JP2006146200A - 平板表示素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は平板表示素子及びその製造方法に係り、平板表示素子の内部で発生する静電気を薄膜トランジスタ(TFT)の損傷なく放電させることができるように画素領域内のスキャンライン終り部分に静電気を放電させることができる静電気放電装置を形成することによって、レイアウトの変更及び工程の追加なく静電気により素子が損傷されることを防止して工程収率を向上させることができる技術である。
【選択図】図6
Description
120 データライン
130 電源供給ライン
140 キャパシター
144 下部電極
146 上部電極
150 駆動用薄膜トランジスタ
152 半導体層
154 ゲート電極
155a コンタクトホール
156a ソース電極
156b ドレイン電極
158 ビアホール
160 有機電界発光素子(画素電極)
165 開口部
170 スイッチング用薄膜トランジスタ
200 感光膜パターン
210 静電気放電保護装置
Claims (14)
- 基板上部に一方向に形成されて、所定の間隔を置いて設置された複数本のデータラインと、前記データラインに等しい方向に形成されて、所定の間隔を置いて設置された複数本の電源供給ライン及び前記データラインと電源供給ラインに直交する方向に所定の間隔を置いて設置された複数本のスキャンラインと、前記基板上に形成されて、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びソース/ドレイン電極を含む少なくとも2個以上の薄膜トランジスタ及び少なくとも一つ以上のキャパシター及び前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極のうちいずれか一つの電極に接続される第1電極、少なくとも発光層を含む有機膜及び第2電極を含み、
前記スキャンラインの一側終端に静電気放電防止装置が具備されることを特徴とする平板表示素子。 - 前記薄膜トランジスタはスイッチング薄膜トランジスタまたは駆動薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 前記スイッチング薄膜トランジスタのゲート電極は前記スキャンラインと連結されていることを特徴とする請求項1または2に記載の平板表示素子。
- 前記駆動薄膜トランジスタは前記電源供給ラインと連結されていることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 前記駆動薄膜トランジスタのゲート電極は前記キャパシターの第1電極と連結されていることを特徴とする請求項1または4に記載の平板表示素子。
- 前記駆動薄膜トランジスタは前記第1電極と連結されていることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 前記半導体層は低温多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 前記静電気放電防止装置は2個の尖点が触れ合っていることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 前記静電気放電防止装置の尖点が2000Åの範囲で重なったり離隔されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 前記静電気放電防止装置の尖点が交差した部分の幅が前記ゲート絶縁膜の厚さより薄く形成されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示素子。
- 基板上部に半導体層パターンを形成する工程と、
全体基板上部にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上部にゲート電極物質を形成する工程と、
フォトエッチング工程で前記ゲート電極物質をエッチングして薄膜トランジスタのゲート電極、前記ゲート電極に連結されたスキャンライン及び前記スキャンラインの一側終端に静電気放電保護装置を形成する工程と、
前記半導体層パターンに接続されるソース/ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース/ドレイン電極のうちいずれか一つに接続される第1電極、少なくとも発光層を含む有機膜及び第2電極を形成する工程を含むことを特徴とする平板表示素子の製造方法。 - 前記半導体層パターンは低温多結晶シリコン層で形成されることを特徴とする請求項11に記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記静電気放電保護装置は過度エッチング工程で形成されることを特徴とする請求項11に記載の平板表示素子の製造方法。
- 前記フォトエッチング工程は回折露光で実施することを特徴とする請求項11に記載の平板表示素子の製造方法。
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