JP2007507885A - ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積 - Google Patents

ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積 Download PDF

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Abstract

【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。
【選択図】

Description

本発明は半導体プロセスに関し、特にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に堆積するためのプロセスと処理装置とに関する。
シリコン含有膜は半導体産業において多種多様な用途に使用される。シリコン含有膜には、多結晶シリコン（ポリＳｉ）やエピタキシャルシリコンなどのシリコン膜、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンゲルマニウムカーバイド（ＳｉＧｅＣ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などがある。回路の幾何学配置がかつてない小さい特徴サイズに縮小するとき、例えば、半導体デバイスへの新しい物質の導入と、ソース領域とドレイン領域における浅い埋め込みの熱収支の低減とのために、より低い堆積温度が好ましい。さらに、シリコン含有膜の非選択的（全面）堆積と選択的堆積が将来のデバイスに必要となるであろうことは明白である。例えば、半導体製造工程は、エピタキシャルシリコン膜の厚さと抵抗率について厳格な規格限界を必要とする。エピタキシャルシリコン堆積はプロセス流れにおける第一歩とすることができ、ここでバルクと異なるドーピングレベルを持ち得る新しいシリコン含有膜の成長を通してバルクシリコンの結晶格子が広がる。目標のエピタキシャル膜の厚さと抵抗率のパラメーターに合わせることは、適切に機能するデバイスのその次の製造工程にとって重要である。
エピタキシャルシリコン含有膜の選択的堆積の使用の一例は、かさ高なソースとドレインを持つシリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）デバイスを製造するためのものである。ＳＯＩデバイス製造工程の間、プロセスは、ソース領域とドレイン領域でシリコン膜全部を消費し得るため、これらの領域にはシリコン含有膜の選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）によって供給できる余分のシリコンが必要である。シリコン含有膜の選択的エピタキシャル堆積は、必要となるフォトリソグラフィとエッチングのステップの数を減らすことができ、これはデバイスの製造における全体のコストと複雑さを低減できる。より低温での堆積プロセスが好ましいにもかかわらず、伝統的なシラン（ＳｉＨ４）とジクロロシラン（ＤＣＳ、ＳｉＣｌ２Ｈ２）源ガスを使用するエピタキシャルシリコンの熱堆積は、デバイスの製造のプロセスに組み込まれるべきプロセスにとって十分に高い堆積速度を達成するためには、一般に高い堆積温度（例えば約８５０〜９００℃超）を必要とする。さらに、伝統的なシランとジクロロシラン源ガスプロセスは、異なる基板材料に対する堆積選択性に限界を与える。従って、本発明者らは、基板上へのシリコン含有膜の堆積のために、選択的な堆積と低温での堆積とを可能にする改善した方法が必要であることを認識した。
本発明の目的は、従来の堆積システムと堆積方法における上記および／またはほかの問題を軽減するか解決する、処理システムの処理チャンバー内においてシリコン含有膜を半導体ウェハー上に堆積するための方法とシステムを提供することである。
本発明の別の目的は、処理システムの処理チャンバー内における半導体ウェハー上へのエピタキシャルシリコン含有膜の低温選択的堆積のための方法とシステムを提供することである。
本発明のまた別の目的は、処理システムの処理チャンバー内における半導体ウェハー上へのシリコン含有膜の低温非選択的堆積のための方法とシステムを提供することである。
本発明のさらに別の目的は、シリコン含有膜を半導体アプリケーションと組み合わせるための費用対効果メカニズムを提供することである。
本発明のこれらのおよび／またはほかの目的は、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法によって実現されよう。この方法は、基板を処理システムの処理チャンバーに供給し、基板を加熱し、ヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを処理チャンバーに流し、シリコン含有膜を基板上に堆積することを有している。
本発明の別の側面では、シリコン含有膜を基板上に堆積するための処理装置が提供される。処理装置は、基板を処理システムの処理チャンバー基板を供給するように構成された搬送システムと、基板を加熱するためのヒーターと、ＨＣＤ処理ガスを基板に露出してシリコン含有膜を基板上に堆積するように構成されたガス噴射システムと、処理装置を制御するように構成されたコントローラーとを有している。
上記の発明の背景の節で述べたように、伝統的なシリコン源ガスの使用は、シリコン含有膜の低温堆積または膜成長の十分な選択性を提供しない。にもかかわらず、半導体産業において新しい源ガスを実行することの困難さと、バッチタイプ処理チャンバー内の異なるウェハー位置に均一な処理結果を提供することの問題とによるためか、ほかのシリコン源ガスの使用は大きく研究されずにきた。そういうわけで、本発明者らは、シリコン含有膜を基板上に堆積するためのヘキサクロロシラン（ＨＣＤ、Ｓｉ２Ｃｌ６）処理ガスの使用を分析する実験を行なった。このような実験と分析の結果、本発明者らは、ＨＣＤ処理ガスの低圧露出が処理システムにおいて基板へのシリコン含有膜の低温堆積に実行可能な機構を提供することを発見した。
一般に、基板への低圧シリコン堆積は、単結晶（エピタキシャル）シリコン膜か多結晶シリコン膜か非晶質シリコン膜の形成をもたらすことができる。本発明の一実施形態において、結晶シリコン基板上へのシリコンエピタキシャル堆積が単結晶シリコン膜を形成するために使用できる。ここで、結晶シリコン基板は単結晶成長のための「種」として作用する。エピタキシャルシリコン含有層は、その下にあるＳｉウェハーとは異なる組成的特性と電気的特性を有するように設計し、デバイスの特定の要求に合わせることができる。ＨＣＤ処理ガスに少量のドーパントガスの加えることにより、エピタキシャルシリコン含有膜をドープすることができる。ドーパントガスの例としては、リン含有ガス（例えばＰＨ３）、ヒ素含有ガス（例えばＡｓＨ３）、窒素含有ガス（例えばＮＨ３）、ホウ素含有ガス（例えばＢ２Ｈ６とＢＣｌ３）などがある。上記ドーパントガスのいずれのＨＣＤ処理ガスへの添加も、プロセス中の基板上の水素の存在のためシリコン堆積を加速させることによって、シリコン堆積の選択性を高めることができる。また、ＨＦやＦ２やＨＣｌなどのハロゲン含有ガスのＨＣＤ処理ガスへの添加も、シリコンでない表面上に堆積したシリコン原子をエッチングし取り除くことによって、シリコン表面へのシリコン堆積の選択性を改善することができる。
本発明の一実施形態において、ＨＣＤとゲルマニウム含有ガス、例えばＧｅＨ４またはＧｅＣ４、とを含んでいるＨＣＤ処理ガスを使用して、シリコンとゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含んでいるシリコン含有膜を良好な選択性で堆積することができる。ＳｉＧｅ膜は低濃度のゲルマニウム、例えば約２原子百分率のゲルマニウムを含むことができる。あるいはＳｉＧｅ膜は、２原子百分率を超えるゲルマニウム、例えば５０原子百分率を超えるゲルマニウムを含むことができる。
本発明の別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスがシリコン表面に露出されないが、酸化物や窒化物や金属などの物質を含んでいるほかの表面に露出され、ＨＣＤ処理ガスを使用するシリコン含有膜の堆積は、微細シリコン結晶粒を有する多結晶シリコン含有膜、または非晶質シリコン含有膜を形成することができる。多結晶シリコン含有膜の結晶粒の大きさは、熱処理はもちろん、堆積条件に依存することができる。
ＨＣＤは、反応性が高く非常に強い脱酸素剤である商業的に利用可能なシリコン化合物である。処理システムにおいてＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を堆積する実験と分析の結果、本発明者らは、Ｈ２またはＨＣｌの存在下においてＤＣＳの従来の分解を使用する同じ温度において、ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上により高い堆積速度で堆積する低圧熱分解プロセスを実現できることを発見した。ＨＣＤを使用して得ることのできるより高い堆積速度は、例えば、シリコン含有膜の十分に高い堆積速度を達成しつつ、製作可能な堆積プロセスをより低い基板温度で実施するのを可能にすることができる。上記実験はバッチタイプ処理システムで実施したが、本発明はそのような処理システムに限定されるものではなく、当業者には容易に分かるように、単一ウェハー処理システムで実践することもできる。
特に、シリコン含有膜は、処理システムにおいて低圧堆積プロセスでＨＣＤ処理ガスを使用して基板上に堆積することができる。このプロセスでは、基板を処理チャンバーに供給し、真空ポンプシステムを使用してチャンバー圧力を下げ、チャンバー温度と圧力を安定にする。次に、処理チャンバー温度と処理チャンバー圧力を所望の値に調整することができる。プロセス温度に達したら、基板上に所望のシリコン含有膜が形成される時間間隔の間、基板を処理することができる。プロセスの終わりに、処理チャンバーを排気し、不活性ガスで浄化し、基板を処理チャンバーから取り出すことができる。さらに、シリコン含有膜を堆積する前に基板を予備処理するプロセスが、基板を洗浄ガス、例えば９００℃の基板温度においてＨ２ガス、に露出して、基板から汚染物質と酸化物層を取り除くことを含むことができる。
いま図面を参照すると、図１Ａは本発明の実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するためのバッチタイプ処理システムの簡易ブロック図を示している。バッチタイプ処理システム１００は、処理チャンバー１０２と、ガス噴射システム１０４、ヒーター１２２、真空ポンプシステム１０６、プロセス監視システム１０８、コントローラー１２４とを有している。基板ホルダー１１２を使用して多数の基板１１０を処理チャンバー１０２に搬入して処理することができる。さらに、処理チャンバー１０２は外側区画１１４と内側区画１１６を有している。本発明の一実施形態において、内側区画１１６は処理炉心管とすることができる。
ガス噴射システム１０４は、処理チャンバー１０２を浄化するために、また基板１１０を下処理し洗浄し処理するために、処理チャンバー１０２にガスを導入することができる。ガス噴射システム１０４は、例えば、ＨＣＤ液体を気化させる気化器を含む液体供給システム（ＬＤＳ）を有するものとすることができる。気化した液体は、搬送ガスを利用して処理チャンバー１０２内に流れ込むことができる。あるいは、ガス噴射システムは、ＨＣＤを含むリザーバーを通して搬送ガスをバブリングするバブリングシステムを有するものとすることができる。複数のガス供給ラインを配置して処理チャンバー１０２に複数のガスを流すことができる。ガスを内側区画１１６によって定まるボリューム１１８に導入し基板１１０に露出することができる。その後、ガスは内側区画１１４と外側区画１１６によって定まるボリューム１２０に流れ込み、真空ポンプシステム１０６によって処理チャンバー１０２から排気することができる。
基板ホルダー１１２を使用して複数の基板１１０を処理チャンバー１０２に搬入し処理することができる。バッチタイプ処理システム１００は、密に積み重ねた多数の基板１１０を処理して、高い基板スループットを達成することができる。基板バッチサイズは、例えば、約１００枚以下の基板（ウェハー）とすることができる。あるいは、バッチサイズは約２５枚以下の基板とすることができる。処理チャンバー１０２は、例えば、２００ｍｍの基板、３００ｍｍの基板、さらに大きい基板など、あらゆる直径の基板を処理することができる。基板１１０は、例えば、半導体基板（例えばシリコンまたは化合物半導体）、ＬＣＤ基板、ガラス基板とすることができる。きれいな基板のほか、これに限らないが、シリコン膜、金属膜、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜などを有する基板を利用することができる。
バッチタイプ処理システム１００は、バッチタイプ処理システム１００からの出力を監視するほかバッチタイプ処理システム１００への入力を通信し作動する十分な制御信号を生成可能な制御部１２４によって制御することができる。さらに、制御部１２４は、処理チャンバー１０２、ガス噴射システム１０４、ヒーター１２２、プロセス監視システム１０８、真空ポンプシステム１０６と連結されて情報を交換することができる。例えば、制御部１２４のメモリーに記憶されているプログラムを利用し、記憶されているプロセス処方に従ってバッチタイプ処理システム１００の前述のコンポーネントを制御することができる。制御部１２４の一例は、テキサス州ダラスにあるデル株式会社から入手可能なＤＥＬＬ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＷＯＲＫ ＳＴＡＴＩＯＮ ６１０（登録商標）である。
リアルタイムプロセス監視はプロセス監視システム１０８を使用して実施することができる。一般に、プロセス監視システム１０８は汎用監視システムであり、例えば、質量分析計（ＭＳ）またはフーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）分析計とすることができる。プロセス監視システム１０８は、プロセス環境におけるガスの化学種類の質的な分析と量的な分析を提供することができる。監視し得るプロセスパラメーターは、ガスの流れ、ガスの圧力、ガスの種類の比率、ガスの純度を含む。これらのパラメーターは、事前のプロセス結果および金属含有膜の種々の物理的特性と関連づけることができる。
図１Ｂは、本発明の実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するための別のバッチタイプ処理システムの簡易ブロック図を示している。バッチタイプ処理システム１は、処理チャンバー１０と、排気管８０と連結された上端部と円筒状マニホールド２のふた２７に気密に接合された下端部とを有する処理炉心管２５とを有している。排気管８０は処理炉心管２５から真空ポンプシステム８８にガスを排出して処理システム１内を所定値以下の気圧に維持する。処理炉心管２５内には、複数の基板（ウェハー）４０を層状手法で（それぞれの水平面に鉛直に間隔をおいて）保持するための基板ホルダー３５が配置されている。基板ホルダー３５は、ふた２７を貫通し、モーター２８によって駆動される回転シャフト２１に取り付けられたターンテーブル２６の上に位置している。膜全体の一様性を改善するために処理の間じゅうターンテーブル２６を回転させることができる。あるいは、ターンテーブルは処理の間じゅう静止していることもできる。ふた２７は、反応炉心管２５に基板ホルダー３５を出し入れするためのエレベーター２２に取り付けられている。ふた２７が最上位位置にくると、ふた２７がマニホールド２の開口端をふさぐ。
マニホールド２の周囲に複数のガス供給ラインを設けて、ガス供給ラインを介して処理炉心管２５に多種のガスを供給することができる。図１Ｂには、複数のガス供給ライン中の一本のガス供給ライン４５だけが示されている。ガス供給ライン４５はガス噴射システム９４に接続されている。反応炉心管２５を覆うように円筒状熱反射鏡３０が配置されている。熱反射鏡３０は鏡面仕上げ内側面を有し、主ヒーター２０と下部ヒーター６５、上部ヒーター１５、排気管ヒーター７０とによって放射される放射熱の消散を抑える。（図示しない）らせん状冷却水通路が冷却媒体通路として処理チャンバー１０の壁の中に形成されている。
真空ポンプシステム８８は真空ポンプ８６と捕集器８４と自動圧力制御部（ＡＰＣ）８２とを有している。真空ポンプ８６は、例えば、毎秒２０,０００リットル（以上）の吸引速度が可能な乾式真空ポンプをとすることができる。処理の間、ガス噴射システム９４によって処理チャンバー１０にガスを導入することができ、ＡＰＣ８２によってプロセス圧力を調整することができる。捕集器８４は処理チャンバー１０からの未反応前駆体物質と副産物を収集することができる。
プロセス監視システム９２はリアルタイムプロセス監視可能なセンサー７５、例えば、ＭＳまたはＦＴＩＲ分析計とすることができる。制御部９０はマイクロプロセッサとメモリーとデジタルＩ／Ｏポートとを有し、処理システム１からの出力を監視するほか処理システム１００への入力を通信し作動するに十分な制御信号を生成可能である。さらに、制御部９０は、ガス噴射システム９４、モーター２８、プロセス監視システム９２、ヒーター２０、１５、６５、７０、真空ポンプシステム８８と接続されて情報を交換することができる。図１Ａの制御部１２４と同様に、制御部９０はＤＥＬＬ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＷＯＲＫ ＳＴＡＴＩＯＮ ６１０（登録商標）で構成し得る。
図２は、本発明の実施形態による処理装置の簡易ブロック図を示している。処理装置２００は、処理システム２２０と２３０と、基板を処理装置２００内に搬送するように構成された（自動）搬送システム２１０と、処理装置２００をコントロールするように構成された制御部２４０とを有している。本発明の別の実施形態において、処理装置２００はただ一つの処理システムを有するようにすることができ、あるいは、三つ以上の処理システムを有するようにすることができる。図２において、処理システム２２０と２３０は、例えば、以下の処理の少なくとも一つを実施することができる。（ａ）基板を予備処理する。（ｂ）シリコン含有膜を基板上に堆積する。（ｃ）基板と基板上に堆積するシリコン含有膜との少なくとも一つの特性を決定する。（ａ）において、予備処理することは、例えば、汚染物質および／または薄い酸化膜（例えば自然酸化膜または化学酸化膜）を基板表面から取り除くことを実施することができる。シリコン表面上の汚染物質または酸化膜の存在は、適切なシリコン種（核生成）層の形成を抑制し、それによってエピタキシャルシリコン堆積に影響を与えることができる。一例では、予備処理することは、約５００℃と約１０００℃の間の基板温度、例えば９００℃の基板温度において、基板をＨ２ガスに露出することを含むことができる。（ｃ）において、膜特性は、例えば、シリコン含有膜の厚さとドーパントレベルを含み得る。本発明の一実施形態において、プロセス（ａ）〜（ｃ）のおのおのは異なる処理システムで行なうことができる。本発明の別の実施形態において、プロセス（ａ）〜（ｃ）の少なくとも二つを同一処理システムで行なうことができる。本発明の一実施形態において、処理システムの少なくとも一つはバッチタイプ処理システムまたは単一ウェハー処理システムとすることができる。本発明の別の実施形態において、処理システムの少なくとも一つは熱処理システムまたはプラズマ処理システムまたは原子層堆積処理システムとすることができる。
図１Ａと図Ｂの制御部と同様に、制御部２４０はＤＥＬＬ ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ ＷＯＲＫ ＳＴＡＴＩＯＮ ６１０（登録商標）で構成し得る。さらに、図１Ａと図１Ｂと図２のいずれの制御部も、図８に関連して説明するような汎用コンピュータシステムで構成し得る。
図３Ａは、本発明の一実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するための流れ図を示している。３００において、プロセスを開始する。３０２において、処理システムの処理チャンバーに基板を供給する。処理システムは、図１Ａまたは図１Ｂに示したバッチタイプ処理システムであってもよく、また、図２に示したような処理装置の一部として提供されてもよい。３０４において、基板を加熱し、３０６においてＨＣＤ処理ガスを基板に露出する。本発明の一実施形態において、ＨＣＤ処理ガスはＨＣＤガスのほかに不活性ガスを含むことができ、シリコン含有膜はシリコン膜とすることができる。不活性ガスは、例えば、ＨｅとＮｅとＡｒとＫｒとＸｅとＮ２から、または、基板またはチャンバー環境と化学的に反応しないほかのあらゆるガスから選択することができる。不活性ガスは、液体状のＨＣＤ用の搬送ガスとして、また、基板表面でなくチャンバー環境での化学反応の発生を減らすためにＨＣＤガスを薄めるために使用し得る。本発明の別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、ＨＣＤガスのほかに、不活性ガスと、水素含有ガスと第二のシリコン含有ガスの少なくとも一つとを含むことができる。水素含有ガスは、例えば、Ｈ２を含むことができる。ＨＣＤガスへのＨ２の添加がシリコン堆積速度を高めることが観察された。第二のシリコン含有ガスは、例えば、ＳｉＨ４とＳｉＣｌ４とＳｉ２Ｈ６とＳｉＣｌ２Ｈ２から選択することができる。本発明のまた別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、ＨＣＤガスと、例えば、リン含有ガス（例えばＰＨ３）とヒ素含有ガス（例えばＡｓＨ３）と窒素含有ガス（例えばＮＨ３）とホウ素含有ガス（例えばＢ２Ｈ６とＢＣｌ３）から選択することができるドーパントガスとを含むことができる。本発明の別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、例えば、ＨＦとＦ２とＣｌ２とＨＣｌから選択することができるハロゲン含有ガスを含むことができる。本発明のまた別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、ＨＣＤガスと、例えば、ＧｅＨ４とＧｅＣｌ４から選択することができるゲルマニウム含有ガスとを含み、ＳｉＧｅ膜を堆積することができる。
本発明の一実施形態において、図３に流れ図で示される堆積プロセスは、シリコン含有膜を堆積する前に基板を予備処理することをさらに有することができる。この予備処理プロセスは、例えば、基板材料（例えばシリコン）から酸化物層（例えば自然酸化物または熱酸化物）を、さらにほかの界面汚染物質を実質的に取り除くことができ、それは、適切なシリコン種（核生成）層の形成を抑制し、堆積表面上へのシリコン含有膜の堆積を妨げ、シリコン堆積の選択性を減らすことができる。一例において、予備処理は、９００℃の基板温度においてシリコン基板をＨ２ガスに露出することを有することができる。
シリコン含有膜を堆積するために使用されるプロセス条件は、約１００Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバー圧力を含むものとすることができる。あるいは、プロセス圧力は、約１Ｔｏｒｒ未満、例えば０.４Ｔｏｒｒとすることができる。プロセス条件はさらに、約５００℃と約９００℃の間、好ましくは約８００℃の基板温度を含むものとすることができる。本発明の一実施形態において、基板温度を約８００℃とすることができ、処理チャンバー圧力を０.４Ｔｏｒｒとすることができる。３０８において、ＨＣＤ処理ガスの分解からシリコン含有膜が基板上に堆積する。
本発明の一実施形態において、本発明者らは、バッチタイプ処理システムの処理チャンバーにおいてＨＣＤ処理ガスを使用してエピタキシャルシリコン含有膜を基板上に選択的に堆積する方法を発見した。シリコンを含んでいる表面領域上ではシリコン含有膜の選択的エピタキシャル堆積が観察されたが、例えば酸化物（例えば酸化物フォトマスク）または窒化物（例えばＳｉＮ層）を含んでいるほかの表面領域上ではシリコン堆積がまったくまたはほとんど観察されなかった。ＨＣＤ処理ガスを使用して観察されるシリコン堆積速度が従来のＤＣＳ処理ガスを使用するのと比較して高いことが、シリコン含有膜のエピタキシャル堆積をより選択的なものにしていると、本発明者らは推測している。一般に、シリコン含有膜堆積のための核生成時間（インキュベーション時間）が、ある基板材料についてのものが別の基板材料についてのものと比較して十分に異なるとき、異なる基板材料に対する堆積選択性を達成することができる。実際、もしシリコン含有膜の堆積速度が十分に高く、インキュベーション時間が異なる材料で十分に大きく異なるならば、堆積がより長いインキュベーション時間（例えば酸化物または窒化物）でほかの材料上に始まる前に、シリコン含有膜がより短いインキュベーション時間（例えばシリコン）で材料上に成長することができる。結果として、基板上のほかの領域で堆積が始まる前に、ＨＣＤ処理ガスを使用してより厚いエピタキシャルシリコン含有膜がきれいなシリコン基板上に成長することができる。
図４は、本発明の実施形態によるエピタキシャルシリコン含有膜を基板上に選択的に堆積するための流れ図を示している。４００において、プロセスを開始する。４０２において、基板を処理システムの処理チャンバーに供給する。あるいは、処理システムは単一ウェハー処理システムであってもよい。４０４において、基板を加熱し、４０６において、処理チャンバー内においてＨＣＤ処理ガスを基板に露出する。４０８において、基板へのＨＣＤ処理ガスの露出は、シリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜の選択的な堆積をもたらす。エピタキシャルシリコン含有膜が選択的に所望の膜厚に堆積したとき、４１０においてプロセスを終了する。
図５Ａは、本発明の実施形態による微細構造を示している。微細構造５００はデバイス製造で使用される模範的構造であり、シリコン基板５１０と、その上に重なったフォトリソグラフィによりパターニングした、シリコン表面５４０を露出する開口５３０を有する酸化物マスク５２０とを有している。
図５Ｂは、本発明の実施形態による選択的堆積シリコン膜を有する微細構造を模式的に示している。微細構造５００の露出シリコン表面５４０上にはシリコン膜５５０が毎分約７オングストロームの堆積速度でエピタキシャルに形成されたが、パターニングされたフォトマスク５２０上には堆積はまったく観察されなかった。堆積プロセスは図４の流れ図において説明したように実施した。堆積プロセスは、バッチタイプ処理システムの処理チャンバー内でＨＣＤガスと８００℃の基板温度と０.４Ｔｏｒｒの処理チャンバー圧力を使用して実施した。Ｓｉ堆積の前に微細構造５００を９００℃のＨ２雰囲気内で予備処理した。露出したシリコン領域上へのエピタキシャルシリコン膜５５０の堆積は、当業者に公知の方法を使用する酸化物フォトマスクの次の除去が、シリコン基板４１０上にかさ高なエピタキシャルシリコン膜５５０を形成するのを可能にする。一般に、パターニングされたフォトマスク５２０は酸化物マスク（例えばＳｉＯ２）と窒化物マスク（例えばＳｉ３Ｎ４）の少なくとも一つを含むことができる。
図６は、本発明の別の実施形態によるシリコン膜を基板上に非選択的に堆積するための流れ図を示している。６００において、プロセスを開始する。６０２において、処理システムの処理チャンバーに基板を供給する。６０４において、基板を加熱し、６０６において、ＨＣＤ処理ガスを処理チャンバー内の基板に露出する。図６に示したシリコン層の非選択的堆積のために使用されるプロセス条件は、エピタキシャルシリコン層を選択的に堆積するための８００℃の基板温度と比較して、７００℃の基板温度を含むものとすることができる。６０８において、基板へのＨＣＤ処理ガスの露出は、シリコン含有膜の非選択的堆積をもたらす。シリコン膜が所望の膜厚さに堆積したとき、プロセス６１０を終了する。
図７Ａは、本発明の実施形態による微細構造を示している。微細構造７００はデバイス製造で使用される模範的構造であり、シリコン基板７１０と、その上に重なったフォトリソグラフィによりパターニングした、シリコン表面７４０を露出する開口７３０を有する酸化物マスク７２０とを有している。
図７Ｂは、本発明の実施形態による非選択的堆積シリコン膜を有する微細構造を模式的に示している。シリコン膜７５０が酸化物マスク７２０上とシリコン表面７４０上に非選択的に堆積（全面堆積）した。シリコン膜は、基板材料の種類によらず、基板全体に実質的に一様の厚さで堆積した。堆積プロセスは図６の流れ図において説明したように実施した。堆積プロセスは、バッチタイプ処理システムの処理チャンバー内でＨＣＤガスと７００℃の基板温度と０.４Ｔｏｒｒの処理チャンバー圧力を使用して実施した。
所望の膜特性を持つシリコン含有膜の形成を可能にする適当なプロセス条件は、直接の実験および／または実験計画（ＤＯＥ）によって決定することができる。調整可能なプロセスパラメーターは、例えば、基板温度、プロセス圧力、処理ガスの種類、相対的ガス流れとすることができる。上述したように、ＨＣＤ処理ガスは、例えば、ＨＣＤガスのほかに、不活性ガスと、水素含有ガスと第二のシリコン含有ガスの少なくとも一つとを含むことができる。ＨＣＤガス流量は、例えば、約５ｓｃｃｍと約１,０００ｓｃｃｍの間とすることができ、不活性ガス流量は、例えば、約５ｓｃｃｍと約２０,０００ｓｃｃｍの間とすることができ、水素含有ガス流量は、例えば、約５ｓｃｃｍと約５０００ｓｃｃｍの間とすることができ、第二のシリコン含有ガス流量は、例えば、約１０ｓｃｃｍと約１,０００ｓｃｃｍの間とすることができる。
図８は、本発明の実施形態を実行し得るコンピュータシステム１２０１を示している。コンピュータシステム１２０１は、図１Ａまたは図１Ｂまたは図２の制御部として、またはそれらの図のシステムと一緒に使用して前述の機能のいずれかまたはすべてを行ない得る同様の制御部として使用し得る。コンピュータシステム１２０１は、情報を通信するためのバス１２０２またはほかの通信機構と、バス１２０２に接続された情報を処理するためのプロセッサー１２０３とを有している。コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に接続された、情報とプロセッサー１２０３によって実行される命令を記憶しておくためのメインメモリー１２０４、例えばランダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）やほかのダイナミックな記憶装置（例えばダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）やスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ））を有している。さらに、メインメモリー１２０４はプロセッサー１２０３による命令の実行中の一時的な変数やほかの媒介情報を記憶しておくために使用してもよい。コンピュータシステム１２０１はさらに、バス１２０２に接続された、スタティックな情報とプロセッサー１２０３用の命令を記憶しておくためのリードオンリーメモリー（ＲＯＭ）１２０５やほかのスタティックな記憶装置（例えばプログラマブルＲＯＭ（ＰＲＯＭ）や消去可能なＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的に消去可能なＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ））を有している。
コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に接続された、情報や命令を記憶しておくための一以上の記憶装置を制御するディスク制御部１２０６、例えば磁気ハードディスク１２０７やリムーバブル媒体ドライブ１２０８（例えばフロッピー（登録商標）ディスクドライブやリードオンリーコンパクトディスクドライブ、リードライトコンパクトディスクドライブ、コンパクトディスクジュークボックス、テープドライブ、リムーバブル光磁気ドライブ）を有している。記憶装置は適切な装置インタフェース（例えば小型コンピュータシステムインタフェース（ＳＣＳＩ）やインテグレイテドデバイスエレクトロニクス（ＩＤＥ）、エンハンストＩＤＥ（Ｅ−ＩＤＥ）、ダイレクトメモリーアクセス（ＤＭＡ）、ウルトラＤＭＡ）を使用してコンピュータシステム１２０１に付け加えてよい。
コンピュータシステム１２０１はまた、専用論理装置（例えば特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））や構成可能論理装置（例えば単純なプログラマブル論理装置（ＳＰＬＤ）や複雑なプログラマブル論理装置（ＣＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ））を有していてもよい。コンピュータシステムはまた、一以上のデジタル信号プロセッサー（ＤＳＰ）、例えばテキサスインスツルメンツ（Texas Instruments）のＴＭＳ３２０シリーズのチップや、モトローラ（Motorola）のＤＳＰ５６０００やＤＳＰ５６１００、ＤＳＰ５６３００、ＤＳＰ５６６００、ＤＳＰ９６０００シリーズのチップ、ルーセントテクノロジー（Lucent Technologies）のＤＳＰ１６００やＤＳＰ３２００シリーズのチップ、アナログディバイシズ（Analog Devices）のＡＤＳＰ２１００やＡＤＳＰ２１０００シリーズのチップを有していてもよい。デジタルドメインに変換したアナログ信号を処理するように特別に設計したほかのプロセッサーを使用してもよい。
コンピュータシステム１２０１はまた、ディスコンピュータ使用者に情報を表示するためのブラウン管（ＣＲＴ）などのディスプレイ１２１０をコントロールするバス１２０２に接続されたディスプレイ制御部１２０９を有していてもよい。コンピュータシステムは、コンピューター使用者と相互に作用してプロセッサー１２０３に情報を提供するためのキーボード１２１１やポインティングデバイス１２１２などの入力装置を有している。ポインティングデバイス１２１２は、例えば、方向情報とコマンド選択をプロセッサー１２０３に伝達し、またディスプレイ１２１０の上にカーソルの動きを制御するためのマウスやトラックボール、ポインティングスティックであってもよい。さらに、記憶されているおよび／またはコンピュータシステム１２０１によって生成されるデータのプリントリストをプリンターが提供してもよい。
コンピュータシステム１２０１は、メインメモリー１２０４などのメモリーに収納されている一以上の命令の一以上のシーケンスを実行しているプロセッサー１２０３に応じて本発明のプロセスステップの一部または全部を行なう。このような命令は、ハードディスク１２０７やリムーバブル媒体ドライブ１２０８などの別のコンピューター読取可能媒体からメインメモリー１２０４に読み込んでもよい。マルチプロセッシング装置における一以上のプロセッサーを用いてメインメモリー１２０４に収納されている命令のシーケンスを実行してもよい。代替実施形態において、ソフトウェア命令に代えてまたはそれと組み合わせてハードウェアに組み込みの電気回路構成を使用してもよい。従って、実施形態は、ハードウェア電気回路構成とソフトウェアのどのような特定の組み合わせに限定されない。
前述したように、コンピュータシステム１２０１は、本発明の教示に従ってプログラムした命令を保持するための、またここに述べたデータ構造やテーブル、記録、そのほかを収納するための少なくとも一つのコンピューター読取可能媒体またはメモリーを有している。コンピューター読取可能媒体の例としては、コンパクトディスクや、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、テープ、光磁気ディスク、ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ）、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、そのほかのあらゆる磁気媒体、コンパクトディスク（例えばＣＤ-ＲＯＭ）やそのほかのあらゆる光学媒体、パンチカードや紙テープ、穴のパターンを有するそのほかのあらゆる物理的媒体、（後述する）キャリア波、コンピューターが読み取ることのできるそのほかのあらゆる媒体があげられる。
本発明は、コンピューター読取可能媒体のどのようなものまたは組み合わせに記憶されたものであれ、コンピュータシステム１２０１を制御するための、また本発明を実行するための装置を駆動するための、さらにコンピュータシステム１２０１を人間の使用者（例えば印刷生産職員）と相互作用可能にするためのソフトウェアを有している。このようなソフトウェアは、これに限らないが、デバイスドライバーとオペレーティングシステム、開発ツール、アプリケーションソフトウェアとを含んでいてよい。このようなコンピューター読取可能媒体はさらに、本発明を実行するプロセスのすべてまたは一部（もしプロセスが分配されるなら）を行なうための本発明のコンピュータプログラム製品を含む。
本発明のコンピュータコード装置は、解釈可能すなわち実行可能ないかなるコード機構であってもよく、それは、これらに限らないが、スクリプトや解釈可能プログラム、ダイナミックリンクライブラリ（ＤＬＬ）、Ｊａｖａ（登録商標）クラス、完全な実行可能なプログラムを含む。さらに、本発明の処理の一部は、もっと良いパフォーマンスおよび／または信頼性、コストのために分配されてもよい。
ここで使用している「コンピューター読取可能媒体」という用語は、プロセッサー１２０３に実行のための命令を与えることに関係するあらゆる媒体をいう。コンピューター読取可能媒体は、これに限定されないが、不揮発性媒体や揮発性媒体、通信媒体を含む、多くの形態をとってもよい。不揮発性媒体としては、例えば、光ディスクや磁気ディスク、光磁気ディスクなど、例えばハードディスク１２０７やリムーバブル媒体ドライブ１２０８がある。揮発性媒体としてはメインメモリー１２０４などのダイナミックメモリーなどがある。通信媒体としては同軸ケーブルや銅ワイヤー、光ファイバーなどがあり、バス１２０２を構成するワイヤーを含んでいる。通信媒体はまた、無線通信と赤外線通信の間に生成される音波や光波の形態をとってもよい。
コンピューター読取可能媒体の種々の形態は、実行のためにプロセッサー１２０３に一以上の命令の一以上のシーケンスを遂行することに関与してもよい。例えば、命令は初めに遠隔コンピューターの磁気ディスクに保持されてもよい。遠隔コンピューターは本発明のすべてまたは一部を実行するための命令をロードし、この命令をモデムを使用して電話線に送ることができる。コンピュータシステム１２０１にローカルのモデムが電話線上のデータを受け取り、赤外線送信機を使用してそのデータを赤外線信号に変換してもよい。バス１２０２に接続された赤外線検出器が赤外線信号で運ばれるデータを受け取り、そのデータをバス１２０２上に置くことができる。バス１２０２はデータをメインメモリー１２０４に運び、そこからプロセッサー１２０３が命令を取り出して実行する。メインメモリー１２０４が受け取った命令は、プロセッサー１２０３による実行の前後に記憶装置１２０７または１２０８に随意に記憶してもよい。
コンピュータシステム１２０１はまた、バス１２０２に接続された通信インタフェース１２１３を有している。通信インタフェース１２１３は、例えば、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１２１５やほかの通信ネットワーク１２１６、例えばインターネットに接続されたネットワークリンク１２１４に接続する双方向データ通信を提供する。例えば、通信インタフェース１２１３は、どのようなパケットスイッチＬＡＮに取り付くネットワークインタフェースカードであってもよい。別の例としては、通信インタフェース１２１３は、非対称型デジタル加入者回線（ＡＤＳＬ）カードや統合サービスデジタル通信網（ＩＳＤＮ）カード、対応するタイプの通信回線にデータ通信接続を提供するモデムであってもよい。無線リンクが構成されてもよい。このようないかなる構成においても、通信インタフェース１２１３は、さまざまな種類の情報を表しているデジタルデータの流れを運ぶ電気信号や電磁気信号、光信号を送受信する。
ネットワークリンク１２１４は典型的に、一以上のネットワークを介したほかのデータ装置へのデータ通信を提供する。例えば、ネットワークリンク１２１４は、ローカルネットワーク１２１５（例えば、ＬＡＮ）を介して、または通信ネットワーク１２１６を介して通信サービスを提供するサービスプロバイダによって操作される装置を介して別のコンピューターへの接続を提供してよい。ローカルネットワーク１２１４と通信ネットワーク１２１６は、例えば、デジタルデータの流れを運ぶ電気信号や電磁気信号、光信号と、関連物理層（例えばＣＡＴ５ケーブルや同軸ケーブル、光ファイバーなど）とを使用する。デジタルデータをコンピュータシステム１２０１にまたそこから運ぶ、種々のネットワークを介した信号とネットワークリンク１２１４上の信号、通信インタフェース１２１３を介した信号がベースバンド信号中にまたは搬送波ベース信号中に構成されてよい。ベースバンド信号は、デジタルデータビットの流れを記述している無変調電気パルスとしてデジタルデータを運ぶ。ここで「ビット」という用語は、そのおのおのが少なくとも一以上の情報ビットを運ぶシンボルを意味すると広く解釈すべきものである。デジタルデータはまた、導電媒体を伝搬するか伝搬媒体を電磁波として透過する振幅偏移変調信号および／または位相偏移変調信号、周波数偏移変調信号などで搬送波を変調したものを使用してもよい。従って、デジタルデータは、「配線された」通信チャンネルを介して無変調ベースバンドデータとして送っても、および／または、搬送波を変調することによってベースバンドと異なる所定周波数バンド内で送ってもよい。コンピュータシステム１２０１はネットワーク１２１５と１２１６とネットワークリンク１２１４、通信インタフェース１２１３を介して、プログラムコードを含め、データを送受信することができる。さらに、ネットワークリンク１２１４は、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）ラップトップコンピュータや携帯電話などのモバイル装置１２１７へのＬＡＮ１２１５を介した接続を提供してもよい。
本発明のある代表的実施形態だけを詳しく上述したが、当業者であれば、本発明の斬新な教示と利点から外れることなく、代表的実施形態において多くの変更が可能であることを容易に察知するであろう。従って、そのような変更はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
本発明の実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するためのバッチタイプ処理システムの簡易ブロック図を示している。 本発明の実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するための別のバッチタイプ処理システムの簡易ブロック図を示している。 本発明の実施形態による処理装置の簡易ブロック図を示している。 本発明の実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するための流れ図を示している。 本発明の実施形態によるエピタキシャルシリコン含有膜をシリコン基板上に選択的に堆積するための流れ図を示している。 本発明の実施形態による微細構造を模式的に示している。 本発明の実施形態による選択的堆積エピタキシャルシリコン膜を有している微細構造を模式的に示している。 本発明の別の実施形態によるシリコン膜を基板上に非選択的に堆積するための流れ図を示している。 本発明の実施形態による微細構造を模式的に示している。 本発明の実施形態による非選択的堆積シリコンを有している微細構造を模式的に示している。 本発明を実行するために使用し得る汎用コンピューターを示している。

Claims (46)

  1. 基板を処理システムの処理チャンバーに供給することと、
    基板を加熱することと、
    基板にＨＣＤ処理ガスを露出することと、
    基板上にシリコン含有膜を堆積することとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。
  2. 前記露出することは、不活性ガスを基板に露出することを有している、請求項１に記載の方法。
  3. 前記露出することは、ＨＣＤガスを約５ｓｃｃｍと約１,０００ｓｃｃｍの間の流量で、不活性ガスを約５ｓｃｃｍと約２０、０００ｓｃｃｍの間の流量で流すことをさらに有している、請求項２に記載の方法。
  4. 前記露出することは、水素含有ガスを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  5. 前記露出することは、Ｈ２を基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  6. 前記流すことは、水素含有ガスを約５ｓｃｃｍと約５、０００ｓｃｃｍの間の流量で流すことをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  7. 前記露出することは、第二のシリコン含有ガスを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  8. 前記露出することは、ＳｉＨ４とＳｉＣｌ４とＳｉ２Ｈ６とＳｉＨ２Ｃｌ２の少なくとも一つを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  9. 前記流すことは、第二のシリコン含有ガスを約５ｓｃｃｍと約１,０００ｓｃｃｍの間の流量で流すことをさらに有している、請求項３に記載の方法。
  10. 前記露出することは、水素含有ガスと第二のシリコン含有ガスを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  11. 前記露出することは、Ｈ２と、ＳｉＨ４とＳｉＣｌ４とＳｉ２Ｈ６とＳｉＨ２Ｃｌ２の少なくとも一つとを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  12. 前記露出することは、ＨＣＤガスと、リン含有ガスとホウ素含有ガスと窒素含有ガスの少なくとも一つとを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  13. 前記露出することは、ＨＣＤガスと、ＰＨ３とＢ２Ｈ６とＢＣｌ３とＮＨ３の少なくとも一つとを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  14. 前記露出することは、ハロゲン含有ガスを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  15. 前記露出することは、ＨＦとＦ２とＣｌ２とＨＣｌの少なくとも一つを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  16. 前記露出することは、ゲルマニウム含有ガスを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  17. 前記露出することは、水素含有ガスとドーパントガスとハロゲン含有ガスの少なくとも一つを基板に露出することをさらに有している、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記露出することは、ＧｅＨ４とＧｅＣ４の少なくとも一つを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  19. 前記露出することは、水素含有ガスとゲルマニウム含有ガスを基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  20. 前記露出することは、Ｈ２とＧｅＨ４を基板に露出することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  21. 前記堆積することは、エピタキシャルシリコン含有膜をシリコン基板上に選択的に堆積することを有している、請求項１に記載の方法。
  22. 前記堆積することは、多結晶シリコン含有膜または非晶質シリコン含有膜を基板上に非選択的に堆積することを有している、請求項１に記載の方法。
  23. 前記露出することは、ＨＣＤガスとゲルマニウム含有ガスを含んでいるＨＣＤ処理ガスを基板に露出することを有し、
    前記堆積することは、ＳｉＧｅ含有膜を基板上に堆積することを有している、請求項１に記載の方法。
  24. 前記堆積することは、ＳｉＧｅ含有膜をシリコン表面上に選択的に堆積することを有している、請求項２３に記載の方法。
  25. 前記堆積することは、約２原子百分率未満のゲルマニウム内容物を有しているＳｉＧｅ含有膜を堆積することを有している、請求項２３に記載の方法。
  26. 前記堆積することは、約２原子百分率を超えるゲルマニウム内容物を有しているＳｉＧｅ含有膜を堆積することを有している、請求項２３に記載の方法。
  27. 前記加熱することは、基板を約５００℃と約９００℃の間に加熱することを有している、請求項１に記載の方法。
  28. 前記加熱することは、基板を約７００℃と約９００℃の間に加熱することを有している、請求項１に記載の方法。
  29. 前記加熱することは、基板を約８００℃の温度に加熱することを有し、前記堆積することは、エピタキシャルシリコン含有膜を基板のシリコン表面上に選択的に堆積することを有している、請求項１に記載の方法。
  30. 前記加熱することは、基板を約７００℃の温度に加熱することを有し、前記堆積することは、シリコン含有膜を基板上に非選択的に堆積することを有している、請求項１に記載の方法。
  31. 約１００Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバー圧力を提供することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  32. １０Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバー圧力を提供することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  33. 約０.４Ｔｏｒｒの処理チャンバー圧力を提供することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  34. ＨＣＤ処理ガスを基板に露出する前に基板を予備処理することをさらに有している、請求項１に記載の方法。
  35. 前記予備処理することは、約５００℃と約１０００℃の間の基板温度においてＨ２ガスを基板に露出することを有している、請求項３４に記載の方法。
  36. 前記予備処理することは、約９００℃の基板温度においてＨ２ガスを基板に露出することを有している、請求項３４に記載の方法。
  37. プロセッサーでの実行のためのプログラム命令を含んでいるコンピューター読取可能媒体であって、プロセッサーによって実行されるとき、請求項１に述べた方法のステップを処理装置に実施させる、コンピューター読取可能媒体。
  38. 処理システムの処理チャンバーに基板を供給するための手段と、
    基板を加熱するための手段と、
    ＨＣＤ処理ガスを基板に露出してシリコン含有膜を基板上に堆積するための手段とを有している、基板を処理するためのシステム。
  39. 処理システムと、
    処理システムの処理チャンバーに基板を供給するように構成された搬送システムと、
    基板を加熱するためのヒーターと、
    処理システムにおいてＨＣＤ処理ガスを基板に露出するように構成されたガス噴射システムと、
    処理装置を制御するように構成されたコントローラーとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積するための処理装置。
  40. 処理システムがバッチタイプ処理システムまたは単一ウェハー処理システムを有している、請求項３９に記載の処理装置。
  41. 処理システムが処理炉心管を含んでいるバッチタイプ処理システムを有している、請求項３９に記載の処理装置。
  42. 処理システムが熱的処理システムまたはプラズマ処理システムまたは原子層堆積システムを有している、請求項３９に記載の処理装置。
  43. 基板を予備処理するように構成された処理システムをさらに有している、請求項３９に記載の処理装置。
  44. プロセス監視システムをさらに有している、請求項３９に記載の処理装置。
  45. ガス噴射システムは、ＨＣＤと、不活性ガスと、水素含有ガスとシリコン含有ガスとゲルマニウム含有ガスの少なくとも一つとを有しているＨＣＤ処理ガスを基板に露出するように構成されている、請求項３９に記載の処理装置。
  46. ガス噴射システムは、ＨＣＤと、不活性ガスと、ドーパントガスとハロゲン含有ガスの少なくとも一つとを有しているＨＣＤ処理ガスを基板に露出するように構成されている、請求項４０に記載の処理装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010513A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法及び基板処理装置
KR101149380B1 (ko) * 2009-09-30 2012-05-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2016500475A (ja) * 2012-12-06 2016-01-12 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ エピタキシャルウェハおよびその製造方法
JP2017112382A (ja) * 2011-04-04 2017-06-22 オクメティック オーユーイー １層以上の多結晶シリコン層を基材に堆積する方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6987055B2 (en) 2004-01-09 2006-01-17 Micron Technology, Inc. Methods for deposition of semiconductor material
TW200603287A (en) * 2004-03-26 2006-01-16 Ulvac Inc Unit layer posttreating catalytic chemical vapor deposition apparatus and method of film formation therewith
US20060021571A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vacuum pump line with nickel-chromium heater layer
US7547945B2 (en) * 2004-09-01 2009-06-16 Micron Technology, Inc. Transistor devices, transistor structures and semiconductor constructions
US7435665B2 (en) * 2004-10-06 2008-10-14 Okmetic Oyj CVD doped structures
US7384849B2 (en) 2005-03-25 2008-06-10 Micron Technology, Inc. Methods of forming recessed access devices associated with semiconductor constructions
JP4456533B2 (ja) * 2005-06-14 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム
US7282401B2 (en) 2005-07-08 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for a self-aligned recessed access device (RAD) transistor gate
WO2007013464A1 (ja) * 2005-07-29 2007-02-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. 半導体装置の製造方法
JP4832022B2 (ja) * 2005-07-29 2011-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US7358194B2 (en) * 2005-08-18 2008-04-15 Tokyo Electron Limited Sequential deposition process for forming Si-containing films
US7867851B2 (en) 2005-08-30 2011-01-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming field effect transistors on substrates
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
US7700441B2 (en) * 2006-02-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming field effect transistors, methods of forming field effect transistor gates, methods of forming integrated circuitry comprising a transistor gate array and circuitry peripheral to the gate array, and methods of forming integrated circuitry comprising a transistor gate array including first gates and second grounded isolation gates
FR2900277B1 (fr) * 2006-04-19 2008-07-11 St Microelectronics Sa Procede de formation d'une portion monocristalline a base de silicium
US7602001B2 (en) 2006-07-17 2009-10-13 Micron Technology, Inc. Capacitorless one transistor DRAM cell, integrated circuitry comprising an array of capacitorless one transistor DRAM cells, and method of forming lines of capacitorless one transistor DRAM cells
US7772632B2 (en) * 2006-08-21 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Memory arrays and methods of fabricating memory arrays
US7589995B2 (en) * 2006-09-07 2009-09-15 Micron Technology, Inc. One-transistor memory cell with bias gate
KR101281863B1 (ko) * 2006-12-08 2013-07-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 증착 시스템
US20080160786A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 United Microelectronics Corp. Method for increasing film stress and method for forming high stress layer
DE102007010563A1 (de) * 2007-02-22 2008-08-28 IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik Selektives Wachstum von polykristallinem siliziumhaltigen Halbleitermaterial auf siliziumhaltiger Halbleiteroberfläche
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
US7816224B2 (en) * 2008-03-05 2010-10-19 International Business Machines Corporation Method for fabricating an ultra thin silicon on insulator
JP4635062B2 (ja) 2008-03-11 2011-02-16 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2010183069A (ja) * 2009-01-07 2010-08-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
DE102009002129A1 (de) 2009-04-02 2010-10-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Hartstoffbeschichtete Körper und Verfahren zur Herstellung hartstoffbeschichteter Körper
US8206794B2 (en) * 2009-05-04 2012-06-26 The Boeing Company System and method for applying abrasion-resistant coatings
KR101725765B1 (ko) * 2009-09-18 2017-04-12 주성엔지니어링(주) 산화막 증착 방법 및 이를 이용한 비아 콘택 형성 방법
JP2012019095A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN102456731A (zh) * 2010-10-18 2012-05-16 联华电子股份有限公司 半导体结构及其制造方法
KR101789592B1 (ko) 2010-11-08 2017-10-25 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
JP5847566B2 (ja) 2011-01-14 2016-01-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
CN102534561A (zh) * 2011-12-23 2012-07-04 嘉兴科民电子设备技术有限公司 一种工业原子层沉积腔室结构
DE102012108250A1 (de) 2012-09-05 2014-03-06 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Abscheidung von Siliciumschichten
FR2995913B1 (fr) * 2012-09-24 2014-10-10 Commissariat Energie Atomique Procede de formation d'une couche de silicium epitaxiee.
JP2014093345A (ja) * 2012-11-01 2014-05-19 Japan Advanced Institute Of Science & Technology Hokuriku 複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法
JP6349234B2 (ja) * 2014-02-19 2018-06-27 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜の形成装置
CN105047526A (zh) * 2014-04-21 2015-11-11 应用材料公司 沉积中卤素分子用作反应剂增强外延膜中掺杂剂结合的方法
KR20210035449A (ko) 2019-09-24 2021-04-01 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229930A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp エピタキシヤル成長法
JP2002343961A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2003197939A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池用シリコン膜、シリコン太陽電池及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0717796A (ja) * 1993-06-30 1995-01-20 Mitsubishi Materials Corp 単結晶シリコン膜の製造方法
US5766342A (en) 1994-10-19 1998-06-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for forming silicon film and silicon film forming apparatus
US6184158B1 (en) 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
KR100295062B1 (ko) * 1999-08-17 2001-07-12 윤종용 게이트 산화막의 손상을 회복시키는 반도체장치의 게이트 제조방법
WO2001041544A2 (en) 1999-12-11 2001-06-14 Asm America, Inc. Deposition of gate stacks including silicon germanium layers
JP2002025972A (ja) * 2000-07-04 2002-01-25 Asahi Kasei Microsystems Kk 半導体装置の製造方法
US6528430B2 (en) 2001-05-01 2003-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing Si2C16 and NH3
KR100455724B1 (ko) * 2001-10-08 2004-11-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 플러그 형성방법
JP3952735B2 (ja) * 2001-10-25 2007-08-01 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2003179066A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Sony Corp 半導体装置とその製造方法
US20030215570A1 (en) * 2002-05-16 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon nitride
US7540920B2 (en) * 2002-10-18 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Silicon-containing layer deposition with silicon compounds
US6884464B2 (en) * 2002-11-04 2005-04-26 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon comprising films using hexachlorodisilane in a single-wafer deposion chamber
US20040175893A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for forming a substantially facet-free epitaxial film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229930A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Toshiba Corp エピタキシヤル成長法
JP2002343961A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP2003197939A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 太陽電池用シリコン膜、シリコン太陽電池及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010513A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法及び基板処理装置
KR101149380B1 (ko) * 2009-09-30 2012-05-30 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2017112382A (ja) * 2011-04-04 2017-06-22 オクメティック オーユーイー １層以上の多結晶シリコン層を基材に堆積する方法
JP2016500475A (ja) * 2012-12-06 2016-01-12 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ エピタキシャルウェハおよびその製造方法
US9691632B2 (en) 2012-12-06 2017-06-27 Siltronic Ag Epitaxial wafer and a method of manufacturing thereof

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