および[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)のドーピング濃度を体積比率として1:1で調節して30nm〜150nm厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は下記の表のとおりである。
実施例1において、透明電極(Indium Tin Oxide)上に[cp10](LUMO:約−5.5〜−6eV)を1nmの厚さに蒸着し、さらに[cp3](HOMO:約−5.5eV)を1nmの厚さに蒸着した後、正孔注入または輸送層として[cp3]および[cp10]のドーピング濃度を体積比率として1:1で調節して30nmの厚さに蒸着したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製作した。
電流密度50mA/cm2で、製造された素子の特性は11.25(V)である。
Claims (19)
- 第1電極、第2電極、およびこれら2つの電極の間に配置された発光層を含む2層以上の有機物層を含む有機発光素子であって、
前記有機物層が、
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む第1正孔注入または輸送層、および
前記第1正孔注入または輸送層に接するHOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質とLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質とを含む第2正孔注入または輸送層
を含み;
前記有機発光素子が、LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む層、およびHOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む層をさらに含み;かつ、
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む前記層;HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む前記層;前記第1正孔注入または輸送層;および前記第2正孔注入または輸送層が、前記第1電極と前記発光層との間に順に備えられる
ことを特徴とする、有機発光素子。 - 前記第2正孔注入または輸送層と前記発光層との間に、少なくとも1つの有機物層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記発光層と前記第2電極との間に電子輸送層、電子注入層、正孔または電子遮断層、およびバッファー層のうちから選択される1つ以上の層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第1正孔注入または輸送層の厚さが0.1〜100nmであり、前記第2正孔注入または輸送層の厚さが1〜1000nmであることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質が、アミン基、カバゾール基、およびチオフェン基からなる群より選択される1つまたは2つ以上の作用基を有する有機物であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質は、HOMOエネルギーレベルが−9eV以上であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質は、LUMOエネルギーレベルが−9eV以上であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質が、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、フッ素置換された3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物(PTCDA)、シアノ置換されたPTCDA、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)、フッ素置換されたNTCDA、シアノ置換されたNTCDA、およびヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン(HAT)からなる群より選択される1種以上であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質が、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリルであることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記発光層が、蛍光ドーパントおよび燐光ドーパントのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記第1正孔注入または輸送層および第2正孔注入または輸送層のうちの少なくとも1つが、無機物をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記無機物が金属または金属酸化物であることを特徴とする、請求項11に記載の有機発光素子。
- 前記無機物の仕事関数が2.5eV〜6eVであることを特徴とする、請求項11に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子が、正孔注入層電極、発光層を含む2層以上の有機物層、および電子注入電極が下から順に積層された正方向構造であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 前記有機発光素子が、電子注入電極、発光層を含む2層以上の有機物層、および正孔注入層電極が下から順に積層された逆方向構造であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子。
- 第1電極、第2電極、およびこれら2つの電極の間に配置された少なくとも2つ以上の発光ユニットを含むスタック型(stacked)有機発光素子であって、
前記発光ユニットが、
発光層、
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む第1正孔注入または輸送層、および
前記第1正孔注入または輸送層に接するHOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質とLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質とを含む第2正孔注入または輸送層
を含み;
前記有機発光素子が、LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む層、およびHOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む層をさらに含み;かつ、
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む前記層;HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む前記層;前記第1正孔注入または輸送層;および前記第2正孔注入または輸送層が、前記第1電極と前記発光層との間に順に備えられる
ことを特徴とする、スタック型有機発光素子。 - 前記発光ユニットの間に、中間導電層または電荷発生層がさらに備えられることを特徴とする、請求項16に記載のスタック型有機発光素子。
- 第1電極を準備するステップ、第1電極上に発光層を含む2層以上の有機物層を形成するステップ、および前記有機物層上に第2電極を形成するステップを含む有機発光素子の製造方法であって、前記有機物層を形成するステップが、
LUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質を含む第1正孔注入または輸送層を形成させるステップ、および
HOMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質とLUMOエネルギーレベルが−4eV以下の有機物質とを含む第2正孔注入または輸送層を前記第1正孔注入または輸送層と接するように形成させるステップ
を含む、請求項1ないし16のうちのいずれか一項に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1正孔注入または輸送層、あるいは前記第2正孔注入または輸送層を形成させるステップが、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレーディング、スクリーンプリンティング、インクジェットプリンティング、または熱転写法によって行われることを特徴とする、請求項18に記載の有機発光素子の製造方法。
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EP0950254A4 (en) | 1996-12-23 | 2002-11-27 | Univ Princeton | LUMINESCENT ORGANIC DEVICE CONTAINING A PROTECTIVE LAYER |
KR20000062301A (ko) | 1996-12-23 | 2000-10-25 | 엘렌 제이. 시니스갈리 | 보호층을 함유하는 유기 발광 장치 |
JP2000196140A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
KR100377321B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
US6639357B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-10-28 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency transparent organic light emitting devices |
US20040004433A1 (en) * | 2002-06-26 | 2004-01-08 | 3M Innovative Properties Company | Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use |
US6717358B1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-06 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability |
TWI293211B (en) | 2004-06-11 | 2008-02-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
KR100712290B1 (ko) | 2005-04-12 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US8057916B2 (en) * | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
US7943244B2 (en) * | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
US7687986B2 (en) | 2005-05-27 | 2010-03-30 | Fujifilm Corporation | Organic EL device having hole-injection layer doped with metallic oxide |
JP5116992B2 (ja) | 2005-05-27 | 2013-01-09 | 富士フイルム株式会社 | 有機el素子 |
TWI321968B (en) * | 2005-07-15 | 2010-03-11 | Lg Chemical Ltd | Organic light meitting device and method for manufacturing the same |
US7635858B2 (en) | 2005-08-10 | 2009-12-22 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting device with improved layer conductivity distribution |
US8206839B2 (en) * | 2005-10-04 | 2012-06-26 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element |
TWI264459B (en) * | 2005-10-07 | 2006-10-21 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode and display apparatus including the same |
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