JP2007164130A - 表示装置の静電気防止構造、表示装置の静電気防止構造の製造方法 - Google Patents

表示装置の静電気防止構造、表示装置の静電気防止構造の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】配線端子に帯電する電荷を金属基板に排出させて、静電気を相殺できる表示装置の静電気防止構造、および表示装置の静電気防止構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の静電気防止構造は、基板101と、基板101上に形成され、基板101の一領域を露出するコンタクトホール102aを備えるバッファ層102と、バッファ層102上に形成され、コンタクトホール102aを介して基板101に電気的に接続される金属配線103と、金属配線103に接続されるショーティングバー104と、金属配線103に接続され、金属配線103に接続されるショーティングバー104に対向して形成されるパッド電極105とを備える。
【選択図】図3

Description

本発明は,表示装置の静電気防止構造、および表示装置の静電気防止構造の製造方法に関する。
薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)素子を含む全ての表示装置は、表示装置の製造工程中または表示装置の製造工程後に、静電気によって薄膜トランジスタ素子が破壊される現象が、しばしば発生する。この静電気は、電荷が帯電する状態で、ある瞬間に外部から反対電荷による放電が発生する場合、瞬間的に高い電流が流れて発生する。静電気は、特に、薄膜トランジスタ素子のゲート絶縁層部分を破壊して薄膜トランジスタ素子特性を悪化させる。
このような静電気による放電を防止する方法としては、金属配線に帯電する電荷を消滅するのが一般的な方法である。以下では、表示装置のなかで有機発光表示装置を例に挙げて説明する。
図1は、従来の有機発光表示装置における静電気防止構造を示す図である。図1に示すように、従来の有機発光表示装置における静電気防止構造は、金属基板10上に形成される画素部20、第1パッド電極30、第2パッド電極40、第1ショーティングバー50および第2ショーティングバー60を備える。
複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)が交差して形成され、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)が交差して定義された領域に、画素部20は、複数の画素5を形成する。
第1パッド電極30は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)に接続されて、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)に駆動信号を供給する。ここで、第1パッド電極30は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)に対応するように、n個のパッド電極を具備する。
第2パッド電極40は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に接続されて、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に駆動信号を供給する。ここで、第2パッド電極40は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に対応するように、m個のパッド電極を具備する。
第1ショーティングバー50は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)を介して、複数の第1パッド電極30に接続される。第1ショーティングバー50は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)、つまり、金属配線を等電圧になるようにして金属配線に帯電する電荷を消滅させる。
第2ショーティングバー60は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)を介して、複数の第2パッド電極40に接続される。第2ショーティングバー60は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)、つまり、金属配線を等電圧になるようにして金属配線に帯電する電荷を消滅させる。
上記従来の有機発光表示装置の静電気防止構造、および有機発光表示装置の静電気防止構造の製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1〜特許文献2等がある。
大韓民国特許第10−0415607号明細書 大韓民国特許公開第10−2004−0001177号明細書
従来の有機発光表示装置の静電気防止構造では、金属配線を短絡させて金属配線を等電圧になるようにする方法により、電荷がある一箇所に集中するのを防止して瞬間的な外部からの放電を防止した。しかし、帯電する電荷が多い場合には、金属配線が等電圧にならず、ある一箇所に電荷が集中することが発生する。そして、電荷が集中した部分に外部から反対電荷で帯電された複数の要因が加わると、放電が起きて薄膜トランジスタ素子を破壊するという問題点があった。
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、金属配線における電荷の集中を抑制して、静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊を防止することができる表示装置の静電気防止構造、および表示装置の静電気防止構造の製造方法を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点によれば、基板と、基板上に形成され、基板の一領域を露出するコンタクトホールを備えるバッファ層と、バッファ層上に形成され、コンタクトホールを介して基板に電気的に接続される金属配線と、金属配線に接続される短絡部と、金属配線に接続され、金属配線に接続される短絡部に対向して形成されるパッド電極とを備える表示装置の静電気防止構造が提供される。
基板は、金属基板であってよい。
本発明によれば、金属配線と基板(金属基板)との間に形成されるバッファ層にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介して金属配線と基板(金属基板)とが電気的に接続されるので、金属配線に帯電する電荷が金属基板に排出されることによって、薄膜トランジスタ素子を破壊する静電気を相殺できる。
コンタクトホールは、パッド電極と短絡部との間に形成されてよい。
上記課題を解決するために、本発明の第2の観点によれば、基板と、基板上に形成され、複数の走査線および複数のデータ線が交差する領域に形成される複数の画素を備える画素部と、複数の走査線の各々に対応して接続される複数の第1パッド電極と、複数のデータ線の各々に対応して接続される複数の第2パッド電極と、複数の走査線を介して、複数の第1パッド電極に接続される第1短絡部と、複数のデータ線を介して、複数の第2パッド電極に接続される第2短絡部とを備え、複数の走査線および複数のデータ線の各々の一領域が、基板に直接接続されるように形成される表示装置の静電気防止構造が提供される。
第1短絡部と第1パッド電極との間に位置する複数の走査線の一領域が、基板に直接接続されるように形成されてよい。
第2短絡部と第2パッド電極との間に位置する複数のデータ線の一領域が、基板に直接接続されるように形成されてよい。
基板は、金属基板であってよい。
上記課題を解決するために、本発明の第3の観点によれば、金属配線を介して、パッド電極に接続される短絡部を備える表示装置の静電気防止構造の製造方法において、金属基板上にバッファ層を形成する段階と、バッファ層の一領域をエッチングして、金属基板の一領域が露出するように所定のコンタクトホールを形成する段階と、バッファ層上において、コンタクトホールを介して、一領域が、金属基板に接続されるように金属配線を形成する段階と、短絡部を除去する段階とを含む表示装置の静電気防止構造の製造方法が提供される。
本発明によれば、金属配線と金属基板との間に配置されるバッファ層にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介して、金属配線と金属基板とが電気的に接続される。よって、金属基板が備える伝導性の特性を利用して、金属配線に帯電する電荷が金属基板に排出されるようにできるので、表示装置の製造工程中および製造工程後において、帯電する電荷が多い場合でも、金属配線における電荷の集中を抑制でき、静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊をより効果的に防止できる。
短絡部は、コンタクトホールとパッド電極との間に位置する金属配線を切断して除去されてよい。
以上説明したように本発明によれば、金属基板が備える伝導性の特性を利用して、より広い電荷保存場所を備えることによって、金属配線に帯電する電荷が金属基板に排出されるようにする。その結果、製造工程中または製造工程後において、静電気によって薄膜トランジスタ素子が破壊されることを防止できる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図2は、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の静電気防止構造の一例を示す図である。本発明の実施形態の静電気防止構造は、薄膜トランジスタ素子を用いる全ての表示装置に適用することができる。以下では、薄膜トランジスタ素子を用いる全ての表示装置のうち、有機発光表示装置を例に挙げて説明するが、本発明の実施形態は、これに限定されない。図2に示すように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、金属基板100上に画素部200、第1パッド電極300、第2パッド電極400、第1ショーティングバー500、および第2ショーティングバー600を備える。さらに、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)を具備し、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)および複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)は、金属配線に相当する。複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)は、金属基板100上で行方向に延長して形成され、画素部200の各画素150に接続され、画素150に走査信号を供給する。また、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)は、金属基板100上で列方向に延長して形成され、画素部200の各画素150に接続され、画素150にデータ信号を供給する。
複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)が交差して形成され、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)が交差して定義される領域に、画素部200は、複数の画素150を形成する。ここで、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)の各々の一領域は、金属基板100に直接接続される。これにより、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に帯電する電荷が金属基板100に吸収される。複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)の各々において、金属基板100に直接接続される一領域は、以下で説明する。
第1パッド電極300は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)に接続されて、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)に駆動信号(走査信号)を供給する。ここで、第1パッド電極300は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)に対応するように、n個のパッド電極を具備する。
第2パッド電極400は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に接続されて、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に駆動信号(データ信号)を供給する。ここで、第2パッド電極400は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に対応するように、m個のパッド電極を具備する。
第1ショーティングバー500は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)を介して、複数の第1パッド電極300に接続される。第1ショーティングバー500は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)、つまり、金属配線を等電圧になるようにして金属配線に帯電する電荷を消滅させる。
第2ショーティングバー600は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)を介して、複数の第2パッド電極400に接続される。第2ショーティングバー600は、複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)、つまり、金属配線を等電圧になるようにして金属配線に帯電する電荷を消滅させる。本発明の実施形態の静電気防止構造において、金属配線を等電圧にして金属配線に帯電する電荷を消滅するために、ショーティングバーを用いているが、本発明の実施形態は、これに限定されず、金属配線に帯電する電荷を消滅させることができる多様な形態の短絡部を用いることができる。よって、本発明の実施形態では、第1ショーティングバー500は、第1短絡部に相当し、第2ショーティングバー600は、第2短絡部に相当する。
一方、第1ショーティングバー500および第2ショーティングバー600は、製造工程後に、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)および複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)、つまり、金属配線の金属基板100に直接接続された部分(X−X’、Y−Y’)を切断することによって除去される。“A”部分は、切断される金属配線を示す。以下、図3を参照して、さらに詳しく説明する。
図3は、図2の“A”部分を拡大した断面図である。図3に示すように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の静電気防止構造は、金属基板101上にバッファ層102、金属配線103、ショーティングバー104、パッド電極105を備える。
バッファ層102は、金属基板101上に形成され、金属基板101が外部からの熱などによって損傷されることを防止する。また、バッファ層102は、金属基板101の一領域を露出する所定のコンタクトホール102aを備える。ここで、コンタクトホール102aは、パッド電極105とショーティングバー104との間に形成される。
金属配線103は、バッファ層102上に形成され、コンタクトホール102aを介して金属基板101に電気的に接続される。つまり、金属配線103は、コンタクトホール102aを埋めるように、バッファ層102上に形成されるので、金属基板101に電気的に接続される。これにより、金属配線103に帯電する電荷が金属基板101に吸収される。
ショーティングバー104は、金属配線103に接続され、金属配線103を等電圧になるようにして金属配線103に帯電する電荷を消滅させる。パッド電極105は、金属配線103に接続されて、金属配線103に駆動信号を供給する。また、パッド電極105は、コンタクトホール102aを基準に、金属配線103のショーティングバー104に接続される他の方向に形成される。つまり、パッド電極105は、金属配線103に接続されるショーティングバー104に対向して形成される。例えば、パッド電極105は、画素部200に隣接して形成され、ショーティングバー104は、パッド電極105に対向して金属基板101の周縁付近に形成されてもよい。
一方、ショーティングバー104は、製造工程後、金属配線103の金属基板101に直接接続される部分(X−X’、Y−Y’)を切断することによって除去される。図2の“A”部分について説明したので、ここで、金属配線103は、複数の走査線(S1、S2、・・・Sn)と複数のデータ線(D1、D2、・・・Dm)に相当する。ショーティングバー104は、第1ショーティングバー電極500、第2ショーティングバー電極600に相当する。パッド電極105は、第1パッド電極300、第2パッド電極400に相当する。金属基板101は、図2の金属基板100に相当する。
図4は、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の静電気防止構造の製造方法を示す図である。図4に示すように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の静電気防止構造の製造方法は、第1段階(ST100)〜第4段階(ST400)で構成される。
第1段階(ST100)は、金属配線を介して、パッド電極に接続されるショーティングバーを備える有機発光表示装置の静電気防止構造の製造方法において、金属基板上にバッファ層を形成する段階である。ここで、バッファ層は、金属基板が外部からの熱などの要因で損傷されることを防止するために形成される。
第2段階(ST200)は、バッファ層の一領域をエッチングして、金属基板の一領域を露出するように、所定のコンタクトホールを形成する段階である。
第3段階(ST300)は、バッファ層上において、コンタクトホールを介して、一領域が金属基板に接続されるように金属配線を形成する段階である。これにより、金属配線に帯電する電荷が金属基板に吸収される。この段階で、金属配線に接続され、互いに対向するパッド電極およびショーティングバーが形成されてもよい。
第4段階(ST400)は、ショーティングバーが除去されるように、コンタクトホールとパッド電極との間に位置する金属配線を切断する段階である。つまり、製造工程後、ショーティングバーを除去することによって、金属基板と金属配線との間の短絡を防止することができる。
以上、本発明によれば、金属配線と金属基板との間に配置されるバッファ層にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介して、金属配線と金属基板とが電気的に接続される。よって、金属基板が備える伝導性の特性を利用して、金属配線に帯電する電荷が金属基板に排出されるようにできるので、表示装置の製造工程中および製造工程後において、帯電する電荷が多い場合でも、金属配線における電荷の集中を抑制でき、静電気による薄膜トランジスタ素子の破壊をより効果的に防止できる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
従来の有機発光表示装置の静電気防止構造を示す図である。 本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の静電気防止構造の一例を示す図である。 図2に示すA部分を拡大して示す断面図である。 本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の静電気防止構造の製造方法を示す図である。
符号の説明
100、101 金属基板
102 バッファ層
103 金属配線
104、500、600 ショーティングバー
105、300、400 パッド電極

Claims (9)

  1. 基板と;
    前記基板上に形成され、前記基板の一領域を露出するコンタクトホールを備えるバッファ層と;
    前記バッファ層上に形成され、前記コンタクトホールを介して前記基板に電気的に接続される金属配線と;
    前記金属配線に接続される短絡部と;
    前記金属配線に接続され、前記金属配線に接続される前記短絡部に対向して形成されるパッド電極と;
    を備えることを特徴とする、表示装置の静電気防止構造。
  2. 前記基板は、金属基板であることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置の静電気防止構造。
  3. 前記コンタクトホールは、前記パッド電極と前記短絡部との間に形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の表示装置の静電気防止構造。
  4. 基板と;
    前記基板上に形成され、複数の走査線および複数のデータ線が交差する領域に形成される複数の画素を備える画素部と;
    複数の前記走査線の各々に対応して接続される複数の第1パッド電極と;
    複数の前記データ線の各々に対応して接続される複数の第2パッド電極と;
    複数の前記走査線を介して、複数の前記第1パッド電極に接続される第1短絡部と;
    複数の前記データ線を介して、複数の前記第2パッド電極に接続される第2短絡部と;
    を備え;
    複数の前記走査線および複数の前記データ線の各々の一領域が、前記基板に直接接続されるように形成されることを特徴とする、表示装置の静電気防止構造。
  5. 前記第1短絡部と前記第1パッド電極との間に位置する複数の前記走査線の一領域が、前記基板に直接接続されるように形成されることを特徴とする、請求項4に記載の表示装置の静電気防止構造。
  6. 前記第2短絡部と前記第2パッド電極との間に位置する複数の前記データ線の一領域が、前記基板に直接接続されるように形成されることを特徴とする、請求項4または5に記載の表示装置の静電気防止構造。
  7. 前記基板は、金属基板であることを特徴とする、請求項4〜6のいずれかに記載の表示装置の静電気防止構造。
  8. 金属配線を介して、パッド電極に接続される短絡部を備える表示装置の静電気防止構造の製造方法において、
    金属基板上にバッファ層を形成する段階と;
    前記バッファ層の一領域をエッチングして、前記金属基板の一領域が露出するように所定のコンタクトホールを形成する段階と;
    前記バッファ層上において、前記コンタクトホールを介して、一領域が前記金属基板に接続されるように金属配線を形成する段階と;
    前記短絡部を除去する段階と;
    を含むことを特徴とする、表示装置の静電気防止構造の製造方法。
  9. 前記短絡部は、前記コンタクトホールと前記パッド電極との間に位置する前記金属配線を切断して除去されることを特徴とする、請求項8に記載の表示装置の静電気防止構造の製造方法。

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023234547A1 (ko) * 2022-06-03 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008541349A (ja) * 2005-05-04 2008-11-20 オーテーベー、グループ、ベスローテン、フェンノートシャップ Oledを製造するための方法、oledを製造するための中間生成物、およびoled
US7408206B2 (en) * 2005-11-21 2008-08-05 International Business Machines Corporation Method and structure for charge dissipation in integrated circuits
KR100977978B1 (ko) * 2006-05-25 2010-08-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
US8183755B2 (en) 2008-06-12 2012-05-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display apparatus and method of manufacturing the same
KR101015885B1 (ko) * 2008-06-12 2011-02-23 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN102129283B (zh) * 2011-03-17 2013-05-29 北京星网锐捷网络技术有限公司 背板与板卡
CN102298239A (zh) * 2011-08-25 2011-12-28 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极
CN102768421A (zh) * 2012-07-24 2012-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
US9733331B2 (en) 2012-09-10 2017-08-15 Apple Inc. Method of manufacturing touch sensors
CN104218042B (zh) * 2014-09-02 2017-06-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107078222B (zh) * 2014-09-18 2018-12-18 国立研究开发法人科学技术振兴机构 发光元件、显示装置和照明装置
KR102283459B1 (ko) 2015-01-02 2021-07-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102325191B1 (ko) 2015-01-05 2021-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108112164A (zh) * 2015-01-20 2018-06-01 群创光电股份有限公司 显示装置
KR20180010370A (ko) * 2016-07-20 2018-01-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102507763B1 (ko) * 2016-07-29 2023-03-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN106782243B (zh) * 2016-12-30 2020-12-04 上海天马微电子有限公司 一种显示基板、显示面板及显示装置
CN109166899B (zh) * 2018-09-04 2020-10-02 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109673106B (zh) * 2018-12-25 2020-06-30 苏州群策科技有限公司 一种埋入式电路用基板的制作方法及装置
CN114127944A (zh) * 2020-02-27 2022-03-01 京东方科技集团股份有限公司 母板及其制作方法
CN113359332A (zh) * 2021-06-11 2021-09-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289417A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP2005294629A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Canon Inc 表示装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2764139B2 (ja) * 1989-10-20 1998-06-11 ホシデン・フィリップス・ディスプレイ株式会社 アクティブマトリックス液晶表示素子
JP3116295B2 (ja) * 1993-05-25 2000-12-11 松下電器産業株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
CN103956361A (zh) 1995-10-03 2014-07-30 精工爱普生株式会社 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法
JP3326327B2 (ja) * 1996-05-13 2002-09-24 株式会社日立製作所 液晶表示パネル
KR100244449B1 (ko) * 1997-02-11 2000-02-01 구본준 박막 트랜지스터 검사용 단락 배선을 갖는 액정 표시 장치와 그 제조 방법(liquid crystal display having shorting bar for testing tft and method for manufacturing the same)
KR100415607B1 (ko) 2001-05-07 2004-01-24 엘지전자 주식회사 전계 방출 표시소자
JP4089886B2 (ja) 2003-03-04 2008-05-28 シャープ株式会社 表示パネル
CN1228669C (zh) * 2003-10-17 2005-11-23 友达光电股份有限公司 静电放电防护结构
US7297979B2 (en) * 2003-12-18 2007-11-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a display
KR100635061B1 (ko) * 2004-03-09 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100726635B1 (ko) * 2005-04-19 2007-06-12 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자용 모기판 및 이를 이용한유기전계발광표시소자의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06289417A (ja) * 1993-03-31 1994-10-18 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP2005294629A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Canon Inc 表示装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023234547A1 (ko) * 2022-06-03 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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KR100729046B1 (ko) 2007-06-14
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