JP2007266593A5 - - Google Patents
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- 透光性を有する第１の基板上に光触媒物質が分散された有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
前記第１の基板側から前記有機化合物層に光を照射して、前記第１の基板から前記素子層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する第１の基板上に光触媒物質が分散された有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
前記第１の基板側から前記有機化合物層に光を照射して、前記第１の基板側と前記素子層側とに前記有機化合物層を分離させることにより、前記第１の基板から前記素子層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 透光性を有する第１の基板上に光触媒物質が分散された有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に素子層を形成し、
前記第１の基板側から前記有機化合物層に光を照射し、
前記素子層上に可撓性を有する第２の基板を接着し、
前記第１の基板から前記素子層が接着された前記第２の基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項３において、
前記素子層の前記第１の基板を剥離した側に可撓性を有する第３の基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項４において、
前記第３の基板は前記光触媒物質を活性化する波長の光を遮光する基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記有機化合物層と前記素子層との間に絶縁層を形成し、
前記素子層を剥離する際、前記素子層と共に前記絶縁層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記有機化合物層に照射する光の波長は、前記光触媒物質が活性化する波長であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記光触媒物質は、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、セレン化カドミウム、タンタル酸カリウム、硫化カドミウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化鉄、又は酸化タングステンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記素子層は、薄膜トランジスタ、液晶表示素子、発光素子、又は電気泳動素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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