JP2009071308A - イメージセンサの製造方法 - Google Patents
イメージセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009071308A JP2009071308A JP2008231440A JP2008231440A JP2009071308A JP 2009071308 A JP2009071308 A JP 2009071308A JP 2008231440 A JP2008231440 A JP 2008231440A JP 2008231440 A JP2008231440 A JP 2008231440A JP 2009071308 A JP2009071308 A JP 2009071308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- image sensor
- layer
- manufacturing
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
- H01L21/76213—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose
- H01L21/76216—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】半導体基板の後面を取り除いて、イメージセンサの感度を向上させることができるイメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサの製造方法は、トランジスタを含む回路が形成された半導体基板１０を準備する工程と、半導体基板１０に水素イオン層を形成する工程と、水素イオン層が形成された半導体基板１０上に金属配線層及びカラーフィルタアレイ５２を形成する工程と、熱処理プロセスを実施し半導体基板１０に水素ガス層を形成して、水素ガス層によって半導体基板１０の一端が除去される工程と、を含む。
【選択図】図１０
【解決手段】イメージセンサの製造方法は、トランジスタを含む回路が形成された半導体基板１０を準備する工程と、半導体基板１０に水素イオン層を形成する工程と、水素イオン層が形成された半導体基板１０上に金属配線層及びカラーフィルタアレイ５２を形成する工程と、熱処理プロセスを実施し半導体基板１０に水素ガス層を形成して、水素ガス層によって半導体基板１０の一端が除去される工程と、を含む。
【選択図】図１０
Description
本発明は、イメージセンサの製造方法に関するものである。
一般的に、イメージセンサは、光学的映像(optical image)を電気的信号に変換させる半導体素子として、大きく電荷結合素子とＣＭＯＳイメージセンサに分けられる。
ＣＭＯＳイメージセンサは、単位画素内にフォトダイオードとモストランジスタを形成させることで、スイッチング方式で各単位画素の電気的信号を順次に検出して映像を具現する。
本発明は、半導体基板の後面を取り除いて、イメージセンサの感度を向上させることができるイメージセンサの製造方法を提供することを目的とする。
本発明におけるイメージセンサの製造方法は、トランジスタを含む回路が形成された基板を準備する工程と、前記基板に水素イオン層を形成する工程と、前記水素イオン層が形成された基板上に金属配線層及びカラーフィルタアレイを形成する工程と、熱処理プロセスを実施し前記基板に水素ガス層を形成して、前記水素ガス層によって前記基板の一端が除去される工程を含む。
本発明に係るイメージセンサの製造方法によれば、半導体基板に水素イオン層を形成し、熱プロセスを実施し水素ガス層を形成することで、半導体基板の後面を取り除いてイメージセンサの感度を向上させることができる。
以下、実施例に係るイメージセンサの製造方法を添付された図面を参照して詳細に説明する。
実施例の説明において、各層の〔上/下(on/under)〕に形成されることと記載する場合において、上/下は、直接(directly)または他の層を介在して(indirectly)形成されることを含む。
実施例の説明において、ＣＭＯＳイメージセンサに対する構造の図面を用いて説明するが、本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサに限定されるのではなく、ＣＣＤイメージセンサ等すべてのイメージセンサに適用が可能である。
図１乃至図１０は、実施例に係るイメージセンサの製造方法の工程断面図である。
まず、図１に図示するように、半導体基板１０に素子分離膜１２を形成する。
半導体基板１０は、高濃度のＰ＋＋型シリコン基板上に低濃度のｐ型エピ層（図示せず）が形成されていてもよい。
これによって、ｐ型エピ層に起因してフォトダイオードの空乏領域を大きく深くすることができ、光電荷を集めるためのフォトダイオードの能力(ability)を増加させることができる。
また、ｐ型エピ層の下部に高濃度のＰ＋＋型基板を持つようになれば、隣合う単位画素に電荷が拡散する前に、その電荷が再結合(Recombination)するため、光電荷の不規則拡散(Random Diffusion)を減少させ、光電荷の伝達機能変化を減少させることができる。
素子分離膜１２は、半導体基板１０にトレンチを形成した後、トレンチ内部にイオンを注入してチャンネルストップイオン注入領域１３を形成した後、絶縁物質を埋め立てて形成されてもよい。
チャンネルストップイオン注入領域１３は、隣接ピクセル間に発生する混線や漏洩電流等を防止することができる。
続いて、図２に図示するように、半導体基板１０上にゲート酸化膜２２及びゲート電極２４で構成されたゲート２５を形成する。
ゲート酸化膜２２及びゲート電極２４は、半導体基板１０上に酸化膜及びポリシリコン膜を形成した後、パターニングして形成されてもよい。
本実施例で、ゲート電極２４はポリシリコンで形成されるが、これに限定されることはなく、ゲート電極２４は金属珪化物層で形成されてもよい。
続いて、図３に図示するように、ゲート２５が形成された半導体基板１０上に第１フォトレジストパターン２６を形成した後、第１イオン注入プロセスを実施し第１イオン注入層１４を形成する。
第１イオン注入層１４は、ｎ型不純物を注入して形成されてもよい。
続いて、図４に図示するように、第１フォトレジストパターン２６をマスクで第２イオン注入プロセスを実施し第２イオン注入層１６を形成する。
第２イオン注入層１６はｐ型不純物を注入して形成されてもよく、第１イオン注入層１４と接してｐ−ｎ接合領域１７を形成されてもよい。
ｐ−ｎ接合領域１７と半導体基板１０とを接続させることでＰＮＰフォトダイオードとして機能させてもよい。
続いて、第１フォトレジストパターン２６を取り除いた後、図５に図示するように、半導体基板１０に第２フォトレジストパターン２７を形成して、第３イオン注入プロセスを実施し第３イオン注入層１８を形成する。
第３イオン注入層１８は、高濃度のｎ型不純物を注入して形成されてもよく、フローティングデフュージョン(Floating Diffusion)領域として機能させてもよい。
ｐ−ｎ接合領域１７で生成された光電荷は第３イオン注入層１８に転送され、第３イオン注入層１８に転送された光電荷は回路部に転送される。
そして、図６に図示するように、ゲート２５の側壁にスペーサー２８が形成される。
スペーサー２８は、ゲート２５が形成された半導体基板１０上にオキサイド、ナイトライド及びオキサイドを順次に形成したＯＮＯ(Oxide-Nitride-Oxide)膜を形成し、蝕刻プロセスを実施して形成されてもよい。
本実施例では、ＯＮＯ膜で形成された構造を持つスペーサー２８について説明しているが、これに限定されることはなく、スペーサー２８はナイトライド及びオキサイドのＯＮ(Oxide-Nitride)構造を持つこともできる。
続いて、図７に図示するように、ゲート２５及びスペーサー２８が形成された半導体基板１０全面に、第４イオン注入プロセスを実施し水素イオン層３０を形成する。
第４イオン注入プロセスは、水素イオンＨ＋を利用して行うことができる。
第４イオン注入プロセス時に利用されるイオン注入エネルギーによって、水素イオン層３０が形成される深さを変化させることができる。
水素イオン層３０は、以後熱処理プロセスによって、水素イオン層３０が水素ガスＨ２層に変換され、半導体基板１０後面の一部を分離させることができる。
そして、図８に図示するように、ゲート２５が形成された半導体基板１０上にプリメタル絶縁膜４１を形成して、プリメタル絶縁膜４１上に配線４２が形成された金属配線層４０を形成する。
そして、図９に図示するように、熱処理プロセスを実施し水素ガス層３５を形成する。
水素ガス層３５は、水素イオン層３０が形成された半導体基板１０に熱処理プロセスを施すことで、水素イオン層３０が水素ガス層３５に変換される。
この時、水素イオン層３０が水素ガス層３５に変換され、半導体基板１０後面の一部を分離させることができる。
この際、水素イオン層３０の形成深さにしたがって、分離される半導体基板１０の厚さが変化する。
すなわち、第４イオン注入プロセスを行う時、イオン注入エネルギーを調節して、水素イオン層３０が形成される深さを調節することで、半導体基板１０より分離される後面の厚さを調節することができる。
そして、図１０に図示するように、半導体基板１０の後面にカラーフィルタアレイ５２を形成する。
カラーフィルタアレイ５２は、カラーフィルター形成用物質を塗布しパターニングして、受光領域の単位画素に対応する領域に形成されてもよい。
カラーフィルタアレイ５２が半導体基板１０の後面に形成されるため、本実施例に係るイメージセンサでは、半導体基板１０の後面より光が入射する。
続いて、図示してはないが、カラーフィルタアレイ５２と対応する領域に、マイクロレンズ、及び当該マイクロレンズを保護するためのマイクロレンズ保護膜が更に形成されてもよい。
以上で説明したように、半導体基板１０の後面を分離し取り除くことで、イメージセンサの感度を向上させることができる。
１０ 半導体基板、 １２ 素子分離膜、 １３ チャンネルストップイオン注入領域、 １４ 第１イオン注入層、 １６ 第２イオン注入層、 １７ ｐ−ｎ接合領域、 １８ 第３イオン注入層、 ２２ ゲート酸化膜、 ２４ ゲート電極、 ２５ ゲート、 ２６ 第１フォトレジストパターン、 ２７ 第２フォトレジストパターン、 ２８ スペーサー、 ３０ 水素イオン層、 ３５ 水素ガス層、 ４０ 金属配線層、 ４１ プリメタル絶縁膜、 ４２ 配線、 ５２ カラーフィルタアレイ。
Claims (10)
- トランジスタを含む回路が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板に水素イオン層を形成する工程と、
前記水素イオン層が形成された前記半導体基板上に金属配線層を形成する工程と、
熱処理プロセスを実施し前記半導体基板に水素ガス層を形成して、前記半導体基板の一端を取り除く工程と、
を備えることを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記トランジスタを含む回路が形成された半導体基板を準備する工程は、
素子分離膜が形成された前記半導体基板上にゲートを形成する工程と、
前記ゲートを含む前記半導体基板にｐ-ｎ接合領域及び拡散領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記素子分離膜は、前記半導体基板にトレンチを形成した後、絶縁物質を埋め立てて形成されることを特徴とする請求項２に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記素子分離膜と半導体基板との間に配置されるイオン層を形成する工程を更に含み、
前記イオン層は、前記半導体基板にトレンチを形成した後、前記トレンチにイオン注入プロセスを実施して形成されることを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記水素イオン層は、前記熱処理プロセスによって水素ガス層に変換されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記水素イオン層が形成される位置によって、前記半導体基板の一端の除去される厚さが変わることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記半導体基板の一端が除去された領域に、カラーフィルタアレイが形成されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記トランジスタを含む回路は、前記金属配線層とカラーフィルタアレイの間に配置されることを特徴とする請求項７に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記カラーフィルタアレイと対応する領域にマイクロレンズが形成され、
前記カラーフィルタアレイは、前記トランジスタを含む回路とマイクロレンズの間に配置されたことを特徴とする請求項７に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記マイクロレンズを保護するための保護膜が更に形成されることを特徴とする請求項９に記載のイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20070091338 | 2007-09-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009071308A true JP2009071308A (ja) | 2009-04-02 |
Family
ID=40432293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008231440A Pending JP2009071308A (ja) | 2007-09-10 | 2008-09-09 | イメージセンサの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090068784A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009071308A (ja) |
| CN (1) | CN101388361A (ja) |
| DE (1) | DE102008046253A1 (ja) |
| TW (1) | TW200917470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012079745A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US9136420B2 (en) | 2010-10-04 | 2015-09-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with photoelectric conversion section, method of manufacturing the same, and electronic device with photoelectric conversion section |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8951826B2 (en) * | 2012-01-31 | 2015-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for increasing photodiode full well capacity |
| TWI540710B (zh) * | 2012-06-22 | 2016-07-01 | Sony Corp | A semiconductor device, a method for manufacturing a semiconductor device, and an electronic device |
| TWI562345B (en) * | 2016-03-04 | 2016-12-11 | Silicon Optronics Inc | Image sensing device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077044A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Japan Atom Energy Res Inst | シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法 |
| WO2003019668A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Atmel Grenoble S.A. | Capteur d'image couleur a colorimetrie amelioree et procede de fabrication |
| JP2006351761A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2007115948A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2681472B1 (fr) * | 1991-09-18 | 1993-10-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur. |
| KR100989006B1 (ko) * | 2003-03-13 | 2010-10-20 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| KR100640980B1 (ko) * | 2005-08-10 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
-
2008
- 2008-09-05 US US12/205,026 patent/US20090068784A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-05 CN CNA2008102121202A patent/CN101388361A/zh active Pending
- 2008-09-05 TW TW097134299A patent/TW200917470A/zh unknown
- 2008-09-08 DE DE102008046253A patent/DE102008046253A1/de not_active Withdrawn
- 2008-09-09 JP JP2008231440A patent/JP2009071308A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077044A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Japan Atom Energy Res Inst | シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法 |
| WO2003019668A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Atmel Grenoble S.A. | Capteur d'image couleur a colorimetrie amelioree et procede de fabrication |
| JP2005501421A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-13 | アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム | 測色の向上したカラー画像センサ及びその製造方法 |
| JP2006351761A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2007115948A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012079745A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US9136420B2 (en) | 2010-10-04 | 2015-09-15 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with photoelectric conversion section, method of manufacturing the same, and electronic device with photoelectric conversion section |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200917470A (en) | 2009-04-16 |
| US20090068784A1 (en) | 2009-03-12 |
| CN101388361A (zh) | 2009-03-18 |
| DE102008046253A1 (de) | 2009-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4051059B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| US7560330B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
| US7361527B2 (en) | Image sensor with improved charge transfer efficiency and method for fabricating the same | |
| KR100894387B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100896876B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US20080157138A1 (en) | Cmos image sensor and method for fabricating the same | |
| US20050253214A1 (en) | Solid-state imaging device | |
| KR100772316B1 (ko) | 플라즈마손상으로부터 포토다이오드를 보호하는 씨모스이미지센서의 제조 방법 | |
| JP2009071308A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| US20090166687A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
| CN100576511C (zh) | Cmos图像传感器的制造方法 | |
| CN112599548B (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| KR100949236B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR101038789B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100949237B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20100025873A (ko) | 혼색 방지 불순물 격리 구조를 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100670537B1 (ko) | 광 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20070064856A (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
| KR20070033694A (ko) | 시모스 이미지센서 제조 방법 | |
| KR20070071018A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US20070161144A1 (en) | Method for Manufacturing CMOS Image Sensor | |
| KR101348823B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100720492B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100841208B1 (ko) | 암신호 감소를 위한 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100982604B1 (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110810 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120417 |