JP2007227917A - 磁気メモリ装置及びデータ記録方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランジスタと組をなすものであって、MTJセルとその両側で磁場を形成する第1パッド層及び第2パッド層とを備えたMTJ素子を備え、各トランジスタのドレインは、該当セル領域の第1パッド層に連結され、そのソースは、隣接した単位セル領域の第2パッド層に連結され、各トランジスタのゲートは、当単位セル領域の該当ワードラインに接続され、そのドレインは、該当単位セル領域のビットラインに接続される構造を有する磁気メモリ装置である。
【選択図】図3
Description
これまで、このような動作特性を有する多様な磁気メモリ素子(以下、従来の磁気メモリ素子)が紹介されており、図1は、その一例を示す。
このように、本発明の磁気メモリ素子は、ビットラインで発生した磁場を利用するのではなく、MTJセルの両側にそれぞれ接触したパッド層で発生する磁場を利用してビットデータを記録するので、選択されたMTJセルにだけビットデータを記録でき、この過程で選択されないMTJセルにビットデータが記録されることを防止できる。これは、本発明の磁気メモリ素子が高い選択性を有することを意味する。さらに、二つの電流経路を有することによって、電流が二つのトランジスタによって分担されるので、トランジスタに対する電流負担が減少する。
図3は、本発明の特徴的な構造を示すメモリ素子の等価回路図であり、図4は、本発明によるメモリ装置の概略的な構成を象徴的に示す立体図である。
図6A及び図6Bは、本発明によるMTJ素子40の抜粋斜視図及び断面図であって、第1パッド層及び第2パッド層42、43による情報記録のための電流の経路を示す図面である。
61、62、63 プラグ
40 MTJ素子
40a、41、M1 MTJセル
41b MTJ
42 第1パッド層
43 第2パッド層
50、B1〜Bm、Bi−1、Bi、Bi+1 ビットライン
D ドレイン
H1、H2 磁場
Ia、Ib 電流経路
Ic 電流
S ソース
W1〜Wn ワードライン
Claims (12)
- 複数の単位セル領域を画定する複数のワードラインおよびビットラインと、
単位セル領域のそれぞれに配置されるトランジスタと、
前記トランジスタと組をなすものであって、磁気トンネル接合セルとその両側で磁場を形成する第1パッド層及び第2パッド層とを備えた磁気トンネル接合素子と、を備え、
前記各トランジスタのドレインは、該当セル領域の第1パッド層に連結され、そのソースは、隣接した単位セル領域の第2パッド層に連結され、
各トランジスタのゲートは、該当単位セル領域の該当ワードラインに接続され、そのドレインは、該当単位セル領域のビットラインに接続される構造を有することを特徴とする磁気メモリ装置。 - 前記第1パッド層及び第2パッド層の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気メモリ装置。
- 前記ビットラインと磁気トンネル接合セルとは、少なくとも300nmの間隔で離隔されたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の磁気メモリ装置。
- 磁気メモリ装置の一本のワードライン上で選択された一つのメモリ領域の磁気トンネル接合素子に、磁場による情報を分極の形態で記録するに当たって、
前記磁気トンネル接合素子の一側面に対する磁場は、該当メモリ領域のトランジスタによってスイッチングされ、他側面に対する磁場は、選択されていない同一ワードライン上の隣接セルのトランジスタによってスイッチングされることを特徴とする磁気メモリ装置のデータ記録方法。 - 前記該当セル領域のトランジスタによってスイッチングされる磁場は、該当セル領域のトランジスタを通過する第1電流によって形成され、
前記隣接セルのトランジスタによってスイッチングされる磁場は、該当セル領域の磁気トンネル接合セルを通過する第2電流によって形成されることを特徴とする請求項4に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。 - 前記第1電流及び第2電流の和は、磁気トンネル接合素子の分極に必要な最小電流以上の値を有し、第1電流及び第2電流のそれぞれは、前記最小電流以下の値を有することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。
- 前記磁気メモリ装置は、
複数の単位セル領域を画定する複数のワードラインおよびビットラインと、
単位セル領域のそれぞれに配置されるトランジスタと、
前記トランジスタと組をなすものであって、磁気トンネル接合セルとその両側で磁場を形成する第1パッド層及び第2パッド層とを備えた磁気トンネル接合素子と、を備え、
前記各トランジスタのドレインは、該当セル領域の第1パッド層に連結され、そのソースは、隣接した単位セル領域の第2パッド層に連結され、
各トランジスタのゲートは、該当単位セル領域の該当ワードラインに接続され、そのドレインは、該当単位セル領域のビットラインに接続される構造を有することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。 - 前記第1パッド層及び第2パッド層の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項7に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。
- 前記ビットラインと磁気トンネル接合セルとは、少なくとも300nmの間隔で離隔されたことを特徴とする請求項7に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。
- 前記磁気メモリ装置は、
複数の単位セル領域を画定する複数のワードラインおよびビットラインと、
単位セル領域のそれぞれに配置されるトランジスタと、
前記トランジスタと組をなすものであって、磁気トンネル接合セルとその両側で磁場を形成する第1パッド層及び第2パッド層とを備えた磁気トンネル接合素子と、を備え、
前記各トランジスタのドレインは、該当セル領域の第1パッド層に連結され、そのソースは、隣接した単位セル領域の第2パッド層に連結され、
各トランジスタのゲートは、該当単位セル領域の該当ワードラインに接続され、そのドレインは、該当単位セル領域のビットラインに接続される構造を有することを特徴とする請求項6に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。 - 前記第1パッド層及び第2パッド層の厚さは、100nm以下であることを特徴とする請求項10に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。
- 前記ビットラインと磁気トンネル接合セルとは、少なくとも300nmの間隔で離隔されたことを特徴とする請求項10に記載の磁気メモリ装置のデータ記録方法。
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