JP2007201069A - 太陽電池形成用ポリイミドフィルム - Google Patents
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Abstract
Description
からからなる繰り返し単位を有する全芳香族ポリイミドから主としてなり、100〜250℃の温度でのフィルム面内の直行する2方向の線膨張係数が−10〜12ppm/℃である太陽電池形成用ポリイミドフィルムである。
本発明の太陽電池形成用ポリイミドフィルムは、下記式(I)
からなる繰り返し単位を有する全芳香族ポリイミドから主としてなる。
工程1:酸無水物及び下記式(II)
H2N−AR2−NH2 (II)
(Ar2は非反応性の置換基を含んでいてもよい芳香族基であり、式(I)のものと同じ)
で表わされる芳香族ジアミン化合物とを下記式(1)
0.95≦a/b≦1.05 ・・・(1)
(ここでaは酸無水物のモル数、bは上記式(II)で表わされる芳香族ジアミンのモル数を表わす。)
を同時に満足する割合で溶媒中にて反応せしめてポリアミック酸溶液を得る。
工程2: ポリアミック酸溶液を支持体上に流延した後、ポリアミック酸の一部あるいはすべてをイミド化および/またはイソイミド化しゲルフィルムを製膜する。
工程3: 得られたゲルフィルムを二軸延伸する。
工程4: 得られた2軸延伸フィルムを熱処理する。
上記のごとく工程2にて得られたゲルフィルムは、均質かつ高度に膨潤した延伸性に優れたゲルフィルムとなる。このような延伸性に優れたゲルフィルムを得ることは、本発明の特筆すべき特徴の一つであり、後の工程により、低熱膨張のポリイミドフィルムを得るために好適なものである。
D(ケミカル・ベ−パ−・デポジション)法やスパッタ法によって、導電性無機材料を積層することによって得られる。導電性無機材料としては、Al、Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Mo、およびそれらの合金、ステンレス鋼などの金属薄膜や、In2O3、SnO2、ZnO、Cd2SnO4、ITO(In2O3にSnを添加したもの)などの酸化物半導体系の導電材料などが挙げられる。裏面電極層の厚さは特に限定はなく、通常、30〜1000nm程度である。好ましくは、裏面電極層は金属箔膜である。
り、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、銅/インジウム/セレン(CIS)あるいは銅/インジウム/ガリウム/セレン(CIGS)、ガリウム砒素、カドミウム・テルルなどの半導体を上げることができる。光電変換層は、異なる半導体からなる複数の層を有する積層体であってもよい。半導体層は、プラズマCVD法、熱CVD法、スパッタリング法、クラスタイオンビーム法、蒸着法などによって得ることができる。
本発明における物性の測定方法、効果の評価方法は次の方法に従って行った。
ヤング率及び強伸度は50mm×10mmのサンプルを用いて、25℃にて引っ張り速度5mm/分にて、オリエンテックUCT−1Tにより測定を行った。
(2)線熱膨張係数
約13mm(L0)×4mmのサンプルを用いて、TAインスツルメントTMA2940Thermomechanical Analyzerにより、昇温速度10℃/分にて、50℃〜450℃の範囲で昇温、降温させ、100℃から250℃の間での試料長の変化量ΔLを測定し、下記式(2)
線熱膨張係数(ppm/℃)=10000×ΔL/L0・・・(2)
より算出した。
(3)動的粘弾性測定
レオメトリック・サイエンティフィック(株)社製RSAII型により、−100〜500℃の範囲を振動数1Hzにより測定した。
温度計、撹拌装置及び原料投入口を備えた反応容器に、窒素雰囲気下、脱水NMP21kgを入れ、更に1,4−フェニレンジアミン340.0g、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル629.3gを加え完全に溶解させた。その後、ジアミン溶液の温度を20℃とした。このジアミン溶液に無水ピロメリット酸1371gを複数回に分けて、段階的に添加し1時間反応させた。この時反応溶液の温度は20〜40℃であった。更に該反応液を60℃とし、2時間反応させ、粘調溶液としてポリアミック酸NMP溶液を得た。
Claims (3)
- 1Hzでの粘弾性において100〜400℃におけるtanδが、100℃におけるtanδの3倍を超えないことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池形成用ポリイミドフィルム。
- 請求項1または2いずれかに記載の太陽電池形成用ポリイミドフィルム上に、電極層および半導体からなる光電変換層を含む積層体が形成されてなる太陽電池。
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