JP2013089662A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置(1)は、半導体基板(50)上に形成されたトランジスタ(71)を含む下層回路(70)と、半導体基板(50)の上方の配線層(60)に形成されたメモリセルアレイ(20)と、を備える。メモリセルアレイ(20)の各メモリセル(MC)は、配線層(60)に形成された抵抗変化素子(40)を記憶素子として備る。メモリセルアレイ(20)は、メモリセル(MC)の直下に当該メモリセル(MC)との電気的接続用のビアが形成されていない第1領域(RF)を有している。下層回路(70)は、第1領域(RF)の少なくとも一部とオーバーラップするように配置されている。
【選択図】図13
Description
1−1.構成
図3は、本発明の実施の形態に係る抵抗変化型メモリ10の構成を示すブロック図である。図3に示されるように、抵抗変化型メモリ10は、メモリセルアレイ20と制御回路30を備えている。
次に、本実施の形態に係る抵抗変化型メモリ10の動作(データ書き換え、データ読み出し)を説明する。一例として、図4で示されたメモリセルアレイ20中のメモリセルMC11が、選択メモリセル(データ書き換え対象、あるいは、データ読み出し対象)である場合を考える。この場合、選択メモリセルMC11に接続されているビット線BL1及び上部電極線PL1は、それぞれ、選択ビット線及び選択上部電極線である。選択ビット線BL1以外のビット線BL2は、非選択ビット線である。選択上部電極線PL1以外の上部電極線PL2は、非選択上部電極線である。図7は、制御回路30(図3参照)によって各ビット線BL及び各上部電極線PLに印加される電圧を要約的に示している。
図8は、選択メモリセルMC11を低抵抗状態(SET状態)に設定する「SET動作」の場合の電圧印加状態を示している。ここで、正電圧であるセット電圧Vsetは、抵抗変化素子40を低抵抗状態に変化させるために必要なSET閾値電圧以上であるとする。また、セット電圧Vsetの約半分であるハーフ電圧1/2Vsetは、当該SET閾値電圧や後述されるRESET閾値電圧より低いとする。
図9は、選択メモリセルMC11を高抵抗状態(RESET状態)に設定する「RESET動作」の場合の電圧印加状態を示している。ここで、正電圧であるリセット電圧Vresetは、抵抗変化素子40を高抵抗状態に変化させるために必要なRESET閾値電圧以上であるとする。また、リセット電圧Vresetの約半分であるハーフ電圧1/2Vresetは、当該RESET閾値電圧や上述のSET閾値電圧より低いとする。
図10は、選択メモリセルMC11からデータを読み出す「READ動作」の場合の電圧印加状態を示している。READ動作では、正電圧であるリード電圧Vreadが用いられる。
図11は、メモリセルアレイ20中の所望のメモリセルMCに対するデータ書き込み方法を示すフローチャートである。データ書き込みでは、所望のメモリセルMCが「SET状態」に設定される。そのために、まず、メモリセルアレイ20に含まれる全てのメモリセルMCが、SET状態に設定される(ステップS100)。その後、所望のメモリセルMC以外のメモリセルMCが、RESET状態に戻される(ステップS200)。これにより、所望のメモリセルMCのみがSET状態となる。
図12は、本実施の形態に係る抵抗変化型メモリ10を搭載した半導体装置1(半導体チップ)の平面レイアウトの一例を示している。また、図13は、その半導体装置1の断面構造を示している。
以下、本発明の実施の形態の様々な変形例を説明する。
図14は、第1の変形例における半導体装置1の構造を示す断面図である。第1の変形例では、メモリセルアレイ20が形成されている配線層60と下層回路70との間に、シールド配線80が形成されている。例えば、シールド配線80は、配線層60の下の配線層(3M)に形成されている。このシールド配線層は、所定の電位に固定されている。所定の電位は、例えば、グランド電位GNDである。あるいは、シールド配線80は、VDD等の低インピーダンスの電源に接続されていてもよい。
図15は、第2の変形例における半導体装置1(半導体チップ)の平面レイアウトを示している。第2の変形例では、下層回路70が、抵抗変化型メモリ10の制御回路30の一部を含んでいる。つまり、同じ抵抗変化型メモリ10に属するメモリセルアレイ20と制御回路30とが、部分的にオーバーラップするように配置されている。例えば、下層回路70は、行選択回路31と電圧生成回路35を含んでいる。このような配置により、抵抗変化型メモリ10のマクロサイズが削減されるため、結果として、チップ面積も削減される。
図17は、第3の変形例におけるメモリセルアレイ20の構成を示している。第3の変形例では、1×nのメモリセルアレイ20が用いられる。つまり、行方向には複数のメモリセルMCが配置されるが、列方向には1個のメモリセルMCしか配置されない。上部電極線PLは、PL1のみである。
第4の変形例では、抵抗変化素子40に対する電圧印加特性が単極性である。単極性の場合、RESET動作は、上部電極42の電位が下部電極41の電位より高くなるようにリセット電圧Vreset(<Vset)を印加することにより実現される。
既出の図10で示された通り、READ動作において、非選択上部電極線PL2にはリード電圧Vreadが印加される。これにより、非選択メモリセルMC12に電流が流れることが防止され、選択ビット線BL1に流れる電流は、選択メモリセルMC11に流れるセル電流のみとなる。従って、選択メモリセルMC11に記憶されているデータを正しく読み出すことができる。
第6の変形例では、抵抗変化型メモリ10の代わりにROM(Read Only Memory)が用いられる。図24は、第6の変形例におけるROMのメモリセルアレイ20の構成を示す平面図である。図25は、そのROMを搭載した半導体装置の構造を示す断面図である。
10 抵抗変化型メモリ
20 メモリセルアレイ
25 ダミーセルアレイ
30 制御回路
31 行選択回路
32 列選択回路
33 書き込み回路
34 読み出し回路
35 電圧生成回路
40 抵抗変化素子
41 下部電極
42 上部電極
43 スイッチング層
50 半導体基板
60 配線層
70 下層回路
71 トランジスタ
80 シールド配線
90 ROM素子
91 下部電極
92 上部電極
93 ビア
MC メモリセル
BL ビット線
PL 上部電極線
RF フリー領域
Claims (7)
- 半導体基板上に形成されたトランジスタを含む下層回路と、
前記半導体基板の上方の配線層に形成されたメモリセルアレイと
を備え、
前記メモリセルアレイの各メモリセルは、前記配線層に形成された抵抗変化素子を記憶素子として備え、
前記メモリセルアレイは、メモリセルの直下に当該メモリセルとの電気的接続用のビアが形成されていない第1領域を有しており、
前記下層回路は、前記第1領域の少なくとも一部とオーバーラップするように配置されている
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記各メモリセルは、セレクトトランジスタ及びダイオードを備えていない
半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置であって、
更に、前記メモリセルアレイが形成された前記配線層と前記下層回路との間に形成されたシールド配線を備える
半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
更に、抵抗変化型メモリを備え、
前記抵抗変化型メモリは、
前記メモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに対してデータ読み書きを実施する制御回路と
を備える
半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記下層回路は、前記抵抗変化型メモリ以外の回路を含んでいる
半導体装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体装置であって、
前記下層回路は、前記制御回路の一部を含んでいる
半導体装置。 - 請求項4乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記各メモリセルの前記抵抗変化素子の両端は、第1電極線及び第2電極線にそれぞれ接続されており、
前記メモリセルアレイのうちデータ書き換え対象のメモリセルは、選択メモリセルであり、
前記選択メモリセルに接続されている前記第1電極線及び前記第2電極線は、それぞれ、選択第1電極線及び選択第2電極線であり、
前記選択第1電極線以外の前記第1電極線は、非選択第1電極線であり、
前記選択第2電極線以外の前記第2電極線は、非選択第2電極線であり、
前記選択メモリセルのデータ書き換え時、前記制御回路は、前記選択第1電極線に第1電圧を印加し、前記選択第2電極線に第2電圧を印加し、前記非選択第1電極線に第3電圧を印加し、前記非選択第2電極線に第4電圧を印加し、
前記第1電圧と前記第2電圧との差は、前記データ書き換えに必要な閾値電圧以上であり、
前記第1電圧と前記第4電圧との差は、前記閾値電圧より低く、
前記第2電圧と前記第3電圧との差は、前記閾値電圧より低く、
前記第3電圧と前記第4電圧との差は、前記閾値電圧より低い
半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011226611A JP2013089662A (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 半導体装置 |
US13/614,694 US8824189B2 (en) | 2011-10-14 | 2012-09-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011226611A JP2013089662A (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089662A true JP2013089662A (ja) | 2013-05-13 |
Family
ID=48085879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011226611A Pending JP2013089662A (ja) | 2011-10-14 | 2011-10-14 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8824189B2 (ja) |
JP (1) | JP2013089662A (ja) |
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US8824189B2 (en) | 2014-09-02 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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