JP2002265643A - 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 - Google Patents
太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板Info
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- JP2002265643A JP2002265643A JP2002036220A JP2002036220A JP2002265643A JP 2002265643 A JP2002265643 A JP 2002265643A JP 2002036220 A JP2002036220 A JP 2002036220A JP 2002036220 A JP2002036220 A JP 2002036220A JP 2002265643 A JP2002265643 A JP 2002265643A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】熱膨張係数の小さい太陽電池基板用ポリイミド
フィルム、フレキシブルでハンドリング性がすぐれ、し
かもカールを生じにくい太陽電池基板およびその製造方
法を提供することにある。 【解決手段】４，４’−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/
１８であるジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物と
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とのモル比が１０
０/０〜６５/３５である酸二無水物成分を用い、ジアミ
ン成分と酸二無水物成分とのモル比が１００/９５〜９
５/１００になるように両者を非プロトン性極性溶媒中
で反応させることにより、ポリアミック酸を形成し、得
られたポリアミック酸を均一に延ばすことにより得られ
た自己支持性のゲルフィルムを固定した状態で熱あるい
は化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフ
ィルム搬送方向および、これと直交する方向にそれぞれ
1.05〜2.0倍に延伸することにより形成されたものであ
ることを特徴とする太陽電池基板用ポリイミドフィル
ム。
フィルム、フレキシブルでハンドリング性がすぐれ、し
かもカールを生じにくい太陽電池基板およびその製造方
法を提供することにある。 【解決手段】４，４’−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/
１８であるジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物と
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とのモル比が１０
０/０〜６５/３５である酸二無水物成分を用い、ジアミ
ン成分と酸二無水物成分とのモル比が１００/９５〜９
５/１００になるように両者を非プロトン性極性溶媒中
で反応させることにより、ポリアミック酸を形成し、得
られたポリアミック酸を均一に延ばすことにより得られ
た自己支持性のゲルフィルムを固定した状態で熱あるい
は化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフ
ィルム搬送方向および、これと直交する方向にそれぞれ
1.05〜2.0倍に延伸することにより形成されたものであ
ることを特徴とする太陽電池基板用ポリイミドフィル
ム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は熱膨張係数の著しく
小さい太陽電池基板用ポリイミドフィルム、そのフィル
ムをベースに用いたフレキシブルでハンドリング性がす
ぐれ、しかもカールを生じにくい太陽電池基板およびそ
の製造方法に関するものである。
小さい太陽電池基板用ポリイミドフィルム、そのフィル
ムをベースに用いたフレキシブルでハンドリング性がす
ぐれ、しかもカールを生じにくい太陽電池基板およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽光あるいはその他の光エネルギーに
より電力を得る光起電力装置としての太陽電池は、一般
にフィルム状のベースに金属電極、シリコン層、透明電
極および必要に応じてさらに保護層を順次積層した基板
を使用することにより構成されている。
より電力を得る光起電力装置としての太陽電池は、一般
にフィルム状のベースに金属電極、シリコン層、透明電
極および必要に応じてさらに保護層を順次積層した基板
を使用することにより構成されている。
【０００３】そして、太陽電池の基板ベースとしては、
従来では主としてステンレスやガラス板が用いられてき
た。
従来では主としてステンレスやガラス板が用いられてき
た。
【０００４】しかしながらステンレスやガラス板を基板
ベースとする太陽電池は折り曲げができないばかりか、
製造時あるいは取り扱い時に割れやすいため、ハンドリ
ング性に劣るという大きな欠点があった。
ベースとする太陽電池は折り曲げができないばかりか、
製造時あるいは取り扱い時に割れやすいため、ハンドリ
ング性に劣るという大きな欠点があった。
【０００５】そこで近年では、太陽電池のベースとして
ポリイミドフィルムが検討されているが、ポリイミドフ
ィルムは比重が１．４ｇ/ｃｍ3と軽く、割れにくく折り
曲げが容易であることから、ハンドリング性にすぐれる
という利点を有する反面、熱膨張係数が２０〜３０ｐｐ
ｍ/℃と大きいため、熱膨張係数４ｐｐｍ/℃のシリコン
との間に大きな歪みが生じ、カールしやすいという問題
があった。
ポリイミドフィルムが検討されているが、ポリイミドフ
ィルムは比重が１．４ｇ/ｃｍ3と軽く、割れにくく折り
曲げが容易であることから、ハンドリング性にすぐれる
という利点を有する反面、熱膨張係数が２０〜３０ｐｐ
ｍ/℃と大きいため、熱膨張係数４ｐｐｍ/℃のシリコン
との間に大きな歪みが生じ、カールしやすいという問題
があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した従
来技術における問題点の解決を課題として検討した結果
達成されたものである。
来技術における問題点の解決を課題として検討した結果
達成されたものである。
【０００７】したがって、本発明の目的は熱膨張係数の
小さい太陽電池基板用ポリイミドフィルム、フレキシブ
ルでハンドリング性がすぐれ、しかもカールを生じにく
い太陽電池基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
小さい太陽電池基板用ポリイミドフィルム、フレキシブ
ルでハンドリング性がすぐれ、しかもカールを生じにく
い太陽電池基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の太陽電池基板用ポリイミドフィルムは、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとパラフェニレ
ンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/１８であるジ
アミン成分と、ピロメリット酸二無水物とビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物とのモル比が１００/０〜６５/
３５である酸二無水物成分を用い、ジアミン成分と酸二
無水物成分とのモル比が１００/９５〜９５/１００にな
るように両者を非プロトン性極性溶媒中で反応させるこ
とにより、ポリアミック酸を形成し、得られたポリアミ
ック酸を均一に延ばすことにより得られた自己支持性の
ゲルフィルムを固定した状態で熱あるいは化学的に脱水
閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向
および、これと直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に
延伸することにより形成されたものである。
めに、本発明の太陽電池基板用ポリイミドフィルムは、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとパラフェニレ
ンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/１８であるジ
アミン成分と、ピロメリット酸二無水物とビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物とのモル比が１００/０〜６５/
３５である酸二無水物成分を用い、ジアミン成分と酸二
無水物成分とのモル比が１００/９５〜９５/１００にな
るように両者を非プロトン性極性溶媒中で反応させるこ
とにより、ポリアミック酸を形成し、得られたポリアミ
ック酸を均一に延ばすことにより得られた自己支持性の
ゲルフィルムを固定した状態で熱あるいは化学的に脱水
閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向
および、これと直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に
延伸することにより形成されたものである。
【０００９】また、本発明の太陽電池基板は、上記太陽
電池基板用フィルムの表面に金属電極を形成し、この金
属電極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにア
モルファスシリコン層上に透明電極を形成し、さらに必
要に応じて、透明電極上に保護層を設けたものである。
電池基板用フィルムの表面に金属電極を形成し、この金
属電極上にアモルファスシリコン層を形成し、さらにア
モルファスシリコン層上に透明電極を形成し、さらに必
要に応じて、透明電極上に保護層を設けたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明について詳述する。
【００１１】本発明における４，４'−ジアミノジフェ
ニルエーテルは、ケミカルアブストラクツ番号が１０１
−８０−４で示される４，４'−オキシジアニリンと同
一の化合物である。
ニルエーテルは、ケミカルアブストラクツ番号が１０１
−８０−４で示される４，４'−オキシジアニリンと同
一の化合物である。
【００１２】本発明の太陽電池基板の基板ベースを構成
するポリイミドフィルムとは、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテルとパラフェニレンジアミンとのモル比が
７０/３０〜８２/１８であるジアミン成分と、ピロメリ
ット酸二無水物とビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とのモル比が１００/０〜６５/３５である酸二無水物成
分を用い、ジアミン成分と酸二無水物成分とのモル比が
１００/９５〜９５/１００になるように両者を非プロト
ン性極性溶媒中で反応させることにより、ポリアミック
酸を形成し、得られたポリアミック酸を均一に延ばすこ
とにより得られた自己支持性のゲルフィルムを固定した
状態で熱あるいは化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲ
ルフィルムをフィルム搬送方向および、これと直交する
方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延伸することにより形成
されたものである。
するポリイミドフィルムとは、４，４’−ジアミノジフ
ェニルエーテルとパラフェニレンジアミンとのモル比が
７０/３０〜８２/１８であるジアミン成分と、ピロメリ
ット酸二無水物とビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とのモル比が１００/０〜６５/３５である酸二無水物成
分を用い、ジアミン成分と酸二無水物成分とのモル比が
１００/９５〜９５/１００になるように両者を非プロト
ン性極性溶媒中で反応させることにより、ポリアミック
酸を形成し、得られたポリアミック酸を均一に延ばすこ
とにより得られた自己支持性のゲルフィルムを固定した
状態で熱あるいは化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲ
ルフィルムをフィルム搬送方向および、これと直交する
方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延伸することにより形成
されたものである。
【００１３】上記において使用する酸二無水物の具体例
としては
としては
【００１４】
【化１】 などが挙げられ、なかでも
【００１５】
【化２】 が好ましく使用される。
【００１６】上記において使用するジアミンの具体例と
しては
しては
【００１７】
【化３】 などが挙げられ、なかでも
【００１８】
【化４】 が好ましく使用される。
【００１９】本発明のポリアミド酸の重合反応はすべて
のジアミン成分を最初に反応系中に投入し、酸二無水物
成分を添加する方法、または一方のジアミン成分と酸二
無水物成分との反応を行った後に残りのジアミン成分、
酸二無水物成分を添加する方法のいずれを用いても良
い。
のジアミン成分を最初に反応系中に投入し、酸二無水物
成分を添加する方法、または一方のジアミン成分と酸二
無水物成分との反応を行った後に残りのジアミン成分、
酸二無水物成分を添加する方法のいずれを用いても良
い。
【００２０】また、上記において使用する非プロトン性
極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジ
エチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドな
どのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系
溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−
ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ
−,m−，又はｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン
化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あ
るいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクト
ンなどを挙げることができ、これらを単独又は混合物と
して用いるのが望ましいが、更にはキシレン、トルエン
のような芳香族炭化水素の使用も可能である。
極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジ
エチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドな
どのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系
溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−
ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、ｏ
−,m−，又はｐ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン
化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、あ
るいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクト
ンなどを挙げることができ、これらを単独又は混合物と
して用いるのが望ましいが、更にはキシレン、トルエン
のような芳香族炭化水素の使用も可能である。
【００２１】上記ポリアミック酸を化学的に脱水閉環
（イミド化）する際に使用される脱水剤としては、例え
ば無水酢酸などの脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物など
があげられる。また触媒としては、例えばトリエチルア
ミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチルアニリン等
の芳香族第３級アミン類、ピリジン、ピコリン、イソキ
ノリン等の複素環式第３級アミン類などがあげられる。
（イミド化）する際に使用される脱水剤としては、例え
ば無水酢酸などの脂肪族酸無水物、芳香族酸無水物など
があげられる。また触媒としては、例えばトリエチルア
ミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチルアニリン等
の芳香族第３級アミン類、ピリジン、ピコリン、イソキ
ノリン等の複素環式第３級アミン類などがあげられる。
【００２２】なお、ポリイミドフィルムを形成する上記
のポリアミド酸には３重量％以下の無機フィラーあるい
は他のポリイミドなどを添加することができる。
のポリアミド酸には３重量％以下の無機フィラーあるい
は他のポリイミドなどを添加することができる。
【００２３】本発明のポリイミドフィルムを得るに際し
ては、酸二無水物の添加量、およびゲルフィルムの延伸
倍率などを上記のように制限することが重要である。こ
のような条件を選ぶことにより、本発明の太陽電池基板
用ポリイミドフィルムとして好ましい、熱膨張係数が１
２〜１６ｐｐｍ/℃、ヤング率４２０kg/mm2以上のポリ
イミドフィルムを得ることができる。
ては、酸二無水物の添加量、およびゲルフィルムの延伸
倍率などを上記のように制限することが重要である。こ
のような条件を選ぶことにより、本発明の太陽電池基板
用ポリイミドフィルムとして好ましい、熱膨張係数が１
２〜１６ｐｐｍ/℃、ヤング率４２０kg/mm2以上のポリ
イミドフィルムを得ることができる。
【００２４】ゲルフィルムのフィルム搬送方向およびこ
れに直交する方向いずれかの延伸倍率が1.05倍未満で
は、ヤング率が４２０kg/mm２に達しない傾向にある。
またいずれかの延伸倍率が２．０倍を越えるとゲルフィ
ルムが破れやすく、生産性が著しく低下するために好ま
しくない。
れに直交する方向いずれかの延伸倍率が1.05倍未満で
は、ヤング率が４２０kg/mm２に達しない傾向にある。
またいずれかの延伸倍率が２．０倍を越えるとゲルフィ
ルムが破れやすく、生産性が著しく低下するために好ま
しくない。
【００２５】かくして得られ、本発明の太陽電池用基板
において基板ベースとして使用されるポリイミドフィル
ムは、その熱膨張係数が１２〜１６ｐｐｍ/℃で、かつ
ヤング率が４２０kg/mm２以上であることが好ましい。
において基板ベースとして使用されるポリイミドフィル
ムは、その熱膨張係数が１２〜１６ｐｐｍ/℃で、かつ
ヤング率が４２０kg/mm２以上であることが好ましい。
【００２６】ポリイミドフィルムの熱膨張係数が１６ｐ
ｐｍ/℃を越える場合は、シリコン層との間に熱膨張係
数の差が大きくなり、カールの発生を防止することが困
難となるために好ましくない。また、本発明の原料を用
いて得た熱膨張係数が１２ｐｐｍ/℃よりも小さいフィ
ルムも、伸度が低いために割れやすく、太陽電池用基板
用として好ましいものとは言えない。
ｐｍ/℃を越える場合は、シリコン層との間に熱膨張係
数の差が大きくなり、カールの発生を防止することが困
難となるために好ましくない。また、本発明の原料を用
いて得た熱膨張係数が１２ｐｐｍ/℃よりも小さいフィ
ルムも、伸度が低いために割れやすく、太陽電池用基板
用として好ましいものとは言えない。
【００２７】さらに、ポリイミドフィルムの熱膨張係数
が１２〜１６ｐｐｍ/℃であっても、そのヤング率が４
２０kg/mm２未満の場合には、シリコン層とのわずかな
熱膨張係数の違いのために生じる応力に起因してカール
を生じる傾向となるため好ましくない。
が１２〜１６ｐｐｍ/℃であっても、そのヤング率が４
２０kg/mm２未満の場合には、シリコン層とのわずかな
熱膨張係数の違いのために生じる応力に起因してカール
を生じる傾向となるため好ましくない。
【００２８】ここで、本発明で言う熱膨張係数とは５０
℃〜２００℃の平均熱膨張係数を意味し、島津製作所
製”サーモメカニカルアナライザーTMA−50”を用いて
測定した値である。
℃〜２００℃の平均熱膨張係数を意味し、島津製作所
製”サーモメカニカルアナライザーTMA−50”を用いて
測定した値である。
【００２９】本発明の太陽電池基板において上記ポリイ
ミドフィルム上に形成される金属電極の金属の種類には
特に制約はなく、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、
鉄、スズ等あるいはこれら金属の２種以上からなる合金
等を例示することができる。
ミドフィルム上に形成される金属電極の金属の種類には
特に制約はなく、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、
鉄、スズ等あるいはこれら金属の２種以上からなる合金
等を例示することができる。
【００３０】本発明の太陽電池基板において上記アモル
ファスシリコン層上に形成される透明電極としては、酸
化インジウム−スズ合金、酸化スズおよび酸化インジウ
ムなどの導電性金属が例示できる。
ファスシリコン層上に形成される透明電極としては、酸
化インジウム−スズ合金、酸化スズおよび酸化インジウ
ムなどの導電性金属が例示できる。
【００３１】なお、本発明の太陽電池基板においては、
上記透明電極上にさらに必要に応じて保護層を形成する
ことができ、この保護層の具体例としてはフッ素樹脂、
透明ポリイミドなどの光線透過率が高く、かつ耐候性に
すぐれた高分子材料が挙げられる。
上記透明電極上にさらに必要に応じて保護層を形成する
ことができ、この保護層の具体例としてはフッ素樹脂、
透明ポリイミドなどの光線透過率が高く、かつ耐候性に
すぐれた高分子材料が挙げられる。
【００３２】かくして得られる本発明の太陽電池基板は
フレキシブルで折り曲げ可能であり、しかも製造時ある
いは取り扱い時に割れることがないため、ハンドリング
性がすぐれるばかりか、基板ベースの歪みを招くことが
なく、カールを生じないというすぐれた性能を発揮す
る。
フレキシブルで折り曲げ可能であり、しかも製造時ある
いは取り扱い時に割れることがないため、ハンドリング
性がすぐれるばかりか、基板ベースの歪みを招くことが
なく、カールを生じないというすぐれた性能を発揮す
る。
【００３３】そして、本発明の太陽電池基板の製造方法
によれば、上記のすぐれた性能を有する太陽電池基板を
効率的に製造することができる。
によれば、上記のすぐれた性能を有する太陽電池基板を
効率的に製造することができる。
【００３４】
【実施例】以下に実施例を挙げ本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００３５】なお、実施例中の各特性は、次の方法によ
り測定した。 [熱膨張係数] 島津製作所製”サーモメカニカルアナラ
イザーTMA−50”を用いて５０℃〜２００℃の平均熱膨
張係数測定した。 [ヤング率] オリエンテック社製”テンシロンRTM-25
0”を用いて測定した。 [ハンドリング性] 得られた太陽電池基板を35mm×120mm
の大きさに切断し、これを手で折り曲げた場合の感触を
評価し、下記の基準で評価した。 ○……折り曲げ自在でハンドリング性良好。 ×……折り曲げ不可能で無理に折り曲げると割れる。
り測定した。 [熱膨張係数] 島津製作所製”サーモメカニカルアナラ
イザーTMA−50”を用いて５０℃〜２００℃の平均熱膨
張係数測定した。 [ヤング率] オリエンテック社製”テンシロンRTM-25
0”を用いて測定した。 [ハンドリング性] 得られた太陽電池基板を35mm×120mm
の大きさに切断し、これを手で折り曲げた場合の感触を
評価し、下記の基準で評価した。 ○……折り曲げ自在でハンドリング性良好。 ×……折り曲げ不可能で無理に折り曲げると割れる。
【００３６】[カール] ２４時間調湿した35mm×120mm
の試料を水平な台に置いて、４角の台からの浮きを測定
し、これを平均した値をカールの値とした。カールの方
向はポリイミドフィルムを上にしたとき凹になるカール
をプラス、逆にポリイミドフィルムを上にしたとき凸に
なるカールをマイナスと表記した。 実施例１ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２３．６７ｇ
(１１８mmol)、ｐー フェニレンジアミン５．４８ｇ(５
０ｍｍｏｌ)、N,N−ジメチルアセトアミド１８５．２８
ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後から
１時間後にかけてピロメリット酸二無水物３５．７４ｇ
(１４３mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチル
アセトアミド１０ｍｌを用いて粉体ロートに付着したピ
ロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１時間
攪拌した後を加え、ピロメリット酸二無水物１０．７２
ｇ(２９ｍｍｏｌ)を１０分かけて投入する。Ｎ,Ｎ−ジ
メチルアセトアミド２５ｍｌを用いて粉体ロートに付着
したピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。
１２時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジ
メチルアセトアミド溶液(６wt％)１８．４２ｇを３０分
かけて滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られた
ポリアミック酸は３０００ポアズであった。
の試料を水平な台に置いて、４角の台からの浮きを測定
し、これを平均した値をカールの値とした。カールの方
向はポリイミドフィルムを上にしたとき凹になるカール
をプラス、逆にポリイミドフィルムを上にしたとき凸に
なるカールをマイナスと表記した。 実施例１ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２３．６７ｇ
(１１８mmol)、ｐー フェニレンジアミン５．４８ｇ(５
０ｍｍｏｌ)、N,N−ジメチルアセトアミド１８５．２８
ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後から
１時間後にかけてピロメリット酸二無水物３５．７４ｇ
(１４３mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチル
アセトアミド１０ｍｌを用いて粉体ロートに付着したピ
ロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１時間
攪拌した後を加え、ピロメリット酸二無水物１０．７２
ｇ(２９ｍｍｏｌ)を１０分かけて投入する。Ｎ,Ｎ−ジ
メチルアセトアミド２５ｍｌを用いて粉体ロートに付着
したピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。
１２時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジ
メチルアセトアミド溶液(６wt％)１８．４２ｇを３０分
かけて滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られた
ポリアミック酸は３０００ポアズであった。
【００３７】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：２５μm、ヤング率:
４２０kg/mm２、線膨張係数:１４ｐｐｍ/℃であった。
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：２５μm、ヤング率:
４２０kg/mm２、線膨張係数:１４ｐｐｍ/℃であった。
【００３８】得られたフィルムにアルミニウムおよびシ
リコンをそれぞれ０．５μmづつイオン蒸着し、カール
を測定した。測定結果を表１にまとめた。 実施例２ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２２．０７ｇ
(１１０mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド２０７．６
３ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物２３．０８
ｇ(１０６mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチ
ルアセトアミド１０ｍｌを用いて粉体ロートに付着した
ピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１時
間攪拌した後ｐ−フェニレンジアミン３．９７ｇ(３７
ｍｍｏｌ)を加え、３,３',４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物１０．８１ｇ(３７ｍｍｏｌ)を１０
分かけて投入する。Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド１０
ｍｌを用いて粉体ロートに付着した３,３',４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を反応系中に洗い
入れる。１２時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物
Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド溶液(６wt％)１６．０２
ｇを３０分かけて滴下し、さらに１時間攪拌する。ここ
で得られたポリアミック酸は３５００ポアズであった。
リコンをそれぞれ０．５μmづつイオン蒸着し、カール
を測定した。測定結果を表１にまとめた。 実施例２ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２２．０７ｇ
(１１０mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド２０７．６
３ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物２３．０８
ｇ(１０６mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチ
ルアセトアミド１０ｍｌを用いて粉体ロートに付着した
ピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１時
間攪拌した後ｐ−フェニレンジアミン３．９７ｇ(３７
ｍｍｏｌ)を加え、３,３',４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物１０．８１ｇ(３７ｍｍｏｌ)を１０
分かけて投入する。Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド１０
ｍｌを用いて粉体ロートに付着した３,３',４，４’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を反応系中に洗い
入れる。１２時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物
Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド溶液(６wt％)１６．０２
ｇを３０分かけて滴下し、さらに１時間攪拌する。ここ
で得られたポリアミック酸は３５００ポアズであった。
【００３９】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：５０μm、ヤング率:
６７０kg/mm2、線膨張係数:１２ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。測
定結果を表２にまとめた。 実施例３ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２３．３４ｇ
(１１６mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド１９８．１
３ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物１９．２３
ｇ(８８mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチル
アセトアミド１０ｍｌを用いて粉体ロートに付着したピ
ロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１時間
攪拌した後ｐー フェニレンジアミン２．７７ｇ(２５ｍ
ｍｏｌ)、N,N−ジメチルアセトアミド１０ｍｌを加え、
３,３',４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物１４．６４ｇ(４９ｍｍｏｌ)を１０分かけて投入す
る。Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド１０ｍｌを用いて粉
体ロートに付着した３,３',４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１２時
間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジメチル
アセトアミド溶液(６wt％)１５．５０ｇを３０分かけて
滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られたポリア
ミック酸は３５００ポアズであった。
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：５０μm、ヤング率:
６７０kg/mm2、線膨張係数:１２ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。測
定結果を表２にまとめた。 実施例３ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル２３．３４ｇ
(１１６mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド１９８．１
３ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物１９．２３
ｇ(８８mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチル
アセトアミド１０ｍｌを用いて粉体ロートに付着したピ
ロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１時間
攪拌した後ｐー フェニレンジアミン２．７７ｇ(２５ｍ
ｍｏｌ)、N,N−ジメチルアセトアミド１０ｍｌを加え、
３,３',４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物１４．６４ｇ(４９ｍｍｏｌ)を１０分かけて投入す
る。Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド１０ｍｌを用いて粉
体ロートに付着した３,３',４，４’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１２時
間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジメチル
アセトアミド溶液(６wt％)１５．５０ｇを３０分かけて
滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られたポリア
ミック酸は３５００ポアズであった。
【００４０】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：５０μm、ヤング率:
５４０kg/mm2、線膨張係数:１６ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。測
定結果を表２にまとめた。 比較例１ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル３１．１２ｇ
(１５５mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド２７６．４
６ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物４８．５８
ｇ(１５１mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチ
ルアセトアミド２０ｍｌを用いて粉体ロートに付着した
ピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１２
時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド溶液(６wt％)２５．０４ｇを３０分かけ
て滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られたポリ
アミック酸は３０００ポアズであった。
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：５０μm、ヤング率:
５４０kg/mm2、線膨張係数:１６ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。測
定結果を表２にまとめた。 比較例１ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル３１．１２ｇ
(１５５mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド２７６．４
６ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物４８．５８
ｇ(１５１mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチ
ルアセトアミド２０ｍｌを用いて粉体ロートに付着した
ピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１２
時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド溶液(６wt％)２５．０４ｇを３０分かけ
て滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られたポリ
アミック酸は３０００ポアズであった。
【００４１】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：２５μm、ヤング率:
３７０kg/mm2、線膨張係数:２５ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。
測定結果を表１にまとめた。 比較例２ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル３１．１２ｇ
(１５５mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド２７６．４
６ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物４８．５８
ｇ(１５１mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチ
ルアセトアミド２０ｍｌを用いて粉体ロートに付着した
ピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１２
時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド溶液(６wt％)２５．０４ｇを３０分かけ
て滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られたポリ
アミック酸は３０００ポアズであった。
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：２５μm、ヤング率:
３７０kg/mm2、線膨張係数:２５ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。
測定結果を表１にまとめた。 比較例２ DCスターラーを備えた５００ｍｌセパラブルフラスコ中
に４，４'−ジアミノジフェニルエーテル３１．１２ｇ
(１５５mmol)、N,N−ジメチルアセトアミド２７６．４
６ｇを入れ窒素雰囲気下、室温で攪拌した。３０分後か
ら１時間後にかけてピロメリット酸二無水物４８．５８
ｇ(１５１mmol)を数回に分けて投入する。N,N−ジメチ
ルアセトアミド２０ｍｌを用いて粉体ロートに付着した
ピロメリット酸二無水物を反応系中に洗い入れる。１２
時間攪拌した後ピロメリット酸二無水物 Ｎ,Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド溶液(６wt％)２５．０４ｇを３０分かけ
て滴下し、さらに１時間攪拌する。ここで得られたポリ
アミック酸は３０００ポアズであった。
【００４２】得られたポリアミック酸の一部をポリエス
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：５０μm、ヤング率:
３７０kg/mm2、線膨張係数:２５ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。
測定結果を表２にまとめた。 比較例３ 厚さ５mmのガラスにアルミニウムからなる金属電極、ア
モルファスシリコンをイオン蒸着法によりそれぞれ０．
５μmづつ形成することにより、疑似太陽電池基板を作
成し、そのハンドリング性およびカールを評価した。評
価結果を表１および表２に併記した。
テルフィルム上に取り、スピンコーターを用いて均一な
膜を形成する。これをβ−ピコリン/無水酢酸混合溶液
(５０:５０)に５分間浸しイミド化させた。得られたポ
リイミドゲルフィルムを１２０℃２０分、３００℃２０
分、４００℃５分で熱処理を行いポリイミドフィルムを
得た。得られたポリイミドは厚み：５０μm、ヤング率:
３７０kg/mm2、線膨張係数:２５ｐｐｍ/℃であった。得
られたフィルムにアルミニウムおよびシリコンをそれぞ
れ０．５μmづつイオン蒸着し、カールを測定した。
測定結果を表２にまとめた。 比較例３ 厚さ５mmのガラスにアルミニウムからなる金属電極、ア
モルファスシリコンをイオン蒸着法によりそれぞれ０．
５μmづつ形成することにより、疑似太陽電池基板を作
成し、そのハンドリング性およびカールを評価した。評
価結果を表１および表２に併記した。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【発明の効果】本発明の太陽電池基板用フィルムは熱膨
張係数が小さく、ヤング率が大きい。また、太陽電池基
板は、フレキシブルで折り曲げ可能であり、しかも製造
時あるいは取り扱い時に割れることがないため、ハンド
リング性がすぐれるばかりか、基板ベースの歪みを招く
ことが無く、カールを生じないというすぐれた性能を発
揮する。
張係数が小さく、ヤング率が大きい。また、太陽電池基
板は、フレキシブルで折り曲げ可能であり、しかも製造
時あるいは取り扱い時に割れることがないため、ハンド
リング性がすぐれるばかりか、基板ベースの歪みを招く
ことが無く、カールを生じないというすぐれた性能を発
揮する。
【００４６】そして、本発明の太陽電池基板の製造方法
によれば、上記のすぐれた性能を有する太陽電池基板を
効率的に製造することができる。
によれば、上記のすぐれた性能を有する太陽電池基板を
効率的に製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｌ 7:00 Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｚ Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ Ｆターム(参考） 4F071 AA60 AA78 AF20 AF20Y AF26 AF62 AF62Y AG01 AH15 BA02 BB02 BB08 BC01 4F210 AA40A AG01 AH36 QC05 QG01 QG18 4J043 PA05 PA06 PA08 PA19 QB31 RA35 SA06 SB03 TA22 TB01 TB03 UA121 UA122 UA131 UA132 UA672 UB121 UB402 VA021 VA022 VA041 VA062 XA16 XB01 YA06 YA08 ZA32 ZA33 ZA35 ZB11 ZB50 5F051 AA05 BA18 FA04 FA06 GA05 GA11 HA19
Claims (9)
- 【請求項１】４，４’−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/
１８であるジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物と
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とのモル比が１０
０/０〜６５/３５である酸二無水物成分を用い、ジアミ
ン成分と酸二無水物成分とのモル比が１００/９５〜９
５/１００になるように両者を非プロトン性極性溶媒中
で反応させることにより、ポリアミック酸を形成し、得
られたポリアミック酸を均一に延ばすことにより得られ
た自己支持性のゲルフィルムを固定した状態で熱あるい
は化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフ
ィルム搬送方向および、これと直交する方向にそれぞれ
1.05〜2.0倍に延伸することにより形成されたものであ
ることを特徴とする太陽電池基板用ポリイミドフィル
ム。 - 【請求項２】酸二無水物成分がピロメリット酸二無水物
である請求項1記載の太陽電池基板用ポリイミドフィル
ム。 - 【請求項３】ポリイミドフィルムの熱膨張係数が１２〜
１６ｐｐｍ/℃、ヤング率が４２０kg/mm2以上である請
求項１または２記載の太陽電池基板用ポリイミドフィル
ム。 - 【請求項４】４，４’−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/
１８であるジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物と
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とのモル比が１０
０/０〜６５/３５である酸二無水物成分を用い、ジアミ
ン成分と酸二無水物成分とのモル比が１００/９５〜９
５/１００になるように両者を非プロトン性極性溶媒中
で反応させることにより、ポリアミック酸を形成し、得
られたポリアミック酸を均一に延ばすことにより得られ
た自己支持性のゲルフィルムを固定した状態で熱あるい
は化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフ
ィルム搬送方向および、これと直交する方向にそれぞれ
1.05〜2.0倍に延伸することにより形成されたポリイミ
ドフィルムの表面に、金属電極を形成した後、この金属
電極上にアモルファスシリコン層を形成し、このアモル
ファスシリコン上に透明電極を形成したことを特徴とす
る太陽電池基板。 - 【請求項５】前記透明電極上に、さらに保護層を形成し
たことを特徴とする請求項４項記載の太陽電池基板。 - 【請求項６】４，４’−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７０/３０〜８２/
１８であるジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物と
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とのモル比が１０
０/０〜６５/３５である酸二無水物成分を用い、ジアミ
ン成分と酸二無水物成分とのモル比が１００/９５〜９
５/１００になるように両者を非プロトン性極性溶媒中
で反応させることにより、ポリアミック酸を形成し、得
られたポリアミック酸を均一に延ばすことにより得られ
た自己支持性のゲルフィルムを固定した状態で熱あるい
は化学的に脱水閉環させ、さらに前記ゲルフィルムをフ
ィルム搬送方向および、これと直交する方向にそれぞれ
1.05〜2.0倍に延伸することによりポリイミドフィルム
を形成し、そのフィルムの表面に、金属電極を形成した
後、この金属電極上にアモルファスシリコン層を形成
し、このアモルファスシリコン上に透明電極を形成し、
さらに必要に応じて、透明電極上に保護層を形成するこ
とを特徴とする太陽電池基板の製造方法。 - 【請求項７】４，４'−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７０/３０である
ジアミン成分と、酸二無水物成分としてピロメリット酸
二無水物とを用い、ジアミン成分と酸二無水物成分との
モル比が１００/９５〜９５/１００になるように両者を
非プロトン性極性溶媒中で反応させることにより、ポリ
アミック酸を形成し、得られたポリアミック酸を均一に
延ばすことにより得られた自己支持性のゲルフィルムを
固定した状態で熱あるいは化学的に脱水閉環させ、さら
に前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向および、これに
直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延伸することに
より形成されたものであることを特徴とする太陽電池基
板用ポリイミドフィルム。 - 【請求項８】４，４'−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が７５/２５である
ジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物とビフェニル
テトラカルボン酸二無水物とのモル比が７５/２５であ
る酸二無水物成分を用い、ジアミン成分と酸二無水物成
分とのモル比が１００/９５〜９５/１００になるように
両者を非プロトン性極性溶媒中で反応させることによ
り、ポリアミック酸を形成し、得られたポリアミック酸
を均一に延ばすことにより得られた自己支持性のゲルフ
ィルムを固定した状態で熱あるいは化学的に脱水閉環さ
せ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向およ
び、これに直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延伸
することにより形成されたものであることを特徴とする
太陽電池基板用ポリイミドフィルム。 - 【請求項９】４，４'−ジアミノジフェニルエーテルと
パラフェニレンジアミンとのモル比が８２/１８である
ジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物とビフェニル
テトラカルボン酸二無水物とのモル比が６５/３５であ
る酸二無水物成分を用い、ジアミン成分と酸二無水物成
分とのモル比が１００/９５〜９５/１００になるように
両者を非プロトン性極性溶媒中で反応させることによ
り、ポリアミック酸を形成し、得られたポリアミック酸
を均一に延ばすことにより得られた自己支持性のゲルフ
ィルムを固定した状態で熱あるいは化学的に脱水閉環さ
せ、さらに前記ゲルフィルムをフィルム搬送方向およ
び、これに直交する方向にそれぞれ1.05〜2.0倍に延伸
することにより形成されたものであることを特徴とする
太陽電池基板用ポリイミドフィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002036220A JP2002265643A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002036220A JP2002265643A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26290299A Division JP3937278B2 (ja) | 1999-09-17 | 1999-09-17 | 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002265643A true JP2002265643A (ja) | 2002-09-18 |
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ID=19192610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002036220A Pending JP2002265643A (ja) | 2002-02-14 | 2002-02-14 | 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002265643A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006104228A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Teijin Limited | 芳香族ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| JP2007099951A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 低膨張性ポリイミド、樹脂組成物及び物品 |
| JP2007162005A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Du Pont Toray Co Ltd | ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| JP2007201069A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Teijin Ltd | 太陽電池形成用ポリイミドフィルム |
| JP2008115377A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂層の製造方法 |
| JP2011187613A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子用絶縁膜 |
| JP2011192773A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| TWI418576B (zh) * | 2005-11-16 | 2013-12-11 | Du Pont Toray Co Ltd | 聚醯亞胺膜及其製法 |
| CN115521616A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-27 | 深圳市爱亿信科技有限公司 | 一种可穿戴电子设备的防水薄膜及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1129645A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Ube Ind Ltd | 芳香族ポリイミドフィルム、積層体および太陽電池 |
| JP2001081213A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-27 | Du Pont Toray Co Ltd | 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002036220A patent/JP2002265643A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1129645A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Ube Ind Ltd | 芳香族ポリイミドフィルム、積層体および太陽電池 |
| JP2001081213A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-27 | Du Pont Toray Co Ltd | 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1867675A4 (en) * | 2005-03-28 | 2010-06-09 | Teijin Ltd | AROMATIC POLYIMIDE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| WO2006104228A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Teijin Limited | 芳香族ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| EP1867675A1 (en) * | 2005-03-28 | 2007-12-19 | Teiken Limited | Aromatic polyimide film and method for producing same |
| JPWO2006104228A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2008-09-11 | 帝人株式会社 | 芳香族ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| JP2007099951A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 低膨張性ポリイミド、樹脂組成物及び物品 |
| JP2007162005A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Du Pont Toray Co Ltd | ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
| TWI418576B (zh) * | 2005-11-16 | 2013-12-11 | Du Pont Toray Co Ltd | 聚醯亞胺膜及其製法 |
| JP2007201069A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Teijin Ltd | 太陽電池形成用ポリイミドフィルム |
| JP2008115377A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂層の製造方法 |
| JP2011187613A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子用絶縁膜 |
| JP2011192773A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| CN115521616A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-27 | 深圳市爱亿信科技有限公司 | 一种可穿戴电子设备的防水薄膜及其制备方法 |
| CN115521616B (zh) * | 2022-09-30 | 2024-01-05 | 深圳国兴祥胶粘材料有限公司 | 一种可穿戴电子设备的防水薄膜及其制备方法 |
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