JP2007235174A - 選択性拡散領域を有する光電池 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 85
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 71
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 14
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- DPBYCORQBMMFJZ-UHFFFAOYSA-N 20-episilicine Natural products O=C1CC2C(CC)CN(C)CC2CC2=C1NC1=CC=CC=C21 DPBYCORQBMMFJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N Adamantane Natural products C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
【解決手段】本発明の光電池1は、スライス形状の半導体基板2と、該基板2の1つの主面に形成された第1のドーピング領域12及び第2のドーピング領域15であって、第1のドーピング領域12は、第2のドーピング領域15よりも、深さが深く且つ表面ドーパント濃度が高くされている第1のドーピング領域12及び第2のドーピング領域15と、第1のドーピング領域12と実質的に整合する金属コンタクトパターン20と、から成り、第2のドーピング領域15の表面ドーパント濃度が、第2のドーピング領域15内から第1のドーピング領域12に向けて距離と共に増加し、ドーパントの表面濃度の増加勾配が、金属コンタクトパターン20に向かうキャリア輸送を容易にするようにしている。
【選択図】図9
Description
第2段階では、ドーパントが、高温中で、ペースト11から直接に基板中に導入される。この2番目の熱処理は、好ましくは、不活性雰囲気中で実施される。この高温工程で、深いドープ領域が、図6に示すように、形成され、ドーパントペースト11からのドーパントが、ペースト面又は線面直下の基板中に直接拡散される。同時に、浅い領域15が、ドーパント11から周囲雰囲気中にそして、そこから基板2上の露出面域への間接拡散により、形成される。
2 半導体基板
11 ドーパント源
12 第1の拡散領域(濃くて深い拡散領域)
15 第2の拡散領域(弱くて浅い拡散領域)
16a、16b SiO2層
17 反射防止層(ARC層)
18、19 金属ペースト
20 表面金属被覆パターン(金属コンタクト)
21 裏面コンタクトパターン
22 裏面フィールド(BSF)層22
31 第1のドープペーストパターン
32 ペースト
33 第3のペーストパターン33
34 ペースト
35 別のドープペーストパターン
36、38、40 金属コンタクト
37 高濃度ドープ領域
39、41 ドープ層
42 弱くて浅いドープ領域
43 間接拡散層(ドープ領域)
Claims (16)
- スライス形状の半導体基板と、
基板の1つの主面に形成された第1のドーピング領域及び第2のドーピング領域であって、第1のドーピング領域は、第2のドーピング領域よりも、深さが深く且つ表面ドーパント濃度が高くされている第1のドーピング領域及び第2のドーピング領域と、
第1のドーピング領域と実質的に整合する金属コンタクトパターンと、を備えた光電池であって、
上記第2のドーピング領域の表面ドーパント濃度が、上記第2のドーピング領域内から第1のドーピング領域に向けて距離と共に増加し、ドーパントの表面濃度の増加勾配が、金属コンタクトパターンに向かうキャリア輸送を容易にするようにした光電池。 - 表面ドーパント濃度の増加が単調変化である請求項1に記載の光電池。
- 表面ドーパント濃度の増加が約1mmの距離にわたる請求項1又は2に記載の光電池。
- 上記基板が第1の伝導タイプであり、第1のドーピング領域のドーパントが第2の伝導タイプである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電池。
- さらに、上記第1及び第2のドーピング領域を覆う被覆保護層を含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電池。
- 被覆保護層が、酸化物層である請求項5に記載の光電池。
- 半導体基板の表面がテクスチュア処理されている請求項1乃至6のいずれか1項に記載の光電池。
- さらに、反射防止膜を含む請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電池。
- 第2のドーピング領域が、半導体基板中のエミッタ又はコレクタ領域を形成している請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電池。
- 第1のドーピング領域と第2のドーピング領域との表面ドーパント濃度の比が、少なくとも5であり、好ましくは10以上である請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電池。
- 第2のドーピング領域が、実質的に均一な表面ドーパント濃度の中心領域を有する請求項1乃至10のいずれか1項に記載の光電池。
- 金属コンタクトパターンが、上記第1のドーピング領域とオーミック接合している請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光電池。
- 第1及び第2のドーピング領域は、半導体基板を取り巻く気相環境内における制御された熱処理過程により固体系ドーパント源から基板内にドーパント原子を拡散させて形成されていて、
固体系ドーパント源からのドーパントを直接に上記基板中に拡散させて、固体系ドーパント源の直下の上記基板内に第1のドーピング領域が形成されて成り、
それと同時に、上記固体系ドーパント源からのドーパントを気相環境を介して間接的に基板内に間接的に拡散させて、第2のドーピング領域が形成されて成る請求項1乃至12のいずれか1項に記載の光電池。 - スライス形状の半導体基板(2)と、
半導体基板の第1の主面に、第1の伝導タイプの第1のドーピング領域(37、43)と、
半導体基板の第2の主面に、第1の伝導タイプで弱くドーピングされた第2のドーピング領域(42)と、
第2の主面上の第2のドーピング領域(42)に隣接する第3の領域(39)と、を備え、
第3の領域(39)が基板と同じ伝導タイプであり、上記第2のドーピング領域(42)が金属層と接触していない光電池。 - スライス形状の半導体基板(2)と、
半導体基板の第1の主面に、第1の伝導タイプの第1のドーピング領域(37)と、
半導体基板上に、第1の伝導タイプで弱くドーピングされた第2のドーピング領域(42、43)と、
半導体基板の縁部の近くに、半導体基板と同じ伝導タイプを有する第3の領域と、を備え、
第3の領域が、分流経路を防止するようにした光電池。 - スライス形状の半導体基板(2)と、
半導体基板の第1の主面に、第1の伝導タイプの第1のドーピング領域(37)と、
半導体基板の第1の主面に、第1の伝導タイプで弱くドーピングされた第2のドーピング領域(43)であって、第1のドーピング領域(37)と隣接する第2のドーピング領域(43)と、
第2の主面上に形成され、第2のドーピング領域(43)と近接する第3の領域(39)であって、第1のドーピング領域(37)及び第2のドーピング領域(43)と反対の伝導タイプを有する第3のドーピング領域(39)と、を備え、
第1のドーピング領域(37)が第1の金属保護層パターン(36)と接続されており、第3のドーピング領域(39)が第2の金属層パターン(38)と接続されている光電池。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP96120865A EP0851511A1 (en) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | Semiconductor device with two selectively diffused regions |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52840198A Division JP3999820B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | 選択性拡散領域を有する光電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007235174A true JP2007235174A (ja) | 2007-09-13 |
Family
ID=8223558
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52840198A Expired - Lifetime JP3999820B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | 選択性拡散領域を有する光電池の製造方法 |
JP2007139083A Pending JP2007235174A (ja) | 1996-12-24 | 2007-05-25 | 選択性拡散領域を有する光電池 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52840198A Expired - Lifetime JP3999820B2 (ja) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | 選択性拡散領域を有する光電池の製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP0851511A1 (ja) |
JP (2) | JP3999820B2 (ja) |
CN (1) | CN1155104C (ja) |
AT (1) | ATE281698T1 (ja) |
AU (1) | AU741153B2 (ja) |
CA (1) | CA2276008C (ja) |
DE (1) | DE69731485T2 (ja) |
DK (1) | DK0960443T3 (ja) |
ES (1) | ES2232887T3 (ja) |
WO (1) | WO1998028798A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010533969A (ja) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | アイメック | エミッタ構造の作製方法とその結果のエミッタ構造 |
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JP2012519385A (ja) * | 2009-03-04 | 2012-08-23 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | ドーピング技術を用いた半導体素子の製造方法 |
KR101198438B1 (ko) | 2010-12-31 | 2012-11-06 | 현대중공업 주식회사 | 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 |
KR20130130492A (ko) * | 2012-05-22 | 2013-12-02 | 주성엔지니어링(주) | 기판형 태양 전지 및 그의 제조 방법, 기판형 태양 전지의 도핑 방법 및 장치 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090303 |