JP2007115948A - 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ - Google Patents
固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007115948A JP2007115948A JP2005306836A JP2005306836A JP2007115948A JP 2007115948 A JP2007115948 A JP 2007115948A JP 2005306836 A JP2005306836 A JP 2005306836A JP 2005306836 A JP2005306836 A JP 2005306836A JP 2007115948 A JP2007115948 A JP 2007115948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- state imaging
- imaging device
- solid
- photoelectric conversion
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】STI構造を形成する際に電荷蓄積部が減少することを抑え、ダイナミックレンジが大きな固体撮像装置及びカメラを実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる基板1に形成され、電荷蓄積部4を有するフォトダイオード2と、フォトダイオード2からの電荷を読み出すMOS型トランジスタと、基板1の光電変換部2とMOS型トランジスタとの間の領域に形成された溝部に埋め込まれた絶縁材料からなるSTI構造の素子分離領域3とを備えている。溝部の側壁にはフォトダイオード2と接するように、電荷蓄積部4の導電型と反対の導電型を有する側壁層7が形成されており、側壁層7の厚さは、50nm以上且つ200nm以下である。
【選択図】図1
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる基板1に形成され、電荷蓄積部4を有するフォトダイオード2と、フォトダイオード2からの電荷を読み出すMOS型トランジスタと、基板1の光電変換部2とMOS型トランジスタとの間の領域に形成された溝部に埋め込まれた絶縁材料からなるSTI構造の素子分離領域3とを備えている。溝部の側壁にはフォトダイオード2と接するように、電荷蓄積部4の導電型と反対の導電型を有する側壁層7が形成されており、側壁層7の厚さは、50nm以上且つ200nm以下である。
【選択図】図1
Description
本発明は、CMOS型の固体撮像装置、その製造方法及びカメラに関する。
MOS(Metal Oxide Semiconductor)型の固体撮像装置は、各画素を構成するフォトダイオードに蓄積された信号を、MOS型トランジスタを含む増幅回路によって読み出すイメージセンサである。このMOS型固体撮像装置は低電圧で動作すると共に、高速電荷読み出しが可能であり、さらに周辺回路とワンチップ化することができるという長所を有している。このため、MOS型固体撮像装置はパーソナルコンピュータ用小型カメラ及び携帯電話等の携帯機器に用いる撮像素子として注目されている。
しかし、MOS型固体撮像装置は、CCD(Charge Cuppled Device)型の固体撮像装置と比べ、セルサイズが大きく、感度が劣るという傾向があり、さらなるセルサイズの縮小及び感度の向上が必要とされている。
MOS型固体撮像装置において、半導体基板の上に形成されたフォトダイオードである光電変換部とMOS型トランジスタとをそれぞれ分離する素子分離領域には、一般的に熱酸化膜であるLOCOS(Local Oxidation of Silicon)が形成されている。しかし、LOCOSを用いた場合には、素子分離特性を満たすために素子分離領域の幅を広くする必要がある。さらに、LOCOSを形成する場合にバーズビークが発生するため、活性領域の幅を十分に確保する必要がある。このため、一画素あたりの素子分離領域の占有面積及び活性領域の占有面積を大きくしなければならないので、セルサイズを縮小することは困難である。
このため、素子分離領域としてシリコン酸化(SiO2)膜に側壁及び底面が覆われた溝部に、SiO2等の絶縁膜が埋め込まれた浅溝型構造の素子分離(STI:Shallow Trench Isolation)を用いることが試みられている(例えば、特許文献1及び2を参照。)。
素子分離領域をSTI構造により形成した場合には、バーズビークが発生しないので素子分離領域が受光領域にはみ出すことはない。従って、MOS型トランジスタの活性領域の幅を狭くすることができるので、受光領域の面積の減少を防ぎ、受光領域の面積を大きく確保することができる。また、STI構造の素子分離領域は、絶縁材料の幅をLOCOS構造等よりも狭くすることができるため、素子分離領域の面積を縮小できる。従って、一画素あたりに占める素子分離領域の面積を小さくすることができるので、フォトダイオードの感度を向上させることが可能となる。
特開2004−39832公報、
特開平11−274454号公報
しかしながら、従来のSTI構造を有するMOS型固体撮像装置においては、セルサイズの縮小については考慮されているがダイナミックレンジの低下については考慮されていないという問題がある。
MOS型固体撮像装置においてSTI構造の素子分離領域を形成する際には、溝部の側壁及び底面を熱酸化することによりSiO2膜を形成している。また、MOS型トランジスタのゲート絶縁膜にも熱酸化により形成されたSiO2膜が用いられている。これは、MOS型固体撮像装置においては、電荷蓄積量を確保する必要から2V以上の電圧で駆動するため、ゲート絶縁膜を薄膜化する必要がなく、熱酸化により形成されたSiO2膜を用いても耐圧の劣化等が生じないことによる。
一方、光電変換部と素子分離領域との間には、分離特性を向上させるために光電変換部の電荷蓄積部と逆の導電型を有する不純物拡散層であるチャネルストッパ層が形成されている。熱酸化法により溝部の側壁及び底面にSiO2膜を形成する場合及びゲート絶縁膜を熱酸化法により形成する場合には、熱処理プロセスにおいてチャネルストッパ層が広がり、電荷蓄積部のサイズが小さくなるという問題が生じる。特に画素のサイズが3μm角以下の場合には、電荷蓄積部の減少によりダイナミックレンジが大きく減少するため大きな問題となる。
本発明は、前記従来の問題を解決し、STI構造の素子分離領域を形成する際に電荷蓄積部が減少することを抑え、ダイナミックレンジが大きな固体撮像装置及びカメラを実現できるようにすることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は固体撮像装置を、光電変換部と素子分離領域との間に形成されたチャネルストッパ層が薄く、光電変換部のサイズが縮小されない構成とする。
具体的に本発明に係る固体撮像装置は、シリコンからなる基板に形成され、電荷を蓄積する電荷蓄積部を含む光電変換部と、基板に形成され、光電変換部から蓄積された電荷を読み出すMOS型トランジスタと、基板における光電変換部とMOS型トランジスタとの間の領域に形成された溝部に絶縁材料が埋め込まれてなる、浅溝型構造の素子分離領域と、溝部の側壁部と光電変換部との間の領域に形成され、電荷蓄積部と導電型が異なるチャネルストッパ層とを備え、チャネルストッパ層の厚さは、50nm以上且つ200nm以下であることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置によれば、チャネルストッパ層の厚さは、50nm以上且つ200nm以下であるため、チャネルストッパ層により光電変換部のサイズが減少することがない。従って、電荷蓄積部の電荷蓄積容量が減少することがないので、ダイナミックレンジが大きい固体撮像装置を実現することができる。
本発明の固体撮像装置において、MOS型トランジスタはゲート絶縁膜を有し、素子分離領域は、溝部の側壁を覆う側壁酸化膜を有し側壁酸化膜及びゲート絶縁膜は、減圧湿式酸化法により形成されたシリコン酸化膜であることが好ましい。このような構成とすることにより、チャネルストッパ層の厚さを確実に50nm以上且つ200nm以下とすることができる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、シリコンからなる基板に、電荷を蓄積する電荷蓄積部を有する光電変換部を形成する工程(a)と、基板の光電変換部と隣接する部分に素子分離領域となる溝部を形成する工程(b)と、溝部の側壁に電荷蓄積部と導電型が異なるチャネルストッパ層を形成する工程(c)と、減圧湿式酸化法により溝部の側壁を覆う側壁酸化膜を形成する工程(d)を備えていることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、チャネルストッパ層を覆う側壁酸化膜を減圧湿式酸化(ISSG)法により形成する工程を備えているため、側壁酸化膜を形成する際にチャネルストッパ層が熱拡散することを抑えることができる。従って、光電変換部のサイズが減少することを防止できるので、電荷蓄積部の電荷蓄積容量が減少することがない。その結果、ダイナミックレンジが大きい固体撮像装置を実現することが可能となる。
本発明の固体撮像装置の製造方法は、工程(d)よりも後に、基板における素子分離領域により光電変換部と絶縁された領域にMOS型トランジスタを形成する工程をさらに備え、MOS型トランジスタを形成する工程において、ゲート絶縁膜を減圧湿式酸化法により形成することが好ましい。
このような構成とすることにより、ゲート絶縁膜を形成する際にチャネルストッパ層が熱拡散することを抑えることができるため、電荷の蓄積容量の減少を確実に防ぐことができる。
本発明の固体撮像装置の製造方法において、ゲート絶縁膜は、窒素を含んでいることが好ましい。
本発明のカメラは、本発明の固体撮像装置を備えていることを特徴とする。
本発明の固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラによれば、STI構造を形成する際に電荷蓄積部が減少することを抑え、ダイナミックレンジが大きな固体撮像装置及びカメラを実現できる。
本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は一実施形態に係る固体撮像装置の光電変換部の周辺領域における断面構造を示している。図1において配線及び層間絶縁膜の記載は省略している。
図1に示すようにシリコンからなる基板1の表面付近に、光電変換部であるフォトダイオード2とMOS型トランジスタの活性層13とが素子分離領域3により互いに絶縁されて形成されている。フォトダイオード2は基板1の表面側からP+型の表面層5、N型の電荷蓄積層4及びP-型層6が順次積層されたP+NP-型の構造を有している。
フォトダイオード2に入射した光は、電荷蓄積層4とP-型層6とのPN接合界面に到達すると光電変換されて正孔と電子とを発生させる。このため、入射光量に応じた信号電荷(電子)が、電荷蓄積層4と表面層5との間に生じる空乏領域及び電荷蓄積層4とP-型層6との間に生じる空乏層領域に蓄積される。なお、最上面に設けられた表面層5により、フォトダイオード2の表面において熱エネルギー等でランダムに発生する電荷を低減することができる。
フォトダイオード2と活性層13との間に形成された素子分離領域3は、浅溝型の素子分離(STI)構造を有し、溝部の側壁及び底面に形成された側壁酸化膜10と、側壁酸化膜10に覆われた溝部を埋める絶縁膜9とにより形成されている。側壁酸化膜10は、厚さが10nm〜40nmのSiO2膜である。これは、熱酸化法で形成され、STIエッジ部が丸められて、ゲート電極とトランジスタ活性領域のSTIエッジ近傍の距離が広がるので、トランジスタ活性領域のゲートエッジ部の電界集中が低減でき、その結果、ハンプ特性が改善される。
また、素子分離領域3はチャネルストッパ層であるP+型の側壁層7に囲まれている。これは、表面層5と同様の効果により素子分離領域3と基板1との界面においてランダムに発生する電荷を低減するために形成されている。従って、側壁層7のうちの少なくともフォトダイオード2の側面と素子分離領域3の側面との間の部分は、固体撮像装置のノイズ特性改善のために不可欠である。しかし、P+型の側壁層7の厚さが厚くなるとN型の電荷蓄積層4のサイズが小さくなり、フォトダイオード2のダイナミックレンジが低下する。従って、側壁層7の厚さは50nm以上且つ200nm以下であることが好ましい。
本実施形態においては、MOS型トランジスタとしてN型のトランジスタを用いているため、基板1のMOS型トランジスタが形成された領域にはP型のウェル8が形成されている。また、活性層13の上にはゲート酸化膜11が形成され、ゲート酸化膜11の上にはゲート電極12が形成されている。本実施形態においては、ゲート酸化膜11は厚さが3nm〜15nmのSiO2膜である。
以下に、一実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図2は本実施形態の固体撮像装置の製造方法を工程順に示している。
図2(a)に示すように、基板1の表面付近にフォトダイオード2を形成した後、フォトダイオード2と隣接する領域に素子分離領域3を形成するための溝部3aを形成する。
次に、図2(b)に示すように溝部3aの側壁及び底面にホウ素を注入して、P+型の側壁層7を形成する。
次に、図2(c)に示すように溝部3aの側壁及び底面に側壁酸化膜10を形成する。側壁酸化膜10は、減圧湿式(ISSG:In Situ Steam Generation)酸化法により形成する。ISSG酸化法による酸化機構は、水素と酸素を燃焼する際に発生するラジカル酸化種による酸化であり、シリコン原子上に活性酸化種が直接寄与することにより酸化が行われる。具体的に、水素含有ガス及び酸素含有ガスをチャンバ内に導入し、酸化膜を形成するシリコン基板が配置されたチャンバ内で反応させることにより蒸気を発生させる。例えば、2nmのSiO2膜を形成する場合には、反応温度が950℃で圧力が1700Paのチャンバー内において、5%の水素を含む酸素を4.95L導入して11秒間反応させる。本実施形態においては、側壁酸化膜の膜厚は10nm〜40nmであり、数分間の処理により形成することができる。
熱酸化法により側壁酸化膜を形成する場合には、850℃〜1100℃の温度で数時間程度の加熱を行う必要があるため、ISSG酸化法を用いることにより、熱処理時間を大幅に短縮することができる。従って、側壁層7が不純物の熱拡散により拡大して、フォトダイオード2のサイズが縮小することを抑えることができる。
次に、図3(a)に示すように溝部3aにSiO2からなる絶縁膜9を埋め込んだ後、MOS型トランジスタのゲート酸化膜11を形成する。ゲート酸化膜11をISSG酸化法により形成することにより、側壁層7が熱拡散することを抑えることができる。本実施形態においては、フォトダイオード2の上にも酸化膜を形成している。なお、ゲート酸化膜11を形成する際にチャンバ内に窒素を添加することにより、ゲート酸化膜11が窒素を含む構成としてもよい。これにより、低電圧トランジスタのためにゲート絶縁膜を薄膜化した場合においても、ゲート酸化膜のリークを低減することができる。
次に、図3(b)に示すようにゲート電極12を形成した後、ゲート電極12をマスクとしてN型不純物の注入を行い、活性領域13を形成する。
図4は側壁酸化膜10及びゲート酸化膜11の形成方法と側壁層7の厚さ及び飽和電子数との関係を示している。なお、フォトダイオード2のサイズは3μm×3μmとした。図4に示すように側壁酸化膜10及びゲート酸化膜を熱酸化法により形成した場合には、側壁層7の厚さが約300nmであり、飽和電子数は8000個であった。
一方、側壁酸化膜10又はゲート酸化膜11をISSG酸化法を用いて形成することにより側壁層7の熱拡散が抑えられるため、側壁層7の厚さは約半分の150nm〜200nmとなった。従って、フォトダイオード2のサイズが熱酸化法により側壁酸化膜10及びゲート酸化膜11を形成した場合と比べて1.2倍程増加する。その結果、電荷蓄積層4の電荷蓄積容量が増加し、飽和電子数も9000個〜9500個程度に増加した。
さらに、側壁酸化膜10及びゲート酸化膜11の両方をISSG酸化法により形成した場合には、側壁層7の厚さは50nmとなり、熱拡散法により形成した場合の6分の1となった。これにより飽和電子数も10500個に増加しており、フォトダイオード2のダイナミックレンジが大きくなった。
以上説明したように、側壁酸化膜10及びゲート酸化膜11のうちの少なくとも一方をISSG酸化法により形成することにより側壁層7の熱拡散を抑えることが可能となり、フォトダイオード2のサイズが減少することを防止し、ダイナミックレンジを拡大することができる。
本発明の固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラは、STI構造を形成する際に電荷蓄積部が減少することを抑え、ダイナミックレンジが大きな固体撮像装置及びカメラを実現できるという効果を有し、CMOS型の固体撮像装置、その製造方法及びカメラ等に有用である。
1 基板
2 フォトダイオード(光電変換部)
3 素子分離領域
3a 溝部
4 電荷蓄積部
5 表面層
6 P-型層
7 側壁層(チャネルストッパ層)
8 ウェル
9 絶縁膜
10 側壁酸化膜
11 ゲート酸化膜
12 ゲート電極
13 活性領域
2 フォトダイオード(光電変換部)
3 素子分離領域
3a 溝部
4 電荷蓄積部
5 表面層
6 P-型層
7 側壁層(チャネルストッパ層)
8 ウェル
9 絶縁膜
10 側壁酸化膜
11 ゲート酸化膜
12 ゲート電極
13 活性領域
Claims (6)
- シリコンからなる基板に形成され、電荷を蓄積する電荷蓄積部を含む光電変換部と、
前記基板に形成され、前記光電変換部から蓄積された電荷を読み出すMOS型トランジスタと、
前記基板における前記光電変換部と前記MOS型トランジスタとの間の領域に形成された溝部に絶縁材料が埋め込まれてなる、浅溝型構造の素子分離領域と、
前記溝部の側壁部と前記光電変換部との間の領域に形成され、前記電荷蓄積部と導電型が異なるチャネルストッパ層とを備え、
前記チャネルストッパ層の厚さは、50nm以上且つ200nm以下であることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記MOS型トランジスタはゲート絶縁膜を有し、
前記素子分離領域は、前記溝部の側壁を覆うように形成された側壁酸化膜を有し
前記側壁酸化膜及びゲート絶縁膜は、減圧湿式酸化法により形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - シリコンからなる基板に、電荷を蓄積する電荷蓄積部を含む光電変換部を形成する工程(a)と、
前記基板の前記光電変換部と隣接する領域に素子分離領域となる溝部を形成する工程(b)と、
前記溝部の側壁にイオン注入を行うことにより、前記電荷蓄積部と導電型が異なるチャネルストッパ層を形成する工程(c)と、
減圧湿式酸化法により前記溝部の側壁を覆う側壁酸化膜を形成する工程(d)を備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記工程(d)よりも後に、前記基板における前記素子分離領域により前記光電変換部と分離された領域にMOS型トランジスタを形成する工程をさらに備え、
前記MOS型トランジスタを形成する工程において、ゲート絶縁膜を減圧湿式酸化法により形成することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜は、窒素を含んでいることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 請求項1又は2に記載の固体撮像装置を備えていることを特徴とするカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005306836A JP2007115948A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005306836A JP2007115948A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007115948A true JP2007115948A (ja) | 2007-05-10 |
Family
ID=38097861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005306836A Withdrawn JP2007115948A (ja) | 2005-10-21 | 2005-10-21 | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007115948A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009071308A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
JP2010050202A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013157639A (ja) * | 2007-08-09 | 2013-08-15 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2013251559A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-12-12 | Canon Inc | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
US8841713B2 (en) | 2008-04-09 | 2014-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the photoelectric conversion apparatus |
JP2015111728A (ja) * | 2015-02-19 | 2015-06-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
-
2005
- 2005-10-21 JP JP2005306836A patent/JP2007115948A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157639A (ja) * | 2007-08-09 | 2013-08-15 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
JP2009071308A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
US8841713B2 (en) | 2008-04-09 | 2014-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the photoelectric conversion apparatus |
US9024363B2 (en) | 2008-04-09 | 2015-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the photoelectric conversion apparatus |
US9209215B2 (en) | 2008-04-09 | 2015-12-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the photoelectric conversion apparatus |
US9391108B2 (en) | 2008-04-09 | 2016-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the photoelectric conversion apparatus |
JP2010050202A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8592284B2 (en) | 2008-08-20 | 2013-11-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2013251559A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-12-12 | Canon Inc | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
JP2015111728A (ja) * | 2015-02-19 | 2015-06-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11355533B2 (en) | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and imaging apparatus | |
US9466630B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
JP5136110B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US7816752B2 (en) | Solid state imaging device and camera comprising a device isolation having a step | |
JP3899236B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
US20080191302A1 (en) | Solid-state image pickup device and method for producing the same | |
US20070020795A1 (en) | Solid-state imaging device and its manufacturing method | |
JP2010056515A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置 | |
JP5629450B2 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の形成方法 | |
JP2015109343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010212536A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2007115948A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ | |
JP2009088447A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JPWO2006006392A1 (ja) | 固体撮像装置、その製造方法及びそれを用いたカメラ | |
JP5136081B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US7037748B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
US20230246043A1 (en) | Semiconductor device and imaging apparatus | |
JP2007141938A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2011258613A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2012142560A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法ならびにカメラ | |
JP2013239473A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
JP2011204740A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2008166336A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2009038207A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007019540A (ja) | イメージセンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080701 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090226 |