JP2007280025A - 電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】装置全体の消費電流をできるだけ抑制しつつ、負荷変動に伴う出力電圧の変動を軽減できるようにした電源装置の提供。
【解決手段】この発明は、誤差増幅器1、出力トランジスタ2、出力検出回路3、コンパレータ4、および可変電流源5からなる。コンパレータ4は、負荷が接続されて負荷電流が急激に立ち上がって出力電圧VOUTが低下すると、その旨を示す電流ブースト信号SB1を可変電流源5に出力する。可変電流源5は、コンパレータ4から電流ブースト信号SB1が出力されると、その誤差増幅器1に対して通常動作の電流の他に、ブースト電流を供給する。
【選択図】図1

Description

本発明は、電源装置に関し、特に、負荷変動に伴う出力電圧の変動を軽減できるようにした電源装置に関するものである。
従来、この種の電源装置としては、例えば特許文献1に記載のシリーズレギュレータ回路が知られている。
このシリーズレギュレータ回路は中間段増幅器を備え、その中間段増幅器の特性を、負荷に流れる電流が大きいときにはゲインを大きくし、負荷に流れる電流が小さいときにはゲインを小さくするようにして、回路全体の調整ゲインを、負荷の電流に無関係にほぼ一定値にすることにより周波数特性を改善し、高周波成分のリプル除去率の低下を抑制するようにしたものである。
このような構成からなる従来の電源装置では、負荷変動に伴う出力電圧の変動を抑制して、出力電圧を所定の範囲内に収めることが可能である。
しかし、従来の電源装置では、中間段増幅器を設ける必要があり、その中間段増幅器には動作中に常に電流が流れるので、装置全体として消費電流が多くなるという不具合がある。
このため、装置全体の消費電流をできるだけ抑制しつつ、負荷変動に伴う出力電圧の変動を軽減できる新たな電源装置の出現が望まれる。
特開2000−47738号公報
そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑み、装置全体の消費電流をできるだけ抑制しつつ、負荷変動に伴う出力電圧の変動を軽減できるようにした電源装置を提供することにある。
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、各発明は、以下のような構成からなる。
すなわち、第1の発明は、入力端子と出力端子との間に接続され、導通制御される出力トランジスタと、前記出力端子に発生する出力電圧を検出する出力検出回路と、前記出力検出回路の検出電圧と所定の基準電圧との誤差に応じた信号を生成し、この生成信号で前記出力トランジスタの導通制御を行う誤差増幅器と、を少なくとも備えた電源装置において、前記出力端子に接続される負荷の変動が所定値以上か否を検出する負荷変動検出手段と、前記負荷変動検出手段が負荷の変動が所定値以上であることを検出したときに、前記誤差増幅器を動作させる動作電流をブーストさせる可変電流源と、を備えている。
第2の発明は、第1の発明において、この電源装置の位相補償を行う位相補償回路をさらに備え、前記位相補償回路は、前記可変電流源の動作電流のブースト時に、それに応じた位相補償動作を行うようになっている。
第3の発明は、第1または第2の発明において、前記誤差増幅器と前記出力トランジスタとの間に、バッファ回路をさらに備えている。
第4の発明は、第1乃至第3の発明において、前記可変電流源は、前記負荷変動検出手段が負荷の変動が所定値以上であることを検出したときに、その検出に基づいて前記誤差増幅器に動作電流としてブースト電流を供給するとともに、そのブースト電流の供給のタイミングと供給量はそれぞれ任意に設定自在に構成するようにした。
第5の発明は、第1乃至第4の発明において、前記負荷変動検出手段は、前記出力検出回路の検出電圧を所定の第1基準電圧と比較し、前記検出電圧が前記第1基準電圧以下になった場合に、その旨を示す第1電流ブースト信号を出力する第1コンパレータからなる。
第6の発明は、第5の発明において、前記可変電流源は、前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、迅速かつ短時間に所定量の第1ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第1電流源と、前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、前記第1ブースト電流に遅れて立ち上がり、この立ち上がりから所定時間後に徐々に立ち下がる第2ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第2電流源と、を含んでいる。
第7の発明は、第1乃至第4の発明において、前記負荷変動検出手段は、前記出力検出回路の検出電圧を所定の第1基準電圧と比較し、前記検出電圧が前記第1基準電圧以下になった場合に、その旨を示す第1電流ブースト信号を出力する第1コンパレータと、前記出力検出回路の検出電圧を所定の第2基準電圧と比較し、前記検出電圧が前記第2基準電圧以上になった場合に、その旨を示す第2電流ブースト信号を出力する第2コンパレータと、を備えている。
第8の発明は、第7の発明において、前記可変電流源は、前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、迅速かつ短時間に所定量の第1ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第1電流源と、前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、前記第1ブースト電流に遅れて立ち上がり、この立ち上がりから所定時間後に徐々に立ち下がる第2ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第2電流源と、前記第2コンパレータから第2電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づいて立ち上がり、この立ち上がりから所定時間後に徐々に立ち下がる第3ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第3電流源と、を含んでいる。
このような構成からなる本発明によれば、装置全体の消費電流をできるだけ抑制しつつ、負荷変動に伴う出力電圧の変動を軽減できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
本発明の電源装置の第1実施形態の構成について、図1を参照して説明する。
この第1実施形態に係る電源装置は、図1に示すように、誤差増幅器(エラーアンプ)1と、出力トランジスタ2と、出力検出回路(分圧回路)3と、コンパレータ4と、可変電流源5と、基準電圧源6と、入力端子7と、出力端子8とを備え、出力端子7に負荷(図示せず)を接続して使用するようになっている。
また、この第1実施形態では、出力端子7に接続される負荷の変動が所定値以上か否をコンパレータ4で検出するようになっており、その負荷変動が所定値以上であることが検出されたときに、可変電流源5は誤差増幅器1の動作電流をブーストさせるようになっている。
誤差増幅器1は、出力検出回路3が検出する検出電圧VFBと、基準電圧源6からの所定の基準電圧VREFとの誤差を検出し、その誤差に応じた信号である誤差電圧を生成し、これを出力トランジスタ2に供給するようになっている。
このために、誤差増幅器1は、+入力端子に出力検出回路3が検出する検出電圧VFBが供給され、−入力端子に基準電圧源6からの基準電圧VREFが供給されるようになっている。また、誤差増幅器1の出力端子は、MOSトランジスタ2の入力端子であるゲートに接続されている。
出力トランジスタ2は、例えばP型のMOSトランジスタからなり、入力端子7と出力端子8との間に接続されている。この出力トランジスタ2は、誤差増幅器1からの出力電圧(誤差電圧)によって導通制御され、これにより、出力端子8から出力される出力電流が制御されて、出力電圧VOUTが一定に保持されるようになっている。
このため、出力トランジスタ2を構成するMOSトランジスタのゲートは、誤差増幅器1の出力端子に接続されている。また、MOSトランジスタのソースおよび基板端子は、それぞれ入力端子7に接続されて電源電圧VDDが印加されるようになっている。さらに、MOSトランジスタのドレインは、出力端子8に接続されている。
出力検出回路3は、出力電圧VOUTを抵抗R1、R2によって分圧することにより、その出力電圧VOUTを検出し、この検出電圧VFBを誤差増幅器1およびコンパレータ4にそれぞれ供給するようになっている。
このため、出力検出回路3は、抵抗R1と抵抗R2とが直列接続され、その一端側が出力端子8に接続され、その他端側が接地されている。また、抵抗R1と抵抗R2の共通接続部は、誤差増幅器1の+入力端子およびコンパレータ4の+入力端子に、それぞれ接続されている。
コンパレータ4は、出力端子8に負荷が接続されて負荷電流が急激に増加し、これに伴って出力電圧VOUTが低下した場合に、その旨を示す電流ブースト信号SB1を生成出力し、これを可変電流源5に供給するようになっている。
このため、コンパレータ4は、出力検出回路3の検出電圧VFBを所定の第1基準電圧VREF1と比較し、検出電圧VFBが第1基準電圧VREF1以下の場合に、その旨を示す電流ブースト信号SB1を生成出力し、これを可変電流源5に供給するようになっている。
可変電流源5は、負荷の変動がなくコンパレータ4から電流ブースト信号SB1が出力されない場合には、その誤差増幅器1に対して通常動作の動作電流を供給するようになっている。また、この可変電流源5は、コンパレータ4から電流ブースト信号SB1が出力される場合には、その誤差増幅器1に対して通常動作の動作電流に加えて、後述のようなブースト電流を供給するようになっている。
すなわち、この可変電流源5は、コンパレータ4から電流ブースト信号SBが出力される場合に、これに基づいて誤差増幅器1に動作電流としてブースト電流を供給するとともに、そのブースト電流の供給のタイミングと供給量はそれぞれ任意に設定できるように構成している。
基準電圧源6は、誤差増幅器1に供給する基準電圧VREF、およびコンパレータ4に供給する基準電圧VREF1をそれぞれ生成するようになっている。
次に、図1に示す第1実施形態のコンパレータ4を除いた部分の具体的な回路例について、図2を参照して説明する。
誤差増幅器1は、図2に示すように、差動対を構成するN型のMOSトランジスタM1、M2と、このMOSトランジスタM1、M2の負荷として機能しカレントミラーを構成するP型のMOSトランジスタM3、M4と、定電流源として機能するN型のMOSトランジスタM5とから構成される。
さらに詳述すると、MOSトランジスタM1のゲートには、基準電圧VREFが供給されるようになっている。MOSトランジスタM2のゲートには、出力検出回路3の検出電圧VFBが供給されるようになっている。MOSトランジスタM1、M2の各ソースは共通接続され、その共通接続部はMOSトランジスタM5のドレインに接続されている。MOSトランジスタM1、M2の各基板端子(バックゲート)は、接地端子9に接続されて接地電位VSSが印加されるようになっている。
MOSトランジスタM1のドレインは、MOSトランジスタM3のドレインに接続されるとともに、出力トランジスタ2のゲートに接続されている。MOSトランジスタM3のゲートは、MOSトランジスタM4のゲートに接続されている。MOSトランジスタM3のソースおよび基板端子は、それぞれ入力端子7に接続されて電源電圧VDDが印加されるようになっている。
MOSトランジスタM2のドレインは、MOSトランジスタM4のドレインに接続されている。MOSトランジスタM4のゲートは、自己のドレインに接続されるとともに、MOSトランジスタM3のゲートに接続されている。MOSトランジスタM4のソースおよび基板端子は、それぞれ入力端子7に接続されて電源電圧VDDが印加されるようになっている。
MOSトランジスタM5のゲートは、バイアス電圧VBが供給されるようになっている。MOSトランジスタM5のソースおよび基板端子は、それぞれ接地端子9に接続されて接地電位VSSが印加されるようになっている。
可変電流源5は、図2に示すように、誤差増幅器1に所定の通常電流I0を供給するMOSトランジスタM5と、ブースト電流IB1を流すための第1電流源51と、ブースト電流IB2を流すための第2電流源52とを含み、MOSトランジスタM5に第1電流源51および第2電流源52が並列に接続されている。
第1電流源51は、電流源I1と電子スイッチSW1とが直列に接続され、電子スイッチSW1をオンすることにより、電流源I1がMOSトランジスタM5に並列に接続されて誤差増幅器1にブースト電流IB1を供給するようになっている。
第2電流源52は、電流源I2と電子スイッチSW2とが直列に接続され、電子スイッチSW2をオンすることにより、電流源I2がMOSトランジスタM5に並列に接続されて誤差増幅器1にブースト電流IB2を供給するようになっている。
ここで、電子スイッチSW1は、コンパレータ4からの電流ブースト信号SB1によりオンオフ動作するようになっている。また、電子スイッチSW2は、その電流ブースト信号SB1に基づいて生成される信号に従ってオンオフ動作するようになっている。
なお、第1電流源51および第2電流源52の構成は、図2に示すものに限定されるものではない。従って、第1電流源51および第2電流源52は、図示しないが、誤差増幅器1に供給するブースト電流のタイミングやそのブースト電流の供給量を、使用する負荷の特性などに応じて、任意に設定できるようにすることが好適である。
誤差増幅器1と出力トランジスタ2との間に、図2に示すように、位相補償回路10が設けられている。
この位相補償回路10は、この第1実施形態では帰還回路を含んで帰還ループを形成しているので、この帰還回路の発振を防ぐためのものである。さらに、この第1実施形態では、誤差増幅器1に流れる動作電流が、可変増幅源5によって増減されるようになっている。このため、位相補償回路10は、その電流の増減に応じて位相補償の特性を変化させて、動作の安定化を図るようになっている。
このために、位相補償回路10は、この例では出力トランジスタ2を構成するMOSトランジスタM6のゲートとドレインとの間に接続されている。
さらに具体的には、位相補償回路10は、コンデンサC1、抵抗R3、および抵抗R4が直列に接続され、その直列回路の一端側がMOSトランジスタM6のゲートに接続され、その他端側がMOSトランジスタM6のドレインに接続されている。抵抗R4に並列にMOSトランジスタM7が接続され、MOSトランジスタM7のオンオフ動作によって、その抵抗R4の両端を短絡または開放できるようになっている。
そして、位相補償回路10は、可変電流源5の第1電流源51または第2電流源52が、ブースト電流IB1またはブースト電流IB2を流すときには、MOSトランジスタM7がオンするようになっている。このため、MOSトランジスタM7は、電子スイッチSW2をオンオフ動作させる信号と同じ信号によって、オンオフ動作するようになっている。
次に、図1に示す第1実施形態のコンパレータ4の具体的な回路例を、図3および図4にそれぞれ示す。
図3に示すコンパレータ4は、差動増幅回路41と、出力回路42とから構成され、入力端子43に基準電圧VREF1が供給され、入力端子44に検出電圧VFBが供給され、出力端子45から電流ブースト信号SB1を取り出すようになっている。
差動増幅回路41は、差動対を構成するN型のMOSトランジスタM11、M12と、このMOSトランジスタM11、M12の負荷として機能しカレントミラーを構成するP型のMOSトランジスタM13、M14と、定電流源として機能するN型のMOSトランジスタM15とから構成される。MOSトランジスタM15のゲートには、バイアス電圧VBが供給されるようになっている。
出力回路42は、P型のMOSトランジスタM16と、この負荷として機能するN型のMOSトランジスタM17とから構成される。MOSトランジスタM17のケートには、バイアス電圧VBが供給されるようになっている。
このような構成からなる図3のコンパレータ4は、検出電圧VFBが基準電圧VREF1以上の場合、すなわち、この第1実施形態が通常動作の場合には、出力端子45から出力される電流ブースト信号SB1はHレベルになる。
一方、この第1実施形態の負荷電流が急減に増加して、検出電圧VFBが基準電圧VREF1以下になると、可変電流源5が電流ブーストを行うために、出力端子45から出力される電流ブースト信号SB1はHレベルからLレベルに立ち下がる。
図4のコンパレータ4は、図3のコンパレータ4の差動増幅回路41と出力回路42を、図4に示すように、差動増幅回路41Aと出力回路42Aに置き換えるようにしたものである。
すなわち、差動増幅回路41Aは、図3のN型のMOSトランジスタM11、M12を、図4に示すようにP型のMOSトランジスタM21、M22に置き換えるようにしたものである。これに伴い、P型のMOSトランジスタM13、M14をN型のMOSトランジスタM23、M24に置き換えるとともに、N型のMOSトランジスタM15をP型のMOSトランジスタM25を置き換えるようにした。
また、出力回路42Aは、図3のP型のMOSトランジスタM16を、図4に示すようにN型のMOSトランジスタM26に置き換えるようにした。これに伴い、N型のMOSトランジスタM17をP型のMOSトランジスタM27に置き換えるようにした。
このような構成からなる図4のコンパレータ4は、図3のコンパレータ4と同様の動作を行うことができる。
次に、このような構成からなる第1実施形態の動作例を、図1、図2、および図5〜図7を参照して説明する。
この動作例は、無負荷の状態から出力端子8に所望の負荷が接続され、負荷電流ILが急激に流れ始める場合の動作である。
すなわち、回路が動作可能な状態であって、誤差増幅器1のMOSトランジスタM5には、図5(A)に示すような通常電流(動作電流)I0が流れ、出力端子8の出力電圧VOUTが所望の値(図5(E)参照)となっている状態で、負荷が接続されて負荷電流ILが急激に流れ始める場合の動作である。
そして、図5(B)に示すように、その負荷電流ILが急激に立ち上がると、これに伴って出力端子8の出力電圧VOUTが低下する(図5(E)参照)ので、これに伴って出力検出回路3が検出する検出電圧VFBも低下する(図5(D)参照)。
コンパレータ4は、その検出電圧VFBを基準電圧VREF1と比較し、その比較結果に応じた電流ブースト信号SB1を出力する。そして、その検出電圧VFBが基準電圧VREF1以下になると、その電流ブースト信号SB1はHレベルからLレベルに立ち下がる(図5(C)参照)。
可変電流源5は、その電流ブースト信号SB1を用いて、例えば電流ブースト信号SB1がLレベルの短期間だけ、図2に示す第1電流源51を動作させる。これにより、第1電流源51は、図5(A)に示すようなブースト電流IB1を誤差増幅器1に対して供給する。
ブースト電流IB1は、図5(A)または図6(B)に示すように、負荷電流ILの立ち上がりに伴う出力電圧VOUTの低下時に、瞬時的(緊急的)に立ち上がり、通常電流I0と比較して相対的に大きな電流であって、しかも短時間だけの電流である。
さらに、可変電流源5は、その電流ブースト信号SB1に基づいて、図2に示す第2電流源52を動作させる。これにより、第2電流源52は、図5(A)に示すようなブースト電流IB2を誤差増幅器1に対して供給する。
ブースト電流IB2は、図5(A)または図6(C)に示すように、ブースト電流IB1に僅かに遅れて徐々に立ち上がり、その立ち上がり時の電流値は、通常電流I0と比較して相対的に大きいが、ブースト電流IB1よりも相対的に小さな電流である。
このような動作により、図5(E)に示すように、出力電圧VOUTの低下が止まり、上昇していくので、検出電圧VFBも同様の動作をする(図5(D)参照)。そして、その検出電圧VFBが基準電圧VREF1以上になると、コンパレータ4の電流ブースト信号SB1はLレベルからHレベルに立ち上がる(図5(C)参照)。
このように電流ブースト信号SB1がHレベルに立ち上がっても、第2電流源52が誤差増幅器1に供給するブースト電流IB2は、図5(A)または図6(C)に示すように立ち上がったままである。しかし、そのブースト電流IB2は、図7(C)に示すように、その立ち上がりから所定の設定時間を経過すると、徐々に減少していく。
ところで、上記のように、第1電流源51によるブースト電流IB1または第2電流源52によるブースト電流IB2が、誤差増幅器1に供給される場合には、その供給が無い場合に比べて回路が発振しやすい状態になる。
そこで、この第1実施形態では、ブースト電流IB1またはブースト電流IB2が供給される期間、すなわち、第1電流源51または第2電流源52が動作中の期間には、その動作に併せて、位相補償回路10の位相補償動作を変更するようにしている。すなわち、その期間には、図2示す位相補償回路10を構成するMOSトランジスタM7を、オンさせるようにしている。
以上説明したように、第1実施形態によれば、装置全体の消費電流をできるだけ抑制しつつ、負荷の接続に伴う急激な負荷変動に起因する出力電圧の変動を軽減できる。
(第2実施形態)
本発明の電源装置の第2実施形態の構成について、図8を参照して説明する。
この第2実施形態に係る電源装置は、図1および図2に示す第1実施形態の構成を基本とし、誤差増幅器1と出力トランジスタ2との間に、図8に示すようにソースホロワ回路11からなるバッファ回路を設けるようにしたものである。
この第2実施形態は、上記のソースホロワ回路11を設けた点を除けば、第1実施形態の構成と基本的に共通するので、その共通部分については同一符号を付して説明を省略し、その構成が異なる部分について説明する。
ソースホロワ回路11は、P型のMOSトランジスタM8と、この負荷として機能するN型のMOSトランジスタM9とから構成される。
さらに詳述すると、MOSトランジスタM8のゲートは、誤差増幅器1を構成するMOSトランジスタM2のドレインと接続されている。MOSトランジスタM8のソースおよび基板端子は、それぞれ入力端子7に接続されて電源電圧VDDが印加されるようになっている。
MOSトランジスタM8のドレインは、MOSトランジスタM9のドレインに接続されるとともに、MOSトランジスタM6のゲートに接続されている。MOSトランジスタM9のゲートは、バイアス電圧VBが供給されるようになっている。MOSトランジスタM9のソースおよび基板端子は、それぞれ接地端子9に接続されて接地電位VSSが印加されるようになっている。
ここで、位相補償回路10は、MOSトランジスタM6のゲートとソースとの間に接続されているが、これに代えて、ソースホロワ回路を11を構成するMOSトランジスタM8のゲートとソースとの間に接続することも可能である。
このような構成からなる第2実施形態は、その動作は第1実施形態の動作と同様であるので、その説明は省略する。
従って、この第2実施形態によれば、第1実施形態と同様の作用効果を実現することができる。
(第3実施形態)
本発明の電源装置の第3実施形態の構成について、図9を参照して説明する。
図1および図2に示す第1実施形態は、出力端子8に負荷が接続されて出力電圧VOUTが一時的に変動したことを検出し、これを検出したときに誤差増幅器1に供給する電流をブーストさせて、出力電圧VOUTの変動を低減させるようにしたものである。
本発明の第3実施形態は、それに加えて、出力端子8に接続されていた負荷を切り離して出力電圧VOUTが一時的に変動したことを検出し、これを検出したときに誤差増幅器1に供給する電流をブーストさせて出力電圧VOUTの変動を低減させるようにしたものである。
このため、この第3実施形態は、図1および図2に示す第1実施形態の構成を基本にして図9に示すようにコンパレータ12を追加し、この追加に伴って図1の可変電流源5および基準電圧源6を、図9に示す可変電流源13および基準電圧源14に変更するようにしたものである。
なお、この第3実施形態は、上記の追加、変更に係る構成を除けば、第1実施形態の構成と共通部分を有するので、その共通部分については同一符号を付してその説明は省略する。
コンパレータ12は、出力端子8に接続されている負荷が切り離されて、負荷電流が流れなくなったことを検出し、この検出があった場合に、その旨を示す電流ブースト信号SB2を生成出力し、これを可変電流源13に供給するようになっている。
このため、コンパレータ12は、出力検出回路3の検出電圧VFBを所定の第2基準電圧VREF2と比較し、検出電圧VFBが第2基準電圧VREF2以上の場合に、その旨を示す電流ブースト信号SB2を生成出力し、これを可変電流源13に供給するようになっている。
ここで、コンパレータ12に使用される第2基準電圧VREF2と、コンパレータ4に使用される第1基準電圧VREF1とは、VREF1<VREF2の関係にある。
可変電流源13は、負荷の接続時において、コンパレータ4から電流ブースト信号SB1が出力される場合に、誤差増幅器1に対して通常動作の動作電流I0に加えて、上記のようなブースト電流IB1およびブースト電流IB2を供給するようになっている。この点は、図1および図2に示す可変電流源5の構成と同様である。
また、この可変電流源13は、負荷の切り離し時において、コンパレータ12から電流ブースト信号SB2が出力される場合に、誤差増幅器1に対して通常動作の動作電流I0に加えて、ブースト電流IB3を供給するようになっている。
基準電圧源14は、誤差増幅器1に供給する基準電圧VREF、コンパレータ4に供給する基準電圧VREF1、およびコンパレータ12に供給する基準電圧VREF2をそれぞれ生成するようになっている。
次に、図9に示す第3実施形態のコンパレータ4、12を除いた部分の具体的な回路例について、図10を参照して説明する。
この図10の回路例は、図2の回路例を基本とし、図2の可変電流源5が可変電流源13に置き換わっている点だけが異なる。
可変電流源13は、図10に示すように、MOSトランジスタM5、第1電流源51、および第2電流源52の他に、ブースト電流IB3を流すための第3電流源53を追加し、これらがMOSトランジスタM5に並列に接続されている。
第3電流源53は、電流源I3と電子スイッチSW3とが直列に接続され、電子スイッチSW3をオンすることにより、電流源I3がMOSトランジスタM5に並列に接続されて誤差増幅器1にブースト電流IB3を供給するようになっている。
ここで、電子スイッチSW3は、コンパレータ12からの電流ブースト信号SB2に基づいて生成される信号に従ってオンオフ動作するようになっている。
次に、このような構成からなる第3実施形態の動作例について、図9〜図11を参照して説明する。
この第3実施形態では、無負荷の状態から出力端子8に所望の負荷が接続され、負荷電流が急激に流れ始める場合には、第1実施形態の動作例で説明した場合と同様の動作を行う。その一方、この第3実施形態では、出力端子8に負荷が接続された状態からその負荷が切り離されて、負荷電流の流れが急激に止まる場合には、以下のような動作を行うことになる。
すなわち、回路が動作可能な状態であって、誤差増幅器1のMOSトランジスタM5には、図11(A)に示すような通常電流(動作電流)I0が流れ、出力端子8の出力電圧VOUTが所望の値(図11(C)参照)となっている状態で、負荷が切り離されて負荷電流が急激に立ち下がる場合の動作である。
いま、負荷電流が急激に立ち下がると、これに伴って出力端子8の出力電圧VOUTが増加するので(図11(C)参照)、これに伴って出力検出回路3が検出する検出電圧VFBも増加する。
コンパレータ12は、その検出電圧VFBを基準電圧VREF2と比較し、その比較結果に応じた電流ブースト信号SB2を出力する。そして、その検出電圧VFBが基準電圧VREF2以上になると、その電流ブースト信号SB2はHレベルからLレベルに立ち下がる。
可変電流源13は、その電流ブースト信号SB2に基づいて、図10に示す第3電流源53を動作させる。これにより、第3電流源53は、図11(B)に示すようなブースト電流IB3を誤差増幅器1に対して供給する。
ブースト電流IB3は、図11(B)に示すように、短時間に立ち上がり、その立ち上がり時の電流値は、図11(A)に示す通常電流I0と比較して相対的に大きな電流である。
このような動作により、図11(C)に示すように、出力電圧VOUTが低下するので、検出電圧VFBも同様に低下する。そして、その検出電圧VFBが基準電圧VREF2以下になると、コンパレータ12の電流ブースト信号SB2はLレベルからHレベルに立ち上がる。
このように電流ブースト信号SB2がHレベルに立ち上がっても、第3電流源53が誤差増幅器1に供給するブースト電流IB3は、図11(B)に示すように立ち上がったままである。しかし、そのブースト電流IB3は、図11(B)に示すように、その立ち上がりから所定の設定時間を経過すると、徐々に減少していく。
ところで、上記のように、第3電流源53によるブースト電流IB3が誤差増幅器1に供給される場合には、その供給が無い場合に比べて回路が発振しやすい状態になる。
そこで、この第3実施形態では、ブースト電流IB3が供給される期間、すなわち、第3電流源53が動作中の期間には、その動作に併せて、位相補償回路10の位相補償動作を変更するようにしている。すなわち、その期間には、図10に示す位相補償回路10を構成するMOSトランジスタM7を、オンさせるようにしている。
以上説明したように、この第3実施形態では、出力端子8に負荷が接続されて出力電圧VOUTが一時的に変動した場合のみならず、出力端子8に接続されていた負荷を切り離して出力電圧VOUTが一時的に変動した場合にも、誤差増幅器1に供給する電流をブーストさせて出力電圧VOUTの変動を低減させることができる。
本発明の電源装置の第1実施形態の構成を示す図である。 図1の第1実施形態の具体的な回路構成を示す回路図であって、コンパレータの構成部分を除いた回路図である。 第1実施形態のコンパレータの具体的な構成例を示す回路図である。 第1実施形態のコンパレータの具体的な他の構成例を示す回路図である。 第1実施形態の動作例を説明する各部の波形図である。 その動作例の波形のうち、部分的に拡大した波形図である。 その動作例の全体の動作を説明する波形図である。 本発明の電源装置の第2実施形態の構成を示す回路図であって、コンパレータの構成部分を除いた回路図である。 本発明の電源装置の第3実施形態の構成を示す図である。 図9の第3実施形態の具体的な回路構成を示す回路図であって、コンパレータの構成部分を除いた回路図である。 第3実施形態の動作例を説明する各部の波形図である。
符号の説明
1・・・誤差増幅器、2・・・出力トランジスタ、3・・・出力検出回路(分圧回路)、4、12・・・コンパレータ、5、13・・・可変電流源、6、14・・・基準電圧源、7・・・入力端子、8・・・出力端子、51・・・第1電流源、52・・・第2電流源、53・・・第3電流源

Claims (8)

  1. 入力端子と出力端子との間に接続され、導通制御される出力トランジスタと、
    前記出力端子に発生する出力電圧を検出する出力検出回路と、
    前記出力検出回路の検出電圧と所定の基準電圧との誤差に応じた信号を生成し、この生成信号で前記出力トランジスタの導通制御を行う誤差増幅器と、を少なくとも備えた電源装置において、
    前記出力端子に接続される負荷の変動が所定値以上か否を検出する負荷変動検出手段と、
    前記負荷変動検出手段が負荷の変動が所定値以上であることを検出したときに、前記誤差増幅器を動作させる動作電流をブーストさせる可変電流源と、
    を備えることを特徴とする電源装置。
  2. この電源装置の位相補償を行う位相補償回路をさらに備え、
    前記位相補償回路は、前記可変電流源の動作電流のブースト時に、それに応じた位相補償動作を行うようになっていることを特徴とする請求項1に記載の電源装置。
  3. 前記誤差増幅器と前記出力トランジスタとの間に、バッファ回路をさらに備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電源装置。
  4. 前記可変電流源は、前記負荷変動検出手段が負荷の変動が所定値以上であることを検出したときに、その検出に基づいて前記誤差増幅器に動作電流としてブースト電流を供給するとともに、そのブースト電流の供給のタイミングと供給量はそれぞれ任意に設定自在に構成するようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちのいずれかに記載の電源装置。
  5. 前記負荷変動検出手段は、
    前記出力検出回路の検出電圧を所定の第1基準電圧と比較し、前記検出電圧が前記第1基準電圧以下になった場合に、その旨を示す第1電流ブースト信号を出力する第1コンパレータからなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちのいずれかに記載の電源装置。
  6. 前記可変電流源は、
    前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、迅速かつ短時間に所定量の第1ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第1電流源と、
    前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、前記第1ブースト電流に遅れて立ち上がり、この立ち上がりから所定時間後に徐々に立ち下がる第2ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第2電流源と、
    を含むことを特徴とする請求項5に記載の電源装置。
  7. 前記負荷変動検出手段は、
    前記出力検出回路の検出電圧を所定の第1基準電圧と比較し、前記検出電圧が前記第1基準電圧以下になった場合に、その旨を示す第1電流ブースト信号を出力する第1コンパレータと、
    前記出力検出回路の検出電圧を所定の第2基準電圧と比較し、前記検出電圧が前記第2基準電圧以上になった場合に、その旨を示す第2電流ブースト信号を出力する第2コンパレータと、
    を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちのいずれかに記載の電源装置。
  8. 前記可変電流源は、
    前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、迅速かつ短時間に所定量の第1ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第1電流源と、
    前記第1コンパレータから第1電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づき、前記第1ブースト電流に遅れて立ち上がり、この立ち上がりから所定時間後に徐々に立ち下がる第2ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第2電流源と、
    前記第2コンパレータから第2電流ブースト信号が出力されたときに、その電流ブースト信号に基づいて立ち上がり、この立ち上がりから所定時間後に徐々に立ち下がる第3ブースト電流を前記誤差増幅器に供給する第3電流源と、
    を含むことを特徴とする請求項7に記載の電源装置。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277233A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Ricoh Co Ltd 電圧調整装置
JP2010152451A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ
JP2010244255A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Elpida Memory Inc 非反転増幅回路及び半導体集積回路と非反転増幅回路の位相補償方法
KR100999065B1 (ko) 2008-05-20 2010-12-07 삼성에스디아이 주식회사 전원공급기에서의 전류 공급장치
US7885118B2 (en) 2008-04-03 2011-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory device and voltage generating circuit for the same
JP2011048709A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Renesas Electronics Corp 降圧回路
JP2011138192A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Samsung Electronics Co Ltd 電源回路
JP2013225306A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 位相マージン補償手段を有するldo及びそれを用いた位相マージン補償方法
WO2014070701A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for load adaptive ldo bias and compensation
JP2015007958A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
US8981745B2 (en) 2012-11-18 2015-03-17 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for bypass mode low dropout (LDO) regulator
EP2857923A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-08 Dialog Semiconductor GmbH An apparatus and method for a voltage regulator with improved output voltage regulated loop biasing
JP2015146092A (ja) * 2014-02-03 2015-08-13 セイコーエプソン株式会社 シリーズレギュレーター回路、半導体集積回路装置、及び、電子機器
US9122293B2 (en) 2012-10-31 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for LDO and distributed LDO transient response accelerator
US9235225B2 (en) 2012-11-06 2016-01-12 Qualcomm Incorporated Method and apparatus reduced switch-on rate low dropout regulator (LDO) bias and compensation
KR20160096014A (ko) 2015-02-04 2016-08-12 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 볼티지 레귤레이터
US10108209B2 (en) 2015-02-13 2018-10-23 Toshiba Memory Corporation Semiconductor integrated circuit with a regulator circuit provided between an input terminal and an output terminal thereof
WO2019046192A1 (en) * 2017-08-31 2019-03-07 Xilinx, Inc. LOW VOLTAGE REGULATOR
DE112017006477T5 (de) 2016-12-22 2019-09-12 New Japan Radio Co., Ltd. Stromversorgungsschaltung
WO2020170394A1 (ja) * 2019-02-21 2020-08-27 三菱電機株式会社 電源回路
JP2022032408A (ja) * 2020-08-12 2022-02-25 株式会社東芝 定電圧回路
CN115268549A (zh) * 2022-09-28 2022-11-01 成都芯翼科技有限公司 降低ldo输入输出电压差的电路和低压差线性稳压器

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7885118B2 (en) 2008-04-03 2011-02-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory device and voltage generating circuit for the same
JP2009277233A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Ricoh Co Ltd 電圧調整装置
KR100999065B1 (ko) 2008-05-20 2010-12-07 삼성에스디아이 주식회사 전원공급기에서의 전류 공급장치
JP2010152451A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ
JP2010244255A (ja) * 2009-04-03 2010-10-28 Elpida Memory Inc 非反転増幅回路及び半導体集積回路と非反転増幅回路の位相補償方法
JP2011048709A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Renesas Electronics Corp 降圧回路
JP2011138192A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Samsung Electronics Co Ltd 電源回路
JP2013225306A (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 位相マージン補償手段を有するldo及びそれを用いた位相マージン補償方法
WO2014070701A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for load adaptive ldo bias and compensation
US9122293B2 (en) 2012-10-31 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for LDO and distributed LDO transient response accelerator
US9170590B2 (en) 2012-10-31 2015-10-27 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for load adaptive LDO bias and compensation
US9235225B2 (en) 2012-11-06 2016-01-12 Qualcomm Incorporated Method and apparatus reduced switch-on rate low dropout regulator (LDO) bias and compensation
US8981745B2 (en) 2012-11-18 2015-03-17 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for bypass mode low dropout (LDO) regulator
JP2015007958A (ja) * 2013-05-31 2015-01-15 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ
US10481625B2 (en) 2013-05-31 2019-11-19 Ablic Inc. Voltage regulator
US10061335B2 (en) 2013-05-31 2018-08-28 Ablic Inc. Voltage regulator
EP2857923A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-08 Dialog Semiconductor GmbH An apparatus and method for a voltage regulator with improved output voltage regulated loop biasing
US9389620B2 (en) 2013-10-07 2016-07-12 Dialog Semiconductor Gmbh Apparatus and method for a voltage regulator with improved output voltage regulated loop biasing
JP2015146092A (ja) * 2014-02-03 2015-08-13 セイコーエプソン株式会社 シリーズレギュレーター回路、半導体集積回路装置、及び、電子機器
US9720428B2 (en) 2015-02-04 2017-08-01 Sii Semiconductor Corporation Voltage regulator
KR20160096014A (ko) 2015-02-04 2016-08-12 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 볼티지 레귤레이터
US10108209B2 (en) 2015-02-13 2018-10-23 Toshiba Memory Corporation Semiconductor integrated circuit with a regulator circuit provided between an input terminal and an output terminal thereof
DE112017006477T5 (de) 2016-12-22 2019-09-12 New Japan Radio Co., Ltd. Stromversorgungsschaltung
US10747247B2 (en) 2016-12-22 2020-08-18 New Japan Radio Co., Ltd. Power supply circuit
CN111108459B (zh) * 2017-08-31 2021-07-16 赛灵思公司 低电压调节器
WO2019046192A1 (en) * 2017-08-31 2019-03-07 Xilinx, Inc. LOW VOLTAGE REGULATOR
CN111108459A (zh) * 2017-08-31 2020-05-05 赛灵思公司 低电压调节器
CN113424128A (zh) * 2019-02-21 2021-09-21 三菱电机株式会社 电源电路
WO2020170394A1 (ja) * 2019-02-21 2020-08-27 三菱電機株式会社 電源回路
JPWO2020170394A1 (ja) * 2019-02-21 2021-12-23 三菱電機株式会社 電源回路
CN113424128B (zh) * 2019-02-21 2022-05-24 三菱电机株式会社 电源电路
JP7109648B2 (ja) 2019-02-21 2022-07-29 三菱電機株式会社 電源回路
JP2022032408A (ja) * 2020-08-12 2022-02-25 株式会社東芝 定電圧回路
US11726511B2 (en) 2020-08-12 2023-08-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Constant voltage circuit that causes different operation currents depending on operation modes
JP7391791B2 (ja) 2020-08-12 2023-12-05 株式会社東芝 定電圧回路
CN115268549A (zh) * 2022-09-28 2022-11-01 成都芯翼科技有限公司 降低ldo输入输出电压差的电路和低压差线性稳压器
CN115268549B (zh) * 2022-09-28 2023-01-17 成都芯翼科技有限公司 降低ldo输入输出电压差的电路和低压差线性稳压器

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