JP5986066B2 - シリコン及びシリコン含有膜の原子層堆積 - Google Patents
シリコン及びシリコン含有膜の原子層堆積 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5986066B2 JP5986066B2 JP2013502686A JP2013502686A JP5986066B2 JP 5986066 B2 JP5986066 B2 JP 5986066B2 JP 2013502686 A JP2013502686 A JP 2013502686A JP 2013502686 A JP2013502686 A JP 2013502686A JP 5986066 B2 JP5986066 B2 JP 5986066B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- precursor
- substrate
- gas
- combination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
前記熱反射装置30は鏡面仕上の内部表面を有し、メインヒーター20、ボトムヒーター65、トップヒーター15及び排気パイプヒーターからに放射熱の消散を抑制する。螺旋冷却水通路(図示されていない)が、冷却媒体通路として前記プロセスチャンバ10の壁内に形成され得る。前記ヒーター20、65及び15は、例えば前記基板を約20℃と約90℃との間に維持する。
Claims (26)
- 基板上へシリコン含有膜を堆積するための方法であり、前記方法は:
前記シリコン含有膜の原子層堆積(ALD)を実施するように構成されたバッチプロセスシステム内に基板を配置し;
前記基板をシリコンを含む第1の前駆体の非飽和量に暴露し;
前記バッチプロセスシステムから前記第1の前駆体を真空除去又はパージし;
前記基板をシリコン又はドーパントを含む第2の前駆体の飽和量に暴露し、
ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記第1及び第2の前駆体の前記基板上での反応がシリコン含有膜と揮発性水素ハロゲン化物(HX)副生成物を形成し;
前記第2の前駆体及び前記HX副生成物を前記バッチプロセスシステムから真空除去又はパージし;及び
前記暴露及び真空除去又はパージするステップを、前記シリコン含有膜が望ましい厚さを持つまで繰り返す、ことを含む方法。 - 請求項1に記載の方法であり、
前記第1の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まずかつ前記第2の前記がシリコンハロゲン化合物又はハロゲン化ドーパントを含むか、又は
前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化合物を含みかつ前記第2の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まない、方法。 - 請求項2に記載の方法であり、前記シリコン水素化合物が、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)又はそれらの組合せを含む、方法。
- 請求項2に記載の方法であり、前記シリコンハロゲン化合物が、ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む、方法。
- 請求項4に記載の方法であり、前記ハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランが、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項2に記載の方法であり、前記ハロゲン化ドーパントが、リン、ホウ素、ヒ素又はゲルマニウム又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項6に記載の方法であり、前記ハロゲン化ドーパントが、PCl3、PCl5、PF3、PF5、PBr3、PBr5、BCl3、BF3又はGeCl4又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項2に記載の方法であり、前記水素を含むがハロゲンを含まない前記ドーパントが、リン、ホウ素、ヒ素又はゲルマニウム又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項8に記載の方法であり、前記水素を含むがハロゲンを含まない前記ドーパントが、PH3、BH3、B2H6、AsH3、炭化水素又はGeH4又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項1に記載の方法であり、さらに:
前記繰り返しの前に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せのガスによって前記シリコン含有膜を周期的にプラズマ処理することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であり、さらに:
前記繰り返しの前に、プラズマの存在しない状態で不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せのガスによって前記シリコン含有膜を周期的に処理することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であり、前記シリコン含有膜がシリコン膜である、方法。
- 基板上へシリコン含有膜を堆積するための方法であり、前記方法は:
前記シリコン含有膜の原子層堆積(ALD)を実施するように構成されるバッチプロセスシステム内に前記基板を配置し;
前記基板に、第1のシリコン前駆体の非飽和量を暴露し;
前記バッチプロセスシステムから前記第1のシリコン前駆体を真空除去又はパージし;
前記基板を第2のシリコン前駆体の飽和量に暴露し、
ここで前記第1及び第2のシリコン前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記基板上で前記第1及び第2のシリコン前駆体の反応が前記シリコン含有膜と揮発性の水素ハロゲン化物(HX)副生成物を形成し;
前記バッチプロセスシステムから、前記第2のシリコン前駆体と前記HX副生成物を真空除去又はパージし;及び
前記暴露及び真空除去又はパージするステップを、前記シリコン含有膜が望ましい厚さを持つまで繰り返し;及び
前記繰り返しの前に、前記シリコン含有膜を、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガス及びH2ガスの組合せで周期的に処理することを含む、方法。 - 請求項13に記載の方法であり、
前記第1のシリコン前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まず、かつ前記第2のシリコン前駆体がシリコン水素化合物を含むか、又は
前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化合物を含み、かつ前記第2の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンを含まない、方法。 - 請求項14に記載の方法であり、前記シリコン水素化合物が、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)又はこれらの組合せを含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であり、前記シリコンハロゲン化合物が、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含むハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む、方法。
- 請求項13に記載の方法であり、前記処理が、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記シリコン含有膜を周期的にプラズマ処理することを含む、方法。
- 請求項13に記載の方法であり、前記処理が、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記シリコン含有膜を周期的に、プラズマの存在なしで処理することを含む、方法。
- 基板上へドープシリコン膜を堆積するための方法であり、前記方法は:
前記シリコン含有膜の原子層堆積(ALD)を実施するように構成されるバッチプロセスシステム内に前記基板を配置し;
前記基板に、第1のシリコン前駆体の非飽和量を暴露し;
前記バッチプロセスシステムから前記第1のシリコン前駆体を真空除去又はパージし;
前記基板を、ドーパントを含む第2の前駆体の飽和量に暴露し、
ここで前記第1及び第2の前駆体の1つのみがハロゲンを含み、かつ前記基板上で前記第1及び第2の前駆体の反応が前記ドープシリコン膜と揮発性の水素ハロゲン化物(HX)副生成物を形成;
前記バッチプロセスシステムから、前記第2の前駆体と前記HX副生成物を真空除去又はパージし;及び
前記暴露及び真空除去又はパージするステップを、前記ドープシリコン膜が望ましい厚さを持つまで繰り返す、ことを含む方法。 - 請求項19に記載の方法であり、前記第1の前駆体がシリコン水素化合物を含むがハロゲンは含まず、かつ前記第2の前駆体がハロゲン化ドーパントを含むか、又は
前記第1の前駆体がシリコンハロゲン化合物を含み、かつ前記第2の前駆体が水素を含むがハロゲンを含まないドーパントを含む、方法。 - 請求項20に記載の方法であり、前記シリコン水素化合物が、シラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)又はこれらの組合せを含む、方法。
- 請求項20に記載の方法であり、前記シリコンハロゲン化合物が、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2Cl6、SiF4、SiHF3、SiH2F2、SiH3F又はSi2F6又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含むハロゲン化シラン又はハロゲン化ジシランを含む、方法。
- 請求項20に記載の方法であり、前記ハロゲン化ドーパントが、PCl3、PCl5、PF3、PF5、PBr3、PBr5、BCl3、BF3CCl4又はGeCl4又はこれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項20に記載の方法であり、前記水素を含むがハロゲンを含まないドーパントが、PH3、BH3、B2H6、AsH3、炭化水素又はGeH4又はそれらの2又はそれ以上の組合せを含む、方法。
- 請求項19に記載の方法であり、さらに:前記繰り返しの前に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記ドープシリコン膜を周期的に、プラズマ処理することを含む、方法。
- 請求項19に記載の方法であり、さらに:前記繰り返しの前に、不活性ガス、H2ガス又は不活性ガスとH2ガスの組合せで前記ドープシリコン膜を周期的に、プラズマの存在なしで処理することを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/751,774 US8012859B1 (en) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | Atomic layer deposition of silicon and silicon-containing films |
US12/751,774 | 2010-03-31 | ||
PCT/US2011/030116 WO2011123369A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-26 | Atomic layer deposition of silicon and silicon-containing films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013524516A JP2013524516A (ja) | 2013-06-17 |
JP5986066B2 true JP5986066B2 (ja) | 2016-09-06 |
Family
ID=44513546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013502686A Active JP5986066B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-26 | シリコン及びシリコン含有膜の原子層堆積 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8012859B1 (ja) |
JP (1) | JP5986066B2 (ja) |
KR (1) | KR101643031B1 (ja) |
TW (1) | TWI488220B (ja) |
WO (1) | WO2011123369A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8501594B2 (en) * | 2003-10-10 | 2013-08-06 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming silicon germanium layers |
US9997357B2 (en) * | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
CN102646619B (zh) * | 2012-04-28 | 2014-12-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 腔室的压力控制方法 |
US8956704B2 (en) | 2012-05-21 | 2015-02-17 | Novellus Systems, Inc. | Methods for modulating step coverage during conformal film deposition |
JP6022273B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2014192485A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
US8940646B1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-27 | Lam Research Corporation | Sequential precursor dosing in an ALD multi-station/batch reactor |
JP2015159212A (ja) | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | カーボンを含むシリコン膜の形成方法、及び、形成装置 |
TWI500806B (zh) * | 2014-03-10 | 2015-09-21 | Nat Univ Tsing Hua | 碳化矽薄膜的製造方法 |
JP6078604B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-02-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびガス供給系 |
KR102441431B1 (ko) | 2016-06-06 | 2022-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 표면을 갖는 기판을 프로세싱 챔버에 포지셔닝하는 단계를 포함하는 프로세싱 방법 |
JP6630237B2 (ja) * | 2016-06-06 | 2020-01-15 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
US10446393B2 (en) * | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10586844B2 (en) * | 2018-01-23 | 2020-03-10 | Texas Instruments Incorporated | Integrated trench capacitor formed in an epitaxial layer |
KR20200021834A (ko) * | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 주성엔지니어링(주) | 박막 형성 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
CN112753090A (zh) * | 2018-09-21 | 2021-05-04 | 朗姆研究公司 | 低介电常数原子层沉积间隙填充方法和材料 |
KR20210055101A (ko) * | 2018-10-05 | 2021-05-14 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 실리콘-함유 필름의 고온 원자 층 증착 |
CN113166935A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 朗姆研究公司 | 利用间歇调节性清扫的产能提高 |
JP7412257B2 (ja) * | 2019-12-20 | 2024-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
CN112481606A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-12 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种pecvd沉积太阳能电池掺杂层的气源和系统 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6410622A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | Method of growing amorphous substance |
JPH0364019A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜 |
US5225366A (en) * | 1990-06-22 | 1993-07-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors |
JPH0457319A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Toshiba Corp | 単結晶薄膜の形成方法 |
JP2861601B2 (ja) * | 1992-03-04 | 1999-02-24 | 日本電気株式会社 | シリコンエピタキシャル膜の選択成長方法及び成長装置 |
JPH0750690B2 (ja) * | 1992-08-21 | 1995-05-31 | 日本電気株式会社 | ハロゲン化物を用いる半導体結晶のエピタキシャル成長方法とその装置 |
US20060219157A1 (en) * | 2001-06-28 | 2006-10-05 | Antti Rahtu | Oxide films containing titanium |
US9139906B2 (en) * | 2001-03-06 | 2015-09-22 | Asm America, Inc. | Doping with ALD technology |
US7081271B2 (en) * | 2001-12-07 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride |
US6586349B1 (en) * | 2002-02-21 | 2003-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated process for fabrication of graded composite dielectric material layers for semiconductor devices |
WO2003076678A2 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Sundew Technologies, Llc | Ald method and apparatus |
US6846516B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
KR100468729B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | Hcd 소스를 이용하여 실리콘 산화막을 원자층 증착하는방법 |
US7540920B2 (en) * | 2002-10-18 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Silicon-containing layer deposition with silicon compounds |
US7399357B2 (en) | 2003-05-08 | 2008-07-15 | Arthur Sherman | Atomic layer deposition using multilayers |
US6943097B2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Atomic layer deposition of metallic contacts, gates and diffusion barriers |
US7132338B2 (en) | 2003-10-10 | 2006-11-07 | Applied Materials, Inc. | Methods to fabricate MOSFET devices using selective deposition process |
US7166528B2 (en) | 2003-10-10 | 2007-01-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe |
JP4366183B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-11-18 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
US7651729B2 (en) * | 2004-05-14 | 2010-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating metal silicate layer using atomic layer deposition technique |
US7344934B2 (en) | 2004-12-06 | 2008-03-18 | Infineon Technologies Ag | CMOS transistor and method of manufacture thereof |
WO2006087893A1 (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4607637B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
JP2007043147A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Samsung Electronics Co Ltd | 原子層蒸着工程を用いたシリコンリッチナノクリスタル構造物の形成方法及びこれを用いた不揮発性半導体装置の製造方法 |
US7358194B2 (en) * | 2005-08-18 | 2008-04-15 | Tokyo Electron Limited | Sequential deposition process for forming Si-containing films |
US7582562B2 (en) | 2005-10-06 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition methods |
US7964441B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-06-21 | Tokyo Electron Limited | Catalyst-assisted atomic layer deposition of silicon-containing films with integrated in-situ reactive treatment |
CN100590805C (zh) | 2007-06-22 | 2010-02-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 原子层沉积方法以及形成的半导体器件 |
JP5270476B2 (ja) * | 2009-07-07 | 2013-08-21 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5393895B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-01-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
-
2010
- 2010-03-31 US US12/751,774 patent/US8012859B1/en active Active
-
2011
- 2011-03-26 JP JP2013502686A patent/JP5986066B2/ja active Active
- 2011-03-26 KR KR1020127028328A patent/KR101643031B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-26 WO PCT/US2011/030116 patent/WO2011123369A1/en active Application Filing
- 2011-03-31 TW TW100111263A patent/TWI488220B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8012859B1 (en) | 2011-09-06 |
TW201214524A (en) | 2012-04-01 |
JP2013524516A (ja) | 2013-06-17 |
KR101643031B1 (ko) | 2016-07-26 |
KR20130069608A (ko) | 2013-06-26 |
WO2011123369A1 (en) | 2011-10-06 |
TWI488220B (zh) | 2015-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5986066B2 (ja) | シリコン及びシリコン含有膜の原子層堆積 | |
US7358194B2 (en) | Sequential deposition process for forming Si-containing films | |
JP5484729B2 (ja) | Si含有膜の選択的堆積のための断続的堆積処理方法 | |
US7468311B2 (en) | Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane | |
CN110249417B (zh) | 用于深沟槽内的低温选择性外延的方法及设备 | |
KR101133349B1 (ko) | 실리콘 함유 재료 증착 방법, 컴퓨터 판독 가능 매체, 실리콘 함유막 증착용 프로세싱 도구, 및 기판 프로세싱용 시스템 | |
US20060228900A1 (en) | Method and system for removing an oxide from a substrate | |
US7501349B2 (en) | Sequential oxide removal using fluorine and hydrogen | |
US9885123B2 (en) | Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow | |
JP2008198996A (ja) | 微小特徴部位において欠陥を減少させたシリコン又はシリコンゲルマニウムの堆積 | |
CN111197179A (zh) | 多晶硅膜的形成方法和成膜装置 | |
US7405140B2 (en) | Low temperature formation of patterned epitaxial Si containing films | |
US20070039924A1 (en) | Low-temperature oxide removal using fluorine | |
CN113243039B (zh) | 生长掺杂iv族材料的方法 | |
CN113053725A (zh) | 膜形成方法和膜形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5986066 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |