JP2007157563A - ニッケル粉末、導体ペーストおよびそれを用いた積層電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面に薄いニッケルの酸化層を有し、酸素含有量が0.3〜3.0重量%であり、かつ炭素含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する炭素成分の重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり100ppm以下であることを特徴とする、平均粒径0.05〜1.0μmのニッケル粉末。
【選択図】なし
Description
(1) 表面に薄いニッケルの酸化層を有し、酸素含有量が0.3〜3.0重量%であり、かつ炭素含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する炭素成分の重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり100ppm以下であることを特徴とする、平均粒径0.05〜1.0μmのニッケル粉末。
(2) 炭素含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり80ppm以下であることを特徴とする、上記(1)に記載のニッケル粉末。
(3) さらにイオウを含有し、その含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり30〜500ppmであることを特徴とする、上記(1)または(2)に記載のニッケル粉末。
(4)X線光電子分光法(XPS)によるニッケル粉末表面層のニッケルの化学結合状態の解析において、ニッケルと水酸基の結合状態に帰属されるピークのNi2pスペクトルピーク全体に対する面積比が60%以下であることを特徴とする、上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のニッケル粉末。
(5) 上記(1)ないし(4)のいずれかに記載のニッケル粉末と、樹脂バインダおよび溶剤を含む導体ペースト。
(6) 上記(5)に記載の導体ペーストを用いて内部電極を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品。
本発明は、このような表面酸化層を有するニッケル粉末において、炭素含有量が極めて低く制御されていることが特徴である。
本発明においては、前記ニッケル粉末に制御された量のイオウ成分が含有されることにより、さらに優れた効果を得る。イオウはニッケル粉末の触媒活性を低下させる作用を有すると考えられる。その最適な含有量は導電性粉末の表面積によって決まり、単位重量のニッケル粉末に対する重量比率(イオウ原子換算)で、粉末の比表面積1m2/gあたり30〜500ppm以下である。30ppmより少ないと添加効果が現れない。また500ppmより多くなると、焼成後に積層部品中に残留して特性を低下させる傾向があり、さらに、積層部品の焼成中に多量のイオウ成分が揮発すると、焼成炉を汚染するといった問題も生じる。特に、80〜400ppmの範囲が好ましい。イオウの量は、炭素と同様、市販の炭素硫黄分析装置などにより測定される。
本発明においては、ニッケル粉末表面に結合した水酸基の量ができるだけ少ないことが好ましい。ニッケル粉末の表面に水酸基が多く結合している場合、焼成初期の比較的低温の段階で分解することによって極めて活性の高い微細な酸化ニッケルが生成し、その触媒作用により樹脂は一層激しく燃焼すると推定される。また、表面に水酸化物が多いと、有機系のビヒクルへの分散性が低下する傾向がある。従って、表面の水酸基の量を、X線光電子分光法(XPS)によるニッケル粉末表面層のニッケルの化学結合状態の解析において、ニッケルと水酸基の結合状態に帰属されるピークのNi2pスペクトルピーク全体に対する面積比が60%以下となるように制御することにより、低温での樹脂の燃焼が抑制され、特性の劣化やクラック発生を確実に防止することができる。
本発明のニッケル粉末を製造する方法としては、湿式還元法、ニッケル化合物を熱分解する方法、ニッケル化合物の気相還元による化学気相析出法(CVD)、ニッケル蒸気を冷却することによる物理気相析出法(PVD)など、いずれでも良い。特に、特公昭63−31522号公報等に記載された噴霧熱分解法や、特開2002−20809号公報および特開2004−99992号公報に記載の熱分解性の金属化合物粉末をキャリアガスと共に反応容器中に供給し、気相中に分散させた状態で熱分解する方法、また金属の加熱により金属蒸気を発生させ、その蒸気を冷却・凝縮することにより金属粉末を生成させるPVD法などは、分散性の極めて優れた高結晶性のニッケル微粉末が得られるので好ましい。
本発明の導体ペーストは、前記ニッケル粉末を導電性粉末として含有し、これを樹脂バインダ、溶剤からなるビヒクルに分散させたものである。
積層セラミック電子部品は、内部電極の形成に本発明の導体ペーストを用いて公知の方法で製造される。一例として積層セラミックコンデンサの製造方法を述べる。
平均粒径がおよそ100μmの酢酸ニッケル四水和物の粉末を500g/hrの供給速度で気流式粉砕機に供給し、200L/minの流速の窒素ガスで粉砕、分散させた。この分散気流をそのまま1550℃に加熱した電気炉内の反応管に導入し、酢酸ニッケル四水和物を加熱、分解してニッケル粉末を生成させた。このとき、分散気流の反応管への導入口の近傍から水蒸気を供給することにより、粉末に含有される炭素量を低下させた。粉末に含有される炭素量は水蒸気の供給量によって制御した。また、反応管の出口側に反応管と同径の冷却管を接続し、冷却管には空気を導入するための導入管を気流の流れ方向に複数個設け、空気を導入する位置により生成粒子が空気と接触する温度を変化させることで、生成粉末の表面酸化量を制御した。イオウを含有させる場合(試料番号11〜14)は、硫化水素ガスを、水蒸気と同様に分散気流の反応管への導入口の近傍から別個に供給した。粉末に含有する硫黄量は、硫化水素ガスの供給量によって制御した。生成した粉末はバグフィルターで回収した。
Claims (6)
- 表面に薄いニッケルの酸化層を有し、酸素含有量が0.3〜3.0重量%であり、かつ炭素含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する炭素成分の重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり100ppm以下であることを特徴とする、平均粒径0.05〜1.0μmのニッケル粉末。
- 炭素含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり80ppm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のニッケル粉末。
- さらにイオウを含有し、その含有量が、単位重量のニッケル粉末に対する重量比率で、粉末の比表面積1m2/gあたり30〜500ppmであることを特徴とする、請求項1または2に記載のニッケル粉末。
- X線光電子分光法(XPS)によるニッケル粉末表面層のニッケルの化学結合状態の解析において、ニッケルと水酸基の結合状態に帰属されるピークのNi2pスペクトルピーク全体に対する面積比が60%以下であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかに記載のニッケル粉末。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載のニッケル粉末と、樹脂バインダおよび溶剤を含む導体ペースト。
- 請求項5に記載の導体ペーストを用いて内部電極を形成したことを特徴とする積層セラミック電子部品。
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