JP2007196204A - 半導体製造工程から発生する排ガスの処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の排ガス処理装置は、排ガスが流入される排ガス流入口と、前記排ガス流入口に連設され、空気を供給する空気注入口と、前記排ガス流入口に連設され、排ガス流入口を介して流入された排ガスを吸着処理する吸着層が備えられた吸着反応部と、前記吸着反応部に連設され、前記吸着反応部から排出されて流入された排ガスを触媒処理する触媒層が備えられた触媒反応部と、前記触媒反応部に流入される排ガスの移動経路に連設され、水を供給する水注入口とを含む。
【選択図】図1
Description
触媒の製造
脱イオン交換水20mLに硝酸ガリウム溶液(Ga(NO3)3)[MCP製、英国]22mL及び硝酸ナトリウム(NaNO3)[Sigma−Aldrich製、米国]3.5gを添加して含浸溶液を作った後、これをアルミナ[Sasol、米国]にガリウム及びナトリウムがそれぞれアルミナ重量に対し40重量%及び1重量%で含浸されるようにした後、24時間常温で乾燥させて触媒を製造した。
実施例1と同様にして行うが、焼成した触媒を硫酸水溶液に含浸することを省略することにより、硫酸処理をしていない触媒を製造した。
実施例1と同様にして行うが、硝酸ガリウム溶液22mLの代わりに硝酸ニッケル(Ni(NO3)26H2O)[Sigma−Aldrich製、米国]65gを用いて触媒を製造した。
脱イオン交換水15mLにリン酸二アンモニウム((NH3)2HPO4)[Sigma−Aldrich製、米国]0.3gを溶解させた後、これをアルミナ[Sasol製、米国]20gにアルミナ全体重量に対し20重量%でリンが含浸されるようにして24時間常温で乾燥させた。
図1に示すように、多孔性フィルター[Zebent Filter、KOCAT製、韓国]を設置した後、前記多孔性フィルターの上端にCa(OH)2[矢橋マインパルク製、日本]粉末をペレット状に成形した吸着剤を8cm3充填して設置した後、前記多孔性フィルターと吸着剤の外周面に加熱ヒーターを設置して吸着反応部を構成した。
実施例2と同様にして行うが、実施例1によって製造された触媒の代わりに、比較実施例2によって製造された触媒を使用し、排ガスとして過フッ化化合物CF4のみを酸素と混合して実施した。
実施例2と同様にして行うが、実施例1によって製造された触媒の代わりに、比較実施例3によって製造された触媒を使用し、排ガスとして過フッ化化合物CF4のみを酸素と混合して実施した。
実施例2と同様にして行うが、実施例1によって製造された触媒の代わりに、比較実施例3によって製造された触媒を使用し、排ガスとして過フッ化化合物CF4のみを酸素と混合して実施した。
実施例2と同様にして行うが、排ガスまたは排ガス及び空気を吸着反応部及び分解反応部を通過させず、直接触媒反応部に供給して処理した。
4 吸着反応部
6 触媒反応部
8 分解反応部
10 加熱手段
12 フィルター部材
14 吸着層
16 分解反応部材
18 触媒層
20 湿式洗浄器
22 トラップ
24 排出口
26 水注入口
28 第1熱交換機
28’ 第2熱交換機
30 洗浄部
32 空気注入口
Claims (26)
- 排ガスが流入される排ガス流入口と、
前記排ガス流入口に連設され、空気を供給する空気注入口と、
前記排ガス流入口に連設され、排ガス流入口を介して流入された排ガスを吸着処理する吸着層が備えられた吸着反応部と、
前記吸着反応部に連設され、前記吸着反応部から排出されて流入された排ガスを触媒処理する触媒層が備えられた触媒反応部と、
前記触媒反応部に流入される排ガスの移動経路に連設され、水を供給する水注入口とを含む、半導体製造工程で発生する排ガスの処理装置。 - 前記空気注入口は、排ガス流入口に連設される代わりに、触媒反応部に流入される排ガスの移動経路に連設され、空気を供給することを特徴とする、請求項1に記載の排ガス処理装置。
- 前記吸着反応部と前記触媒反応部との間に設けられ、吸着反応部からの排ガスに含まれた触媒反応部で固体状粒子に処理される物質を分解する分解反応部をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の排ガス処理装置。
- 前記触媒反応部に連設され、触媒反応部から排出される空気に含まれた未処理の過フッ化化合物を除去するための洗浄部をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の排ガス処理装置。
- 前記排ガスは、BCl3、Cl2、F2、HBr、HCl、HFなどの酸性ガス、またはCF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F6、C4F8、C5F8NF3、SF6、NF3などの過フッ化化合物、またはAsH3、NH3、PH3、SiH4、Si2H2Cl2、またはこれらの混合物からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
- 前記吸着層は、Ca(OH)2、CaO、CuO、FeO(OH)、Fe2O3、Fe3O4、MnO2、Sr(OH)2およびSr2O3よりなる群から選択された少なくとも一つの物質からなる吸着剤が充填されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
- 前記触媒層は、ガンマアルミナ、セータアルミナ、エータアルミナ、ベーマイトまたは擬ベーマイトから選択される少なくとも一つの担体にガリウムが全体触媒重量に対し1〜50重量%含浸され、ナトリウム、リチウム、カリウムまたはこれらの混合物が全体触媒重量に対し0.1〜5重量%含浸された触媒が充填されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
- 前記触媒層は、ガンマルミナ、セータアルミナ、エータアルミナ、ベーマイトまたは擬ベーマイトから選択される少なくとも一つの担体にガリウムが全体触媒重量に対し1〜50重量%含浸され、ナトリウム、リチウム、カリウムまたはこれらの混合物が全体触媒重量に対し0.1〜5重量%含浸された触媒を0.01〜1M硫酸水溶液に含浸させた後、乾燥、焼成、または乾燥及び焼成し、あるいは二酸化硫黄を触媒に持続的に流して製造された触媒が充填されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
- 前記吸着反応部は、排ガスが流入される移動経路に沿って順次設置され、排ガスを処理するフィルター部材、吸着層、及び前記フィルター部材と前記吸着層の温度を上昇させるために前記フィルター部材及び前記吸着層と隣り合うように設置される加熱手段から構成されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
- 前記触媒反応部は、排ガス含有空気が流入されて触媒処理される触媒層、及び前記触媒層の温度を上昇させるために触媒層と隣り合うように設置される加熱手段から構成されたことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の排ガス処理装置。
- 前記分解反応部は、吸着反応部から排出された排ガス中に含まれた触媒反応部で固体状粒子に処理される物質を除去する分解反応部材、及び前記分解反応部材の温度を上昇させるために前記分解反応部材と隣り合うように設置される加熱手段から構成されたことを特徴とする、請求項3に記載の排ガス装置。
- 前記洗浄部が湿式洗浄器からなることを特徴とする、請求項4に記載の排ガス処理装置。
- 前記湿式洗浄器は、水、塩基性化合物またはこれらの混合物を持続的に供給することを特徴とする、請求項12に記載の排ガス処理装置。
- 前記湿式洗浄器の後端に連設され、湿式洗浄部から排出されるガスの中に含まれた微量のHF及び使用された水を処理するためのトラップをさらに含むことを特徴とする、請求項12に記載の排ガス処理装置。
- 前記トラップは、モレキュラーシーブ、シリカ、アルミナ、ゼオライト、活性炭またはこれらの混合物が充填されていることを特徴とする、請求項14に記載の排ガス処理装置。
- 前記吸着反応部の後端及び前記触媒反応部の後端の空気移動経路に第1熱交換機及び第2熱交換機をそれぞれ設置し、設置された前記第1熱交換機と前記第2熱交換機とを互いに連設し、前記触媒反応部から排出される空気の熱を前記第2熱交換機に回収して、前記第2熱交換機に連設された第1熱交換機へ供給することにより、第1熱交換機を通過する吸着反応部からの排出空気を予熱させるようにしたことを特徴とする、請求項3または4に記載の排ガス処理装置。
- 排ガス及び空気を吸着層の備えられた吸着反応部を通過させ、排ガスに含まれた過フッ化化合物を処理する吸着処理段階と、前記吸着処理段階済みの排ガスに水を注入した後、触媒層に通過させ、排ガスに存在する未処理の過フッ化化合物を触媒処理する触媒処理段階とを含むことを特徴とする、半導体製造工程から発生する排ガスの処理方法。
- 前記吸着反応部を通過する空気を流入される排ガスと混合させる代わりに、触媒処理段階の前に注入することを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記排ガスは、BCl3、Cl2、F2、HBr、HCl、HFなどの酸性ガス、またはCF4、CHF3、C2F6、C3F8、C4F6、C4F8、C5F8NF3、SF6、NF3などの過フッ化化合物、またはAsH3、NH3、PH3、SiH4、Si2H2Cl2、またはこれらの混合物からなることを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記吸着処理段階と前記触媒処理段階との間に、触媒処理段階で固体状粒子に転換できる物質を粒子状に転換させて除去する分解処理段階をさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記触媒処理段階の後工程として、処理された排ガス中に存在する二酸化炭素、フッ素、HFまたは水を洗浄する洗浄段階をさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記洗浄段階が湿式洗浄であることを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記湿式洗浄の後工程として、前記湿式洗浄によって処理された排ガス中に含まれた微量のHF及び使用された水を除去する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項22に記載の排ガス処理方法。
- 前記吸着処理段階から排出されるガス、及び前記触媒処理段階から排出されるガスの移動経路に熱交換機を設置して熱を回収する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記吸着処理段階は常温または250〜500℃で、前記触媒処理段階は400〜800℃で行われることを特徴とする、請求項17に記載の排ガス処理方法。
- 前記分解処理段階は300〜550℃で行われることを特徴とする、請求項20に記載の排ガス処理方法。
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