KR20070084810A - 자기 메모리 장치와 데이터 기록 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 다수의 단위 셀 영역을 정의하는 다수 워드 라인과 비트 라인;단위 셀 영역의 각각에 배치되는 트랜지스터; 그리고상기 트랜지스터와 한 조를 이루는 것으로 MTJ(Magnetic Tunnelling Junction) 셀과 그 양측에서 자기장을 형성하는 제1, 제2패드층을 갖춘 MTJ 소자(element)를 구비하고,상기 각 트랜지스터의 드레인은 해당 셀 영역의 제1패드층에 연결되고 그 소스는 인접한 단위 셀 영역의 제2패드층에 연결되고,각 트랜지스터의 게이트는 해당 단위 셀 영역의 해당 워드 라인에 접속되고, 그 드레인은 해당 단위 셀 영역의 비트 라인에 연결되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1,2패드층의 두께는 100nm이하인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 비트라인과 MTJ 셀은 적어도 300nm 거리를 두고 이격된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치.
- 자기 메모리 장치의 하나의 워드라인 상에서 선택된 한 메모리 영역의 MTJ 소자에 자기장에 의한 정보를 분극의 형태로 기록함에 있어서,상기 MTJ 소자의 일측면에 대한 자기장은 해당 메모리 영역의 트랜지스터에 의해 스위칭 되며, 타측면에 대한 자기장은 선택되지 않은 동일 워드 라인 상의 인접 셀의 트랜지스터에 의해 스위칭되는 것을 특징으로 자기 메모리 장치의 데이타 기록 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 해당 셀 영역의 트랜지스터에 의해 스위칭되는 자기장은 해당 셀 영역의 트랜지스터를 통과하는 제 1 전류에 의해 형성되며,상기 인접 셀의 트랜지스터에 의해 스위칭되는 자기장은 해당 셀 영역의 MTJ 셀을 통과하는 제 2 전류에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제 1 전류 및 제 2 전류의 합은 MTJ 소자의 분극에 필요한 최소 전류 이상의 값을 가지며, 제 1 전류 및 제 2 전류 각각은 상기 최소 전류 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 자기 메모리 장치는:다수의 단위 셀 영역을 정의하는 다수 워드 라인과 비트 라인;단위 셀 영역의 각각에 배치되는 트랜지스터; 그리고상기 트랜지스터와 한 조를 이루는 것으로 MTJ(Magnetic Tunnelling Junction) 셀과 그 양측에서 자기장을 형성하는 제1, 제2패드층을 갖춘 MTJ 소자(element)를 구비하고,상기 각 트랜지스터의 드레인은 해당 셀 영역의 제1패드층에 연결되고 그 소스는 인접한 단위 셀 영역의 제2패드층에 연결되고,각 트랜지스터의 게이트는 해당 단위 셀 영역의 해당 워드 라인에 접속되고, 그 드레인은 해당 단위 셀 영역의 비트 라인에 연결되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제1,2패드층의 두께는 100nm이하인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 비트라인과 MTJ 셀은 적어도 300nm 거리를 두고 이격된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 자기 메모리 장치는:다수의 단위 셀 영역을 정의하는 다수 워드 라인과 비트 라인;단위 셀 영역의 각각에 배치되는 트랜지스터; 그리고상기 트랜지스터와 한 조를 이루는 것으로 MTJ(Magnetic Tunnelling Junction) 셀과 그 양측에서 자기장을 형성하는 제 1, 제 2 패드층을 갖춘 MTJ 소자(element)를 구비하고,상기 각 트랜지스터의 드레인은 해당 셀 영역의 제 1 패드층에 연결되고 그 소스는 인접한 단위 셀 영역의 제 2 패드층에 연결되고,각 트랜지스터의 게이트는 해당 단위 셀 영역의 해당 워드 라인에 접속되고, 그 드레인은 해당 단위 셀 영역의 비트 라인에 연결되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 1, 2 패드층의 두께는 100nm이하인 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 비트 라인과 MTJ 셀은 적어도 300nm 거리를 두고 이격된 것을 특징으로 하는 자기 메모리 장치의 데이타 기록방법.
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