JP2007266587A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 透光性を有する基板上に光触媒層を形成し、
   前記光触媒層上に炭素を含む層を形成し、
   前記炭素を含む層上に素子形成層を形成し、
   前記透光性を有する基板側から前記光触媒層に光を照射することにより、前記光触媒層と前記炭素を含む層の界面において、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 透光性を有する基板上に炭素を含む層を形成し、
   前記炭素を含む層上に光触媒層を形成し、
   前記光触媒層上に素子形成層を形成し、
   前記透光性を有する基板側から前記光触媒層に光を照射することにより、前記炭素を含む層と前記光触媒層の界面において、前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１において、
   前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記炭素を含む層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項２において、
   前記透光性を有する基板から前記素子形成層を分離した後、前記光触媒層の表面に可撓性を有する基板を貼り付けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記光触媒層は、酸化チタン、酸化スズ、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化ビスマス、チタン酸塩、またはニオブ酸塩であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記炭素を含む層は、前記炭素を含む無機化合物層であり、
   前記炭素を含む無機化合物は、ダイヤモンドライクカーボン、または窒化炭素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記炭素を含む層は、前記炭素の単体を含む層であり、
   前記炭素の単体は、グラファイトであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記光触媒層に照射する前記光の波長は、前記光触媒層を活性化させる波長であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記素子形成層は、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、発光素子、液晶素子、または電気泳動素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。