TWI336521B - Method for fabricating cmos image sensor with plasma damage-free photodiode - Google Patents

Description

1336521 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種用於製造一影像感應器之方法，且更 明確言之’係關於一種製造一互補式 领式金虱+導體（CMOS) 影像感應器之方法。 【先前技術】 典型景;？像感應器為一種使用半導體材料 τ平肢何科之光反應性質捕 獲影像資訊的裝置。典型影像感應器將各像素中所產生之 不同的電值改變為允許信號處理之特定位準，其中像素感 應具有不同光強度及波長的物體。 該等影像感應器包括電荷輕合裝置（CCD)影像感應器及 CMOS影像感應器。影像感應器使用光電：極體作為光接 收裝置。光電二極體吸收光，使一外部影像成像，且收集 及儲存光電荷。 圖1說明展示典型CMOS影像感應器之光電二極體的橫截 面圖。一深N-型區域15係形成於基板u之光電二極體區域 中 基板η包括一高度摻雜有P型雜質的p型（p++)基板 11A，及一 p型磊晶層UB，該磊晶層UB係藉由原位低度 推雜P型雜質且執行磊晶生長製程而形成於P型基板11A上 方。一P區域16係形成於深]VT型區域15上方。轉移電晶體 (τχ)之閘極氧化層13及閘電極14緊鄰光電二極體區域形成 於基板11上方。儘管省略了參考數字，但輕微摻雜汲極 (LDD)隔片係形成於閘電極14之側壁上方。參考數字12表 示一絕緣結構。 119718.doc 當光撞擊在基板結構上時，光在包括深N-型區域15及？ 型磊晶層11B之PN接合區域附近產生電子-電洞對。藉由所 供給之偏壓使該等載流子移動至轉移電晶體（τχ)，從而產 生電流。因此，光能轉換為電能。 包括深Ν·型區域15及形成於下方之ρ型磊晶層ηΒ之ρΝ 接合區域變為一光電二極體。光電二極體之最上部分摻雜 有Ρ型雜質，亦即ρ〇區域16，其將光電二極體區域與矽表 面絕緣。因此，減少由矽表面之矽懸鍵所導致之暗電流的 流入。Ρ0區域16係使用一離子植入製程而形成。 j而，光電一極體之上部分上方可能存在在各種電漿製 2期間所產生之損壞，該等電漿製程通‘常為製造晶圓所 高°玄等損壞可能產生暗電流。在隨後之光阻層移除製程 中，某些構成光阻之重金屬亦可能未被移除，且可能殘留 於光電—極體之表面上方。在此情況下該等重金屬可在 隨後之熱製程期間向内擴散且導致暗電流之產生。然而， 可月匕難以實質上移除由製造半導體裝置時之電漿損壞或光 阻層移除製程所導致之重金屬污染物。 【發明内容】 本發明之實施例係針對提供-種製造-互補式金氧半導 體（CMOS)影像感應器之—光電二極體的方法，其可減少 由電漿損壞或光阻層製程所導致之產生暗電流的重金屬污 染物。 CMOS影像感應 ，在該基板之一 很據本發明之—態樣，提供—種靠 器之方法，該方法包括：提供一半成 119718.doc 丄观521 光電一極體區域上方形成一圖案化阻擋層；使用一遮罩在 除《玄光电一極體區域之外的區域上植入雜質，而該圖案化 阻擋層保留；及移除該遮罩。 根據本發明之另一態樣，提供一種製造一 CMOS影像感 應器之方法，該方法包括：在一基板結構之—電晶體區域 上方形成一閘極結構；植入雜質至該閘極結構之一側上之 忒基板結構上以形成一光電二極體；在該光電二極體上方 形成一圖案化阻擋層；使用一遮罩在該電晶體區域上植入 雜質，而该圖案化阻擋層保留；及移除該遮罩。 根據本發明之又一態樣，提供一種製造一 影像感 心°°之方法，6亥方法包括：在一基板結構之一電晶體區域 上方形成閘極結構；使用一第一遮罩在該閘極結構之一 側上之忒基板結構上執行一第一離子植入製程以形成一光 電一極體’·在該光電二極體上方形成一圖案化阻擋層；使 用弟一遮罩在該電晶體區域上執行一第二離子植入製 私，而該圖案化阻擋層保留；在該閘極結構之側壁上形成 隔片，及使用該等隔片及一遮罩圖案作為一第三遮罩執行 一第三離子植入製程。 【實施方式】 本發明係關於一種製造一具有防電漿損壞光電二極體之 互補式金氧半導體（CM〇s)影像感應器的方法。暗電流可 使用阻擋層實質上移除。阻擋層阻擋光電二極體免受大體 而言出現於形成光電二極體之前及之後的電漿損壞及光阻 之重金屬污染物。 H971S.doc 1336521 圖2A至圖2L說明根據本發明之一實施例之製造cm〇s影 像感應器之方法的橫截面圖。 參看圖2A，基板21包括一高度摻雜有p型雜質wps (P++)基板21A，及一P型磊晶層21B，該磊晶層2lB係藉由 原位低度摻雜P型雜質且執行磊晶生長製程而形成於？型基 板21A上方。使用一典型方法將絕緣結構“形成於基板2ι 中。舉例而§，可使用淺槽隔離（STI)方法來形成絕緣結構 22 〇 使用化學氣相沈積（CVD)方法或熱氧化方法將一第一阻 擋氧化層23形成於基板21上方。舉例而言，可使用CVD方 法使第一阻擋氧化層23包括正石夕酸四乙酯（TE〇s)。第一阻 擋氧化層23可形成為具有範圍自約2〇 A至約2,〇〇〇 A之厚 度。 參看圖2B，一光阻層係形成於第一阻擋氧化層23上方， 且執行光曝路及顯影製程以形成第一阻撞遮罩24。然後 使用第一阻擋遮罩24作為蝕刻阻障對第一阻擋氧化層23進 行蝕刻。此時’使用濕式蝕刻製程來替代使用利用電漿之 乾式蝕刻製程，而對第一阻擋氧化層23進行蝕刻。因此， 可減少在第一阻擋氧化層23之蝕刻期間可出現於基板21之 曝露表面上的電漿損壞。詳言之，第一阻擋氧化層23之濕 式银刻製程可使用緩衝氧化物蝕刻劑（B〇E)或氟化氫（HF) 溶液°第—阻擋氧化層23之形成於不包括光電二極體區域 之區域（例如’電晶體區域）上方的部分被移除。亦即，一 圖案化第—阻擋氧化層23 A保留於光電二極體區域上方。 119718.doc 1336521 >看圖2C，第—阻擋遮罩24被移除。此時，使用利用電 聚之和除製各來移除第—阻擋遮罩Μ，此孫因為第一阻播 Ϊ罩24包括光阻1時，電漿損壞可能出現於基板21之曝 路表面上’此係因為在移除製程期間使用了電漿。然而， 可允許使用電漿，因為基板21之曝露表面並非光電二極幾 區域。移除第一阻擋遮罩24之後’圖案化第一阻撞氧化層 23A保留於基板21之光電二極體區域上方。在下文中，^ 案化第-阻擋氧化層23A係稱為第一阻撐層23八。 >看圖2D以第一阻擔層23A阻擋光電二極體區域，且 執行隨後之離子植入製程。隨後之離子植入製程係指在絕 緣、”。構2 2形成之後直至形成閘極氧化層之間所執行之離子 植入製程。存在約5至8種該等使用光阻遮罩之離子植入製 程。因此’儘管未說明，但絲移除製程可執行若干次， 如以參考標請x所表示’此處乂表示形成及移除光阻遮 罩之數目。此時’在光阻移除製程期間所產生之電襞損壞 可損壞光電二極體區域’此係因為光阻移除製程通常使用 電漿製程。然而，根據本發明之此實施例，若以包括氧化 物j第一阻擋層23A阻檔光電二極體區域，則可阻擋電漿 損壞。 水 光阻含有少量重金屬、然而，重金屬之滲透可能減少， 此係因為在根據本發明之此實施例製造光阻 可 元電二極 體區域可不直接接觸光阻。因此，可藉由將第一阻擋層 23A形成為具有範圍自約2〇 A至約2 000 m Λ ， 知度而保護光 電一極體區域使其免受電漿損壞。 1197I8.doc 1336521

參看圖2E’在執行前述之各種離子植入製程之後，經由 閉極氧化將閘極氧化層25形成於基板21上。此時，在形成 閘極氧化層25之刖執行—閘極氧化預清潔製程通常係關鍵 的。第-阻擔層23A係在閉極氧化預清潔製程期間移除。 舉例而言’雜氧化預清潔製程可使用则或hf溶液。可 藉由BOE或HF溶液輕易地移除包括氧化物之第一阻擋層 23A。電漿扣壞可能亦不會出現於基板。之表面上，此係 因為閘極氧化預清潔製程包括執行一濕式製程。 參看圖2F及圖2G，用作閘電極％之多晶矽層係形成於 閘極氧化層25上方，且執行一閘極圖案化製程以形成閘電 極:6。在圖式中’僅說明轉移電晶體之閘電極τχ。參考 數字25Α表示一圖案化閘極氧化層25a。 在先電 >一極體區域上劲S2L J<t v -^il -r A上钒仃離子植入製程以形成一深N-型 區域28及一 P。區域29。更詳細言之，綠層係形成於問電 極26上方。在光阻層上執行光曝露及顯影製程以形成第一

離子植入遮罩27A(圖2F)。此時’藉由第一離子植入遮罩 27A曝露光電二極體區域。第一離子植入遮罩Μ之一側 可對齊於閘電極26之中心附近，且第__離子植人遮罩Μ 之另-側可以以下方式對齊：即，該側部分地自絕緣結構 22之一邊緣向光電二極體區域延伸。植入n型雜質離子， 亦即’使用-典型離子植入方法執行深N•植入製程以形成 深]^_型區域28。 參看圖2G，移除第一離子植入遮罩2M且形成p〇區域 29。更詳細言之’形成光阻層且執行光曝露及顯影製程以 1197l8.doc -10· 1336521 形成第二離子植入遮罩27B。然後植入p型雜質離子，例 如’硼(B)，亦即，執行第一 p。離子植入製程。藉由經由 前述系列之雜質離子植人製程形成抑·型區⑽及卩❶區域 29來形成光電二極體。

通常，包括深N-型區域28及在深N型區域28下方之？〇區 域29的PN接合區域變為光電二極體。光電二極體包括在最 上部分之P°區域29，且P。區域29將光電二極體區域與矽表 面絕緣’減少由矽表面上之矽懸鍵所導致之暗電流的流 入0 參看圖2H，移除第二離子植入遮罩27B。此時，使用電 漿移除第二離子植入遮罩27B。第二阻擋氧化層3〇係形成 於基板結構上方。使用CVD方法或熱氧化方法將第二阻擋 氧化層30形成為具有範圍自2〇人至2，咖A之厚度。舉^ 而言’可使用CVD方法使第二阻擋氧化層3〇包括：石夕醆四 乙醋（TEOS)。第二阻擋氧化層戰#用於減少電㈤員 阻擂層。 光阻層係形成於第二阻擋氧化層3G上方。執行光曝露及 顯影製程以形成第二阻擋遮罩3卜使用第二阻擋遮單_ 為钱刻阻障對第二阻擋氧化層3〇進行银刻。此時，使用濕 式蝕刻製程來替代使用利用電漿之乾式蝕刻製程，而對； 二阻擋氧化層30進行蝕刻。因此’可減少在第二阻擋氧化 層3 0之蝕刻期間可出現於基板2丨之曝露表面上的電漿損 壞。詳言之，第二阻擋氧化層3〇之濕式蝕刻製程可使用貝 BOE或HF溶液。第二阻擋氧化層3〇之形成於不包括光電二 119718.doc 1336521 極體區域之區域上方的部分被移除。亦即，一圖案化第二 阻擋氧化層30A保留於光電二極體區域上方。 參看圖2!’第二阻擋遮罩31被移除。此時，使用利用電 褒之移除製程來移除第二阻擋遮罩31，此係因為第二阻擋 遮罩31包括光阻。同時，電漿損壞可能出現於基板21之曝 露表面上，此係因為在移除製程期間使用了電浆。然而， 可允許使用電漿，因為其; 土板1之曝路表面並非光電二 區域。 Μ 移除第二阻擋遮罩31之後，㈣化第二阻擋氧化層30A 保留於基板21之光電二極體區域上方。在下文中，圖案化 第一阻擋氧化層3〇A係稱為第二阻擋層30A。 參看圖2J，以第二阻擋層3〇A阻擔光電二極體區域，且 執行隨後之離子植入盤兹。哮& 找“ 隨後之離子植入製程係指在閘 極圖案化之後使用光阻層作 層作為遮罩，在電晶體區域上執杆 約7至10次離子植入蟹 ^上執订 、寿（例如輕微摻雜汲極（LDD 入）。因此，儘管夫蜉昍y ^雕于植 ° ，但光阻移除製程可執行若干 次，如以參考標兮士 ' 阻遮罩之數Γ ’此處Y表示形成及移除光 m ^ .，在光阻移除製程期間所產生之電嘴 才貝壞可彳貝壞光電二極體區 冤水 使用電Mr妙、 域，此係因為光阻移除製程通常 氧化物：: 據本發明之此實施例，若以包括 第二阻擋層3〇Α阻擋光電二極 電漿損壞。 λ 〜』阻擋 光阻含有少量重金屬。妙、 此係因為在根據本發明之：’重金屬之滲透可能減少， 之此貝知例製造光阻時，光電二極 U9718.doc 1336521 \ 體區域可不直接接觸光阻。 參看圖2K ’執行用於形成LDD隔片32之典型製程，而第 二阻擋層30A保留。亦即，隔片絕緣層係形成於第二阻擋 層30A上方，且然後執行隔片蝕刻製程以形成隔^ 32。此時，LDD隔片32係形成於閘電極％之側壁上，且具 有包括TEOS層32A及基於氮化物之層32B的雙結構。同 時，包括TEOS層32A及基於氮化物之層kb的雙結構可形 "φ 成於第二阻擋層30Α之兩端的側壁上，以及形成於第二阻 擋層30Α之一部分（形成於閘電極26之一側上方）的側壁 上。 隔片蝕刻製程通常包括使用電㈣行乾式姓刻製程。即 I在隔片蝕刻製程期間光電二極體上出現大量電漿損壞， 但第二阻擋層30Α仍可實質上阻擋電漿損壞。 使用LDD隔片32及光阻層作為遮罩，執行典型源極/汲 極〇離子植入製程。同時，除早先用於形成ρ0區域29之第一 • Ρ離子植入製程夕卜，當在形成LDD隔片32之後執行第二Ρ〇 離子植入製程時，可使用如圖2L中所展示之方法。 參看圖2L，在執行典型源極/汲極離子植入製程之後， 使用濕式蝕刻製程來移除第二阻擋層3〇A以便執行第二p〇 離子植入製程。濕式钱刻製程使用BOE或HF溶液。此時， Z银刻除去LDD隔片32中之TE0S層32A部分，TE〇s層32A i括貝質上與第二阻擋層3〇A相同的基於氧化物之材料。 :考數子32C及32D分別表示殘餘巧⑽層32C及殘餘LDD 隔片32D移除第二阻擋層30A直至至少光電二極體之頂 1197J8.doc •13· 部表面實質上曝露，且殘 二極體之、—拮層30B可保留於光電 體之相上方之間電極26的—側上。 移除第二阻擋層3〇A ’因為 厚度。可藉由事先移除第二阻擋層鳩而/=有較大之 ^ ^ _ D0^ K層3从而輕易地執行隨後 時;離子植人製程。執行第二p°離子植人製程。此 時，緩衝氧化層可形成為具有範圍自50 A至· A之較小 :度’ u減少在第二P。離子植入製程期間出現於基板21之 表面上的離子植入損壞。 根據本發明之實施例，使用第—及第二阻擋層減少通常 在形成光電二極體之前及之後所執行之離子植入製程及光 阻移除製程期間出現的電漿損壞及重金屬污染物。此外， 阻擋層可減少在隨後之使用電漿之乾式蝕刻製程期間出現 的電漿損壞。 儘管已關於特定實施例描述本發明，但對於熟習此項技 術者係顯而易見’可不脫離如以下申請專利範圍中所界定 之本發明之精神及範疇而作出各種變化及修改。 【圖式簡單說明】 圖1說明展示典型CMOS影像感應器之結構的橫截面圖。 圖2A至圖2L說明根據本發明之一實施例之製造CMOS影 像感應器之方法的橫截面圖。 【主要元件符號說明】 11 基板 11A P型基板 11B P型磊晶層 119718.doc 14 1336521 12 絕緣結構 13 閘極氧化層 14 閘電極 15 深>Γ型區域 16 Ρ0區域 21 基板 21A Ρ型基板 21B Ρ型磊晶層 22 絕緣結構 23 第一阻擋氧化層 23A 圖案化第一阻擋氧化層 24 第一阻擋遮罩 25 閘極氧化層 25A 圖案化閘極氧化層 26 閘電極 27A 第一離子植入遮罩 27B · 第二離子植入遮罩 28 深ίνΓ型區域 29 區域 30 第二阻擋氧化層 30A 圖案化第二阻擋氧化層 31 第二阻擋遮罩 32 LDD隔片 32A TEOS 層 119718.doc -15 - 1336521

32B 32C 32D ΜΙχ M2Y TX 基於氮化物之層 殘餘TEOS層 殘餘LDD隔片 光阻移除製程 光阻移除製程 轉移電晶體

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Claims (1)

133.6521 修正日期：99.7.27 第096丨丨2丨3丨號中文申請專利範圍修正本 十、申請專利範園： 朽年7月y/日修正本I 1. 一種製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像感應器之方 法，該方法包含： 在一半成基板上方形成一絕緣結構； 然後在該基板之一光電二極體區域上方形成一圖案化 阻播層’該光電二極體區域係做為一光電二極體； 然後使用一遮罩在除該光電二極體區域之外的區域上 植入雜質’而該圖案化阻擋層保留； _ #除該遮罩，·及 然後形成一閘極氧化層以形成一閘極結構。 2.如請求項1所述之製造一互補式金氧半導體（CM〇s)影像 感應器之方法，其中該遮罩包含一基於光阻之材料。 3·如請求項1所述之製造一互補式金氧半導體（cm〇s)影像 感應器之方法，其中在該基板之該光電二極體區域上方 形成該圖案化阻擋層包含： 在該基板上方形成一阻擋層； 以一覆蓋該光電二極體區域之方式在該阻擋層上方形 成一阻擋遮罩；及 使用該阻擋遮罩蝕刻該阻擋層以形成殘留於該光電二 極趙區域上方之該圖案化阻擋層。 如明求項3所述之製造一互補式金氧半導體（cm〇s)影像 感應器之方法，其中蝕刻預阻擋層包含執行一濕式蝕刻 製程。 如請求項4所述之製造-互補式金氧半導體㈣〇s)影像 9023A-11152-PF1 。之方法，其中執行該濕式蝕刻製程包含使用緩衝 氧化物蝕刻劑（B0E)及氟化氫（HF)溶液中之一者。 6. 如請求項1所述之製造-互補式金氧半導體（CM〇s)影像 感應器之方法’其中該圖案化阻擋層包含一基於氧化物 之層。 7. 如請求項6所述之冑造一互補式金氧半導體（cm〇s)影像 感應器之方法，其中該基於氧化物之層係使用—化學氣 相沈積（CVD)方法及一熱氧化方法中之一者形成。 如請求項6所述之製造一互補式金氧半導體（CM〇s)影像 感應器之方法，其中該圖案化阻擋層係形成為具有範圍 自約20 A至約2,〇〇〇 A之一厚度。 9.如請求項3所述之製造一互補式金氧半導體（CM〇s)影像 感應器之方法，其中該阻擋遮罩包含一基於光阻之材 料。 1(>. 一種製造一互補式金氧半導體（CM〇s)影像感應器之方 法’該方法包含： 提供一半成基板結構； 在該基板結構之一電晶體區域上方形成一閘極結構； 使用一第一遮罩在該閘極結構之一側上之該基板結構 上執行一第一離子植入製程以形成一光電二極體，· 在該光電二極體上方形成一第一圖案化阻擋層，其中 該第一圖案化阻擋層的一部分係形成於該閘極結構之另 一側上； 使用一第二遮罩在該電晶體區域上執行一第二離子植 9023A-11152-PF1 -2 ·» 133,6521 入製程，而該第一圖案化阻擋層保留； .在該閘極結構之側壁上、在該第—圖案化阻擋層兩端 的側壁上、以及在形成於該閘極結構之另一侧上方之該 第-圖案化阻#層之-部分的側壁上形成隔片；及 使用該等隔片及-遮罩圖案作為一第三遮罩執行—第 三離子植入製程。 比如請求項H)所述之製造-互補式金氧半導體（CM〇s)影像 感應器之方法，其在執行該第三離子植人製程之後進一 步包含： 移除該第一圖案化阻擋層以曝露該光電二極體之一上 部分； 在該光電二極體之該曝露之上部分上方形成一緩衝 層；及 在該曝露光電二極體上執行一第四離子植入製程。 12·如請求項10所述之製造一互補式金氧半導體(cm〇s)影像 感應器之方法’其中該[遮罩及該第二遮罩及該遮罩 圖案各包含一基於光阻之材料。 13.如請求項Π)所述之製造-互補式金氧半導體（cm〇s)影像 感應器之方法，其中在該光電二極體上方形成該圖案化 阻擋層包含： 在該基板結構上方形成一阻擋層； 以一覆蓋該光電二極體之方式在該阻擋層上方形成一 阻擋遮罩；及 使用該阻擋遮罩蝕刻該阻擋層以形成殘留於該光電二 9023A-11152-PF1 1336521 極體上方之該第一圖案化阻擋層。 14. 如請求項13所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中蝕刻該阻擋層包含執行一濕式蝕刻 製程。 15. 如請求項14所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中執行該濕式蝕刻製程包含使用緩衝 氧化物蝕刻劑（BOE)及氟化氩（HF)溶液中之一者。

16. 如請求項10所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中該第一圖案化阻擋層包含一基於氧 化物之層。 17. 如請求項16所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中該基於氧化物之層係使用一化學氣 相沈積（CVD)方法及一熱氧化方法中之一者形成。 18. 如請求項16所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中該第一圖案化阻擋層係形成為具有 範圍自約20 A至約2,000 A之一厚度。 19. 如請求項11所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中該緩衝層包含一基於氧化物之材 料。 20.如請求項13所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影像 感應器之方法，其中該阻擋遮罩包含一基於光阻之材 料。 21.如請求項10所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影 像感應器之方法，提供該半成基板結構進一步包含： 9023A-11152-PF1 -4- 1336521 在一光電二極體區域上方形成一第二圖案化阻擋層； 然後使用一第四遮罩在除該光電二極體區域之外的區 域上植入雜質，而該第二圖案化阻擋層保留；及 移除該第四遮罩。 22.如請求項21所述之製造一互補式金氧半導體(cm〇s)影 像感應器之方法，其中該第四遮罩包含__基於光阻 料。

23·如請求項21所述之製造―互補式金氧半㈣ 像感應器之方法，其中在該基板結構之該光電二極體區 域上方形成該第二圖案化阻擋層包含： 在該基板上方形成一阻擋層； 以-覆蓋該光電二極體區域之方式在該阻擋層上方形 成一阻擋遮罩；及 使用該阻擋遮罩蝕刻該阻擋層以形成殘留於該光電二 極體區域上方之該第二圖案化阻擋層。 24.如請求項23所述之製造—互補式金氧半導體㈣叫影 像感應器之方法，其中姓刻該阻擒層包含執行一满式餘 刻製程。 25·如請求項24所述之製造一互補式金氧半導體⑴刪）影 像感應k方法’其中執行該濕式㈣製程包含使用緩 衝氧化物飯刻劑（咖)及氟化氫⑽）溶液中之一者。 26.H項23所述之製造一互補式金氧半導體影 ^ 方法’其中該阻擋遮罩包含—基於光阻之材 料。 9023A-11152-PF1 -5- 1336521 27. 如請求項21所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影 像感應器之方法，其中該第二圖案化阻擋層包含一基於 氧化物之層。 28. 如請求項27所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影 像感應器之方法，其中該基於氧化物之層係使用一化學 氣相沈積（CVD)方法及一熱氧化方法中之一者形成。

29. 如請求項27所述之製造一互補式金氧半導體（CMOS)影 像感應器之方法，其中該第二圖案化阻擋層係形成為具 有範圍自約20 A至約2,000 A之一厚度。

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