JP2007258403A - 多孔性低誘電率薄膜及びその製作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法は、(a)基板を提供し、(b)第一化学的気相堆積(CVD)工程を行い、堆積チャンバーにバックボーン前駆体を導入して基板の上に界面誘電層を形成し、(c)第二CVD工程を行い、バックボーン前駆体を導入しながらポロゲン前駆体を堆積チャンバーに導入し、バックボーン前駆体と合わせて界面誘電層の上にポロゲンを含んだバックボーン層を形成し、(d)バックボーン層の中のポロゲンを除去して複数の孔隙のある超低誘電率材料層を形成するステップを含む。界面誘電層と超低誘電率材料層は多孔性低誘電率材料薄膜を構成している。
【選択図】図10
Description
しかし、半導体集積回路の製作がサブミクロンないし65または45ナノメートル以下のレベルに達すると、RC遅延は回路機能の向上に関わる重要なポイントとなる。それを改善すべく、金属相互接続の配線抵抗を低くするか、または誘電膜の容量を減少させる方法が考案された。金属相互接続の配線抵抗を低くする方法では、抵抗率の高いアルミニウムの代わりに銅が使用され、誘電膜の容量を減少させる方法では、低誘電率の代替材料が開発されつつある。
したがって、高機械強度と低誘電率を兼ね備えた低誘電率材料薄膜の開発は重要な課題となっている。
高密度の界面誘電層60はより強い凝集力と界面接着力をもって超低誘電率材料層68を基板58に密着させる。このように作られた多孔性低誘電率材料薄膜70は、化学的機械的研磨工程を加えてもひび割れや断裂が生じにくい。
図7に示されるように、まず半導体材料を含んだ基板100を提供する。第一段階では、第一CVD工程及び第二CVD工程を継続的に行う。その内容は、まずバックボーン前駆体を1〜30秒間(望ましくは1〜10秒間)導入し、基板100に第一界面誘電膜102を形成する。続いてバックボーン前駆体を継続的に提供するとともにポロゲン前駆体を提供し、両者でポロゲンを含んだ第一バックボーン層104を形成して第一低誘電率材料層118を完成する。続いて第二段階に移り、基板100に対して前記第一CVD工程と第二CVD工程を繰り返し、第二界面誘電層106と第二バックボーン層108を形成するとともに、第二低誘電率材料層120を完成する。その後第三及び第四段階に移り、基板100に対して第一と第二CVD工程を加え、それぞれ第三界面誘電層112と第三バックボーン層122からなる第三低誘電率材料層122と、第四界面誘電層114と第四バックボーン層116からなる第四低誘電率材料層124を形成する。最後に基板100に対して紫外線照射、熱ベーキングまたはe−ビーム照射工程を行い、ポロゲンを除去して第一、第二、第三及び第四バックボーン層104、108、112、116を孔隙128のある超低誘電率材料層につくり、誘電率が1.0〜2.7である4層の多孔性低誘電率材料薄膜126を完成する。もっとも、その他の実施例として、各段階ごとにポロゲンを次々と除去することも可能である。
ステップ202:所定時間Tがたてば、堆積チャンバーにポロゲン前駆体を導入し、継続的に導入されるバックボーン前駆体と合わせてポロゲンを含んだバックボーン層を形成する。
ステップ204:バックボーン層に対して後処理を行い、ポロゲンを除去して孔隙をつくる。
ステップ206:孔隙のあるバックボーン層は超低誘電率材料層をなし、界面誘電層と合わせて多孔性低誘電率材料薄膜を構成する。
52 基板台
54 RFパワー
56a、56b 導気管
58、100 基板
60 界面誘電層
62 バックボーン層
64 ポロゲン
66 孔隙
68 超低誘電率材料層
70 多孔性低誘電率材料層
102 第一界面誘電層
104 第一バックボーン層
106 第二界面誘電層
108 第二バックボーン層
110 第三界面誘電層
112 第三バックボーン層
114 第四界面誘電層
116 第四バックボーン層
118 第一低誘電率材料層
120 第二低誘電率材料層
122 第三低誘電率材料層
124 第四低誘電率材料層
126 多孔性低誘電率材料薄膜
128 孔隙
Claims (29)
- 多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法であって、
(a)基板を提供し、
(b)第一化学的気相堆積(CVD)工程を行い、堆積チャンバーにバックボーン前駆体を導入して基板の上に界面誘電層を形成し、
(c)第二CVD工程を行い、バックボーン前駆体を導入しながらポロゲン前駆体を堆積チャンバーに導入し、バックボーン前駆体と合わせて界面誘電層の上にポロゲンを含んだバックボーン層を形成し、
(d)バックボーン層の中のポロゲンを除去して複数の孔隙のある超低誘電率材料層を形成するステップを含み、
該界面誘電層と該超低誘電率材料層が多孔性低誘電率材料薄膜を構成することを特徴とする多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。 - 前記バックボーン前駆体が有機シリケートを含むことを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記界面誘電層がCDO(炭素ドープ酸化物)材料を含むことを特徴とする請求項2記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記ポロゲンが炭素水素化合物を含むことを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- バックボーン前駆体を1〜30秒間導入した後にポロゲン前駆体を導入することを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- バックボーン前駆体を1〜10秒間導入した後にポロゲン前駆体を導入することを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記第二CVD工程において、バックボーン前駆体とポロゲン前駆体の導入時間が1〜30秒であることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記第二CVD工程において、バックボーン前駆体とポロゲン前駆体の導入時間が1〜10秒であることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 更に、請求項1におけるステップ(b)とステップ(c)を複数回繰り返し、複数の多孔性低誘電率材料薄膜からなる構造を形成するステップを含み、該構造は、基板に複数の界面誘電層と超低誘電率材料層を互い違いに設けることによって構成されることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記第二CVD工程において、バックボーン前駆体またはポロゲン前駆体の運搬ガスとして希ガスが使われることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記運搬ガスの流量が100〜20000sccmであることを特徴とする請求項10記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記運搬ガスの流量が3000〜10000sccmであることを特徴とする請求項10記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記界面誘電層および前記第二CVD工程での薄膜製作温度が150〜450℃であることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記界面誘電層を形成する前、堆積チャンバーの圧力が約1.0〜15トルであることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記第二CVD工程において、堆積チャンバーの圧力が約1.0〜20トルであることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記第一CVD工程と第二CVD工程において、堆積チャンバーが高周波RFと低周波RFを継続的に提供することを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記高周波RFのパワーが50〜6000ワットであることを特徴とする請求項16記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記高周波RFのパワーが600〜1500ワットであることを特徴とする請求項16記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記低周波RFのパワーが0〜2500ワットであることを特徴とする請求項16記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記低周波RFのパワーが0〜800ワットであることを特徴とする請求項16記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記低周波RFの周波数が350〜450ヘルツであることを特徴とする請求項16記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記バックボーン層のポロゲンを除去するステップにおいて、熱ベーキング、e−ビーム照射または紫外線照射工程が行われることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記超低誘電率材料層の誘電率が1.0〜2.7であることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 前記第一CVD工程と第二CVD工程がいずれもPECVD(プラズマ促進化学的気相堆積)法によるものであることを特徴とする請求項1記載の多孔性低誘電率材料薄膜を製作する方法。
- 多孔性低誘電率材料薄膜であって、
界面誘電層と、
界面誘電層の上に設けられ、複数の孔隙を有する超低誘電率材料層からなり、そのうち超低誘電率材料層が界面誘電層より高い孔隙密度を有することを特徴とする多孔性低誘電率材料薄膜。 - 前記超低誘電率材料層が界面誘電層より厚いことを特徴とする請求項25記載の多孔性低誘電率材料薄膜。
- 前記界面誘電層と超低誘電率材料層の材料がCDO材料を含むことを特徴とする請求項25記載の多孔性低誘電率材料薄膜。
- 前記多孔性低誘電率材料薄膜は、互い違いに設けられた複数の界面誘電層と超低誘電率材料層からなることを特徴とする請求項25記載の多孔性低誘電率材料薄膜。
- 前記超低誘電率材料層の誘電率が1.0〜2.7であることを特徴とする請求項25記載の多孔性低誘電率材料薄膜。
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