JP2007266459A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ニッケルまたは銅を主成分とする金属箔10を基板として準備する基板準備工程と、電子ビーム、イオンビームまたはレーザービームを金属箔10に照射するビーム照射処理工程と、金属箔10上に酸化物誘電体層12を形成する誘電体層形成工程と、酸化物誘電体層12を焼成する焼成工程と、焼成された酸化物誘電体層12上に上部電極15を形成する電極形成工程と、を有し、ビーム照射処理工程後の金属箔10表面の算術平均高さが100nm以下であり、かつ、最大山高さが算術平均高さの10倍以下であるようにビーム照射を行うことを特徴とするコンデンサ1の製造方法。
【選択図】図1
Description
圧延ニッケル箔(50μm厚)の表面に、減圧下、エキシマレーザー(XeCl)を表1に示すレーザー出力で照射するレーザー処理を施した。レーザーの照射は、ニッケル箔をホットプレート上に保持して表1に示す温度に加熱しながら行った。なお、比較例1ではレーザー照射を行わなかった。
Claims (4)
- ニッケルまたは銅を主成分とする金属箔を基板として準備する基板準備工程と、
電子ビーム、イオンビームまたはレーザービームを前記金属箔に照射するビーム照射処理工程と、
前記金属箔上に酸化物誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記酸化物誘電体層を焼成する焼成工程と、
焼成された前記酸化物誘電体層上に上部電極を形成する電極形成工程と、を有し、
前記ビーム照射処理工程後の金属箔表面の算術平均高さが100nm以下であり、かつ、最大山高さが算術平均高さの10倍以下であるようにビーム照射を行うことを特徴とするコンデンサの製造方法。 - 前記ビーム照射処理工程において、前記金属箔を加熱した状態でビーム照射を行うことを特徴とする請求項1記載のコンデンサの製造方法。
- 前記ビーム照射処理工程において、前記金属箔を200〜500℃に加熱した状態でビーム照射を行うことを特徴とする請求項1記載のコンデンサの製造方法。
- 前記焼成工程後の金属箔の結晶粒径が、前記焼成工程前の金属箔の結晶粒径の1.5倍以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法。
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