CN102298239A - 一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极 - Google Patents
一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，它包括第一金属层电极（1）和第二金属层电极（2），所述的第一金属层电极（1）和/或第二金属层电极（2）上设有断开接触孔（3），所述的断开接触孔（3）在透明电极蚀刻过程中用蚀刻液腐蚀形成将第一金属层电极（1）和/或第二金属层电极（2）切断的断孔（4）。本发明采用在金属层电极的电极上设置断开接触孔并进而形成将金属层电极切断的断孔的方式，不但实现了在阵列基板制程后将金属层电极分离并与连接电极相断开的目的，避免了浮置金属的出现给阵列基板带来的静电损伤状况，而且确保了实际使用时信号可经由所需要的路径传导，降低生产成本的同时还提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器的阵列基板，具体地说是一种可以避免静电破坏的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极。
背景技术
在半导体器件中，静电损伤是一种常见的现象。静电损伤会导致绝缘介质的击穿，从而导致阀值电压的漂移或者第一金属层上的栅极和第二金属层上的源极、漏极之间的短路。对于薄膜晶体管（TFT）液晶显示器来说，在其制造过程中更容易发生静电损伤，因为薄膜晶体管形成于绝缘衬底玻璃之上，电极电荷容易积累到很高的电压水平。当静电积累达到一定程度以后，分离第一金属层和第二金属层的绝缘介质薄膜就有可能发生击穿，从而导致第二金属层上的源极和第一金属层上的栅极之间的短路。即使绝缘介质没有发生击穿，积累静电也会引起第一金属层上和第二金属层之间的电压差异，导致薄膜晶体管阀值电压的漂移而改变其工作特性。
一直以来在薄膜晶体管液晶显示器领域，对防止静电损伤进行了大量的研究。现在已经基本达成共识，就是静电损伤和生产设备有关联。静电损伤经常发生在玻璃基板的运输处理和薄膜晶体管液晶显示器的制造过程中，例如薄膜的沉积工艺或者薄膜的腐蚀工艺等均可能在玻璃基板上面发生静电放电。随着对薄膜晶体管液晶显示器生产水平和生产效率的提高，薄膜晶体管液晶显示器的玻璃基板尺寸变得越来越大，运输处理玻璃基板的速度也越来越快。这些变化都增大了静电放电损伤的几率。随着对大尺寸液晶电视需求的增加，薄膜晶体管液晶显示器的部件尺寸在逐渐减小，如减小金属线的线宽以减低寄生电容，这些薄膜晶体管部件结构的变化，导致在薄膜晶体管液晶显示器制造过程更容易发生静电放电损伤。
附图1为阵列基板制程时金属层电极的结构示意图，如图1所示，现有的薄膜晶体管液晶显示器用于传输信号的金属层电极在阵列基板制程中了避免静电破坏，一般都尽可能相互连接，即将阵列基板上所有的金属层电极连接至连接电极5，其中图1所示的金属层电极包括第一金属层电极1和第二金属层电极2。图2为实际驱动时金属层电极的结构示意图；在实际驱动时，需要利用如镭射切割或是玻璃分断的方式将连接在一起的金属电极分开，这些分断的方法不但需要额外的制程及所需的设备，并且有可能因为雷射光的破坏使得第一金属层电极1和第二金属层电极2或者其上侧设置的绝缘介质层产生质点（particle），致使阵列基板收到损伤。
另外当阵列基板中用于传输信号的金属层电极，因为诸如阻抗匹配等原因需要变换导电层，具体图示如图3-6 所示，在透明电极7制程完成前，金属层易形成浮置（Floating)致使电荷累积造成静电破坏。
发明内容
本发明的目的是针对现有阵列基板上金属层电极配线架构存在的缺陷，提供一种可防止静电破坏的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极。
本发明的目的是通过以下技术方案解决的：
一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，它包括第一金属层电极和第二金属层电极，所述的第一金属层电极和/或第二金属层电极上设有断开接触孔，所述的断开接触孔在透明电极蚀刻过程中用蚀刻液腐蚀形成将第一金属层电极和/或第二金属层电极切断的断孔。
所述的第一金属层电极和第二金属层电极分别与相对应的连接电极电性相连，所述的断开接触孔设置在第一金属层电极和第二金属层电极的靠近与对应连接电极相连的一端位置上。
所述的第一金属层电极与连接电极电性相连，第一金属层电极和第二金属层电极的相应位置上设有两组相对应的信号接触孔，第二金属层电极通过两组信号接触孔处设置的两透明电极与第一金属层电极相连并通过第一金属层电极与连接电极电性相连，在第一金属层电极的靠近与连接电极相连的一端位置上和位于第一金属层电极上两信号接触孔之间的位置上均设有断开接触孔。
所述的第二金属层电极与连接电极电性相连，第二金属层电极和第一金属层电极的相应位置上设有两组相对应的信号接触孔，第一金属层电极通过两组信号接触孔处设置的两透明电极与第二金属层电极相连并通过第二金属层电极与连接电极电性相连，在第二金属层电极的靠近与连接电极相连的一端位置上和位于第二金属层电极上两信号接触孔之间的位置上均设有断开接触孔。
所述的第一金属层电极或第二金属层电极分别与对应的连接电极电性相连，第一金属层电极或第二金属层电极的相应位置上设有两信号接触孔，两信号接触孔之间设有与第一金属层电极或第二金属层电极相连的透明电极，在第一金属层电极或第二金属层电极的靠近与连接电极相连的一端位置上和位于第一金属层电极或第二金属层电极上两信号接触孔之间的位置上均设有断开接触孔。
所述断开接触孔的横截面宽度大于第一金属层电极和第二金属层电极的横截面宽度。
本发明相比现有技术有如下优点：
本发明通过在金属层电极的电极上设置断开接触孔，并进而在透明电极蚀刻过程中用蚀刻液将金属层电极腐蚀形成将金属层电极切断的断孔，不但实现了在阵列基板制程中将金属层电极分离并与连接电极相断开的目的，而且避免了阵列基板制程中浮置金属的出现给阵列基板带来的静电损伤状况，降低生产成本的同时还提高了生产效率。
附图说明
附图1为阵列基板制程时金属层电极的结构示意图；
附图2为实际驱动时金属层电极的结构示意图；
附图3为金属层电极之间变换导电层与连接电极相连时的结构示意图；
附图4为图3中的A-A’剖面结构示意图；
附图5为金属层电极变换导电层与连接电极相连时的结构示意图；
附图6为图5中的B-B’剖面结构示意图；
附图7为本发明的金属层电极结构示意图；
附图8为图7中的A-A’剖面结构演变示意图，其中图8（a）为断开接触孔设置时的剖面结构示意图，图8（b）为断开接触孔被腐蚀成为断孔时的剖面结构示意图；
附图9为本发明的金属层电极之间变换导电层时与连接电极相连的结构示意图；
附图10为本发明的金属层电极变换导电层时与连接电极相连的结构示意图。
其中：1—第一金属层电极；2—第二金属层电极；3—断开接触孔；4—断孔；5—连接电极；6—信号接触孔；7—透明电极。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明作进一步的说明。
如图7-8所示：一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，它包括分别与连接电极5电性相连的第一金属层电极1和第二金属层电极2，在第一金属层电极1和第二金属层电极2上设有断开接触孔3，断开接触孔3设置在第一金属层电极1和第二金属层电极2的靠近与对应连接电极5相连的一端位置上，即断开接触孔3设置在靠近对应连接电极5的第一金属层电极1和第二金属层电极2上，同时断开接触孔3的横截面宽度大于第一金属层电极1和第二金属层电极2的横截面宽度；在透明电极的蚀刻过程中，用透明电极蚀刻液将断开接触孔3位置处的第一金属层电极1和第二金属层电极2完全腐蚀，进而断开接触孔3在腐蚀过程中形成将第一金属层电极1和第二金属层电极2切断的断孔4，实现了在阵列基板制程后将金属层电极分离的目的，且确保了实际使用时信号可经由所需要的路径传导。
如图7和图8所示，其中图7为本发明的金属层电极结构示意图，在阵列基板的制成中，第一金属层电极1和第二金属层电极2皆与对应的连接电极5相连，以避免阵列基板制程中出现的静电损伤状况，同时在第一金属层电极1和第二金属层电极2上靠近与连接电极5相连的一端上设置断开接触孔3。图8为第一金属层电极或者第二金属层电极上断开接触孔演变为断孔的结构示意图，其中图8（a）为设置断开接触孔3的剖面示意图，进而在透明电极的蚀刻过程中，通过使用透明电极蚀刻液将断开接触孔3位置处的第一金属层电极1和第二金属层电极2完全腐蚀，形成将第一金属层电极1和第二金属层电极2切断的断孔4，实现了在阵列基板制程后将金属层电极与连接电极5相分离的目的，且确保了实际使用时信号可经由所需要的路径传导。其中断孔4形成时的剖面图如图8（b）所示。
图9为本发明的金属层电极之间变换导电层时与连接电极相连的结构示意图，如图所示，阵列基板上的第一金属层电极1与连接电极5电性相连，第一金属层电极1和第二金属层电极2的相应位置上设有两组相对应的信号接触孔6，第二金属层电极2通过两组信号接触孔6处设置的两透明电极7与第一金属层电极1相连并通过第一金属层电极1与连接电极5电性相连，在第一金属层电极1的靠近与连接电极5相连的一端位置上和位于第一金属层电极1上两信号接触孔6之间的位置上均设有断开接触孔3；在透明电极的蚀刻过程中，用透明电极蚀刻液将断开接触孔3位置处的第一金属层电极1完全腐蚀，进而断开接触孔3在腐蚀过程中形成将第一金属层电极1切断并与第二金属层电极2相分离的断孔4，实现了在阵列基板制程后将第一金属层电极1和第二金属层电极2分离并与连接电极5相断开的目的，避免了阵列基板制程中浮置金属的出现给阵列基板带来的静电损伤状况且确保了实际使用时信号可经由所需要的路径传导。在本发明的实例中，图9所示的仅为其中的一种情况，还可为阵列基板上的第二金属层电极2与连接电极5电性相连，第二金属层电极2和第一金属层电极1的相应位置上设有两组相对应的信号接触孔6，第一金属层电极1通过两组信号接触孔6处设置的两透明电极7与第二金属层电极2相连并通过第二金属层电极2与连接电极5电性相连，在第二金属层电极2的靠近与连接电极5相连的一端位置上和位于第二金属层电极2上两信号接触孔6之间的位置上均设有断开接触孔3；在透明电极的蚀刻过程中，用透明电极蚀刻液将断开接触孔3位置处的第二金属层电极2完全腐蚀，进而断开接触孔3在腐蚀过程中形成将第二金属层电极2切断并与第一金属层电极1相分离的断孔4，实现了在阵列基板制程后将第一金属层电极1和第二金属层电极2分离并与连接电极5相断开的目的，避免了阵列基板制程中浮置金属的出现给阵列基板带来的静电损伤状况且确保了实际使用时信号可经由所需要的路径传导。
图10为本发明的金属层电极变换导电层时与连接电极相连的结构示意图，如图所示，阵列基板上的第一金属层电极1或第二金属层电极2分别与对应的连接电极5电性相连，第一金属层电极1或第二金属层电极2的相应位置上设有两信号接触孔6，两信号接触孔6之间设有与第一金属层电极1或第二金属层电极2相连的透明电极7，在第一金属层电极1或第二金属层电极2的靠近与连接电极5相连的一端位置上和位于第一金属层电极1或第二金属层电极2上两信号接触孔6之间的位置上均设有断开接触孔3；在透明电极的蚀刻过程中，用透明电极蚀刻液将断开接触孔3位置处的第一金属层电极1或第二金属层电极2完全腐蚀，进而断开接触孔3在腐蚀过程中形成将第一金属层电极1或第二金属层电极2切断并与透明电极7相分离的断孔4，实现了在阵列基板制程后将第一金属层电极1或第二金属层电极2与连接电极5相断开并与透明电极7相分离的目的，避免了阵列基板制程中浮置金属的出现给阵列基板带来的静电损伤状况且确保了实际使用时信号可经由所需要的路径传导。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改。因此，本发明的保护范围由所附权利要求书限定。
本发明未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
Claims (6)
1.一种位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，它包括第一金属层电极（1）和第二金属层电极（2），其特征在于所述的第一金属层电极（1）和/或第二金属层电极（2）上设有断开接触孔（3），所述的断开接触孔（3）在透明电极蚀刻过程中用蚀刻液腐蚀形成将第一金属层电极（1）和/或第二金属层电极（2）切断的断孔（4）。
2.根据权利要求1所述的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，其特征在于所述的第一金属层电极（1）和第二金属层电极（2）分别与相对应的连接电极（5）电性相连，所述的断开接触孔（3）设置在第一金属层电极（1）和第二金属层电极（2）的靠近与对应连接电极（5）相连的一端位置上。
3.根据权利要求1所述的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，其特征在于所述的第一金属层电极（1）与连接电极（5）电性相连，第一金属层电极（1）和第二金属层电极（2）的相应位置上设有两组相对应的信号接触孔（6），第二金属层电极（2）通过两组信号接触孔（6）处设置的两透明电极（7）与第一金属层电极（1）相连并通过第一金属层电极（1）与连接电极（5）电性相连，在第一金属层电极（1）的靠近与连接电极（5）相连的一端位置上和位于第一金属层电极（1）上两信号接触孔（6）之间的位置上均设有断开接触孔（3）。
4.根据权利要求1所述的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，其特征在于所述的第二金属层电极（2）与连接电极（5）电性相连，第二金属层电极（2）和第一金属层电极（1）的相应位置上设有两组相对应的信号接触孔（6），第一金属层电极（1）通过两组信号接触孔（6）处设置的两透明电极（7）与第二金属层电极（2）相连并通过第二金属层电极（2）与连接电极（5）电性相连，在第二金属层电极（2）的靠近与连接电极（5）相连的一端位置上和位于第二金属层电极（2）上两信号接触孔（6）之间的位置上均设有断开接触孔（3）。
5.根据权利要求1所述的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，其特征在于所述的第一金属层电极（1）或第二金属层电极（2）分别与对应的连接电极（5）电性相连，第一金属层电极（1）或第二金属层电极（2）的相应位置上设有两信号接触孔（6），两信号接触孔（6）之间设有与第一金属层电极（1）或第二金属层电极（2）相连的透明电极（7），在第一金属层电极（1）或第二金属层电极（2）的靠近与连接电极（5）相连的一端位置上和位于第一金属层电极（1）或第二金属层电极（2）上两信号接触孔（6）之间的位置上均设有断开接触孔（3）。
6.根据权利要求1所述的位于薄膜晶体管液晶显示器阵列基板上的金属层电极，其特征在于所述断开接触孔（3）的横截面宽度大于第一金属层电极（1）和第二金属层电极（2）的横截面宽度。
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