WO2010107249A2 - 유기발광소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

유기발광소자 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2010107249A2
WO2010107249A2 PCT/KR2010/001652 KR2010001652W WO2010107249A2 WO 2010107249 A2 WO2010107249 A2 WO 2010107249A2 KR 2010001652 W KR2010001652 W KR 2010001652W WO 2010107249 A2 WO2010107249 A2 WO 2010107249A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
organic material
material layer
light emitting
organic
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/001652
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010107249A3 (ko
Inventor
주문규
노정권
김종석
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to JP2012500719A priority Critical patent/JP2012521087A/ja
Priority to CN201080019663.8A priority patent/CN102414295B/zh
Priority to US13/257,222 priority patent/US20120007071A1/en
Publication of WO2010107249A2 publication Critical patent/WO2010107249A2/ko
Publication of WO2010107249A3 publication Critical patent/WO2010107249A3/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed systems contains four or more hetero rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]

Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same, and more particularly, an organic light emitting device capable of using a material having various work functions as a material of an anode and a cathode and preventing damage to an organic layer when forming an upper electrode. And it relates to a manufacturing method thereof.
  • An organic light emitting diode is usually composed of two electrodes (anode and cathode) and one or more layers of organic material positioned between these electrodes.
  • OLED organic light emitting diode
  • the organic light emitting device generates visible light, and may use the same to manufacture an information display device or an illumination device.
  • thermal decomposition during thermal evaporation may be performed by using a resistive heating evaporation method.
  • Etc. the inherent chemical composition ratio of the oxide is broken down to lose characteristics such as electrical conductivity and visible light transmittance. Therefore, the resistive heating deposition method cannot be used for the deposition of the conductive oxide film, and in most cases, a method such as sputtering using plasma is used.
  • the organic layer may be damaged due to the electric charge particles or the like present in the plasma used in the sputtering process.
  • an object of the present invention can use a material having a variety of work function as the material of the positive electrode and the negative electrode and can prevent the damage of the organic layer during the formation of the upper electrode, forming both the positive electrode and the negative electrode with a material having a high work function It is to provide an organic light emitting device capable of emitting both sides and a manufacturing method thereof.
  • the first and second organic material layer comprises a compound represented by the following formula (1), the third organic material layer comprising an n-type dopant between the second organic material layer and the light emitting layer in contact with the second electrode It provides an organic light emitting device comprising a:
  • R 1 to R 6 are each hydrogen, a halogen atom, nitrile (-CN), nitro (-NO 2 ), sulfonyl (-SO 2 R), sulfoxide (-SOR), sulfonamide ( -SO 2 NR), sulfonate (-SO 3 R), trifluoromethyl (-CF 3 ), ester (-COOR), amide (-CONHR or -CONRR '), substituted or unsubstituted straight or branched chain C 1 -C 12 alkoxy, substituted or unsubstituted straight or branched chain C 1 -C 12 alkyl, substituted or unsubstituted aromatic or non-aromatic hetero ring, substituted or unsubstituted aryl, substituted or unsubstituted Mono- or di-arylamine, and substituted or unsubstituted aralkylamine, wherein R and R 'are each substituted or unsubstituted C 1
  • the present invention comprises the steps of forming a first electrode; Forming a first organic material layer in contact with the first electrode and including the compound of Formula 1; Forming a light emitting layer on the first organic material layer including the compound of Formula 1; Forming a third organic layer including an n-type dopant on the light emitting layer; Forming a second organic material layer including the compound of Formula 1 on the third organic material layer including the n-type dopant; And it provides a method of manufacturing an organic light emitting device comprising the step of forming a second electrode in contact with the second organic material layer containing the compound of formula (1).
  • materials having various work functions may be used as materials of the anode and the cathode of the organic light emitting device, and damage to the organic layer may be prevented when forming the upper electrode. Therefore, it is possible to provide an organic light emitting device capable of emitting both surfaces by forming both an anode and a cathode with a material having a high work function.
  • FIG. 1 illustrates an energy relationship of layers constituting an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 illustrates a laminated structure of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • Example 3 is a graph illustrating a comparison of voltage-current density characteristics of Example 1 (Device 2) and Comparative Example 2 (Device 1) according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • Example 4 is a graph illustrating a comparison of characteristics of current density-efficiency in a direction of a first electrode among characteristics of Example 1 (Device 2) and Comparative Example 2 (Device 1) according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a graph illustrating a comparison of current density-efficiency in a direction of a second electrode among characteristics of Example 1 (Device 2) and Comparative Example 2 (Device 1) according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 illustrates the sum of the values of current density-efficiency in both directions of the first electrode and the second electrode among the characteristics of Example 1 (Device 2) and Comparative Example 2 (Device 1) according to one embodiment of the present invention. It is a graph.
  • Comparative Example 1 (Device 4) according to an embodiment of the present invention.
  • Example 8 is a graph illustrating a comparison of voltage-current density characteristics of Example 1 (Device 2) and Example 2 (Device 3) according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph illustrating comparison of current density-efficiency in a direction of a first electrode among characteristics of Example 1 (Device 2) and Example 2 (Device 3) according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a graph illustrating comparison of current density-efficiency in a direction of a second electrode among characteristics of Example 1 (Device 2) and Example 2 (Device 3) according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 illustrates a comparison of current density-efficiency in both directions of a first electrode and a second electrode among the characteristics of Example 1 (Device 2) and Example 2 (Device 3) according to an exemplary embodiment of the present invention. It is a graph.
  • the organic light emitting device the first electrode; Second electrode; And a light emitting layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein the organic light emitting device includes a first organic material layer in contact with the first electrode and a second organic material layer in contact with the second electrode.
  • the first and second organic material layer further comprises a compound represented by the formula (1), the third organic material layer comprising an n-type dopant between the second organic material layer and the light emitting layer in contact with the second electrode It includes.
  • the first and second organic material layers include the compound represented by Chemical Formula 1, and the organic material layers may be formed of the same material.
  • the driving voltage can be further lowered and the current efficiency can be further increased as compared with the conventional art. have.
  • the interface between the first electrode and the first organic material layer in contact with the first electrode and / or the An organic material layer composed of various functional materials may be applied to an interface between the second organic material layer in contact with the second electrode and the third organic material layer including the n-type dopant. Effects such as decrease, increase in efficiency, and decrease in electrode resistance can be expected.
  • the functional material layer is located at the interface between the first electrode and the first organic material layer in contact with the first electrode, these are preferably thin films or metal oxide layers of metals or alloys thereof.
  • the functional material layer is located at the interface between the second organic material layer in contact with the second electrode and the third organic material layer including the n-type dopant, they are preferably a metal oxide layer or a metal salt layer.
  • Exemplary compounds of the compounds of Formula 1 include compounds of Formulas 1-1 to 1-6.
  • both the first electrode and the second electrode may be formed of a material having various work functions by the first and second organic material layers contacting each of the first electrode and the second electrode.
  • both the first electrode and the second electrode may use materials having a Fermi energy level of 2eV to 6eV, in particular, 2eV to 4eV.
  • the electrode material may include a material selected from the group consisting of metals, metal oxides and conductive polymers.
  • the electrode material may be carbon, cesium, potassium, lithium, calcium, sodium, magnesium, nironium, indium, aluminum, silver, tantalum, vanadium, chromium, copper, zinc, iron, tungsten, molybdenum, nickel, gold, Other metals and alloys thereof; Zinc oxide, indium oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide and other similar metal oxides; And mixtures of oxides and metals such as ZnO: Al and SnO2: Sb.
  • the first electrode when the first electrode is formed of a transparent material may be a bottom emission type, when the second electrode is formed of a transparent material may be a top emission type, both the first and second electrodes are transparent material When formed as a two-sided light emitting may be.
  • both the first electrode and the second electrode may be formed of a material having a high work function, and in this case, a double-sided light emitting device may be manufactured using a transparent material having a high work function.
  • the first electrode and the second electrode may be formed of at least one transparent conducting oxide selected from indium zinc oxide (IZO) and zinc oxide (ZnO), respectively.
  • the first electrode may further include a thin film or a metal oxide layer of a metal or an alloy thereof at an interface with the first organic material layer in contact with the first electrode.
  • the material of the additional layer included in the first electrode is specifically aluminum (Al), silver (Ag), zinc (Zn), niobium (Nb), zirconium (Zr), tin (Sn), tantalum (Ta) , Vanadium (V), mercury (Hg), gallium (Ga), indium (In), cadmium (Cd), boron (B) hafnium (Hf), lanthanum (La), titanium (Ti), calcium (Ca), Magnesium (Mg) and an alloy of a metal selected from these and neodymium (Nd) or palladium (Pd), and the like, and metal oxides such as Li 2 O, Na 2 O, Rb 2 O, Cs 2 O, MgO, CaO, and the like. Including but not limited to these.
  • the thickness thereof may be adjusted in consideration of the transmittance and the electrical conductivity of the wavelength of the visible light region, and the thickness thereof is preferably 1 to 300 Hz. .
  • the first organic material layer in contact with the first electrode is in contact with the p-type organic material layer.
  • the compound of Formula 1 is an n-type organic material
  • an NP junction structure may be formed between the first organic material layer contacting the first electrode and the p-type organic material layer.
  • the energy level difference between the LUMO level of the first organic material layer in contact with the first electrode and the HOMO level of the p-type organic material layer is adjusted to be reduced.
  • the energy difference between the LUMO energy level of the first organic material layer in contact with the first electrode and the HOMO energy level of the p-type organic material layer is preferably 1 eV or less, and more preferably about 0.5 eV or less. This energy difference is preferably -1 eV or more and 1 eV or less, and more preferably about 0.01 to 1 eV from the viewpoint of material selection.
  • the energy level is selected within the numerical range as described above, holes are easily injected into the HOMO energy level of the p-type organic material layer through the LUMO energy level of the organic material layer in contact with the first electrode.
  • the energy difference between the HOMO energy level of the p-type organic compound layer and the LUMO energy level of the organic material layer in contact with the first electrode is greater than 1 eV, NP bonding between the p-type organic compound layer and the first organic material layer in contact with the first electrode is easy. It does not occur so that the driving voltage for hole injection rises. That is, in the present invention, the NP junction is not only physically in contact with the n-type organic compound layer and the p-type organic compound layer, but also must satisfy the above-described energy relationship.
  • the p-type organic compound layer may be a hole transport layer or a p-type light emitting layer.
  • the p-type organic compound layer When the p-type organic compound layer is a hole transport layer, the p-type organic compound layer may be positioned between the first organic compound layer in contact with the first electrode and the emission layer.
  • the highest occupied molecular orbital (HOMO) energy level of the hole transport layer is preferably 5 eV or more, and more preferably 5 eV or more and 6 eV or less. When 5 eV or more, it is possible to provide effective charge generation with the hole injection layer.
  • the light emitting layer is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and may be formed of a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence.
  • Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the organic light emitting device includes an organic material layer including the compound of Formula 1 as a second organic material layer in contact with the second electrode, and is located between the second organic material layer and the light emitting layer in contact with the second electrode. And a third organic layer comprising a -type dopant.
  • the second organic material layer in contact with the second electrode including the compound of Chemical Formula 1 serves as a connector between the third organic material layer including the n-type dopant and the second electrode, and simultaneously connects the second electrode.
  • the second electrode may be formed of a material having a high work function, for example, a transparent metal oxide such as ITO or IZO by the second organic material layer in contact with the second electrode.
  • the second organic material layer in contact with the second electrode may have a charge or high motion such as sputtering the second electrode, physical vapor deposition (PVD) using a laser, and ion beam assisted deposition using an ion beam.
  • the second electrode As a transparent electrode, a sputtering process is frequently used. In this case, general organic materials are damaged during the process, but the compound of Formula 1 has high crystallinity and thus is transparent without damaging the organic material layer.
  • the electrode can be effectively configured.
  • the thickness of the 3rd organic compound layer containing the said n-type dopant is 1 kPa-50 kPa.
  • the thickness of the third organic material layer including the n-type dopant is greater than 50 mW, absorbing visible light may reduce luminous efficiency, and when less than 1 mW, the uniformity of the thin film may be reduced, thereby effectively injecting electrons. It can be difficult.
  • the n-type dopant in the third organic material layer including the n-type dopant may be an organic material or an inorganic material.
  • alkali metals such as Li, Na, K, Rb, Cs or Fr
  • Alkaline earth metals such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba or Ra
  • Rare earth metals such as La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y or Mn
  • the n-type dopant may be a material including cyclopentadiene, cycloheptatriene, 6-membered heterocycle, or a condensed ring containing these rings.
  • the n-type dopant may be 1 to 50% by weight based on the total weight of the organic material including the n-type dopant.
  • the n-type dopant is used in the range of the weight%, there is an advantage in that the effective electron injection can be facilitated and the absorption of light can be minimized.
  • the method of doping the n-type dopant may use a method known in the art, and the scope of the present invention is not limited by the specific method.
  • An electron injecting or transporting material may be used as the doped material, that is, the host material in the third organic material layer including the n-type dopant.
  • the host material may be a compound having a functional group selected from imidazole group, oxazole group and thiazole group, but is not limited thereto.
  • the compound having a functional group selected from the imidazole group, the oxazole group and the thiazole group include compounds of the compounds of the following formulas (2) or (3):
  • R 1 to R 4 may be the same or different from each other, and each independently a hydrogen atom; Halogen atom, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 to C 30 alkyl group, C 2 to C 3 0 alkenyl group, C 1 to C 30 alkoxy group, C 3 to C 30 cycloalkyl group, C 3 to C A C 1 -C 30 alkyl group substituted or unsubstituted with one or more groups selected from the group consisting of 30 heterocycloalkyl groups, C 5 -C 30 aryl groups and C 2 -C 30 heteroaryl groups; Halogen atom, amino group, nitrile group, nitro group, C 1 ⁇ C 30 alkyl group, C 2 ⁇ C 30 alkenyl group, C 1 ⁇ C 30 alkoxy group, C 3 ⁇ C 30 cycloalkyl group, C 3 ⁇ C A C 3 -C 30 cycloalkyl group substituted or unsubstituted with at
  • X is O, S, NR b or a divalent hydrocarbon group of C 1 -C 7 ;
  • A, D and R b are each substituted with a hydrogen atom, a nitrile group (-CN), a nitro group (-NO 2 ), an alkyl of C 1 -C 24 , an aromatic ring of C 5 -C 20 or a hetero atom
  • Alkylene comprising an alkylene or hetero atom capable of forming a fused ring with an aromatic ring, a halogen, or an adjacent ring;
  • a and D may be joined to form an aromatic or heteroaromatic ring;
  • B is a substituted or unsubstituted alkylene or arylene that connects a plurality of hetero rings to be conjugated or unconjugated as n is 2 or more, and when n is 1, substituted or unsubstituted alkyl or aryl; n is an integer from 1 to 8.
  • Examples of the compound of Formula 2 include compounds known from Korean Patent Publication No. 2003-0067773, and examples of the compound of Formula 3 include compounds described in US Pat. No. 5,645,948 and compounds described in WO05 / 097756. Include. The above documents are all incorporated herein by reference.
  • the compound of Formula 2 also includes a compound of Formula 4:
  • R 5 to R 7 are the same as or different from each other, and are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon of C 1 -C 20 , an aromatic ring, an aromatic hetero ring, or an aliphatic or aromatic condensed ring;
  • Ar is a direct bond, an aromatic ring or an aromatic hetero ring;
  • X is O, S or NR a ;
  • R a is a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon of C 1 -C 7 , an aromatic ring or an aromatic hetero ring; Except where R 5 and R 6 are hydrogen at the same time.
  • the compound of Formula 3 also includes a compound of Formula 5:
  • Z is O, S or NR b ;
  • R 8 and R b may form a fused ring with a hydrogen atom, a C 1 -C 24 alkyl, a C 5 -C 20 aromatic ring or a substituted aromatic ring containing a hetero atom, a halogen, or a benzazole ring Alkylene or alkylene containing hetero atoms;
  • B is an alkylene, arylene, substituted alkylene, or substituted arylene that connects a plurality of benzazoles to be conjugated or non-conjugated as a connecting unit when n is 2 or more, and when n is 1, substituted or unsubstituted Alkyl or aryl;
  • n is an integer from 1 to 8.
  • Preferred compounds having imidazole groups include compounds of the following structure:
  • the organic material layer including the n-type dopant may improve electron injection characteristics by lowering an energy barrier with the organic material layer in contact with the second electrode by n-type doping.
  • the lower unoccupied molecular orbital (LUMO) level of the third organic compound layer including the n-type dopant is preferably a difference of 4 eV or less from the LUMO level of the second organic material layer in contact with the second electrode, more preferably 2 eV to It is more preferable that it is 3eV.
  • the energy barrier with the organic material layer in contact with the second electrode may be increased, thereby degrading electron injection characteristics. If the effective electron injection becomes difficult, it may result in raising the driving voltage of the device.
  • the metal oxide layer or the metal salt layer may be further included between the third organic material layer including the n-type dopant and the second organic material layer in contact with the second electrode.
  • the metal oxide layer or the metal salt layer as described above includes an n-type dopant in an electron injection process from a second organic material layer contacting the second electrode layer to a third organic material layer including the n-type dopant. It may serve to effectively block holes that may be transferred from the HOMO energy level of the third organic material layer to the second organic material layer in contact with the second electrode. As a result, an effect of minimizing the disappearance of the electron-static space, facilitating the injection of electrons into the third organic material layer including the n-type dopant, and increasing the efficiency of the device can be expected.
  • Examples of specific metal oxides include Li 2 O, Na 2 O, Rb 2 O, Cs 2 O, MgO, CaO, and the like, and the metal salts are LiF, NaF, KF, RbF, CsF, MgF 2 , CaF 2 , SrF 2 , BaF 2 , LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, MgCl 2 , CaCl 2, SrCl 2 , BaCl 2 and the like, but are not limited thereto.
  • the thickness is preferably 0.5 kPa to 50 kPa, more preferably 1 kPa to 20 kPa. If the thickness of the metal oxide or metal salt layer is too thick, it may result in increasing the driving voltage of the device.
  • an additional organic material layer may be included between the third organic material layer and the light emitting layer including the n-type dopant, and the additional organic material layer may be formed as an electron transport material.
  • the organic light emitting device according to FIG. 2 has a transparent anode as a first electrode on the substrate, an organic material layer containing a compound of formula 1 as a first organic material contacting the first electrode, and a p-type as a hole transport layer (HTL).
  • EML organic light emitting layer
  • an organic material layer including an n-type dopant an organic material layer including a compound of Formula 1 as an organic material layer contacting the second electrode
  • a transparent cathode as a second electrode.
  • the scope of the present invention is not limited only to this structure.
  • the organic light emitting device preferably has a normal structure in which the first electrode is a lower electrode as an anode and the second electrode is an upper electrode as a cathode.
  • Method of manufacturing an organic light emitting device comprises the steps of forming a first electrode; Forming a first organic material layer in contact with the first electrode and including the compound of Formula 1; Forming a light emitting layer on the first organic material layer including the compound of Formula 1; Forming a third organic layer including an n-type dopant on the light emitting layer; Forming a second organic material layer including the compound of Formula 1 on the third organic material layer including the n-type dopant; And forming a second electrode to contact the second organic material layer including the compound of Formula 1.
  • the method may further include forming a p-type organic material layer in contact with the first organic material layer in contact with the first electrode between the first organic material layer in contact with the first electrode and the emission layer.
  • a 1000 nm thick transparent anode (first electrode) was formed on the substrate by sputtering of IZO, and a HAT was thermally vacuum deposited to form a hole injection layer having a thickness of 500 mW thereon, and vacuum NPB having the formula The vapor deposition was performed to form a hole transport layer having a thickness of 400 mm 3.
  • BAlq which is a hole blocking layer material of the following formula, was formed thereon to a thickness of 50 kPa.
  • An electron transporting material of the following formula was formed thereon to a thickness of 150 kPa, and 10 wt% of Ca was doped into the electron transporting material of the following formula to form a doped electron transporting layer having a thickness of 50 kPa.
  • a high crystalline HAT was formed to have a thickness of 500 ⁇ s (the LUMO level of the organic material layer including the HAT in contact with the second electrode and the LUMO level of the organic material layer including the Ca).
  • the car was 3.6eV).
  • a cathode (second electrode) was formed to a thickness of 1750 ⁇ by the method of sputtering IZO in order to manufacture a transparent device of double-sided light emission.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 to 1.0 ⁇ / sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at about 2 x 10 -7 to 2 x 10 -8 torr.
  • IZO was sputtered on the substrate to form a transparent anode (first electrode) having a thickness of 1000 mW, and a vacuum injection of HAT was formed on the substrate to form a hole injection layer having a thickness of 500 mW. To form a hole transport layer having a thickness of 400 kPa.
  • doped Ir (ppy ) 3 of the formula to 10% by weight in the CBP of the formula, and formed a light emitting layer having a thickness of 300 ⁇ with a doped organic layer, BAlq of the formula as a hole blocking layer material on the thickness of 50 ⁇ Formed.
  • Example 2 The electron transporting material used in Example 1 was formed thereon to have a thickness of 200 mW, and the HAT was formed to have a thickness of 500 mW without forming an n-doped organic material layer. Finally, a cathode (second electrode) was formed to a thickness of 1750 ⁇ by the method of sputtering IZO in order to manufacture a transparent device of double-sided light emission.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 to 1.0 ⁇ / sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at about 2 ⁇ 10 ⁇ 7 to 2 ⁇ 10 ⁇ 8 torr.
  • the device was not driven properly in the device that does not constitute the n-doped organic material layer.
  • the experimental results are shown in Table 1 and FIG. 7 as a graph of current density-voltage. (Device 4)
  • the result shown in FIG. 7 shows that electrons are not transferred from the HAT layer to the electron transport layer, and only holes are transferred from the electron transport layer to the HAT layer. It can be called an element which consists of. In this device, the light emission of the device is not observed because no recombination of electron-space in the light emitting layer occurs.
  • a 1000 nm thick transparent anode (first electrode) was formed on the substrate by sputtering of IZO, and a HAT was thermally vacuum deposited to form a hole injection layer having a thickness of 500 mW thereon, and the NPB of the chemical formula was vacuumed thereon.
  • the vapor deposition was performed to form a hole transport layer having a thickness of 400 mm 3.
  • doped Ir (ppy) 3 of the formula to 10% by weight in the CBP of the formula, and formed a light emitting layer having a thickness of 300 ⁇ with a doped organic layer, BAlq of the formula as a hole blocking layer material on the thickness of 50 ⁇ Formed.
  • Example 1 The electron transporting material used in Example 1 was formed thereon to a thickness of 150 kPa, and the electron transporting material was doped with 10% Ca to form a thickness of 50 kPa. However, no HAT layer was formed thereon. Finally, a cathode (second electrode) was formed to a thickness of 1750 ⁇ by the method of sputtering IZO in order to manufacture a transparent device of double-sided light emission.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 to 1.0 mW / sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at about 2 ⁇ 10 ⁇ 7 to 2 ⁇ 10 ⁇ 8 torr. (Device 1)
  • Comparative Example 2 The results of Comparative Example 2 are shown in Table 1 and FIGS. 3, 4, 5, and 6 in comparison with the results of Examples.
  • a 1000 nm thick transparent anode (first electrode) was formed on the substrate by the sputtering method of IZO, and NPB of the chemical formula was vacuum deposited immediately to form a hole transport layer having a thickness of 900 ms without forming a HAT thereon.
  • doped Ir (ppy) 3 of the formula to 10% by weight in the CBP of the formula, and formed a light emitting layer having a thickness of 300 ⁇ with a doped organic layer, BAlq of the formula as a hole blocking layer material on the thickness of 50 ⁇ Formed.
  • Example 1 The electron transporting material used in Example 1 was formed thereon to a thickness of 150 kPa, and the electron transporting material was doped with 10% Ca to form a thickness of 50 kPa. However, no HAT layer was formed thereon. Finally, a cathode (second electrode) was formed to a thickness of 1750 ⁇ by the method of sputtering IZO in order to manufacture a transparent device of double-sided light emission.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 to 1.0 mW / sec, and the vacuum degree during deposition was maintained at about 2 ⁇ 10 ⁇ 7 to 2 ⁇ 10 ⁇ 8 torr.
  • Table 1 summarizes the device characteristics at a current density of 1 mA / cm 2 . As shown in the results of Table 1, when the HAT is not configured on the anode (first electrode), the driving voltage of the device increases and efficiency is lowered.
  • a 1000 nm thick transparent anode (first electrode) was formed on the substrate by sputtering of IZO, and a HAT was thermally vacuum deposited to form a hole injection layer having a thickness of 500 mW thereon, and the NPB of the chemical formula was vacuumed thereon.
  • the vapor deposition was performed to form a hole transport layer having a thickness of 400 mm 3.
  • a light emitting layer having a thickness of 300 ⁇ s was formed by doping Ir (ppy) 3 of the above formula to 10 wt% in CBP of the above formula, and BAlq, which is a hole blocking layer material, was formed to have a thickness of 50 ⁇ s.
  • the electron transporting material used in Example 1 was formed thereon at a thickness of 150 kPa, and 10 wt% of Ca was doped into the electron transporting material used in Example 1 thereon to form a doped electron transporting layer having a thickness of 50 kPa.
  • LiF, a metal salt, was deposited thereon, and a HAT having a high crystallinity was formed thereon in order to prevent damage due to sputtering during formation of the second electrode.
  • a cathode (second electrode) was formed to a thickness of 1750 ⁇ by the method of sputtering IZO in order to manufacture a transparent device of double-sided light emission.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 to 1.0 ⁇ / sec, and the vacuum at the time of deposition was maintained at about 2 ⁇ 10 ⁇ 7 to 2 ⁇ 10 ⁇ 8 torr.
  • Example 2 The results of Example 2 are shown in Table 1 and Figures 8, 9, 10, 11 compared with Example 1. Although the voltage showed a tendency to increase compared with Example 1, it can be seen that the efficiency is improved by the effective hole blocking as shown in FIGS. 9, 10, and 11.
  • IZO was sputtered on the substrate to form a 1000 m thick transparent anode (first electrode), and Ag was deposited thereon at 200 m thick.
  • HAT was vacuum-deposited on the deposited Ag to form a hole injection layer having a thickness of 500 kPa
  • NPB of the chemical formula was vacuum deposited on the Ag to form a hole transport layer having a thickness of 400 kPa.
  • a light emitting layer having a thickness of 300 ⁇ s was formed by doping Ir (ppy) 3 of the above formula to 10 wt% in CBP of the above formula, and BAlq, which is a hole blocking layer material, was formed to have a thickness of 50 ⁇ s.
  • the electron transporting material used in Example 1 was formed thereon at a thickness of 150 kPa, and 10 wt% of Ca was doped into the electron transporting material used in Example 1 thereon to form a doped electron transporting layer having a thickness of 50 kPa.
  • LiF, a metal salt, was deposited thereon, and a HAT having a high crystallinity was formed thereon in order to prevent damage due to sputtering during formation of the second electrode.
  • a cathode (second electrode) was formed to a thickness of 1750 ⁇ by the method of sputtering IZO in order to manufacture a transparent device of double-sided light emission.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.5 to 1.0 ⁇ / sec, and the vacuum at the time of deposition was maintained at about 2 ⁇ 10 ⁇ 7 to 2 ⁇ 10 ⁇ 8 torr.
  • Example 3 is an experiment in which a metal thin film is formed between a HAT layer and an anode in contact with an anode (first electrode), and the results are briefly compared with Table 1 below. As shown in Table 1, when the device is manufactured by adding the metal thin film layer, the efficiency may be slightly decreased due to the decrease in the transmittance of the metal thin film layer, but the driving voltage of the device may be reduced.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극과 접하는 제1의 유기물층 및 상기 제2 전극과 접하는 제2의 유기물층을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2의 유기물층은 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 발광층 사이에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광소자 및 이의 제조방법
본 발명은, 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 양극과 음극의 재료로서 다양한 일함수를 갖는 재료를 사용할 수 있고 상부 전극 형성시 유기물층의 손상을 방지할 수 있는 유기발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 출원은 2009년03월17일에 한국특허청에 제출된 한국특허출원 제10-2009-0022810호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
유기 발광 소자(OLED)는 통상 두 개의 전극(양극 및 음극) 및 이들 전극 사이에 위치하는 한 층 이상의 유기물층으로 구성된다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 있어서, 두 개의 전극 사이에 전압을 인가하면, 양극으로부터는 정공이, 음극으로부터는 전자가 각각 유기물층으로 유입되고, 이들이 재결합하여 여기자를 형성하며, 이 여기자가 다시 기저 상태로 떨어지면서 에너지 차이에 해당하는 광자를 방출하게 된다. 이와 같은 원리에 의하여 유기 발광 소자는 가시 광선을 발생하며, 이를 이용하여 정보 표시 소자 또는 조명 소자를 제조할 수 있다.
그런데, 유기 발광 소자의 제조 공정에서 유기물층 상에 위치하는 전극을 투명성을 갖는 IZO 또는 ITO와 같은 전도성 산화막으로 형성하는 경우, 저항체 가열 증착(resistive heating evaporation) 방법을 이용하면 열에 의한 증발 과정 중 열적 분해 등에 의하여 산화물의 고유의 화학 조성비가 와해되어 전기 전도성 및 가시광선 투과성 등의 특성을 잃는다. 따라서, 상기 전도성 산화막의 증착시에는 저항체 가열 증착 방법을 이용할 수 없고, 대부분의 경우 플라즈마를 사용한 스퍼터링과 같은 방법을 사용하고 있다.
그러나, 유기물층 위에 스퍼터링과 같은 방법으로 전극을 형성하는 경우, 스퍼터링 공정에서 사용하는 플라즈마에 존재하는 전기적 전하 입자 등으로 인하여 유기물층이 손상될 수 있다.
이에, 양호한 유기 발광 소자를 제작하기 위해서는 유기물층 상에 스퍼터링과 같은 방법에 의한 전극 형성시 발생할 수 있는 유기물층의 손상을 제거하거나 최소화하여야 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 양극과 음극의 재료로서 다양한 일함수를 갖는 재료를 사용할 수 있고 상부 전극 형성시 유기물층의 손상을 방지할 수 있어, 양극과 음극을 모두 높은 일함수를 갖는 재료로 형성하여 양면 발광할 수 있는 유기발광소자 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극과 접하는 제1의 유기물층 및 상기 제2 전극과 접하는 제2의 유기물층을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2의 유기물층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 발광층 사이에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다:
화학식 1
Figure PCTKR2010001652-appb-C000001
상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(-CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 및 치환 또는 비치환된 아랄킬아민으로 구성된 군에서 선택되며, 상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴 및 치환 또는 비치환된 5-7원 헤테로 고리로 이루어진 군에서 선택된다.
본 발명은, 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 접하고 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제1의 유기물층을 형성하는 단계; 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제1의 유기물층 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 형성하는 단계; 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층 상에 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제2의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제2의 유기물층에 접하도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 유기발광소자의 양극과 음극의 재료로서 다양한 일함수를 갖는 재료를 사용할 수 있고 상부 전극 형성시 유기물층의 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 양극과 음극을 모두 높은 일함수를 갖는 재료로 형성하여 양면 발광할 수 있는 유기발광소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시상태에 따른 유기발광소자를 구성하는 층들의 에너지 관계를 예시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시상태에 따른 유기발광소자의 적층구조를 예시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시상태에 따른 실시예 1(Device 2)과 비교예 2(Device 1)의 전압-전류밀도 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일실시상태에 따른 실시예 1(Device 2)과 비교예 2(Device 1)의 특성 중 제1 전극 방향에서의 전류밀도-효율의 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일실시상태에 따는 실시예 1(Device 2)과 비교예 2(Device 1)의 특성 중 제2 전극 방향에서의 전류밀도-효율의 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일실시상태에 따는 실시예 1(Device 2)과 비교예 2(Device 1)의 특성 중 제1 전극 및 제2 전극 양 방향에서의 전류밀도-효율의 값을 합산하여 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일실시상태에 따른 비교예 1(Device 4)의 전압-전류밀도 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일실시상태에 따른 실시예 1(Device 2)와 실시예 2(Device 3)의 전압-전류밀도 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일실시상태에 따른 실시예 1(Device 2)와 실시예 2(Device 3)의 특성 중 제1 전극 방향에서의 전류밀도-효율의 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 10는 본 발명의 일실시상태에 따른 실시예 1(Device 2)와 실시예 2(Device 3)의 특성 중 제2 전극 방향에서의 전류밀도-효율의 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 일실시상태에 따른 실시예 1(Device 2)와 실시예 2(Device 3)의 특성 중 제1 전극 및 제2 전극 양 방향에서의 전류밀도-효율의 특성을 비교하여 나타낸 그래프이다.
본 발명에 따른 유기발광소자는, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극과 접하는 제1의 유기물층 및 상기 제2 전극과 접하는 제2의 유기물층을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 발광층 사이에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 포함한다.
여기서, 상기 제1 및 제2의 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며, 상기 유기물층들은 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층으로 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층을 이용함으로써, 종래에 비하여 구동전압을 더욱 낮추고, 전류 효율을 더욱 높일 수 있다. 또한, 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층을 동일한 물질로 사용하는 경우, 제1 전극과 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층의 계면 및/또는 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층의 계면에 다양한 기능성 물질들로 이루어진 유기물층을 적용할 수 있으며, 이와 같이 기능성 물질층을 추가로 포함하는 경우 전압의 감소, 효율의 증가, 전극 저항의 감소 등의 효과를 기대할 수 있다. 상기 기능성 물질층이 제1 전극과 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층의 계면에 위치하는 경우, 이들은 금속 또는 이의 합금의 박막 또는 금속 산화물층인 것이 바람직하다. 상기 기능성 물질층이 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층의 계면에 위치하는 경우, 이들은 금속산화물층 또는 금속염층인 것이 바람직하다.
상기 화학식 1의 화합물의 예시적인 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 1-6의 화합물을 포함한다.
[화학식 1-1]
Figure PCTKR2010001652-appb-I000001
[화학식 1-2]
Figure PCTKR2010001652-appb-I000002
[화학식 1-3]
Figure PCTKR2010001652-appb-I000003
[화학식 1-4]
Figure PCTKR2010001652-appb-I000004
[화학식 1-5]
Figure PCTKR2010001652-appb-I000005
[화학식 1-6]
Figure PCTKR2010001652-appb-I000006
본 발명에서는, 제1 전극 및 제2 전극 각각에 접하는 제1 및 제2의 유기물층에 의해 상기 제1 전극 및 제2 전극을 모두 다양한 일함수를 갖는 물질로도 형성할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 모두 페르미 에너지 준위가 2eV 내지 6eV인 물질, 특히 2eV 내지 4eV인 물질까지 사용할 수 있다. 전극 재료로는 금속, 금속 산화물 및 도전성 폴리머로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 포함할 수 있다. 구체적으로, 전극 재료로는 탄소, 세슘, 칼륨, 리튬, 칼슘, 나트륨, 마그네슘, 니르코늄, 인듐, 알루미늄, 은, 탄탈, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 니켈, 금, 기타 금속 및 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물 및 기타 이와 유사한 금속 산화물; ZnO:Al 및 SnO2:Sb와 같은 산화물과 금속의 혼합물 등이 있다. 본 발명에 따른 유기발광소자에 있어서, 제1 전극이 투명 물질로 형성된 경우 후면 발광형일 수 있고, 제2 전극이 투명 물질로 형성된 경우 전면 발광형일 수 있으며, 제1 및 제2 전극이 모두 투명 물질로 형성된 경우 양면 발광형일 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 모두 일함수가 높은 재료로 형성할 수도 있으며, 이 경우 일함수가 높은 투명 재료를 이용하여 양면 발광 소자를 제조할 수도 있다. 예컨대, 제1 전극 및 제2 전극은, 각각 인듐아연산화물 (IZO: Indium Zinc Oxide) 및 아연 산화물 (ZnO) 중 선택된 1종 이상의 투명금속산화물 (Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과의 계면에서 금속 또는 이의 합금의 박막 또는 금속 산화물층을 추가로 포함할 수 있다.
상기와 같은 금속 또는 이의 합금의 박막 또는 금속 산화물층을 추가로 포함하는 경우, 전하의 이동도 (career mobility) 및 전기 전도도를 증가시킬 수 있으므로, 소자의 문턱 전압 및 동작 전압을 낮추어 주는 효과를 제공할 수 있다. 또한, 유기발광소자를 대면적화시켜 제작하는 경우 인듐아연산화물과 같은 금속산화물로 이루어진 투명 전극을 제1 전극으로 사용하면 전극 저항을 줄일 수 있기 때문에 소자의 발광 부분의 빛을 보다 균일하게 얻을 수 있는 효과를 제공할 수 있다.
상기 제1 전극에 포함되는 추가의 층의 재료로는 구체적으로 알루미늄 (Al), 은(Ag), 아연(Zn), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 주석(Sn), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 수은(Hg), 갈륨(Ga), 인듐(In), 카드뮴(Cd), 붕소(B) 하프늄(Hf), 란타늄(La), 티타늄(Ti), 칼슘 (Ca), 마그네슘 (Mg) 및 이들 중에서 선택되는 금속과 네오디뮴(Nd) 또는 팔라듐(Pd)의 합금 등이 있으며, Li2O, Na2O, Rb2O, Cs2O, MgO, CaO 등의 금속 산화물 등도 포함하나, 이들에만 한정하는 것은 아니다.
상기 금속 또는 이의 합금의 박막 또는 금속산화물층을 추가로 포함하는 경우에는 그 두께를 가시 광선 영역의 파장의 투과도 및 전기 전도도를 고려하여 조절할 수 있으며, 그 두께가 1 Å 내지 300 Å인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층은 p-형 유기물층과 접하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 화학식 1의 화합물은 n-형 유기물이므로, 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과 상기 p-형 유기물층의 사이에서 NP 접합 구조가 형성될 수 있다. 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층의 LUMO 준위와 p-형 유기물층의 HOMO 준위 사이의 에너지 준위 차이가 감소되도록 조절되는 것이 바람직하다. 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층의 LUMO 에너지 준위와 상기 p-형 유기물층의 HOMO 에너지 준위의 에너지 차는 1eV 이하인 것이 바람직하고, 약 0.5eV 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이 에너지 차는 물질 선택의 관점에서는 -1eV 이상 1eV 이하인 것이 바람직하며, 약 0.01 내지 1eV인 것이 더욱 바람직할 수 있다.
상기와 같은 수치 범위 내에서 에너지 준위가 선택되는 경우, 정공이 상기 제1 전극에 접하는 유기물층의 LUMO 에너지 준위를 통하여 상기 p-형 유기물층의 HOMO 에너지 준위로 용이하게 주입된다. 상기 p-형 유기물층의 HOMO 에너지 준위와 상기 제1 전극에 접하는 유기물층의 LUMO 에너지 준위의 에너지 차가 1eV 보다 크면, 상기 p-형 유기물층과 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층 사이의 NP 접합이 용이하게 발생하지 않아서 정공주입을 위한 구동전압이 상승한다. 즉, 본 발명에 있어서, NP 접합이란 n-형 유기물층과 p-형 유기물층이 물리적으로 접하는 것뿐만 아니라, 전술한 에너지 관계를 만족하여야 한다.
NP 접합이 형성되면, 외부 전압이나 광원에 의하여 정공 또는 전자가 용이하게 형성된다. 즉, NP 접합에 의하여 p-형 유기물층 내에서 정공이, 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층 내에서 전자가 용이하게 형성되는 것이다. 상기 NP 접합에서 정공과 전자가 동시에 발생되므로, 전자는 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층을 통하여 제1 전극 방향으로 수송되며 정공은 p-형 유기물층 방향으로 수송된다. 따라서, 상기 에너지 차이 범위 내에서 정공 또는 전자가 용이하게 발생하고, 이에 따라 전하의 농도가 증가되어 소자의 구동전압 상승을 낮출 수 있다. 상기 p-형 유기물층은 정공수송층 또는 p-형 발광층일 수 있다.
상기 p-형 유기물층이 정공수송층인 경우, 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과 상기 발광층 사이에 위치할 수 있다. 여기서, 상기 정공수송층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위가 5eV 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5eV 이상 6eV 이하인 것이 더욱 바람직하다. 5eV 이상인 경우, 상기 정공주입층과의 효과적인 전하 발생을 제공할 수 있다.
상기 발광층은, 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질로 형성할 수 있다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광소자는, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층으로서 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층을 포함하며, 또한 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 발광층 사이에 위치한 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 포함한다.
상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층은 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층과 제2 전극 사이에서 커넥터(connecter) 역할을 하는 동시에, 제2 전극을 다양한 일함수를 가지는 재료로 형성할 수 있도록 한다. 따라서, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층에 의하여 상기 제2 전극을 높은 일함수를 갖는 재료, 예컨대 ITO, IZO와 같은 투명 금속산화물로 형성할 수도 있다. 또한, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층은 제2 전극을 스퍼터링, 레이저를 이용한 물리적 증착방법(physical vapor deposition; PVD), 이온빔을 사용한 증착방법(ion beam assisted deposition)과 같은 전하 또는 높은 운동 에너지를 갖는 입자를 동반함으로써 유기물층에 손상을 줄 수 있는 박막 형성 기술을 이용하여 형성하는 경우에도 버퍼층 역할을 함으로써 유기물층의 손상을 방지할 수 있다. 특히, 제2 전극을 투명 전극으로 형성하는 경우 스퍼터링 공정이 많이 사용되는데, 이 경우 일반적인 유기물들은 공정 중 손상을 받게 되나, 상기 화학식 1의 화합물은 높은 결정성을 가지므로 유기물층의 손상 없이 투명한 제2 전극을 효과적으로 구성할 수 있다.
상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층은 그 두께가 1 Å 내지 50 Å인 것이 바람직하다. 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층의 두께가 50 Å 초과인 경우 가시광선을 흡수하여 발광 효율을 저하시킬 수 있으며, 1 Å 미만인 경우에는 박막의 균일도를 떨어뜨릴 수 있어 효과적인 전자 주입을 어렵게 할 수 있다.
상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층 중 n-형 도펀트는 유기물 또는 무기물일 수 있다. 상기 n-형 도펀트가 무기물인 경우, 알칼리금속, 예컨대 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 Fr; 알칼리 토금속, 예컨대 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 또는 Ra; 희토류 금속, 예컨대 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Th, Dy, Ho, Er, Em, Gd, Yb, Lu, Y 또는 Mn; 또는 상기 금속들 중 1 이상의 금속을 포함하는 금속 화합물을 포함할 수 있다. 또는, 상기 n-형 도펀트는 시클로펜타디엔, 시클로헵타트리엔, 6원 헤테로고리 또는 이들 고리가 포함된 축합고리를 포함하는 물질일 수도 있다.
여기서, 상기 n-형 도펀트는, 상기 n-형 도펀트를 포함하는 유기물층 재료의 총 중량을 기준으로 1 내지 50 중량%일 수 있다. 상기 n-형 도펀트를 상기 중량%의 범위에서 사용하는 경우에는 효과적인 전자주입을 용이하게 하는 동시에 광의 흡수를 최소화 할 수 있다는 장점이 있다. 본 발명에 있어서, n-형 도펀트를 도핑하는 방법은 당 기술 분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 본 발명의 범위가 특정 방법에 의하여 한정되는 것은 아니다.
상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층 중 도핑되는 물질, 즉 호스트 재료로는 전자 주입 또는 수송 물질이 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 호스트 재료로는 이미다졸기, 옥사졸기 및 티아졸기로부터 선택되는 작용기를 갖는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상기 이미다졸기, 옥사졸기 및 티아졸기로부터 선택되는 작용기를 갖는 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 2 또는 3의 화합물의 화합물이 있다:
화학식 2
Figure PCTKR2010001652-appb-C000002
상기 화학식 2에 있어서, R1 내지 R4는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 수소원자; 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C30의 알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C3~C30의 헤테로시클로알킬기, C5~C30의 아릴기 및 C2~C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환된 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기; 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C30의 알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C3~C30의 헤테로시클로알킬기, C5~C30의 아릴기 및 C2~C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환된 또는 비치환된 C3~C30의 시클로알킬기; 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C30의 알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C3~C30의 헤테로시클로알킬기, C5~C30의 아릴기 및 C2~C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환된 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기; 또는 할로겐 원자, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C30의 알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C3~C30의 헤테로시클로알킬기, C5~C30의 아릴기 및 C2~C30의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환된 또는 비치환된 C2~C30의 헤테로아릴기이고, 서로 인접하는 기와 지방족, 방향족, 지방족헤테로 또는 방향족헤테로의 축합 고리를 형성하거나 스피로 결합을 이룰 수 있고; Ar1은 수소원자, 치환 또는 비치환의 방향족 고리 또는 치환 또는 비치환의 방향족 헤테로 고리이며; X는 O, S 또는 NRa이고; Ra는 수소, C1-C7의 지방족 탄화수소, 방향족 고리 또는 방향족 헤테로 고리이고,
화학식 3
Figure PCTKR2010001652-appb-C000003
상기 화학식 3에 있어서, X는 O, S, NRb 또는 C1-C7의 2가 탄화수소기이고; A, D및 Rb는 각각 수소원자, 니트릴기(-CN), 니트로기(-NO2), C1-C24의 알킬, C5-C20의 방향족 고리 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환된 방향족 고리, 할로겐, 또는 인접 고리와 융합 고리를 형성할 수 있는 알킬렌 또는 헤테로 원자를 포함하는 알킬렌이며; A와 D는 연결되어 방향족 또는 헤테로 방향족고리를 형성할 수 있고; B는 n이 2 이상인 경우 연결 유니트로서 다수의 헤테로 고리를 공액 또는 비공액되도록 연결하는 치환 또는 비치환된 알킬렌 또는 아릴렌이며, n이 1인 경우 치환 또는 비치환된 알킬 또는 아릴이고; n은 1 내지 8의 정수이다.
상기 화학식 2의 화합물의 예로는 한국 특허 공개 제2003-0067773호에 공지되어 있는 화합물을 포함하며, 상기 화학식 3의 화합물의 예로는 미국 특허 제5,645,948호에 기재된 화합물과 WO05/097756호에 기재된 화합물을 포함한다. 상기 문헌들은 그 내용 전부가 본 명세서에 포함된다.
구체적으로, 상기 화학식 2의 화합물에는 하기 화학식 4의 화합물도 포함된다:
화학식 4
Figure PCTKR2010001652-appb-C000004
상기 화학식 4에 있어서, R5 내지 R7은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소원자, C1-C20의 지방족 탄화수소, 방향족 고리, 방향족 헤테로 고리 또는 지방족 또는 방향족 축합고리이며; Ar은 직접 결합, 방향족 고리 또는 방향족 헤테로 고리이며; X는 O, S 또는 NRa이며; Ra는 수소원자, C1-C7의 지방족 탄화수소, 방향족 고리 또는 방향족 헤테로 고리이고; 단 R5 및 R6이 동시에 수소인 경우는 제외된다.
또한, 상기 화학식 3의 화합물에는 하기 화학식 5의 화합물도 포함된다:
화학식 5
Figure PCTKR2010001652-appb-C000005
상기 화학식 5에 있어서, Z는 O, S 또는 NRb이며; R8 및 Rb는 수소원자, C1-C24의 알킬, C5-C20의 방향족 고리 또는 헤테로 원자를 포함하는 치환된 방향족 고리, 할로겐, 또는 벤자졸 고리와 융합 고리를 형성할 수 있는 알킬렌 또는 헤테로 원자를 포함하는 알킬렌이고; B는 n이 2 이상인 경우 연결 유니트로서 다수의 벤자졸들을 공액 또는 비공액되도록 연결하는 알킬렌, 아릴렌, 치환된 알킬렌, 또는 치환된 아릴렌이며, n이 1인 경우 치환 또는 비치환된 알킬 또는 아릴이고; n은 1 내지 8의 정수이다.
바람직한 화합물로서 이미다졸기를 갖는 화합물로는 하기 구조의 화합물들이 있다:
Figure PCTKR2010001652-appb-I000007
상기 n-형 도펀트를 포함하는 유기물층은 n-형 도핑에 의하여 상기 제2 전극에 접하는 유기물층과의 에너지 배리어(barrier)를 낮춤으로써 전자 주입 특성을 향상시킬 수 있다. 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층의 LUMO(Lowest unoccupied molecular orbital) 준위는 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층의 LUMO 준위와의 차가 4eV 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2eV 내지 3eV인 것이 더욱 바람직하다. 4eV를 초과하는 유기물층을 사용하였을 경우 제2 전극에 접하는 유기물층과의 에너지 배리어가 높아져 전자 주입 특성이 저하될 수 있다. 효과적인 전자 주입이 용이하지 않게 될 경우 소자의 구동 전압을 상승시키는 결과를 초래할 수 있다
상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층과 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층 사이에 금속산화물층 또는 금속염층을 추가로 포함할 수 있다.
상기와 같은 금속산화물층 또는 금속염층은, 상기 제2 전극층에 접하는 제2의 유기물층으로부터 상기 n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층으로의 전자 주입 과정에서, n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층의 HOMO 에너지 레벨로부터 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층으로 전달될 수 있는 정공을 효과적으로 막아주는 역할을 할 수 있다. 이에 의하여 전자-정공간의 소멸 현상을 최소화하고, n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층으로의 전자의 주입을 용이하게 하여, 소자의 효율을 증가시키는 효과를 기대할 수 있다.
구체적인 금속 산화물의 예로는 Li2O, Na2O, Rb2O, Cs2O, MgO, CaO 등이 있으며, 금속염은 LiF, NaF, KF, RbF, CsF, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2 등을 예로 들 수 있으나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 금속산화물 또는 금속염층을 포함하는 경우, 그 두께는 0.5Å 내지 50Å인 것이 바람직하며, 1 Å 내지 20 Å의 두께로 구성하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 금속산화물 또는 금속염층의 두께가 지나치게 두꺼운 경우 소자의 구동 전압을 증가시키는 결과를 초래할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층과 발광층 사이에 추가의 유기물층을 포함할 수 있으며, 상기 추가의 유기물층은 전자수송재료로서 형성할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 유기발광소자의 일 실시상태를 나타낸 것이다. 도 2에 따른 유기발광소자는 기판 상에, 제1 전극으로서 투명 양극(Anode), 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층으로서 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층, 정공수송층(HTL)으로서 p-형 유기물층, 발광층(EML), n-형 도펀트를 포함하는 유기물층, 제2 전극에 접하는 유기물층으로서 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층, 및 제2 전극으로서 투명 음극(Cathod)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 그러나, 본 발명의 범위가 이 구조에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기발광소자는, 제1 전극이 양극으로서 하부전극이고, 제2 전극이 음극으로서 상부전극인 노말(normal) 구조인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 유기발광소자의 제조방법은 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 접하고 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제1의 유기물층을 형성하는 단계; 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제1의 유기물층 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 발광층 상에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 형성하는 단계; 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층 상에 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제2의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제2의 유기물층에 접하도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과 상기 발광층 사이에 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층과 접하는 p-형 유기물층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명의 다양한 실시상태 및 특징을 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명의 다양한 실시상태 및 특징을 예시하기 위한 것에 불과하며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
기판상에 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1000Å 두께의 투명 양극(제1 전극)을 형성하고, 그 위에 HAT을 열 진공 증착하여 두께가 500Å인 정공 주입층을 형성하고, 그 위에 하기 화학식의 NPB를 진공증착하여 두께가 400Å인 정공수송층을 형성하였다.
그리고 하기 화학식의 CBP에 하기 화학식의 Ir(ppy)3를 10중량%로 도핑하고, 도핑된 유기층으로 두께가 300Å인 발광층을 구성하였다.
그리고, 그 위에 하기 화학식의 정공차단층 재료인 BAlq를 50Å의 두께로 형성하였다.
그 위에 하기 화학식의 전자 수송 재료를 150Å의 두께로 형성하고, 그 위에 하기 화학식의 전자 수송 재료에 Ca을 10중량% 도핑하여, 도핑된 전자수송층을 두께 50Å으로 형성하였다.
그 위에 제2 전극 형성 시 스퍼터링에 의한 손상을 막기 위해 결정성이 높은 HAT을 500Å 두께로 형성하였다(상기 Ca를 포함하는 유기물층의 LUMO 준위와 상기 제2전극에 접하는 HAT을 포함하는 유기물층의 LUMO 준위의 차는 3.6eV이었다).
마지막으로 양면 발광의 투명 소자를 제작하기 위해 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1750Å 두께로 음극(제2 전극)을 형성하였다.
Figure PCTKR2010001652-appb-I000008
Figure PCTKR2010001652-appb-I000009
Figure PCTKR2010001652-appb-I000010
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.5 내지 1.0Å/sec로 유지 하였고, 증착시 진공도는 2 x 10-7 내지 2 x 10-8 torr 정도로 유지하였다.
실시예 1에서 제조한 유기 발광 소자에 0.2 mA/cm2의 간격으로 순차적으로 전압을 인가하여, 각각의 전압, 휘도 및 스펙트럼의 결과를 측정하였다. (Device2)
<비교예 1>
기판상에 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1000Å 두께의 투명 양극(제1 전극)을 형성하고, 그 위에 HAT을 열 진공 증착하여 두께 500Å인 정공주입층을 형성하고, 그 위에 하기 화학식의 NPB를 진공 증착하여 두께 400Å인 정공수송층을 형성하였다.
그리고 상기 화학식의 CBP에 상기 화학식의 Ir(ppy)3를 10중량%로 도핑하고, 도핑된 유기층으로 두께 300Å인 발광층을 구성하였고, 그 위에 정공차단층 재료인 상기 화학식의 BAlq를 50Å의 두께로 형성하였다.
그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료를 200Å의 두께로 형성하여, n-도핑된 유기물층을 구성하지 않고, HAT을 500Å 두께로 형성하였다. 마지막으로 양면 발광의 투명 소자를 제작하기 위해 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1750Å 두께로 음극(제2 전극)을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.5 내지 1.0Å/sec로 유지 하였고, 증착 시 진공도는 2 x 10-7 내지 2 x 10-8 torr 정도로 유지하였다.
본 비교예의 결과 n-도핑된 유기물층을 구성하지 않은 소자에서는 소자의 구동이 제대로 이루어지지 않았다. 실험 결과를 하기 표 1 및 도 7에 전류밀도-전압의 그래프로 나타내었다. (Device 4) 도 7에서의 보여지는 결과는 전자가 HAT층으로부터 전자 수송층으로 전달되지 못하고, 정공만 전자수송층으로부터 HAT층으로 전달되는 형태를 보이는 것으로, 이는 전자의 효과적인 주입이 없이 정공의 이동만으로 이루어지는 소자라 할 수 있다. 이 소자에서는 발광층에서 전자-정공간의 재결합이 이루어지지 않기 때문에 소자의 발광은 관찰되지 않는다.
<비교예 2>
기판상에 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1000Å 두께의 투명 양극(제1 전극)을 형성하고, 그 위에 HAT을 열 진공 증착하여 두께가 500Å인 정공주입층을 형성하고, 그 위에 상기 화학식의 NPB를 진공 증착하여 두께가 400Å인 정공수송층을 형성하였다.
그리고 상기 화학식의 CBP에 상기 화학식의 Ir(ppy)3를 10중량%로 도핑하고, 도핑된 유기층으로 두께 300Å의 발광층을 구성하였고, 그 위에 정공차단층 재료인 상기 화학식의 BAlq를 50Å의 두께로 형성하였다.
그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료를 150Å의 두께로 형성하고, 상기 전자 수송 재료에 Ca을 10% 도핑하여 50Å의 두께로 형성하였다. 다만, 그 위에 HAT층을 형성하지 않았다. 마지막으로 양면 발광의 투명 소자를 제작하기 위해 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1750Å 두께로 음극(제2 전극)을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.5 내지 1.0Å/sec로 유지하였고, 증착 시 진공도는 2 x 10-7 내지 2 x 10-8 torr 정도로 유지하였다. (Device 1)
본 비교예 2의 결과를 실시예의 결과와 비교하여 하기 표 1 및 도 3, 4, 5, 6에 나타내었다.
도 3에 보여지는 결과처럼, 본 비교예 2와 같이 HAT층을 구성하지 않았을 경우(Device 1)는 실시예와 같이 HAT을 구성하였을 경우(Device 2)와 비교하였을 때 누설전류의 정도가 확연히 커짐을 볼 수 있다. 이는 스퍼터링 공정에서 HAT층을 사용하지 않을 시 소자의 데미지가 있다는 것을 보여주는 예라 할 수 있다.
<비교예 3>
기판상에 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1000Å 두께의 투명 양극(제1 전극)을 형성하고, 그 위에 HAT을 구성하지 않고, 바로 상기 화학식의 NPB를 진공 증착하여 두께가 900Å인 정공수송층을 형성하였다.
그리고 상기 화학식의 CBP에 상기 화학식의 Ir(ppy)3를 10중량%로 도핑하고, 도핑된 유기층으로 두께 300Å의 발광층을 구성하였고, 그 위에 정공차단층 재료인 상기 화학식의 BAlq를 50Å의 두께로 형성하였다.
그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료를 150Å의 두께로 형성하고, 상기 전자 수송 재료에 Ca을 10% 도핑하여 50Å의 두께로 형성하였다. 다만, 그 위에 HAT층을 형성하지 않았다. 마지막으로 양면 발광의 투명 소자를 제작하기 위해 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1750Å 두께로 음극(제2 전극)을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.5 내지 1.0Å/sec로 유지하였고, 증착 시 진공도는 2 x 10-7 내지 2 x 10-8 torr 정도로 유지하였다.
본 비교예의 결과는 하기 표 1에 간략히 나타내었다. 표 1은 1mA/cm2의 전류 밀도에서의 소자 특성을 정리한 것이다. 표 1의 결과에서 보여지는 것처럼 양극(제1전극)에 HAT이 구성되지 않았을 시 소자의 구동 전압이 상승하고, 효율이 떨어지는 특성을 보인다.
<실시예 2>
기판상에 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1000Å 두께의 투명 양극(제1 전극)을 형성하고, 그 위에 HAT을 열 진공 증착하여 두께가 500Å인 정공주입층을 형성하고, 그 위에 상기 화학식의 NPB를 진공증착하여 두께가 400Å인 정공수송층을 형성하였다.
그리고 상기 화학식의 CBP에 상기 화학식의 Ir(ppy)3를 10중량%로 도핑하여 두께가 300Å인 발광층을 구성하였고, 그 위에 정공차단층 재료인 BAlq를 50Å의 두께로 형성하였다.
그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료를 150Å의 두께로 형성하고, 그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료에 Ca을 10중량% 도핑하여, 도핑된 전자수송층을 두께 50Å으로 형성하였다. 그 위에 금속염인 LiF를 15Å을 증착하고, 그 위에 제 2 전극 형성시 스퍼터링에 의한 손상을 막기 위해 결정성이 높은 HAT을 500Å 두께로 형성하였다.
마지막으로 양면 발광의 투명 소자를 제작하기 위해 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1750Å 두께로 음극(제2 전극)을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.5 내지 1.0Å/sec로 유지 하였고, 증착시 진공도는 2 x 10-7 내지 2 x 10-8 torr 정도로 유지하였다.
실시예 2에서 제조한 유기 발광 소자에 0.2 mA/cm2의 간격으로 순차적으로 전압을 인가하여, 각각의 전압, 휘도 및 스펙트럼의 결과를 측정하였다. (Device 3)
본 실시예 2의 결과는 하기 표 1 및 도 8, 9, 10, 11에 실시예 1과 비교하여 나타내었다. 전압은 실시예 1과 비교하여 높아지는 경향을 보였으나, 도 9, 10, 11에 보여지는 바대로 효과적인 정공의 차단으로 효율이 개선됨을 볼 수 있다.
<실시예 3>
기판상에 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1000Å 두께의 투명 양극(제1 전극)을 형성하고, 그 위에 Ag를 200 Å 두께로 증착하였다. 증착 된 Ag 위에 HAT을 열 진공 증착하여 두께가 500Å인 정공주입층을 형성하고, 그 위에 상기 화학식의 NPB를 진공증착하여 두께가 400Å인 정공수송층을 형성하였다.
그리고 상기 화학식의 CBP에 상기 화학식의 Ir(ppy)3를 10중량%로 도핑하여 두께가 300Å인 발광층을 구성하였고, 그 위에 정공차단층 재료인 BAlq를 50Å의 두께로 형성하였다.
그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료를 150Å의 두께로 형성하고, 그 위에 상기 실시예 1에서 사용한 전자 수송 재료에 Ca을 10중량% 도핑하여, 도핑된 전자수송층을 두께 50Å으로 형성하였다. 그 위에 금속염인 LiF를 15Å을 증착하고, 그 위에 제 2 전극 형성시 스퍼터링에 의한 손상을 막기 위해 결정성이 높은 HAT을 500Å 두께로 형성하였다.
마지막으로 양면 발광의 투명 소자를 제작하기 위해 IZO를 스퍼터링의 방법으로 1750Å 두께로 음극(제2 전극)을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.5 내지 1.0Å/sec로 유지 하였고, 증착시 진공도는 2 x 10-7 내지 2 x 10-8 torr 정도로 유지하였다.
본 실시예 3은 양극(제1전극)과 접해있는 HAT층과 양극 사이에 금속 박막을 형성한 실험으로써, 그 결과는 하기 표 1에 간략히 비교하여 나타내었다. 표 1에서 나타낸 바와 같이, 금속 박막층을 추가하여 소자를 제작하면 금속 박막층의 투과도 저하로 효율이 다소 떨어질 수는 있으나, 소자의 구동 전압을 떨어뜨릴 수 있다는 장점이 있다.
표 1
Figure PCTKR2010001652-appb-T000001

Claims (19)

  1. 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 유기발광소자에 있어서,
    상기 유기발광소자는 상기 제1 전극과 접하는 제1의 유기물층 및 상기 제2 전극과 접하는 제2의 유기물층을 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2의 유기물층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하며,
    상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 발광층 사이에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2010001652-appb-I000011
    상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(-CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 및 치환 또는 비치환된 아랄킬아민으로 구성된 군에서 선택되며, 상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴 및 치환 또는 비치환된 5-7원 헤테로 고리로 이루어진 군에서 선택된다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2의 유기물층은 동일한 물질인 것인 유기발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층의 n-형 도펀트는 알카리 금속, 알카리 토금속, 희토류 금속, 금속 화합물, 시클로펜타디엔, 시클로헵타트리엔, 6원 헤테로 고리 및 이들 고리가 포함된 축합고리를 포함하는 물질 중에서 선택되는 것을 포함하는 것인 유기발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층 중의 n-형 도펀트의 함량은 1 내지 50 중량%인 것인 유기발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층은 이미다졸기, 옥사졸기 및 티아졸기로부터 선택되는 작용기를 갖는 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층의 LUMO(Lowest unoccupied molecular orbital) 준위는 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층의 LUMO 준위와의 에너지 차가 4eV 이하인 것인 유기발광소자.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1의 유기물층과 상기 발광층 사이에 상기 제1의 유기물층과 접하는 p-형 유기물층을 더 포함하는 것인 유기발광소자.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 p-형 유기물층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 준위가 5eV 이상인 것인 유기발광소자.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 각각 일함수가 2eV 내지 6eV 인 물질을 포함하는 것인 유기발광소자.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 서로 같거나 상이한 금속 산화물로 이루어진 것인 유기발광소자.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 동일한 물질로 형성된 것인 유기발광소자.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나는 투명 물질을 포함하는 것인 유기발광소자.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극이 양극으로 하부 전극이고, 상기 제2 전극이 음극으로 상부전극인 노말(normal) 구조인 유기발광소자.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층의 계면에 금속 또는 이의 합금의 박막 또는 금속 산화물층을 추가로 포함하는 것인 유기발광소자.
  15. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 상기 n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층의 계면에 금속산화물층 또는 금속염층을 추가로 포함하는 것인 유기발광소자.
  16. 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과 접하고 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제1의 유기물층을 형성하는 단계;
    상기 제1의 유기물층 상에 발광층을 형성하는 단계;
    상기 발광층 상에 n-형 도펀트를 포함하는 제3의 유기물층을 형성하는 단계;
    상기 제3의 유기물층 상에 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 제2의 유기물층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2의 유기물층에 접하도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 청구항 1 내지 13 중 어느 하나의 항에 따른 유기발광소자의 제조방법:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2010001652-appb-I000012
    상기 화학식 1에 있어서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐 원자, 니트릴(-CN), 니트로(-NO2), 술포닐(-SO2R), 술폭사이드(-SOR), 술폰아미드(-SO2NR), 술포네이트(-SO3R), 트리플루오로메틸(-CF3), 에스테르(-COOR), 아미드(-CONHR 또는 -CONRR'), 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 C1-C12 알콕시, 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄 C1-C12의 알킬, 치환 또는 비치환된 방향족 또는 비방향족의 헤테로 고리, 치환 또는 비치환된 아릴, 치환 또는 비치환된 모노- 또는 디-아릴아민, 및 치환 또는 비치환된 아랄킬아민으로 구성된 군에서 선택되며, 상기 R 및 R'는 각각 치환 또는 비치환된 C1-C60의 알킬, 치환 또는 비치환된 아릴 및 치환 또는 비치환된 5-7원 헤테로 고리로 이루어진 군에서 선택된다.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 제1의 유기물층과 상기 발광층 사이에 상기 제1의 유기물층에 접하는 p-형 유기물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  18. 청구항 16에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제1 전극에 접하는 제1의 유기물층의 계면에 금속 또는 이의 합금의 박막 또는 금속 산화물층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
  19. 청구항 16에 있어서, 상기 제2 전극에 접하는 제2의 유기물층과 상기 n-형 도판트를 포함하는 제3의 유기물층의 계면에 금속산화물층 또는 금속염층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것인 유기발광소자의 제조방법.
PCT/KR2010/001652 2009-03-17 2010-03-17 유기발광소자 및 이의 제조방법 WO2010107249A2 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012500719A JP2012521087A (ja) 2009-03-17 2010-03-17 有機発光素子およびその製造方法
CN201080019663.8A CN102414295B (zh) 2009-03-17 2010-03-17 有机发光器件及其制备方法
US13/257,222 US20120007071A1 (en) 2009-03-17 2010-03-17 Organic light-emitting device, and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20090022810 2009-03-17
KR10-2009-0022810 2009-03-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010107249A2 true WO2010107249A2 (ko) 2010-09-23
WO2010107249A3 WO2010107249A3 (ko) 2010-12-23

Family

ID=42740126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2010/001652 WO2010107249A2 (ko) 2009-03-17 2010-03-17 유기발광소자 및 이의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120007071A1 (ko)
JP (1) JP2012521087A (ko)
KR (1) KR101057516B1 (ko)
CN (1) CN102414295B (ko)
WO (1) WO2010107249A2 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015521361A (ja) * 2012-05-31 2015-07-27 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
TWI494305B (zh) * 2012-05-31 2015-08-01 Lg Chemical Ltd 有機電致發光裝置
TWI495708B (zh) * 2012-05-31 2015-08-11 Lg Chemical Ltd 堆疊型有機發光裝置
JP2015525471A (ja) * 2012-05-31 2015-09-03 エルジー・ケム・リミテッド 有機電界発光素子

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101351512B1 (ko) * 2010-10-25 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
KR101223615B1 (ko) * 2010-12-31 2013-01-17 서울대학교 산학협력단 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
KR101433524B1 (ko) 2012-05-25 2014-08-22 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
EP2752903B1 (en) * 2012-05-31 2020-07-01 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device
WO2013180543A1 (ko) * 2012-05-31 2013-12-05 주식회사 엘지화학 유기전계발광소자
WO2013180503A1 (ko) * 2012-05-31 2013-12-05 주식회사 엘지화학 유기발광소자
JP5994551B2 (ja) * 2012-10-10 2016-09-21 コニカミノルタ株式会社 エレクトロルミネッセンスデバイス
CN105474422B (zh) * 2013-09-17 2018-02-09 乐金显示有限公司 有机发光元件
KR101734369B1 (ko) * 2013-09-30 2017-05-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 전자소자

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040065667A (ko) * 2003-01-15 2004-07-23 주식회사 엘지화학 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자
JP2006294895A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Sony Corp 有機電界発光素子
US20070092755A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
JP2007230974A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
US20070221912A1 (en) * 2004-04-09 2007-09-27 Jeong Ji W Stacked Organic Light Emitting Device Having High Efficiency and High Brightness

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
EP1745519B1 (en) * 2004-05-11 2018-07-25 LG Display Co., Ltd. Organic electronic device
US7504163B2 (en) * 2004-07-12 2009-03-17 Eastman Kodak Company Hole-trapping materials for improved OLED efficiency
US7629741B2 (en) * 2005-05-06 2009-12-08 Eastman Kodak Company OLED electron-injecting layer
TWI321968B (en) * 2005-07-15 2010-03-11 Lg Chemical Ltd Organic light meitting device and method for manufacturing the same
KR100890862B1 (ko) * 2005-11-07 2009-03-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US9028974B2 (en) * 2006-03-07 2015-05-12 Lg Chem, Ltd. OLED and fabricating method of the same
US7719180B2 (en) * 2007-10-16 2010-05-18 Global Oled Technology Llc Inverted OLED device with improved efficiency
JPWO2010073348A1 (ja) * 2008-12-25 2012-05-31 富士電機株式会社 陰極バッファ層を有する有機ｅｌ素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040065667A (ko) * 2003-01-15 2004-07-23 주식회사 엘지화학 저 전압에서 구동되는 유기 발광 소자
US20070221912A1 (en) * 2004-04-09 2007-09-27 Jeong Ji W Stacked Organic Light Emitting Device Having High Efficiency and High Brightness
JP2006294895A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Sony Corp 有機電界発光素子
US20070092755A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
JP2007230974A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015521361A (ja) * 2012-05-31 2015-07-27 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
TWI494305B (zh) * 2012-05-31 2015-08-01 Lg Chemical Ltd 有機電致發光裝置
TWI495708B (zh) * 2012-05-31 2015-08-11 Lg Chemical Ltd 堆疊型有機發光裝置
JP2015525471A (ja) * 2012-05-31 2015-09-03 エルジー・ケム・リミテッド 有機電界発光素子
JP2017143074A (ja) * 2012-05-31 2017-08-17 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
US10522788B2 (en) 2012-05-31 2019-12-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
CN102414295A (zh) 2012-04-11
KR101057516B1 (ko) 2011-08-17
KR20100105481A (ko) 2010-09-29
CN102414295B (zh) 2014-07-23
US20120007071A1 (en) 2012-01-12
WO2010107249A3 (ko) 2010-12-23
JP2012521087A (ja) 2012-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010107249A2 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR101069520B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
EP1794255B1 (en) Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same
EP2752907B1 (en) Organic light emitting diode
JP4722695B2 (ja) 有機発光素子
TWI389596B (zh) 有機電致發光元件及其製備方法
WO2013154342A1 (ko) 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자, 이를 포함하는 조명 기구와 디스플레이 장치
US8299458B2 (en) Organic electroluminescent device
WO2010056070A2 (ko) 저전압 구동 유기발광소자 및 이의 제조 방법
EP1974590A1 (en) Oled having stacked organic light-emitting units
WO2009139275A1 (ja) 有機ｅｌ素子
KR100879476B1 (ko) 유기 발광 소자
WO2009093873A2 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
KR100894066B1 (ko) 유기 발광 소자
US20120007064A1 (en) Organic electroluminescent device and method for preparing the same
WO2015041461A1 (ko) 유기 발광 소자
KR100898075B1 (ko) 유기 발광 소자
KR20120128483A (ko) 유기 발광 장치
WO2013094885A1 (ko) 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
KR101556433B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조 방법
WO2017164574A1 (ko) 유기 발광 소자
WO2022015074A1 (ko) 색안정성 확보를 위해 나노-섬 구조체를 구비하는 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR100971348B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080019663.8

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10753699

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13257222

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012500719

Country of ref document: JP

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10753699

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2