JP2006100787A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 基部と、
   前記基部に搭載され、発光層を含む半導体層が透光性材料層上に形成されたＬＥＤ素子と、
   前記ＬＥＤ素子を封止する封止材料と、を有し、
   前記透光性材料層の厚さｔが
   ｔ≧Ｗ／（２ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｎ１／ｎ２）））
   但し、Ｗ：素子幅、ｎ１：ＬＥＤ素子の発光層の屈折率、ｎ２：封止材料の屈折率
   である発光装置。
2. 前記透光性材料層は、角部が傾斜面となるようにカットされたカット部を有する請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光素子は、前記基部にフリップ実装されている請求項１に記載の発光装置。
4. 前記封止材料は、光透過性を有する無機材料である請求項１に記載の発光装置。
5. 前記無機材料は、ガラスである請求項４に記載の発光装置。
6. 前記基部は、前記発光素子に対して電力の供給を行う導電パターンを形成された無機材料基板である請求項１記載の発光装置。
7. 前記導電パターンは、前記発光素子をマウントする側のパターン、その裏面側のパターン、およびその両面を電気的に接続するパターンを有する請求項６に記載の発光装置。
8. 前記半導体層は、ＧａＮ系である請求項１に記載の発光装置。
9. 前記封止材料は、１．７以上の屈折率を有する請求項１に記載の発光装置。
10. 前記封止材料の屈折率が、前記発光層の屈折率に対し、０．６８〜０．８５の範囲である請求項１に記載の発光装置。
11. 前記透光性材料層は、屈折率が２．０〜２．４である請求項１に記載の発光装置。
12. 前記透光性材料層は、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＨｆＯ_２、ＩＴＯ、ＧａＮ、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｇａ_２Ｏ_３のいずれか、または、これらの多結晶体である請求項１に記載の発光装置。
13. 発光層を含む半導体層が基板上に積層されたＬＥＤ素子を基部に搭載する工程と、
    前記ＬＥＤ素子から前記基板を除去する工程と、
    前記ＬＥＤ素子の光取り出し表面に凹凸を形成する工程と、
    前記ＬＥＤ素子を封止材料により封止する工程と、を有する発光装置の製造方法。
14. 前記半導体層は、ＧａＮ系である請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
15. 前記基板は、サファイアである請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
16. 前記封止材料は、光透過性を有する無機材料である請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
17. 前記無機材料は、ガラスである請求項１６に記載の発光装置の製造方法。
18. 前記封止材料は、１．７以上の屈折率を有する請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
19. 発光層を含む半導体層を基板上に積層する工程と、
    前記基板を半導体層から除去する工程と、
    前記基板より高い屈折率の透光性材料層を前記半導体層に貼り付ける工程と、を有する発光素子の製造方法。
20. 前記半導体層は、ＧａＮ系である請求項１９に記載の発光素子の製造方法。
21. 前記基板は、サファイアである請求項１９に記載の発光素子の製造方法。
22. 前記透光性材料層は、屈折率が２．０〜２．４である請求項１９に記載の発光素子の製造方法。
23. 前記透光性材料層は、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＨｆＯ_２、ＩＴＯ、ＧａＮ、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｇａ_２Ｏ_３のいずれか、または、これらの多結晶体である請求項１９に記載の発光素子の製造方法。