JP2007300084A - プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 - Google Patents
プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007300084A JP2007300084A JP2007097666A JP2007097666A JP2007300084A JP 2007300084 A JP2007300084 A JP 2007300084A JP 2007097666 A JP2007097666 A JP 2007097666A JP 2007097666 A JP2007097666 A JP 2007097666A JP 2007300084 A JP2007300084 A JP 2007300084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- block layer
- image sensor
- mask
- cmos image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【課題】暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止することのできるＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。
【選択図】図２Ｊ
【解決手段】本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含む。
【選択図】図２Ｊ
Description
本発明は、イメージセンサの製造方法に関し、特に、ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法に関する。
一般的に、イメージセンサは、半導体物質が光に反応する性質を用いて映像情報を獲得する装置であって、光の明るさや波長などの異なる被写体を感知する画素毎に異なる電気的値を、信号処理の可能なレベルに切り換える装置を指す。
このようなイメージセンサには、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサとＣＭＯＳイメージセンサとがある。イメージセンサは、外部の被写体映像を撮像した光を吸収して光電荷を蓄積する受光素子として、フォトダイオードを用いる。
図１は、従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオードの部分を示す概略図である。
高濃度のＰ型不純物がドープされたＰ型基板（Ｐ＋＋）１１Ａと、Ｐ型基板１１Ａ上に低濃度のＰ型不純物がインサイチューでドープされてエピタキシャル成長したＰ型エピタキシャル層（Ｐ−エピタキシャル）１１Ｂとからなる基板１１のフォトダイオード領域内に、深いＮ型領域（深いＮ−）１５が形成され、深いＮ型領域１５上にＰ０領域１６が形成される。そして、フォトダイオード領域から離れた基板１１上にトランスファトランジスタＴＸのゲート酸化膜１３とゲート電極１４とが形成される。また、図中に参照符号を付していないが、ゲート電極１４の側壁には、ＬＤＤスペーサが形成される。図中の参照符号「１２」は、素子分離膜を表す。
光が入射すると、深いＮ型領域１５からなる部分とＰ型エピタキシャル層１１ＢとからなるＰＮ接合付近で光による電子−正孔対（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｈｏｌｅ ｐａｉｒ）が発生し、このキャリアが、印加されたバイアスによってトランスファトランジスタＴＸに移動して電流を発生させることにより、光エネルギーを電流に切り換える。
上記の深いＮ型領域１５とその下のＰ型エピタキシャル層１１ＢとからなるＰＮ接合部分が、フォトダイオードになる。
また、フォトダイオードの最上部は、Ｐ型でドープ（Ｐ０領域１６）して、その下のフォトダイオード領域とシリコン表面とを隔離させ、シリコン表面のシリコンダングリングボンドによる暗電流の流入を抑制する。Ｐ０領域１６は、ボロンイオン注入によって形成される。
ところが、フォトダイオードの上部には、ウエハの製造工程において必要な各種のプラズマ処理時に生じる損傷が存在し、暗電流の原因となる。また、フォトレジストを構成している一部の重金属が後続の感光膜除去時に完全に除去されずにフォトダイオードの表面に残り、これが後続の熱処理時に内部へ拡散してしまうと、暗電流の原因となる。しかし、半導体製造工程におけるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染の根本的な除去は困難である。
そこで、本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去工程による重金属汚染を防止することのできるＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオードの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、所定の工程が完了した基板を用意するステップと、該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含むことを特徴とする。
また、本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、基板構造のトランジスタ形成領域の上部にゲート構造を形成するステップと、該ゲート構造の一側の前記基板構造にイオン注入を行い、フォトダイオードを形成するステップと、該フォトダイオードの上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記トランジスタ形成領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、前記マスクを除去するステップとを含むことを特徴とする。
さらに、本発明のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、基板構造のトランジスタ形成領域の上部にゲート構造を形成するステップと、該ゲート構造の一側の前記基板構造に第１マスクを用いた第１イオン注入を行い、フォトダイオードを形成するステップと、該フォトダイオードの上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記トランジスタ形成領域に対して、第２マスクを用いた第２イオン注入を行うステップと、前記ゲート構造の側壁にスペーサを形成するステップと、該スペーサ及びマスクパターンを第３マスクとして用いた第３イオン注入を行うステップとを含むことを特徴とする。
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施形態をさらに詳細に説明する。
本発明の実施形態は、暗電流の原因となるプラズマ損傷や感光膜除去時の重金属汚染を防止するため、フォトダイオードの形成後にフォトダイオードの上部にブロック層を形成する。
図２Ａないし図２Ｌは、本発明の実施形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を示すための断面図である。
図２Ａに示すように、高濃度のＰ型不純物がドープされたＰ型基板（Ｐ＋＋）２１Ａと、Ｐ型基板２１Ａ上に低濃度のＰ型不純物がインサイチューでドープされてエピタキシャル成長したＰ型エピタキシャル層（Ｐ−エピタキシャル）２１Ｂとからなる基板２１に、通常の方法により素子分離膜２２を形成する。例えば、素子分離膜２２は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法にて形成する。
次いで、基板２１の全面に化学気相蒸着（ＣＶＤ）法又は熱酸化法により第１ブロック酸化膜２３を形成する。例えば、第１ブロック酸化膜２３は、化学気相蒸着法によりＴＥＯＳで形成し、第１ブロック酸化膜２３の厚さは２０Å〜２０００Åの範囲とする。
図２Ｂに示すように、第１ブロック酸化膜２３上に感光膜を塗布し、露光及び現像によりパターニングを行い、第１ブロックマスク２４を形成した後、第１ブロックマスク２４をエッチングバリアとして第１ブロック酸化膜２３をエッチングする。このとき、第１ブロック酸化膜２３のエッチングは、プラズマを用いたドライエッチングではなく、ウェットエッチングで行う。これにより、第１ブロック酸化膜２３のエッチング時に露出する基板２１の表面のプラズマ損傷を防止する。好ましくは、第１ブロック酸化膜２３のウェットエッチングは、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行う。第１ブロック酸化膜２３が除去される部分は、フォトダイオードを除く残りの領域（例えば、トランジスタ形成領域）である。すなわち、フォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされた第１ブロック酸化膜２３Ａを残留させる。
図２Ｃに示すように、第１ブロックマスク２４を除去する。このとき、第１ブロックマスク２４は、感光膜で形成されたものであるため、プラズマを用いて除去する。一方、除去時にプラズマを用いるため、パターニングされた第１ブロック酸化膜２３のエッチング後に露出していた基板２１の表面がプラズマ損傷を受ける。しかし、この部分は、フォトダイオードが形成される部分ではないため、除去時にプラズマを用いても構わない。
第１ブロックマスク２４を除去した後の結果をみると、基板２１のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされた第１ブロック酸化膜２３Ａが残留することが分かる。以下、残留するパターニングされた第１ブロック酸化膜２３Ａを、略称して「第１ブロック層２３Ａ」とする。
図２Ｄに示すように、フォトダイオードの形成される領域の上部を第１ブロック層２３Ａでブロックした後、後続のイオン注入を行う。
ここで、後続のイオン注入とは、素子分離膜２２の形成からゲート酸化膜の形成前まで行われるイオン注入工程を指す。このようなイオン注入工程は、感光膜をマスクとして用い、その種類は５〜８種類に及ぶ。これにより、図示してはいないが、図中の参照符号「Ｍ１Ｘ」が表すように、複数回にわたって感光膜除去工程を行う。ここで、「Ｘ」は形成及び除去される感光膜マスクの数を示す。このとき、感光膜の除去は一般的にプラズマを用いて行うため、工程時に生じるプラズマ損傷がフォトダイオードの形成される領域に与えられる。しかし、本発明のように、フォトダイオードの形成される領域の上部を酸化膜からなる第１ブロック層２３Ａでブロックすれば、イオン注入時のプラズマ損傷を防止することができる。
また、感光膜は、少量の重金属を含有しているが、本発明のように製造すれば、フォトダイオードの形成される領域が感光膜と直接接触しなくなるため、重金属の浸透を大きく抑制することができる。
そのため、好ましくは、第１ブロック層２３Ａの厚さを２０Å〜２０００Åの範囲とすると、プラズマ損傷からフォトダイオードの形成される領域を保護することができる。
前述した複数回にわたるイオン注入工程が完了したら、図２Ｅに示すように、基板２１上にゲート酸化によりゲート酸化膜２５を形成する。このとき、ゲート酸化膜２５の形成前にはゲート酸化前洗浄を行うことが必須であるが、このようなゲート酸化前洗浄時において、第１ブロック層２３Ａも全て除去される。例えば、ゲート酸化前洗浄は、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行うが、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液により酸化膜物質の第１ブロック層２３Ａは容易に除去される。さらに、ゲート酸化前洗浄がウェット処理で行われるため、基板２１の表面のプラズマ損傷はない。
図２Ｆ及び図２Ｇに示すように、ゲート酸化膜２５上にゲート電極２６として用いられるポリシリコン膜を蒸着した後、ゲートパターニングを行い、ゲート電極２６を形成する。これらの図においては、トランスファトランジスタＴＸのゲート電極２６のみを示している。ここで、図中の参照符号「２５Ａ」は、パターニングされたゲート酸化膜を表す。
次いで、フォトダイオード形成領域に対して、深いＮ型領域（深いＮ−）２８とＰ０領域（Ｐ０）２９とを形成するため、イオン注入を行う。
より詳しくは、まず、ゲート電極２６上に感光膜を塗布し、露光及び現像によりパターニングを行い、第１イオン注入マスク２７Ａを形成する（図２Ｆ参照）。このとき、第１イオン注入マスク２７Ａにより開放される領域は、フォトダイオードの形成される領域である。このために、第１イオン注入マスク２７Ａの一側面をゲート電極２６の中央付近に整列することができ、他側面を素子分離膜２２のエッジからフォトダイオード形成領域側に一部延長して整列することができる。続いて、通常のイオン注入法によりＮ型不純物のイオン注入（深いＮ−注入）を行い、深いＮ型領域（深いＮ−）２８を形成する。
次に、図２Ｇに示すように、第１イオン注入マスク２７Ａを除去し、Ｐ０領域２９を形成する。このとき、詳しくは、再び感光膜を塗布し、露光及び現像によりパターニングを行い、第２イオン注入マスク２７Ｂを形成した後、Ｐ型不純物（例えば、ボロン）の第１Ｐ０イオン注入（Ｐ０注入）を行う。
上記のような一連の不純物イオン注入により、フォトダイオード形成領域に深いＮ型領域２８とＰ０領域２９とを形成して、フォトダイオードを完成させる。
周知のように、深いＮ型領域２８とその下のＰ型エピタキシャル層２１ＢとからなるＰＮ接合部分が、フォトダイオードになる。フォトダイオードの最上部にはＰ０領域２９が形成され、その下のフォトダイオード領域とシリコン表面とを隔離させ、シリコン表面のシリコンダングリングボンドによる暗電流の流入を抑制する。
図２Ｈに示すように、第２イオン注入マスク２７Ｂを除去する。このとき、第２イオン注入マスク２７Ｂは、プラズマを用いて除去する。
次いで、ゲート電極２６を含む基板の全面に第２ブロック酸化膜３０を蒸着する。このとき、第２ブロック酸化膜３０は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法又は熱酸化法を用いて２０Å〜２０００Åの範囲の厚さに蒸着する。例えば、第２ブロック酸化膜３０は、化学気相蒸着法によりＴＥＯＳで形成する。ここで、第２ブロック酸化膜３０も、プラズマ損傷を防止するブロック層として用いられる。
続いて、第２ブロック酸化膜３０上に感光膜を塗布し、露光及び現像によりパターニングを行い、第２ブロックマスク３１を形成した後、第２ブロックマスク３１をエッチングバリアとして第２ブロック酸化膜３０をエッチングする。このとき、第２ブロック酸化膜３０のエッチングは、プラズマを用いたドライエッチングではなく、ウェットエッチングで行う。これにより、第２ブロック酸化膜３０のエッチング時に露出する基板２１の表面のプラズマ損傷を防止する。好ましくは、第２ブロック酸化膜３０のウェットエッチングは、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行う。第２ブロック酸化膜３０が除去される部分は、フォトダイオードを除く残りの領域である。すなわち、フォトダイオードの形成された領域の上部にパターニングされた第２ブロック酸化膜３０Ａを残留させる。
図２Ｉに示すように、第２ブロックマスク３１を除去する。このとき、第２ブロックマスク３１が感光膜で形成したものであるため、プラズマを用いて除去する。一方、除去時にプラズマを用いるため、第２ブロック酸化膜３０のエッチング後に露出していた基板２１の表面がプラズマ損傷を受ける。しかし、この部分は、フォトダイオードの形成された部分ではないため、除去時にプラズマを用いても構わない。
第２ブロックマスク３１を除去した後の結果をみると、基板２１のフォトダイオードの形成された領域の上部にパターニングされた第２ブロック酸化膜３０Ａが残留することが分かる。以下、残留するパターニングされた第２ブロック酸化膜３０Ａを、略称して「第２ブロック層３０Ａ」とする。
図２Ｊに示すように、フォトダイオードの形成された領域の上部を第２ブロック層３０Ａでブロックした後、後続のイオン注入を行う。ここで、後続のイオン注入とは、ゲートパターニングの後にもフォトダイオードを除く残りのトランジスタ形成領域に感光膜をマスクとして用いて、７〜１０回程度イオン注入（例えば、ＬＤＤイオン注入）を行うことを意味する。これにより、図示してはいないが、図中の参照符号「Ｍ２Ｙ」が表すように、複数回にわたって感光膜除去工程を行う。ここで、「Ｙ」は形成及び除去される感光膜マスクの数を示す。このとき、感光膜除去工程は一般的にプラズマを用いるため、工程時に生じるプラズマ損傷がフォトダイオードの形成された領域に与えられる。しかし、本発明のように、フォトダイオードの形成された領域の上部を酸化膜からなる第２ブロック層３０Ａでブロックすれば、イオン注入時のプラズマ損傷を防止することができる。
また、感光膜は、少量の重金属を含有しているが、本発明のように製造すれば、フォトダイオードの形成された領域が感光膜と直接接触しなくなるため、重金属の浸透を大きく抑制することができる。
図２Ｋに示すように、第２ブロック層３０Ａを残留させた状態で、通常のＬＤＤスペーサ３２を形成する工程を行う。すなわち、第２ブロック層３０Ａを含む全面にスペーサ絶縁膜を蒸着した後、スペーサエッチングを行い、ＬＤＤスペーサ３２を形成する。このとき、ＬＤＤスペーサ３２は、ゲート電極２６の側壁に形成され、ＴＥＯＳ３２Ａと窒化膜３２Ｂとの二重構造となる。一方、第２ブロック層３０Ａの両端側壁と、ゲート電極２６の一側壁に形成された第２ブロック層３０Ａの側壁にも、ＴＥＯＳ３２Ａと窒化膜３２Ｂとの二重構造を形成することができる。
前述したスペーサエッチングは、通常、プラズマを用いたドライエッチングで行うが、スペーサエッチング時に多量のプラズマ損傷がフォトダイオードの上部に与えられても、第２ブロック層３０Ａがこれを全てブロックする。
次に、通常よく知られているソース及びドレインイオン注入を、ＬＤＤスペーサ３２と感光膜とをマスクとして用いて行う。
一方、最初に実施したＰ０領域２９を形成する第１Ｐ０イオン注入のほか、付加的にＬＤＤスペーサの形成後、第２Ｐ０イオン注入を行わなければならない場合は、図２Ｌのような方法を適用する。
同図に示すように、通常のソース及びドレインイオン注入を行った後、第２Ｐ０イオン注入を行うために、まず、第２ブロック層３０Ａをウェットエッチングにより除去する。
ここで、ウェットエッチングは、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行う。このとき、ＬＤＤスペーサ３２において第２ブロック層３０Ａと同じように、酸化膜物質のＴＥＯＳ３２Ａの一部がエッチングされることがある。図中の参照符号「３２Ｃ」は、残留するＴＥＯＳを表し、参照符号「３２Ｄ」は、残留するＬＤＤスペーサを表す。また、第２ブロック層３０Ａは、少なくともフォトダイオードの上部が完全に露出するまで除去し、フォトダイオードエッジ上のゲート電極２６の一側壁には、残留する第２ブロック層３２Ｂの一部が存在することがある。
前述のように、第２ブロック層３０Ａを除去する理由は、第２ブロック層３０Ａが非常に厚いことから、それを予め除去することにより、後続の第２Ｐ０イオン注入を円滑に行うためである。
続いて、第２Ｐ０イオン注入を行う。このとき、第２Ｐ０イオン注入時、イオン注入による基板２１の表面の損傷を防止するため、バッファ酸化膜を５０Å〜２００Åの範囲の薄い厚さに予め形成することもできる。
上述した実施形態によると、本発明は、第１ブロック層及び第２ブロック層を用いて、フォトダイオードの形成前及びフォトダイオードの形成後に行われるイオン注入及び感光膜除去工程によって生じるプラズマ損傷及び重金属汚染を根本的に防止することができる。さらに、ブロック層は、後続のプラズマを用いたドライエッチング時におけるプラズマ損傷も防止する。
本発明は、ブロック層を用いて、フォトダイオードの形成前及びフォトダイオードの形成後に伴うプラズマ損傷及び感光膜除去時の重金属汚染からフォトダイオードをブロックすることにより、暗電流の原因を根本的に遮断することができるという効果がある。
以上、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想の範囲から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
２１ 基板
２２ 素子分離膜
２３Ａ 第１ブロック層
２５Ａ ゲート酸化膜
２６ ゲート電極
２８ 深いＮ型領域
２９ Ｐ０領域
３０Ａ 第２ブロック層
３２ ＬＤＤスペーサ
２２ 素子分離膜
２３Ａ 第１ブロック層
２５Ａ ゲート酸化膜
２６ ゲート電極
２８ 深いＮ型領域
２９ Ｐ０領域
３０Ａ 第２ブロック層
３２ ＬＤＤスペーサ
Claims (29)
- 所定の工程が完了した基板を用意するステップと、
該基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）層を形成するステップと、
該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記フォトダイオードの形成される領域を除く残りの領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、
前記マスクを除去するステップと
を含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記マスクが、感光膜物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記基板のフォトダイオードの形成される領域の上部にパターニングされたブロック層を形成するステップが、
前記基板の上部にブロック層を形成するステップと、
該ブロック層上に前記フォトダイオードの形成される領域の上部を覆うブロックマスクを形成するステップと、
該ブロックマスクを用いて前記ブロック層をエッチングし、前記フォトダイオードの形成される領域の上部に前記パターニングされたブロック層を残留させるステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記ブロック層のエッチングが、ウェットエッチングで行われることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記ウェットエッチングが、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行われることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記パターニングされたブロック層が、酸化膜で形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記酸化膜が、化学気相蒸着法又は熱酸化法にて形成されることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記パターニングされたブロック層が、２０Å〜２０００Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項６に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記ブロックマスクが、感光膜物質を含むことを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 基板構造のトランジスタ形成領域の上部にゲート構造を形成するステップと、
該ゲート構造の一側の前記基板構造にイオン注入を行い、フォトダイオードを形成するステップと、
該フォトダイオードの上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、
該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記トランジスタ形成領域に対して、マスクを用いたイオン注入を行うステップと、
前記マスクを除去するステップと
を含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記マスクが、感光膜物質を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトダイオードの上部にパターニングされたブロック層を形成するステップが、
前記基板構造の上部にブロック層を形成するステップと、
該ブロック層上に前記フォトダイオードの上部を覆うブロックマスクを形成するステップと、
該ブロックマスクを用いて前記ブロック層をエッチングし、前記フォトダイオードの上部に前記パターニングされたブロック層を残留させるステップと
を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記ブロック層のエッチングが、ウェットエッチングで行われることを特徴とする請求項１２に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記ウェットエッチングが、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行われることを特徴とする請求項１３に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記パターニングされたブロック層が、酸化膜で形成されることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記酸化膜が、化学気相蒸着法又は熱酸化法にて形成されることを特徴とする請求項１５に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記パターニングされたブロック層が、２０Å〜２０００Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項１５に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記ブロックマスクが、感光膜物質を含むことを特徴とする請求項１２に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 基板構造のトランジスタ形成領域の上部にゲート構造を形成するステップと、
該ゲート構造の一側の前記基板構造に第１マスクを用いた第１イオン注入を行い、フォトダイオードを形成するステップと、
該フォトダイオードの上部にパターニングされたブロック層を形成するステップと、
該パターニングされたブロック層を残した状態で、前記トランジスタ形成領域に対して、第２マスクを用いた第２イオン注入を行うステップと、
前記ゲート構造の側壁にスペーサを形成するステップと、
該スペーサ及びマスクパターンを第３マスクとして用いた第３イオン注入を行うステップと
を含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記第３イオン注入を行った後、
前記パターニングされたブロック層を除去し、前記フォトダイオードの上部を露出させるステップと、
該露出したフォトダイオードの上部にバッファ膜を形成するステップと、
前記露出したフォトダイオードに対して、第４イオン注入を行うステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記第１マスクと第２マスク、及びマスクパターンが、それぞれ感光膜物質を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトダイオードの上部にパターニングされたブロック層を形成するステップが、
前記基板構造の上部にブロック層を形成するステップと、
該ブロック層上に前記フォトダイオードの上部を覆うブロックマスクを形成するステップと、
該ブロックマスクを用いて前記ブロック層をエッチングし、前記フォトダイオードの上部に前記パターニングされたブロック層を残留させるステップと
を含むことを特徴とする請求項１９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。 - 前記ブロック層のエッチングが、ウェットエッチングで行われることを特徴とする請求項２２に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記ウェットエッチングが、ＢＯＥ又はＨＦ水溶液を用いて行われることを特徴とする請求項２３に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記パターニングされたブロック層が、酸化膜で形成されることを特徴とする請求項１９〜２４のいずれか１項に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記酸化膜が、化学気相蒸着法又は熱酸化法にて形成されることを特徴とする請求項２５に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記パターニングされたブロック層が、２０Å〜２０００Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項２５に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記バッファ膜が、酸化膜物質を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
- 前記ブロックマスクが、感光膜物質を含むことを特徴とする請求項２２に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2006-0038787 | 2006-04-28 | ||
| KR1020060038787A KR100772316B1 (ko) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 플라즈마손상으로부터 포토다이오드를 보호하는 씨모스이미지센서의 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012239027A Division JP5976500B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-10-30 | プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007300084A true JP2007300084A (ja) | 2007-11-15 |
| JP5161475B2 JP5161475B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=38648819
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007097666A Active JP5161475B2 (ja) | 2006-04-28 | 2007-04-03 | プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP2012239027A Active JP5976500B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-10-30 | プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012239027A Active JP5976500B2 (ja) | 2006-04-28 | 2012-10-30 | プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7629216B2 (ja) |
| JP (2) | JP5161475B2 (ja) |
| KR (1) | KR100772316B1 (ja) |
| CN (2) | CN101064281B (ja) |
| TW (1) | TWI336521B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016538713A (ja) * | 2013-10-17 | 2016-12-08 | マイクロン テクノロジー， インク． | 欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100870821B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2008-11-27 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 후면 조사 이미지 센서 |
| CN103872066B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-08-17 | 上海华力微电子有限公司 | 减少互补式金氧半导体影像传感器白像素的方法 |
| CN105428383A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-23 | 豪威科技(上海)有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制造方法 |
| KR20200143089A (ko) | 2019-06-14 | 2020-12-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 센서 및 전자 장치 |
| JP7069275B2 (ja) | 2020-11-04 | 2022-05-17 | ユニバーサル製缶株式会社 | ボトル缶の製造方法 |
| CN113764452B (zh) * | 2021-09-06 | 2024-04-26 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | 像素单元结构及其形成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012822A (ja) * | 1998-04-23 | 2000-01-14 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2005072236A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2005302836A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2921567B1 (ja) * | 1998-04-22 | 1999-07-19 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6333205B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-12-25 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager with selectively silicided gates |
| JP3782297B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR100464949B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2005-01-05 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 포토다이오드의 표면 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법 |
| JP4541666B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2010-09-08 | 三星電子株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
| KR100494645B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2005-06-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 스페이서 블록마스크를 적용한 시모스 이미지센서의제조방법 |
| US6974715B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-12-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film |
| KR100495411B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2005-06-14 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 스페이서 식각 버퍼질화막을 적용한 시모스 이미지센서의제조방법 |
| JP2004335588A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Renesas Technology Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US6908839B2 (en) * | 2003-09-17 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method of producing an imaging device |
| KR20050072236A (ko) | 2004-01-06 | 2005-07-11 | 정천수 | 당구용 팁 가공장치 |
| US6900507B1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Apparatus with silicide on conductive structures |
| KR100741933B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR20060077115A (ko) * | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 식각 공정으로 인한 활성영역의 어택을 방지할 수 있는씨모스 이미지센서 제조 방법 |
| KR100746222B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2007-08-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조방법들 |
| KR100672729B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-01-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100653716B1 (ko) * | 2005-07-19 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100741877B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-04-28 KR KR1020060038787A patent/KR100772316B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-03-28 US US11/727,750 patent/US7629216B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-03 JP JP2007097666A patent/JP5161475B2/ja active Active
- 2007-04-04 TW TW096112131A patent/TWI336521B/zh active
- 2007-04-25 CN CN2007100979708A patent/CN101064281B/zh active Active
- 2007-04-25 CN CN2010101872926A patent/CN101866938B/zh active Active
-
2009
- 2009-11-16 US US12/619,465 patent/US8460993B2/en active Active
-
2012
- 2012-10-30 JP JP2012239027A patent/JP5976500B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012822A (ja) * | 1998-04-23 | 2000-01-14 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2005072236A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2005302836A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016538713A (ja) * | 2013-10-17 | 2016-12-08 | マイクロン テクノロジー， インク． | 欠陥の少ないエピタキシャルフォトニックデバイスを提供する方法およびその結果生じる構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101866938A (zh) | 2010-10-20 |
| KR100772316B1 (ko) | 2007-10-31 |
| US20070254424A1 (en) | 2007-11-01 |
| CN101064281A (zh) | 2007-10-31 |
| US7629216B2 (en) | 2009-12-08 |
| JP2013065862A (ja) | 2013-04-11 |
| CN101064281B (zh) | 2010-07-21 |
| JP5161475B2 (ja) | 2013-03-13 |
| JP5976500B2 (ja) | 2016-08-23 |
| TWI336521B (en) | 2011-01-21 |
| CN101866938B (zh) | 2012-09-26 |
| TW200746408A (en) | 2007-12-16 |
| US8460993B2 (en) | 2013-06-11 |
| US20100062576A1 (en) | 2010-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4051059B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| US7531374B2 (en) | CMOS image sensor process and structure | |
| JP5976500B2 (ja) | プラズマ損傷からフォトダイオードを保護するｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 | |
| KR101617950B1 (ko) | 포토다이오드 게이트 유전체 보호 층 | |
| US7560330B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
| US20090212335A1 (en) | Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor and fabricating method thereof | |
| JP2010118435A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 | |
| TWI613816B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| KR100731064B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| US8679884B2 (en) | Methods for manufacturing semiconductor apparatus and CMOS image sensor | |
| US8076207B2 (en) | Gate structure and method of making the same | |
| JP2009071308A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| US20070077678A1 (en) | Method of fabricating image sensors | |
| US20080124830A1 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
| KR100587608B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100841208B1 (ko) | 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법 | |
| TWI286382B (en) | Photo diode and method for manufacturing the same | |
| KR100776162B1 (ko) | 이미지 소자의 제조방법 | |
| TWI471915B (zh) | 閘極結構及其製作方法 | |
| KR20100078045A (ko) | 시모스 이미지 센서 제조 방법 | |
| JP2011204740A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| KR20070050511A (ko) | 소자 분리 영역 형성 방법 및 이를 이용한 이미지 소자형성 방법 | |
| KR20060095535A (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20070008117A (ko) | 시모스 이미지센서의 실리사이드 형성방법 | |
| KR20100052729A (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090624 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090713 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100118 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121030 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121214 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5161475 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |