JP2007264609A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 透光性を有する基板上に、光触媒層及び前記光触媒層に接する有機化合物層を形成し、
   前記光触媒層及び前記光触媒層に接する有機化合物層を介して前記透光性を有する基板上に素子形成層を形成し、
   前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射して、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 透光性を有する基板上に、光触媒層、有機化合物層、及び素子形成層を順に形成し、
   前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射して、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項２において、
   前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記有機化合物層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 透光性を有する基板上に、有機化合物層、光触媒層、及び素子形成層を順に形成し、
   前記透光性を有する基板を介して前記光触媒層に光を照射して、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記光触媒層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記光触媒層及び前記有機化合物層の界面において分離することで、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記有機化合物層は、無機化合物粒子を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記有機化合物層は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記有機化合物層は、光吸収体または光反射体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記光の波長は、前記光触媒層を活性化させる波長であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    前記光触媒層として、酸化チタン、酸化スズ、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化ビスマス、チタン酸塩、タンタル酸塩、ニオブ酸塩、ＣｄＳ、またはＺｎＳを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項において、
    前記素子形成層は、薄膜トランジスタ、ダイオード、または抵抗を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか一項において、
    前記素子形成層は、発光素子、液晶素子、または電気泳動素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１乃至１３のいずれか一項において、
    前記半導体装置は、発光装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置、無線チップ、太陽電池、またはセンサとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。