JP2007523350A - 装置のプロービング - Google Patents

装置のプロービング Download PDF

Info

Publication number
JP2007523350A
JP2007523350A JP2006554211A JP2006554211A JP2007523350A JP 2007523350 A JP2007523350 A JP 2007523350A JP 2006554211 A JP2006554211 A JP 2006554211A JP 2006554211 A JP2006554211 A JP 2006554211A JP 2007523350 A JP2007523350 A JP 2007523350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic device
probe
terminal
terminals
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006554211A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007523350A5 (ja
Inventor
ティモシー イー. クーパー,
ベンジャミン エヌ. エルドリッジ,
イゴア ケー. カンドロス,
ロッド マーテンズ,
ガエタン エル. マシュウ,
Original Assignee
フォームファクター, インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by フォームファクター, インコーポレイテッド filed Critical フォームファクター, インコーポレイテッド
Publication of JP2007523350A publication Critical patent/JP2007523350A/ja
Publication of JP2007523350A5 publication Critical patent/JP2007523350A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

電子装置は第1の位置へと移動され、電子装置の端子が、端子と電気接触するために、プローブに隣接される。その電子装置は、次いで、水平に、または斜め方向に移動され、その端子はプローブに接触する。試験データは、次いで、プローブを介して、電子装置へ、および電子装置から、通信される。また、本発明は、例えば、表面および複数の端子を備える電子装置をプロービングする方法であって、該電子装置および複数のプローブを配置する工程であって、該プローブが該複数の端子のうちのいくつかの端子に隣接するようにする、工程と;該複数の端子のうちの該いくつかの端子を該プローブに接触させるために、該電子装置および該プローブの相対的な動きを生じさせる工程と;を包含し、該相対的な動きが、該電子装置の該表面に対して並行な成分を含む、方法を提供する。

Description

本発明は一般に、装置をプロービングすることに関する。本発明は一般に、任意の装置をプロービングすることに適用可能であるが、本発明は、集積回路を試験するために、その集積回路をプロービングすることに特に適している。
周知のように、集積回路は通常、半導体ウエハ上の複数のダイとして製造される。図1は、そのような半導体ウエハ124を試験するための通常の試験システム100を示す。図1に示される例示的な試験システムは、試験器102、テストヘッド118、プローブカード106、およびプローバ120を含む。
半導体ウエハ124は、チャック(通常は、ステージとも呼ばれる)114上に置かれ、チャック114は通常、「x」、「y」、および「z」の方向の動きが可能である。チャック114はまた、回転(例えば、「θ」方向)および傾斜が可能であり得、さらに他の動きをも可能であり得る。いったん半導体ウエハ124がチャック114上に置かれると、そのチャックは通常、「x」、「y」および/または「θ」方向に動かされ、ウエハ124のダイ(図示されず)上の端子がプローブカード106上のプローブ108と合わせる。チャック114は、次いで、通常、上方の「z」方向へウエハ124を移動させ、その端子を、プローブ108に接触させる。一つ以上のカメラ122が、端子およびプローブの位置合わせを助け得、プローブ108と端子との間の接触を決定することを助け得る。
いったんダイ(図示されず)の端子がプローブ108と接触すると、試験器102(コンピュータであっても良い)は試験データを生成する。その試験データは、テストヘッド118への一つ以上の通信リンク104を介して通信される。試験データは、相互接続116(例えばポゴピン)を介して、テストヘッド118から、プローブ106へ、および最終的には、プローブ108を介して、ダイ(図示されず)の端子へと通信される。ダイによって生成された応答データは、プローブ108から、プローブカード106を介し、相互接続116を介し、プローブヘッド118を介し、通信リンク104を介し、試験器102へと、逆方向にて通信される。
図2A〜図2Cは、プローブカード106と接触するウエハ124の動きを示す。上述され、図2Aにて示されたように、ウエハ124の一つ以上のダイ202aの端子220は、プローブカード106のプローブ108と合わせる。チャック114は、次いで、ウエハを上方に移動させ、図2Bにおいて示されるように、ダイ202aの端子220はプローブ108と接触する。図2Cに示されるように、チャック114は通常、端子220と最初に接触した所より上へとウエハ124を移動させる。(最初の接触より上への移動は、しばしば、「オーバートラベル(over travel)」と呼ばれる)。これは、通常、プローブ108を加圧する。端子220に対してのプローブ108によって引き出されるバネ力は、プローブと端子との間の、適度に低い抵抗での電気接続を作製するのを助ける。付け加えて、プローブが加圧されると、プローブ108はしばしば、端子220の表面を拭う(wipe)。その拭う動きによって、プローブ108の先端部は、端子220上の任意の酸化物または他の付着物(build up)を払拭する傾向があり、再び、プローブと端子との間の、適度に低い抵抗での電気接続を作製するのを助ける。
予想され得るように、プローブ108の加圧および払拭の動作は、プローブにおける力および応力を引き起こし、それらは、プローブ108を破損させ得、ダメージを与え得、または、プローブ108の有用な寿命を減らし得る。付け加えて、端子220に対してのプローブ108によって引き出される力は、端子220および/またはウエハ124にダメージを与え得る。低い「k」誘電性を有する材料を含むウエハ124は、特にそのようなダメージに影響を受け易くあり得る。一般的に言えば、プローブ108と端子220との間の摩擦が大きいほど、そのような力および応力もまた大きくなる傾向にある。すなわち、摩擦力にとって、端子220に亘るプローブ108の先端部の払拭を早々に止めることが可能である。これは例えば、プローブ108の先端部が端子220へと深く押し付けられる場合、または、プローブの先端部が端子の表面上にて、不規則な動作を被る場合、起こり得る。プローブ108の先端部が早々にその払拭動作を止める場合、プローブ上に形成される力および応力は、特に大きくなり得る(それゆえ、プローブ、端子、および/またはウエハに特にダメージを被らせる傾向にある)。プローブ108は端子204の任意のタイプに押し付けられ得るけれども、プローブ108は、柔らかい材料からなる端子(例えば、はんだ屑またはアルミニウムの端子)、または粗い表面を有する端子(例えば、銅の端子)に押し付ける場合に特に影響を受け易い。
他のものの中でも特に、本発明の実施形態は、プローブにおける応力を低減し得、プローブに対して引き出される力を低減し得る。本発明の一つの限定されない利点は、プローブと端子とが払拭動作によって接触される場合、それらの間の相対的な動作の垂直の成分を低減または取り替えることにあり、プローブ上における力および応力を低減する。
本発明は一般に、装置をプロービングすることに関し、より詳細には、電子装置(例えば半導体デバイス)を試験するために、その装置をプロービングするように適用可能である。一実施形態において、電子装置は第1の位置へと移動され、電子装置の端子が、端子と電気接触するために、プローブに隣接される。その電子装置は、次いで、水平に、または斜め方向に移動され、その端子はプローブに接触する。
本発明は装置をプロービングすることに関する。本明細書は本発明の例示的な実施形態および応用を記載する。しかしながら、本発明は、これらの例示的な実施形態および応用に限定されるものではなく、あるいは、例示的な実施形態および応用が動作し、または本明細書にて記載される方法に限定されるものでもない。
図3は例示的な半導体試験システム400を示す。試験システム400は模範的なものであるだけで、任意のタイプのプローブが別の装置と接触する他のシステムもまた使用され得る。そのようなシステムの排他的ではない例は、パッケージされた、またはパッケージされていない半導体デバイスを試験するためのソケットを含み、あるいは、半導体デバイス(パッケージされた、またはパッケージされていない、単一(singulated)または非単一(unsingulated)、ダイスされた、またはウエハ形式におけるデバイス)がプローブされる任意のタイプの試験システムを含む。別の例として、プローブがいくつかの種類の表面と接触する任意のシステムもまた使用され得る。もちろん、半導体ウエハ試験システムが使用される場合であっても、図3において示される例示的な試験システム400とは異なる半導体試験システムが使用され得る。試験され得る電子装置の非限定的な例は、半導体ウエハ、半導体デバイス、半導体デバイスのパッケージ、複数の半導体デバイスのパッケージ、半導体ウエハから単一にされた単数および複数の半導体のダイ、プリント回路基板、および、スペーストランスフォーマ(space transformer)などの、配線されたセラミック基板を含む。別の例は、プリント配線層、半導体デバイス、および、その配線層と半導体デバイスとの間の接続を含む、電子システムである。
図3に示される例示的な半導体試験システム400は、一般に、図1において示される試験システム100と類似する。すなわち、例示的な試験システム400は、試験器402、一つ以上の通信リンク404、プローバ420、テストヘッド418、プローブカード406、および、プローブカードとテストヘッドとの間の相互接続416を含み、それらの全てが、概して、図1に関連して記載されたような同様の要素と類似し得る。プローバ420は、一つ以上のカメラ422などの様々な要素を含み得、図1に示されるカメラ122と通常、類似し得る。
プローブカード406は、米国特許第5,974,662号、または第6,509,751号において記載されたようなプローブカード406アセンブリ(それらに限定されない)を含む、任意のタイプのプローブカードであり得、それらの明細書はその全体において、本明細書において参考として援用される。プローブ408は、針状プローブ、バックリングビーム(buckling beam)プローブ(例えば、「COBRA」プローブ)、バンプ、ポスト、およびスプリングプローブ(それらに限定されない)を含む、任意のタイプのプローブであり得る。スプリングプローブの非限定的な例は、米国特許第5,917,707号、第6,255,126号、第6,475,822号、および第6,491,968号、ならびに、米国特許出願公開第2001/0044225号A1および米国特許出願公開第2001/0012739号A1において記載されたスプリング接触を含む。前述の特許および特許出願は、その全体において参考として本明細書において援用される。
図3に示されるように、試験システム400はまた、チャック414の動きを制御するための制御器430を含む。利便性のため(限定するためではない)、図3における方向は、「x」、「y」、「z」、および「θ」の座標系を用いて識別され、「z」方向は、図3に関連する、垂直方向(上または下)であり、「x」方向は、ページの奥行き方向にて水平であり、「y」方向もまた水平ではあるが、図3においては、右または左方向である。「θ」は回転である。
制御器430は、チャック414の動きを制御する任意の適切な制御器であり得る。図3において示される制御器430は、マイクロプロセッサベースの制御器である。示されるように、制御器430は、デジタルメモリ432、マイクロプロセッサ434、入力/出力電子機器436、および入力/出力ポート438を含む。デジタルメモリ432は電子メモリ、光学式メモリ、磁気メモリ、または前述の一部の組み合わせを含む、任意のタイプのメモリであり得る。ちょうど二つの例のように、デジタルメモリ432は、読み出し専用メモリであり得、または、デジタルメモリ432は、磁気または光学式ディスクおよびランダムアクセスメモリの組み合わせであり得る。マイクロプロセッサ434は、デジタルメモリ432に格納された命令(例えば、ソフトウェアまたはマイクロコード)を実行し、ならびに、入力/出力電子機器436は、制御器430への、および制御器430からの電気信号の入力および出力を制御する。入力データは受信され、出力データはポート438を介して出力される。チャック414の動きを制御するための制御信号は、ポート438を介して出力されたデータの一つである。そのようなソフトウェアまたはマイクロコードは、本明細書にて記載されるチャックの動きを制御するように構成され得る。
制御器430は、図3に示されるように、スタンドアローンの実体であり得る。あるいは、制御器430は、プローバ420内に含まれ得る。すなわち、通常のプローバは、チャック414を動かすためのマイクロプロセッサベースの制御システムを含み、制御器430は、ソフトウェアまたはマイクロコードを用いて構成されるそのような現行の制御システムを含み得、本明細書にて記載されるチャックの動きを実行する。もちろん、制御器430はシステム400の他の要素において配置され得、または、システム400の一つ以上の要素の中に配置され得る。
しかしながら、制御器430は、マイクロプロセッサベースである必要はない。すなわち、チャック414の動きを制御する任意のシステムが使用されても良い。実際、制御器430は、オペレータが手動にてチャック414を動かす手動のメカニズムを含み得る。
図4および図5A〜図5Cは、図3に示される試験システム400を利用する半導体ウエハ424を試験するための例示的なプロセスを示す。図4および図5Aにおいて示されるように、試験されるウエハ424は、チャック414上に配置される(ステップ502)。図4および図5Bに示されるように、チャック414は、次いで、ウエハ424を移動させ、ウエハ424上の端子620が、プローブ408の先端部636と、側面方向において隣接した位置へと動かされる(ステップ504)。一つの例として、および、図5Bに示されるように、端子636は、プローブ408の先端部636がウエハ424に接触せず、端子620の上表面の下に配置されるように、置かれ得る。もちろん、ウエハ424は、代替的には、静止したままであり得、プローブ408が動かされ得、あるいは、ウエハ424およびプローブ408の両方が動かされ得る。図3に示されるシステムにおいて、制御器430において実行されるソフトウェアは、I/Oポート438を介してコマンドを生成し得、チャック414の動きを制御する。
カメラ422が使用され得、ウエハ424に対するプローブ408の先端部636の位置を決定する。必要に応じて、位置決め形体634は、プローブ408のパドル632上に含まれ得、先端部636の位置および配置を決定することを助ける。例示的な位置決め形体の使用は、米国特許出願公開第2003/0013340A1号において検討されており、その全体において参考として本明細書において援用される。図4および図5Cに示されるように、プローブ408の先端部636は、次いで、水平に動かされ、端子620と接触する(ステップ506)。端子620は、プローブ408に対して押され得、その結果、図5Cにおいて示されるように、そのプローブは変形する。あるいは、その動きによって、プローブ408の先端部は端子620の表面に飛び乗り得る。
注意すべきは、ステップ506の水平の動きが、一部の他のタイプの動きによってその後に続けられ得ることである。例えば、垂直または垂直の上下の動きがインプリメントされ得、比較的強い力の接続がプローブとウエハとの間に確立されることを保証する。他のまたは追加的な動きもまた可能であり、さらなる水平の動きも含む。
図4および図5A〜図5Cをさらに参照すると、端子620と接触しているプローブ408を用いて、試験信号がプローブカード408を介して端子へ提供され、端子が取り付けられている単数または複数のダイによって生成される応答データが、所定のプローブ408によって感知される(ステップ508)。例えば、そのような試験信号は、試験器402によって生成され得る。いったんその試験が完了すると、プローブ408および端子620は互いに接触を解除される(ステップ510)。再び、図3に示されるようなシステムにおいて、チャック414はウエハ424を移動させ、その一方で、プローブカード406は静止したままである。プローブ408および端子620を、互いに接触している状態から取り除くために使用される動きの経路または方向は決定的ではなく、任意の経路または方向が使用され得る。適切な経路の非限定的な例は、ウエハ424をプローブ408と接触させるために使用される動きの逆を含み、単に、プローブから離れる「z」方向へウエハを動かし、装置のそのタイプと一貫する動きは試験され、その装置の使用が継続される。制御器430は、これらまたは他の方法を使用して、プローブ508から離れる方向にウエハ524を動かすように構成され得、制御器430は、ソフトウェアを実行し、チャック414の動きを制御する制御信号を生成することによって、そのようになし得る。ステップ502〜ステップ510は、次いで、ウエハ424上のダイの全てまたは少なくとも一部が試験されるまで繰り返され得る。
端子620は、任意のタイプの端子であり得、限定することなく、図5A〜図5Cに示される平らな端子、および、図6A〜図6Cに示される、球体型の端子(例えばはんだ屑)などの他の形の端子を含む。図6A〜図6Cは、図4に示されるプロセスの例示的な応用を示し、ウエハ424上の端子720は球体型である。あるいは、図6A〜図6Cに示されるプロセスは、概して、図5A〜図5Cに示されるプロセスと、類似し得る。
図7は、図4に示されるプロセスの例示的な変形を示す。図7に示されるように、ウエハ424がチャックの上に置かれた後、そのチャック414は、位置1290にウエハ424を置くように動かされ、ウエハ424上の端子620は、初期に位置1290に置かれ、斜め方向に、プローブ408と隣接する。また、図7に示されるように、チャック414は斜め方向にウエハ424を動かし、プローブ408の先端部636と接触する。もちろん、端子620は任意のタイプの端子であり得、限定することなく、図6A〜図6Cに示される端子720などのような球体型の端子を含む。
図8Aおよび図8Bは、図4に示される例示的なプロセスの別の変形を示す。また、図8Aに示されるように、ウエハ424の端子1020は、初期には、プローブ408の下に置かれる。また、図8Aに示されるように、プローブ先端部638の傾斜した表面または端部638は、端子1020のコーナー端部1022と合わせられる。次いで、図8Bに示されるように、チャック414は上方にウエハ424を動かし、プローブ先端部636と接触する。端子1020のコーナー端部1022がプローブ先端部636の傾斜した表面または端部638と接触し、次いで、それにそってスライドされると、プローブ408は、図8Bに示されるように、歪められ、プローブ先端部636と端子1020との間において圧力接触を作製する。必要に応じて、先端部636がパドル632から離れて延びている距離は、ウエハ424の表面からの端子1020の高さよりも短くされ得る。この方法において、パドル632は、停止部材としての機能を果たし得、端部636をウエハ424の表面と接触しないようにする。
図9Aおよび図9Bは図8Aおよび図8Bに示される例示的なプロセスの変形を示す。示されるように、図9Aおよび図9Bにおけるウエハ424は、丸みを帯びた端子1120を有する。図9Aに示されるように、ウエハ424の端子1120は、プローブ408の下に置かれる。好適には、プローブ408の先端部636は端子1120の中央から外れて配置される。次いで、チャック414は、図9Bに示されるように、上方にウエハ424を動かし、プローブ先端部636と接触する。プローブ先端部636が端子1120と接触した後、プローブ先端部は、端子の周辺に沿ってスライドされ、端子は、図9Bに示されるように、プローブ408を歪まさせ得、プローブ先端部636と端子1120との間の圧力接触を作製する。
図10Aおよび図10Bは、プローブ408のパドル832上に配置された二つの接触先端部836aおよび836bを有するプローブ408の使用を示し、それは、特に、丸みを帯びた端子820に有利であり得る。(図10Aは、プローブ408の底部および端子820の一部を露出させる一部を切り取った部分を有する、ウエハ824の部分的底面図を示す)。二つ(またはそれ以上)の端部836aおよび836bは、丸みを帯びた端子820を「掴む」ことにおいて特に有用であり得る。
それぞれのプローブのそれぞれの端部は複数の接触形体を有し得、そのような接触形体は、代替的には、端子と接触するために使用され得る。例えば、図11Aおよび図11Bにおけるプローブ908は、角錐台型の端部936を有し、それは、4つの面である940a〜940d(図11Aを参照)、および4つの端部942a〜942d(図11Bを参照)を有する。(図11Aおよび図11Bにおいて、ウエハ924の一部は切り取られており、そのため、プローブ先端部936および端子920の一部を見ることができる)。図11Aに示されるように、表面940a〜表面940dの任意の一つは、端子920と接触し得る。図11Aに示される例において、それぞれの表面940a〜940dは接触形体である。表面940a〜940dは必要に応じて、丸みを帯び得る。あるいは(または付け加えて)、図11Bに示されるように、端部942a〜端部942dの任意の一つは、端子920と接触し得る。従って、図11Bにおいて、端部942a〜端部942dは接触形体である。もちろん、表面940a〜表面940dおよび端部942a〜端部942dは接触し得、それぞれのプローブ908は、従って、図11Aおよび図11Bに示される例において、8つの接触形体を有し得る。別の形態の端部も用いられ得る。それには、丸みを帯びた形状も含まれるが、それに限定されない。
図11Cは、クリーニング(cleaning)プローブの時間が、図11Aおよび図11Bにおける先端部936などの、複数の接触形体を有する先端部を使用することによって延ばされ得るプロセスを示す。(周知のように、端子がプローブへと移動され、およびプローブとの接触を解除されると、くず(debris)は、プローブの先端部上に蓄積し得る)。図11Cに示されるように、プローブの複数の接触形体のうちの一つがステップ992にて選択される。例えば、図9Bにおける先端部936の端部942aが選択され得る。次いで、ウエハの試験はステップ994へと進む。その試験は、一連の端子を、繰り返し、プローブ端部936へ移動され、およびプローブ端部936との接触を解除されることを含む。ウエハ端子がプローブへ接触するたびに、ステップ992において選択される接触形体は端子と接触する。例えば、先端部936の端部942aがステップ992において選択された場合、先端部936の端部942aは、ステップ994の間、端子と接触する。端子が、前もって決定された回数にて、プローブと接触および接触解除された後、プローブの接触形体の全てが使用されたかどうかが、ステップ996において決定される。前もって決定された回数とは、任意の回数であり得、例えば、その前もって決定された回数は、このプローブがクリーニングをする間になされる接触の回数であっても良い。あるいは、端子とプローブとの間の前もって決定された接触の回数、ステップ994を実行するよりも、ステップ994は、プローブと端子との間の接触抵抗が前もって決定された閾値を超えるまで実行されても良い。ステップ996において、その決定がnoである場合、そのプロセスはステップ992に戻り、複数の接触形体のうちの異なる一つが選択される。例えば、端部942aがステップ992において、初期に選択された場合、次いで、端部942bが選択され得る。その後、ステップ994が繰り返されるが、今度は、新しく選択された接触形体(例えば、端部942b)が、ステップ994において、ウエハの端子と接触する。上で検討された端子と接触する前もって決定された回数の後、ステップ996が繰り返される。プローブの全ての接触形体がここで、ステップ996にて決定されたように使用される場合、そのプローブ先端部はステップ998にてクリーンにされる。例えば、先端部936の4つ全ての端部942a〜942dが選択され、ステップ996にて決定されたように、端子と接触するために使用される場合、先端部936はステップ992においてクリーンにされる。その後、全体のプロセスは、新しいウエハが試験されると、繰り返される。
図12は例示的な試験システム1200を示し、プローブカード406は、「x」、「y」、「z」、および「θ」方向の動きが可能である。もちろん、動きは、それらの方向の一つのみにおいて許され得、または、それらの方向の二つの組み合わせにおいてのみ許され得る。(上記の図3と同じく、図12における方向は、「x」、「y」、「z」、および「θ」の座標システムを使用して識別され、「z」方向は、図12に関連する、垂直方向(上または下)であり、「x」方向は、ページの奥行き方向にて水平であり、「y」方向もまた水平ではあるが、図12においては、右または左方向である。「θ」方向は回転である。しかしながら、これらの方向は便宜のためであり、限定するものではない)。
図12に示される例示的な試験システム1200は、概して、図3に示される試験システム400と、類似し得る。図12に示される例示的な試験システム1200は、しかしながら、プローブカード406がローラ1208を用いて取り付けられている第1のトラック1204を含み、プローブカード406が、図12に示される「y」方向に動くことを可能にする。トラック1202およびローラ1206によって、プローブカード406は「x」方向に動くことを可能にし、テレスコープおよび回転アクチュエータ1210によって、プローブカード406は「z」方向および「θ」方向に動くことを可能にする。モータ(図示されず)または他のアクチュエータ(図示されず)は、プローブカードのそのような動きに影響を与える。制御器1230は、図4に示される制御器430と概ね、類似し得るが、チャック414およびプローブカード406の両方を動かす制御信号を生成するように修正されている。(チャック414は、図1のチャック114と類似し得る)。もちろん、チャック414は静止したままであり得、プローブカード406のみが動かされる。プローブカード406の動きを含むように修正され、本明細書にて記載される例示的ななプロセスは、別の方法において、図12に示されるものと類似するシステムにおいてインプリメントされ得る。
図13A〜図13Cは、プローブ1308上の二つの接触形体1334および1338が、ウエハ424の端子422と連続的な接触をするように構成されている、例示的なプロセスを示す。すなわち、プローブ1308は第1の接触形体1338と第2の接触形体1334を含む。これらの接触形体1334および1338は、プローブ1308上に構成および位置を決められ、チャック414によるウエハ424の特定の動きによって、第1の接触形体1338を端子422と接触させ、次いで、第2の接触形体1334を端子422と接触させる。
図13A〜図13Cに示される例において、第1の接触形体1338は、幾分長くなっており、第2の接触形体1334は尖っている。図13Aに示されるように、チャック414は、初期にプローブ1308をウエハ424の端子422に近接して、配置する。図13Bに示されるように、チャック414は、次いで、ウエハ424を動かし、その結果、それぞれのプローブ1308の第1の接触形体1338が端子422と接触する。図13Cに示されるように、チャック414は継続して、ウエハ424を動かし、それによって、プローブ1308(柔軟および/または弾力的であり得る)は曲がり、第2の接触形体1334は端子422と接触する。図13Cに示される例において、第2の接触部1334は尖っており、端子422に突き刺さり、従って、その端子の表面上における任意の酸化物または他の汚染物質を貫通する。
接触形体1334および1338の特定の構成、ならびに図13A〜図13Cに示されるウエハ424の動きは、例示のためのみである。接触形体の任意の数、型、および配置がプローブ上にて使用され得、任意の動きのパターンがインプリメントされ得、プローブ上において、接触形体の、端子との望ましい一連の接触をさせる。
あきらかなことは、端子がプローブ先端部と接触する本明細書にて記載された例示的なプロセスの全てにおいて、接触が確立された後、端子のさらなる動きが可能であることである。例えば、さらなる上下の動き、および/または、端子がプローブと接触した後に、プローブ先端部に対する端子のさらなる水平方向の往復の動きが、プローブと端子との間の接触電気抵抗を低減し得る。必要に応じて、プローブと端子との間の接触抵抗は監視され得、チャックの動きは自動的に制御され得、その結果、接触抵抗は、前もって決めれらた閾値よりも常に低い。
本明細書にて記載された任意のプロセスは、図3または図12に示された例示的な試験システムなどの、試験システムにおいてインプリメントされ得る。ここで述べられたように、本明細書に記載されたプロセスは、プローブが対象物と接触する他のシステムにおいてもインプリメントされ得る。さらに、任意のそのようなシステムにおいて、プローブおよび/または対象物の動きは、メモリに格納されたソフトウェアにおいてインプリメントされ得、プロセッサ上にて実行され得る(例えば、図3に示されたように)。あるいは、そのような動きの制御は、電子回路、またはソフトウェアおよび電子回路の組み合わせを用いてインプリメントされ得る。
本発明の原理が図示され、特定の例示的な実施形態に関連して説明されたが、様々な修正が、ここで開示された実施形態になされ得る。例えば、前述の記載は、「垂直」および「水平」の動きの成分として、その要素の動きの成分を呼ぶ。「垂直」および「水平」という用語は相対的であり、他の方向成分がその代わりに使用され得る。別の例として、水平の動きは直線の動きとは異なる動きを含み得る。例えば、水平の動きは、水平(すなわち、「x,y」)面における回転を含み得る。さらに別の例として、本明細書にて記載された例示的な実施形態は半導体デバイスをプロービングするが、本発明はそのようには限定されない。むしろ、本発明は、プローブが対象物と接触する任意のシステムにおいて使用され得る。多くの他の修正が可能である。
例示的な従来技術の半導体試験システムを示す。 図2A〜図2Cは、図1にて示された例示的な試験システムの一部の動作を示す。 例示的な試験システムを示す。 半導体デバイスをプロービングするための例示的なプロセスを示す。 図5A〜図5Cは、図4のプロセスの例示的な応用を示す。 図6A〜図6Cは、図4のプロセスの別の例示的な応用を示す。 図4のプロセスの修正された例示的な応用を示す。 図8A〜図8Bは、半導体デバイスをプロービングするための別の例示的なプロセスを示す。 図9A〜図9Bは、半導体デバイスをプロービングするためのさらなる別の例示的なプロセスを示す。 図10Aおよび図10Bは、複数の先端部を有する例示的なプローブを示す。 図11A〜図11Cは、複数の端子に対するプローブの、例示的な配置および動きを示す。 別の例示的な試験システムを示す。 図13A〜図13Cは、半導体デバイスをプロービングするためのさらに別の例示的なプロセスを示す。

Claims (20)

  1. 表面および複数の端子を備える電子装置をプロービングする方法であって、該方法は、
    該電子装置および複数のプローブを配置する工程であって、該プローブが該複数の端子のうちのいくつかの端子に隣接するようにする、工程と、
    該複数の端子のうちの該いくつかの端子を該プローブに接触させるために、該電子装置および該プローブの相対的な動きを生じさせる工程と
    を包含し、
    該相対的な動きが、該電子装置の該表面に対して並行な成分を含む、方法。
  2. 前記複数の端子のうちの前記いくつかの端子が、前記電子装置の前記表面から距離「d」だけ、延びており、前記電子装置および複数のプローブを配置する工程が、該電子装置の該表面から、該距離「d」よりも短い間隔で、先端部の接触部分を配置する工程を包含する、請求項1に記載の方法。
  3. 前記端子が、前記電子装置の表面の上に隆起された要素を備える、請求項1に記載の方法。
  4. 前記端子が平面のパッドを備える、請求項1に記載の方法。
  5. 前記端子が部分的な球体を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記プローブのそれぞれが複数の先端部を備える、請求項1に記載の方法。
  7. 前記相対的な動きが、前記電子装置の前記表面に対して垂直である成分をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記プローブが前記複数の端子のうちの前記いくつかの端子と接触する間において、前記電子装置を試験する工程をさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  9. 前記電子装置が半導体デバイスを含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記電子装置が半導体ウエハを含む、請求項1に記載の方法。
  11. 前記電子装置が半導体デバイスのパッケージを含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記電子装置が複数の半導体デバイスのパッケージを含む、請求項1に記載の方法。
  13. 前記半導体デバイスが半導体ダイを含む、請求項1に記載の方法。
  14. 前記電子装置が複数の半導体ダイを含む、請求項1に記載の方法。
  15. 前記電子装置がプリント回路基板を含む、請求項1に記載の方法。
  16. 前記電子装置がセラミック・スペーストランスフォーマを含む、請求項1に記載の方法。
  17. 前記電子装置が、
    配線基板と、
    該配線基板に電気的に接続される複数の半導体デバイスと
    を備える、請求項1に記載の方法。
  18. 制御器に、プロービング機械を制御する方法を実行させるための機械実行可能な命令を含む媒体であって、該プロービング機械はチャックを備え、該方法は、
    該電子デバイスおよび複数のプローブを配置するために第1の信号を生成し、該プローブが、該チャック上に配置される電子装置のいくつかの端子に隣接するようにする、工程と、
    該いくつかの端子を該プローブに接触させるために、該電子装置および該プローブの相対的な動きを生じさせる第2の信号を生成する工程と
    を包含し、
    該相対的な動きが、該電子装置の表面に対して並行な成分を含む、媒体。
  19. 前記端子が、前記電子装置の表面から距離「d」だけ、延びており、前記第1の信号を生成する工程が、該電子装置の該表面から、該距離「d」よりも短い間隔で、先端部の接触部分を配置する工程を包含する、請求項18に記載の媒体。
  20. 前記プローブのそれぞれが複数の先端部を含む、請求項18に記載の媒体。
JP2006554211A 2004-02-18 2005-02-15 装置のプロービング Pending JP2007523350A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/781,369 US7218127B2 (en) 2004-02-18 2004-02-18 Method and apparatus for probing an electronic device in which movement of probes and/or the electronic device includes a lateral component
PCT/US2005/005087 WO2005081001A1 (en) 2004-02-18 2005-02-15 Probing a device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007523350A true JP2007523350A (ja) 2007-08-16
JP2007523350A5 JP2007523350A5 (ja) 2008-04-03

Family

ID=34838722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006554211A Pending JP2007523350A (ja) 2004-02-18 2005-02-15 装置のプロービング

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7218127B2 (ja)
EP (1) EP1716422A4 (ja)
JP (1) JP2007523350A (ja)
KR (1) KR20070007101A (ja)
CN (1) CN1950709B (ja)
TW (1) TWI392873B (ja)
WO (1) WO2005081001A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8395401B2 (en) 2009-03-31 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Method for setting contact parameter and recording medium having program for setting contact parameter recorded thereon
TWI637177B (zh) * 2016-12-23 2018-10-01 台灣福雷電子股份有限公司 用於測試半導體元件之系統及方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6525555B1 (en) * 1993-11-16 2003-02-25 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US7202682B2 (en) * 2002-12-20 2007-04-10 Formfactor, Inc. Composite motion probing
US7342402B2 (en) * 2003-04-10 2008-03-11 Formfactor, Inc. Method of probing a device using captured image of probe structure in which probe tips comprise alignment features
US7218127B2 (en) * 2004-02-18 2007-05-15 Formfactor, Inc. Method and apparatus for probing an electronic device in which movement of probes and/or the electronic device includes a lateral component
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US7759949B2 (en) * 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
US8988091B2 (en) * 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7271606B1 (en) * 2005-08-04 2007-09-18 National Semiconductor Corporation Spring-based probe pin that allows kelvin testing
US7378734B2 (en) * 2006-05-30 2008-05-27 Touchdown Technologies, Inc. Stacked contact bump
US20070075717A1 (en) * 2005-09-14 2007-04-05 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
US20070057685A1 (en) * 2005-09-14 2007-03-15 Touchdown Technologies, Inc. Lateral interposer contact design and probe card assembly
US7649367B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
JP2007183193A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
US20070205269A1 (en) * 2006-03-02 2007-09-06 Lindon Mark L Method and system for the resale of prepaid cards and paper gift certificates
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US8436636B2 (en) * 2006-10-10 2013-05-07 Apple Inc. Methods and apparatuses for testing circuit boards
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US8362793B2 (en) * 2006-11-07 2013-01-29 Apple Inc. Circuit boards including removable test point portions and configurable testing platforms
US7514948B2 (en) * 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8230593B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
DE202008013982U1 (de) * 2008-10-20 2009-01-08 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Messsystem zum Bestimmen von Streuparametern
US8073019B2 (en) * 2009-03-02 2011-12-06 Jian Liu 810 nm ultra-short pulsed fiber laser
US9329204B2 (en) 2009-04-21 2016-05-03 Johnstech International Corporation Electrically conductive Kelvin contacts for microcircuit tester
JP5695637B2 (ja) 2009-04-21 2015-04-08 ジョンステック インターナショナル コーポレーションJohnstech International Corporation 超小型回路試験器の導電ケルビン接点
US9229029B2 (en) 2011-11-29 2016-01-05 Formfactor, Inc. Hybrid electrical contactor
US20130271172A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Texas Instruments Incorporated Probe apparatus and method
KR101410991B1 (ko) * 2012-11-20 2014-06-23 리노정밀(주) 지그 장치
JP6155725B2 (ja) * 2013-03-19 2017-07-05 富士電機株式会社 半導体装置の検査方法及びその方法を用いた半導体装置の製造方法
US10302677B2 (en) * 2015-04-29 2019-05-28 Kla-Tencor Corporation Multiple pin probes with support for performing parallel measurements
CN106935524B (zh) * 2015-12-24 2020-04-21 台湾积体电路制造股份有限公司 探针卡和晶圆测试系统及晶圆测试方法
JP6877025B2 (ja) * 2016-03-23 2021-05-26 ヤマハファインテック株式会社 回路基板の検査方法、検査装置、及びプログラム
KR20190021101A (ko) 2017-08-22 2019-03-05 삼성전자주식회사 프로브 카드, 프로브 카드를 포함한 테스트 장치, 그 프로브 카드를 이용한 테스트 방법 및 반도체 소자 제조방법
CN107942222A (zh) * 2017-11-21 2018-04-20 德淮半导体有限公司 测试机台及测试方法
TWI794990B (zh) * 2021-09-23 2023-03-01 牧德科技股份有限公司 電測治具扎針位置估算方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153761A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Shikahama Seisakusho:Kk プローブヘッドおよびプローブヘッドの支持機構

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2487098A1 (fr) 1980-07-18 1982-01-22 Vandeputte Fils & Cie Dispositif de visualisation de donnees
US4506215A (en) * 1981-06-30 1985-03-19 International Business Machines Corporation Modular test probe
US4780836A (en) * 1985-08-14 1988-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of testing semiconductor devices using a probe card
US5012186A (en) 1990-06-08 1991-04-30 Cascade Microtech, Inc. Electrical probe with contact force protection
JP3208734B2 (ja) * 1990-08-20 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5207585A (en) * 1990-10-31 1993-05-04 International Business Machines Corporation Thin interface pellicle for dense arrays of electrical interconnects
US5974662A (en) * 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
US5773987A (en) * 1996-02-26 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process
US6140828A (en) * 1997-05-08 2000-10-31 Tokyo Electron Limited Prober and probe method
JP3423979B2 (ja) * 1997-07-11 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
DE19733861A1 (de) 1997-08-05 1999-02-25 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Kontaktierung einer Meß-Sonde
JPH1174322A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Mitsubishi Electric Corp ウエハプローバー
JP3586106B2 (ja) * 1998-07-07 2004-11-10 株式会社アドバンテスト Ic試験装置用プローブカード
JP3484365B2 (ja) 1999-01-19 2004-01-06 シャープ株式会社 半導体装置用パッケージ、この半導体装置用パッケージのテスト時に使用するプローブカード、および、このプローブカードを用いたパッケージのテスト方法
JP3745184B2 (ja) 1999-03-25 2006-02-15 株式会社東京カソード研究所 プローブカード用探針及びその製造方法
US6250933B1 (en) * 2000-01-20 2001-06-26 Advantest Corp. Contact structure and production method thereof
KR100350513B1 (ko) * 2000-04-03 2002-08-28 박태욱 피디피 전극 검사 프로브장치
JP2001356134A (ja) * 2000-04-13 2001-12-26 Innotech Corp プローブカード装置およびそれに用いられるプローブ
DE10039336C2 (de) 2000-08-04 2003-12-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Testen von Halbleiterschaltungen und Testvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CN2444311Y (zh) * 2000-08-15 2001-08-22 陈文杰 晶片测试装置
US6507207B2 (en) 2001-02-20 2003-01-14 Vinh T. Nguyen Contact probe pin for wafer probing apparatus
US6773987B1 (en) * 2001-11-17 2004-08-10 Altera Corporation Method and apparatus for reducing charge loss in a nonvolatile memory cell
KR20040069259A (ko) * 2001-12-25 2004-08-05 스미토모덴키고교가부시키가이샤 컨택트 프로브
JP2003254995A (ja) * 2001-12-25 2003-09-10 Sumitomo Electric Ind Ltd コンタクトプローブ
JP2003194847A (ja) * 2001-12-26 2003-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd コンタクトプローブ
US6668628B2 (en) * 2002-03-29 2003-12-30 Xerox Corporation Scanning probe system with spring probe
US7202682B2 (en) * 2002-12-20 2007-04-10 Formfactor, Inc. Composite motion probing
JP4099412B2 (ja) 2003-03-19 2008-06-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US7342402B2 (en) * 2003-04-10 2008-03-11 Formfactor, Inc. Method of probing a device using captured image of probe structure in which probe tips comprise alignment features
JP2005072143A (ja) 2003-08-21 2005-03-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローブ装置
US7218127B2 (en) 2004-02-18 2007-05-15 Formfactor, Inc. Method and apparatus for probing an electronic device in which movement of probes and/or the electronic device includes a lateral component
US7068056B1 (en) 2005-07-18 2006-06-27 Texas Instruments Incorporated System and method for the probing of a wafer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153761A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Shikahama Seisakusho:Kk プローブヘッドおよびプローブヘッドの支持機構

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8395401B2 (en) 2009-03-31 2013-03-12 Tokyo Electron Limited Method for setting contact parameter and recording medium having program for setting contact parameter recorded thereon
TWI637177B (zh) * 2016-12-23 2018-10-01 台灣福雷電子股份有限公司 用於測試半導體元件之系統及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1950709A (zh) 2007-04-18
US7463043B2 (en) 2008-12-09
TWI392873B (zh) 2013-04-11
WO2005081001A1 (en) 2005-09-01
EP1716422A1 (en) 2006-11-02
EP1716422A4 (en) 2012-01-04
US7218127B2 (en) 2007-05-15
US20070262767A1 (en) 2007-11-15
KR20070007101A (ko) 2007-01-12
TW200538741A (en) 2005-12-01
CN1950709B (zh) 2010-10-06
US20050179455A1 (en) 2005-08-18
US7701243B2 (en) 2010-04-20
US20090085592A1 (en) 2009-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007523350A (ja) 装置のプロービング
US7868632B2 (en) Composite motion probing
TWI483327B (zh) 半導體裝置及其測試方法
TWI432734B (zh) 於用以測試半導體裝置之系統中分享資源之技術
US7084650B2 (en) Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly
KR101337911B1 (ko) 인쇄 회로 기판을 테스트하는 방법
KR20140020967A (ko) 전자 부품의 자동화된 시험 및 검증을 위한 장치
JP2007101373A (ja) プローブシート接着ホルダ、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法
TWI578001B (zh) 半導體元件對準插座單元以及含其之半導體元件測試裝置
US10996242B2 (en) Probe card and test apparatus including the same
JP2008527328A (ja) プローブヘッドアレイ
JP2007227840A (ja) プローブ針のクリーニング装置
JP2007155663A (ja) Esd試験装置
KR101280419B1 (ko) 프로브카드
JP2005044825A (ja) プローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法
JP2000097985A (ja) 間隔が密な試験場所用走査試験機
KR100794629B1 (ko) 전기 검사 장치와 그 제조 방법
KR100555612B1 (ko) 판재 절개형 프로브 및 이의 제조방법
US20120139574A1 (en) Vertical probe tip rotational scrub and method
JP2004335613A (ja) 接触子案内部材、プローブカード及び半導体装置試験装置、並びに半導体装置の試験方法
JP2004157127A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2006194696A (ja) 半導体装置の試験装置及び試験方法
KR100423157B1 (ko) 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 테스트 장치
JPH0737943A (ja) プローブ装置
Armendariz Cost-effective approach for wafer level chip scale package testing

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080214

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080214

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101221

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110315

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110323

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110711