JP2007532782A - 多孔性ダイヤモンド・フィルムの製造 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (31)
- 基板上にダイヤモンド層を形成する段階であって、前記ダイヤモンド層は欠陥を含む、段階と、
前記ダイヤモンド層から相当量の前記欠陥を除去することにより、前記ダイヤモンド層内に空孔を形成する段階と、
から成ることを特徴とするマイクロエレクトロニック構造を形成する方法。 - 前記ダイヤモンド層内に空孔を形成する段階は、前記ダイヤモンド層内に空孔を形成することによって前記ダイヤモンド層の誘電率を低減する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基板上にダイヤモンド層を形成する段階は、化学蒸着によって前記基板上にダイヤモンド層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基板上にダイヤモンド層を形成する段階は、前記基板を炭化水素および水素を含むガスに暴露する段階を含み、前記炭化水素の濃度は前記水素の濃度の約10パーセントよりも高いことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記基板を炭化水素を含むガスに暴露する段階は、前記基板をメタンを含むガスに暴露する段階を含むことを特徴とする請求項4記載の方法。
- 前記基板上にダイヤモンド層を形成する段階は、前記ダイヤモンド層が二重結合、空格子点、または割込みのうちの少なくとも1つを含むように、前記基板上にダイヤモンド層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記ダイヤモンド層から前記欠陥を除去する段階は、前記ダイヤモンド層から前記欠陥をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記欠陥をエッチングする段階は、前記欠陥を摂氏約450度よりも低い温度で酸素ガスに暴露する段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記欠陥をエッチングする段階は、前記欠陥を酸素ガスに暴露する段階および急速な熱アニール・プロセスを利用する段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記欠陥をエッチングする段階は、前記欠陥を水素プラズマまたは酸素プラズマの少なくとも1つに暴露する段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記欠陥を水素プラズマに暴露する段階は、前記ダイヤモンド層の上部表面を水素で不活性化することにより、前記ダイヤモンド層の前記上部表面の摩擦係数を低減する段階を含むことを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記ダイヤモンド層を形成する段階は、クラスタ・ツールの堆積チャンバ内で前記ダイヤモンド層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記ダイヤモンド層内に空孔を形成する段階は、クラスタ・ツールの酸化チャンバ内で前記ダイヤモンド層内に空孔を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- クラスタ・ツールの堆積チャンバ内で前記ダイヤモンド層上に第2ダイヤモンド層を形成する段階と、
前記クラスタ・ツールの酸化チャンバ内で前記第2ダイヤモンド層内に空孔を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 基板上に第1ダイヤモンド層を形成する段階であって、前記第1ダイヤモンド層はsp2結合およびsp3結合の混合を含む、段階と、
前記第1ダイヤモンド層を水素プラズマに暴露する段階であって、前記sp2結合は前記第1ダイヤモンド層の上部から殆ど除去される、段階と、
から成ることを特徴とするマイクロエレクトロニック構造を形成する方法。 - 前記第1ダイヤモンド層を形成する段階は、水素の濃度の約10パーセントよりも高いメタンの濃度を有するプラズマを使用することによって前記第1ダイヤモンド層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 前記第1ダイヤモンド層を水素プラズマに暴露する段階は、前記第1ダイヤモンド層を水素プラズマに暴露することにより、殆どsp2の無いダイヤモンド層を形成するために前記第1ダイヤモンド層の前記上部を変換する段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 前記殆どsp2の無いダイヤモンド層上に堆積された第2ダイヤモンド層を形成する段階をさらに含み、前記第2ダイヤモンド層は、水素の濃度の約10%よりも高いメタンの濃度を含むプラズマを使用することにより、sp2およびsp3結合の混合を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 相当量の空孔を含むダイヤモンド層から構成されることを特徴とする構造。
- 前記ダイヤモンド層は、約1.95よりも低い誘電率を有することを特徴とする請求項19記載の構造。
- 前記ダイヤモンド層は、約6GPaよりも高い強度を有することを特徴とする請求項19記載の構造。
- 前記ダイヤモンド層は、ILD層を含むことを特徴とする請求項19記載の構造。
- sp2結合およびsp3結合の混合を含むダイヤモンド層と、
前記ダイヤモンド層に堆積された殆どsp2の無いダイヤモンド層であって、前記殆どsp2の無いダイヤモンド層はsp3結合を含む、ダイヤモンド層と、
から構成されることを特徴とする構造。 - 前記殆どsp2の無いダイヤモンド層は、相当量のsp2結合を含まないことを特徴とする請求項23記載の構造。
- 前記構造は、約1.95よりも低い誘電率および約6GPaよりも大きい強度を有することを特徴とする請求項23記載の構造。
- 前記構造は、ILD層を含むことを特徴とする請求項23記載の構造。
- 基板上に堆積された導電層と、
前記導電層上に堆積されたダイヤモンド層であって、前記ダイヤモンド層は空孔を含む、ダイヤモンド層と、
から構成されることを特徴とする構造。 - 前記ダイヤモンド層は、ILDを含むことを特徴とする請求項27記載の構造。
- 前記ダイヤモンド層は、約1.95よりも低い誘電率を有することを特徴とする請求項27記載の構造。
- 前記ダイヤモンド層は、約6GPaよりも大きい強度を有することを特徴とする請求項27記載の構造。
- 前記ダイヤモンド層は、前記導電層の研磨率よりも約100倍大きい研摩率を有することを特徴とする請求項27記載の構造。
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