CN102082210A - 制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，它是在PECVD镀膜前先实现选择性发射极结构，然后用喷墨技术在电池正面喷出银栅线，烧结后通过光诱导电镀方式，在银栅线上再电镀一层薄银。本发明可以提高填充因子和光电转换效率，操作方便，成本低，喷墨技术可以轻松实现对准，具有良好的推广价值。

Description

               制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法  
技术领域
本发明涉及电池技术领域，更具体的是涉及一种制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法。
背景技术
太阳电池的发展方向是低成本、高效率，而选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳电池生产工艺中有希望实现高效率的方法之一。选择性发射极结构有两个特征： 1）在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2）在其他区域形成低掺杂浅扩散区。结合其特征，实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。其实现方法有很多，但总的来说，可以分为双步扩散法和单步扩散法。双步扩散法是进行两次热扩散而形成该结构。而单步扩散法是在一次热扩散中形成该结构。这两种扩散法都有很多种操作形式。但由于双步扩散法存在不足，单步扩散法已逐渐成为制作选择性发射极的主要方法，其具体操作一般都是首先在硅片表面的不同区域得到不同量的扩散杂质源，由于扩散杂质源的不同将会得到不同的扩散结果，进行热扩散后就形成高低浓度的掺杂，得到选择性发射极结构。所以，有必要对实现选择性发射极的工艺方法进行研究，并提出几种可行的改进方法。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种成本低，工艺简单，光电转换效率高的制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，它是在PECVD镀膜前先实现选择性发射极结构，然后用喷墨技术在电池正面喷出银栅线，烧结后通过光诱导电镀方式，在银栅线上再电镀一层薄银。
作为上述方案的进一步说明，在所述电池正面喷出银栅线过程中，银栅线的线宽保持在35-45微米。
在所述PECVD镀膜前、实现选择性发射极结构后，还要经过去磷硅玻璃PSG步骤。
所述实现选择性发射极结构的方法包括反刻法和激光掺杂法。
实现选择性发射极结构采用反刻法，先在硅片整个表面重掺杂，然后通过网版印刷的方法在硅片上印刷一层化学腐蚀浆料，腐蚀栅线以外的区域使其淡掺杂。
实现选择性发射极结构采用激光掺杂法，硅片在淡扩散之后，用激光技术在电池正面划出栅线图案，硅片表面有一层磷硅玻璃层，在激光开槽过程中，栅线区域同时实现了重掺杂。
本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
本发明使用晶硅太阳电池在PECVD镀膜前先实现选择性发射极结构，然后用喷墨技术取代传统的丝网印刷技术，在电池正面喷出线宽在40微米左右的银栅线，烧结后通过光诱导电镀技术，在银栅线上再电镀一层薄银，增加栅线的电导率。
附图说明
图1为本发明流程结构示意图；
图2为本发明流程结构示意图。
具体实施方式
如图1、图2所示，本发明一种制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，它是在PECVD镀膜前先实现选择性发射极结构，然后用喷墨技术在电池正面喷出线宽在40微米的银栅线，烧结后通过光诱导电镀方式，在银栅线上再电镀一层薄银。本实施例中，在所述PECVD镀膜前、实现选择性发射极结构后，还要经过去磷硅玻璃PSG步骤。为了实现银栅线与重掺杂区的对准，实现选择性发射极结构的方法包括反刻法和激光掺杂法。采用反刻法时，先在硅片整个表面重掺杂，然后通过网版印刷的方法在硅片上印刷一层化学腐蚀浆料，腐蚀栅线以外的区域使其淡掺杂；采用激光掺杂法时，硅片在淡扩散之后，用激光技术在电池正面划出栅线图案，硅片表面有一层磷硅玻璃层，在激光开槽过程中，栅线区域同时实现了重掺杂。
这两种方法经试验表明，由于栅线和其他区域高度的不同，PECVD镀膜工序之后的栅线肉眼可见，喷墨技术可以轻松实现对准。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，它是在PECVD镀膜前先实现选择性发射极结构，然后用喷墨技术在电池正面喷出银栅线，烧结后通过光诱导电镀方式，在银栅线上再电镀一层薄银。
2.根据权利要求1所述的制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，在所述电池正面喷出银栅线过程中，银栅线的线宽保持在35-45微米。
3.根据权利要求1所述的制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，在所述PECVD镀膜前、实现选择性发射极结构后，还要经过去磷硅玻璃PSG步骤。
4.根据权利要求1所述的制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，所述实现选择性发射极结构的方法包括反刻法和激光掺杂法。
5.根据权利要求4所述的制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，实现选择性发射极结构采用反刻法，先在硅片整个表面重掺杂，然后通过网版印刷的方法在硅片上印刷一层化学腐蚀浆料，腐蚀栅线以外的区域使其淡掺杂。
6.根据权利要求4所述的制造细栅选择性发射极晶硅太阳电池的方法，其特征在于，实现选择性发射极结构采用激光掺杂法，硅片在淡扩散之后，用激光技术在电池正面划出栅线图案，硅片表面有一层磷硅玻璃层，在激光开槽过程中，栅线区域同时实现了重掺杂。
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