JP2012019029A - 太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板の一面上に、第2導電型の不純物を含む拡散源層を形成する第1工程と、前記拡散源層を加熱することにより前記拡散源層から前記半導体基板の表層に前記不純物を拡散させて、前記不純物が前記半導体基板の一面の表層に第1の濃度で拡散された第1の不純物拡散領域と、前記不純物が前記半導体基板の一面の表層に前記第1の濃度よりも高い第2の濃度で拡散されて前記第1の不純物拡散領域よりも深い第2の不純物拡散領域とを選択的に形成する第2工程と、を含む。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる太陽電池セルの概略構成を示す図である。本実施の形態にかかる太陽電池セル10においては、第1導電型のp型単結晶シリコンからなる半導体基板1の受光面側にリン拡散によって第2導電型の低濃度n型不純物拡散層2aおよび高濃度n型不純物拡散層2bが形成されて、pn接合を有する半導体基板11が形成されている。低濃度n型不純物拡散層2a上および高濃度n型不純物拡散層2b上には、シリコン窒化膜(SiN膜)よりなる反射防止膜3が形成されている。なお、半導体基板1としてはp型単結晶のシリコン基板に限定されず、p型多結晶のシリコン基板やn型の多結晶のシリコン基板、n型の単結晶シリコン基板を用いてもよい。
実施の形態2では、図1に示した太陽電池セルの他の製造方法について図面に沿って説明する。図4は、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するためのフローチャートである。図5−1〜図5−5は、実施の形態2にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するための断面図である。
2 拡散源層
2a 低濃度n型不純物拡散層
2b 高濃度n型不純物拡散層
3 反射防止膜
3a 低濃度拡散源層
3b 高濃度拡散源層
4 裏面集電電極
5 裏面電極
6 受光面電極
7 p+層
10 太陽電池セル
11 半導体基板
Claims (5)
- 第1導電型の半導体基板の一面上に、第2導電型の不純物を含む拡散源層を形成する第1工程と、
前記拡散源層を加熱することにより前記拡散源層から前記半導体基板の表層に前記不純物を拡散させて、前記不純物が前記半導体基板の一面の表層に第1の濃度で拡散された第1の不純物拡散領域と、前記不純物が前記半導体基板の一面の表層に前記第1の濃度よりも高い第2の濃度で拡散されて前記第1の不純物拡散領域よりも深い第2の不純物拡散領域とを選択的に形成する第2工程と、
前記第1の不純物拡散領域上および前記第2の不純物拡散領域上に反射防止膜を形成する第3工程と、
前記反射防止膜における第2の不純物拡散領域上の領域に電極材料ペーストを塗布した後に焼成することにより、前記第2の不純物拡散領域に電気的に接続する第1電極を前記半導体基板の一面側に形成する第4工程と、
前記半導体基板の他面側に第2電極を形成する第5工程と、
を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。 - 前記半導体基板の面内において、前記拡散源層の形成条件と前記拡散源層の加熱条件とのうち少なくとも一方を調整することにより、前記拡散源層から前記半導体基板の表層への前記不純物の拡散濃度を制御して前記第1の不純物拡散領域と前記第2の不純物拡散領域とを選択的に形成すること、
を特徴とする請求項1に記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記第1工程では、前記半導体基板の面内において前記不純物が一定の濃度を有する前記拡散源層を形成し、
前記第2工程では、前記拡散源層の面内において前記拡散源層の加熱温度を選択的に異ならせることにより前記不純物の拡散濃度を制御して前記第1の不純物拡散領域と前記第2の不純物拡散領域とを選択的に形成すること、
を特徴とする請求項2に記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記第1工程では、前記半導体基板の面内において前記不純物が異なる濃度を有するように前記拡散源層を形成し、
前記第2工程では、前記拡散源層の面内において前記拡散源層の加熱温度を一定とすることにより前記不純物の拡散濃度を制御して前記第1の不純物拡散領域と前記第2の不純物拡散領域とを選択的に形成すること、
を特徴とする請求項2に記載の太陽電池セルの製造方法。 - 前記第1工程では、前記半導体基板の面内において異なる厚みを有するように前記不純物が一定の濃度を有する拡散源層を形成し、
前記第2工程では、前記拡散源層の面内において前記拡散源層の加熱温度を一定とすることにより前記不純物の拡散濃度を制御して前記第1の不純物拡散領域と前記第2の不純物拡散領域とを選択的に形成すること、
を特徴とする請求項2に記載の太陽電池セルの製造方法。
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