JP2007510297A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007510297A5
JP2007510297A5 JP2006537246A JP2006537246A JP2007510297A5 JP 2007510297 A5 JP2007510297 A5 JP 2007510297A5 JP 2006537246 A JP2006537246 A JP 2006537246A JP 2006537246 A JP2006537246 A JP 2006537246A JP 2007510297 A5 JP2007510297 A5 JP 2007510297A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
diode chip
substrate
intermediate carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006537246A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007510297A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10351934.3A external-priority patent/DE10351934B4/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2007510297A publication Critical patent/JP2007510297A/ja
Publication of JP2007510297A5 publication Critical patent/JP2007510297A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (22)

  1. 少なくとも1つの発光ダイオードチップ(1)と、
    高伝熱性材料、特に金属、からなるベース(5)を有する多層基板(17)と、
    前記発光ダイオードチップ(1)の発光表面と前期基板との間に設けられる電気絶縁・伝熱接続層(2)とを備え、
    前記発光ダイオードチップ(1)と前記基板(17)との間に、それらと別体の中間担体(10)が設けられ、前記発光ダイオードチップ(1)が該中間担体と電気的に接触し、
    前記中間担体(10)は窒化アルミニウム基体により形成されることを特徴とする、発光ダイオードの構成。
  2. 前記電気絶縁接続層(2)は前記基板(17)側にある発光ダイオードチップ(1)の少なくとも境界表面(15)であることを特徴とする、請求項1に記載の構成。
  3. 前記電気絶縁接続層は少なくとも接着層(2)であることを特徴とする、請求項1または2に記載の構成。
  4. 前記発光ダイオードチップ(1)は前記基板(17)の窪み(16)に収容されることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の構成。
  5. 前記発光ダイオードチップ(1)は前記基板(17)のベース材料(5)における窪み(12)の領域に配設されることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の構成。
  6. 前記発光ダイオードチップ(1)は前記基板(17)の輪郭から突出しないことを特徴とする、請求項4または5に記載の構成。
  7. 前記発光ダイオードチップ(1)は前記基板(17)の上面と面一であることを特徴とする、請求項4から6のいずれかに記載の構成。
  8. 前記窪み(12、16)は反射体の機能を有することを特徴とする、請求項4から6のいずれかに記載の構成。
  9. 前記窪み(12、16)の壁は少なくとも部分的に傾斜していることを特徴とする、請求項4から8のいずれかに記載の構成。
  10. 前記発光ダイオードチップ(1)は発光ダイオードの基体が板(17)の側にあるように配設されることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の構成。
  11. 前記発光ダイオードの基体は電気絶縁性材料からなることを特徴とする、請求項10に記載の構成。
  12. 前記発光ダイオードの基体はサファイアからなることを特徴とする、請求項11に記載の構成。
  13. 前記発光ダイオードチップ(1)は発光ダイオードの基体が基板(5)から離れた側にあることを特徴とする、請求項1から12のいずれかに記載の構成。
  14. 前記発光ダイオードチップ(1)は導電性接着剤(20)を介して前記中間担体(10)上に配置されることを特徴とする、前記請求項1〜13のいずれか1項に記載の構成。
  15. 前記中間担体(10)の基板(17)側の側面は電気絶縁性であることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の構成。
  16. 前記中間担体(10)の発光ダイオードチップ(1)側の領域は導電性領域を有することを特徴とする、請求項15に記載の構成。
  17. 少なくとも前記発光ダイオードチップ(1)の領域はレンズ(6)、特にフレネルレンズ(9)で覆われることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の構成。
  18. 前記基板(17)と前記レンズ(6、9)との間の領域は少なくとも部分的に色変換材料(13)で充填されることを特徴とする、請求項17に記載の構成。
  19. 前記色変換材料(13)は前記発光ダイオードチップ(1)の上方および側方に配置さることを特徴とする、請求項18に記載の構成。
  20. 前記発光ダイオードチップ(1)はワイヤ(11)により回路基板(3)に接触しており、該回路基板は間に存する絶縁層(4)を介して前記基板(17)に設けられることを特徴とする、前記請求項のいずれかに記載の構成。
  21. 少なくとも1つの発光ダイオードチップ(1)と、
    高伝熱層(5)、特に金属、からなるベース(5)を有する多層基板(17)と、
    前記発光ダイオードチップ(1)の発光表面と前記基板(17)との間に設けられる電気絶縁・伝熱接続層(2)とを備え、
    前記発光ダイオードチップ(1)と前記基板(17)との間に、それらと別体の中間担体(10)が設けられ、前記発光ダイオードチップ(1)が該中間担体と電気的に接触し、
    色変換材料(13)が前記発光ダイオードチップ(1)の上方および側方に配置さることを特徴とする、発光ダイオードの構成。
  22. 少なくとも1つの発光ダイオードチップ(1)と、
    高伝熱層(5)、特に金属、からなるベース(5)を有する多層基板(17)と、
    前記発光ダイオードチップ(1)の発光表面と前記基板(17)との間に設けられる電気絶縁・伝熱接続層(2)とを備え、
    前記発光ダイオードチップ(1)と前記基板(17)との間に、それらと別体の中間担体(10)が設けられ、前記発光ダイオードチップ(1)が該中間担体と電気的に接触し、
    前記発光ダイオードチップ(1)は導電性接着剤(20)を介して前記中間担体(10)上に配置されることを特徴とする、発光ダイオードの構成。
JP2006537246A 2003-11-07 2004-11-03 放熱板を有する発光ダイオードの構成 Pending JP2007510297A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10351934.3A DE10351934B4 (de) 2003-11-07 2003-11-07 Leuchtdioden-Anordnung mit wärmeabführender Platine
PCT/EP2004/012438 WO2005048358A1 (de) 2003-11-07 2004-11-03 Leuchtdioden-anordnung mit wärmeabführender platine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007510297A JP2007510297A (ja) 2007-04-19
JP2007510297A5 true JP2007510297A5 (ja) 2008-01-24

Family

ID=34559429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006537246A Pending JP2007510297A (ja) 2003-11-07 2004-11-03 放熱板を有する発光ダイオードの構成

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8766283B2 (ja)
EP (1) EP1680818B1 (ja)
JP (1) JP2007510297A (ja)
KR (1) KR101116723B1 (ja)
CN (1) CN100442552C (ja)
AU (1) AU2004310132B2 (ja)
DE (1) DE10351934B4 (ja)
WO (1) WO2005048358A1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005049858B3 (de) * 2005-10-18 2007-02-01 Benq Mobile Gmbh & Co. Ohg Multilayer-Leiterplatte für Kommunikationsendgeräte
JP5066333B2 (ja) * 2005-11-02 2012-11-07 シチズン電子株式会社 Led発光装置。
JP2007208061A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Sharp Corp 半導体発光素子,その製造方法,半導体発光素子アセンブリ
JP2007234886A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Compal Communications Inc 散熱構成を有する電子素子アセンブリ
TWI314366B (en) * 2006-04-28 2009-09-01 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
TWI306674B (en) * 2006-04-28 2009-02-21 Delta Electronics Inc Light emitting apparatus
CN101079460B (zh) * 2006-05-23 2010-05-12 台达电子工业股份有限公司 发光装置
DE102006043882A1 (de) 2006-09-19 2008-03-27 Giesecke & Devrient Gmbh Sensor zur Untersuchung eines Wertdokuments und Verfahren zur Herstellung des Sensors
DE102006059702A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR20080057881A (ko) * 2006-12-21 2008-06-25 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 발광 장치 및 그 제조 방법
DE102008021618A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, Anschlussanordnung, LED sowie Verfahren zur Herstellung einer Chipanordnung
CN101546754A (zh) * 2008-03-26 2009-09-30 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组
JP2009239036A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Hitachi Aic Inc Led基板
US9252336B2 (en) 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US20100078661A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Wei Shi Machined surface led assembly
TW201017922A (en) * 2008-10-23 2010-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package
KR101064793B1 (ko) * 2009-06-08 2011-09-14 박종진 방열엘이디보드
JP2011066028A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Hitachi Ltd 多波長光源装置
WO2011034259A1 (ko) * 2009-09-17 2011-03-24 포인트엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
DE102009060781A1 (de) * 2009-12-22 2011-06-30 Automotive Lighting Reutlingen GmbH, 72762 Lichtmodul für eine Beleuchtungseinrichtung eines Kraftfahrzeugs sowie Beleuchtungseinrichtung mit einem solchen Lichtmodul
DE102011003608A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Tridonic Gmbh & Co. Kg Gehäustes LED-Modul
CN102052594A (zh) * 2010-12-20 2011-05-11 惠州志能达光电科技有限公司 一种高散热led光源模组及其制作方法
TWI464929B (zh) * 2011-03-16 2014-12-11 Lextar Electronics Corp 提昇散熱效率之光源模組及其嵌入式封裝結構
US8603858B2 (en) * 2011-07-12 2013-12-10 Infineon Technologies Ag Method for manufacturing a semiconductor package
KR101321001B1 (ko) * 2011-12-26 2013-10-22 주식회사 루멘스 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법
JP2013201256A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 配線基板装置、発光モジュール、照明装置および配線基板装置の製造方法
FI125565B (en) * 2012-09-08 2015-11-30 Lumichip Ltd LED chip-on-board component and lighting module
KR101974348B1 (ko) * 2012-09-12 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8927398B2 (en) * 2013-01-04 2015-01-06 International Business Machines Corporation Group III nitrides on nanopatterned substrates
CN103152976B (zh) * 2013-03-25 2016-06-15 乐健科技(珠海)有限公司 用于led安装的陶瓷基印刷电路板
KR101431588B1 (ko) 2013-04-09 2014-08-29 주식회사 굿엘이디 고효율 cob led 패키지
CN104009028B (zh) * 2014-05-26 2017-06-06 上海信耀电子有限公司 陶瓷基板和散热衬底的大功率led集成封装方法及结构
CN108091705B (zh) * 2014-05-27 2019-07-02 太阳能公司 叠盖式太阳能电池模块
US11942561B2 (en) 2014-05-27 2024-03-26 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
CN106206905B (zh) * 2015-04-29 2019-01-15 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
CN105805694A (zh) * 2016-04-07 2016-07-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点光源及量子点背光模组

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0182254B1 (en) * 1984-11-12 1994-03-09 Takiron Co. Ltd. Dot matrix luminous display
JPH0680841B2 (ja) * 1986-04-07 1994-10-12 株式会社小糸製作所 照明装置
US5529852A (en) * 1987-01-26 1996-06-25 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Aluminum nitride sintered body having a metallized coating layer on its surface
KR880014692A (ko) * 1987-05-30 1988-12-24 강진구 반사경이 부착된 반도체 발광장치
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
US5512131A (en) * 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
JP3165779B2 (ja) * 1995-07-18 2001-05-14 株式会社トクヤマ サブマウント
US6608332B2 (en) * 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
US6441943B1 (en) * 1997-04-02 2002-08-27 Gentex Corporation Indicators and illuminators using a semiconductor radiation emitter package
JPH11112028A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
DE29804489U1 (de) * 1998-03-13 1998-05-20 Reitter & Schefenacker Gmbh Außenrückblickspiegel für Fahrzeuge, vorzugsweise für Kraftfahrzeuge
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
JP2002532893A (ja) * 1998-12-17 2002-10-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 光エンジン
CN1135638C (zh) * 1999-10-14 2004-01-21 凌士忠 发光二极管装置
TW465123B (en) 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
US6428189B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
JP2002042525A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
JP2002319705A (ja) * 2001-04-23 2002-10-31 Matsushita Electric Works Ltd Led装置
ATE551731T1 (de) * 2001-04-23 2012-04-15 Panasonic Corp Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip
JP2003008069A (ja) 2001-06-19 2003-01-10 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
US20050073846A1 (en) * 2001-09-27 2005-04-07 Kenji Takine Lightemitting device and method of manufacturing the same
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
DE20300626U1 (de) * 2002-11-19 2003-05-28 Electronic Service Willms Gmbh Leiterkarte, Anordnung aus Leiterkarte, Bauteil und/oder Kühlelement sowie Hochleistungs-LED-Anordnung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007510297A5 (ja)
JP4880358B2 (ja) 光源用基板及びこれを用いた照明装置
US7999450B2 (en) Electroluminescent module with thermal-conducting carrier substrate
JP2008523578A5 (ja)
JP2008293966A (ja) 発光ダイオードランプ
KR101125296B1 (ko) 라이트 유닛
US20050116235A1 (en) Illumination assembly
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2006245032A5 (ja)
JP2007142173A (ja) 照明装置
JP2007514320A5 (ja)
JPWO2006046655A1 (ja) 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP2003324214A5 (ja)
JP2007510297A (ja) 放熱板を有する発光ダイオードの構成
TW200610201A (en) Chip type light-emitting device and its wiring board
JP2005123477A5 (ja)
US20090309106A1 (en) Light-emitting device module with a substrate and methods of forming it
TW201205771A (en) Light-emitting diode
WO2011057433A1 (zh) 发光二极管灯条及其制作方法、发光二极管灯管
US8569770B2 (en) Light emitting device package
JP2011205055A (ja) 発光モジュール及び照明装置
JP2005243744A (ja) Led実装用プリント基板及びその製造方法
JP2003115615A (ja) 発光ダイオード装置
JP2011082074A (ja) 発光装置及び照明装置
JP4831958B2 (ja) 表面実装型led