KR20230008405A - 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 - Google Patents
커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230008405A KR20230008405A KR1020210089011A KR20210089011A KR20230008405A KR 20230008405 A KR20230008405 A KR 20230008405A KR 1020210089011 A KR1020210089011 A KR 1020210089011A KR 20210089011 A KR20210089011 A KR 20210089011A KR 20230008405 A KR20230008405 A KR 20230008405A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- internal electrode
- electrode layer
- nickel
- electrode layers
- powder
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 160
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 32
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
본 발명의 일 측면에 따른 커패시터 부품은, 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디; 및 상기 바디에 배치되며 상기 내부전극층과 연결되는 외부전극; 을 포함하고, 상기 내부전극층과 상기 유전체층 사이에는 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 영역이 있다.
Description
본 발명은 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
커패시터 부품 중 하나인 적층 세라믹 커패시터(Multi-Layered Ceramic Capacitor, MLCC)는 소형이면서도 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 통신, 컴퓨터, 가전, 자동차 등의 산업에 사용되는 중요한 칩 부품이고, 특히, 휴대전화, 컴퓨터, 디지털 TV 등 각종 전기, 전자, 정보 통신 기기에 사용되는 핵심 수동 소자이다.
일반적으로 MLCC는, 유전체 그린시트에 내부전극층 형성용 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하고, 도전성 페이스트가 인쇄된 유전체 그린시트를 복수 적층한 후 이를 소결하여 제조한다. 도전성 페이스트는, 일반적으로, 니켈(Ni) 등의 도전성 분말, 세라믹 분말, 바인더, 및 솔벤트 등을 서로 혼합하여 제작한다.
한편, MLCC 제작을 위한 소결 공정에서, 도전성 페이스트에 포함된 바인더 등의 탄소가 산소와 반응하여 이산화탄소를 형성할 수 있으며, 이러한 이산화탄소는 유전체층 및 내부전극층 간의 계면에 균열을 유발하는 요인이 될 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 목적 중 하나는, 내부전극층의 연결성을 향상시킬 수 있는 커패시터 부품을 제공하기 위함이다.
본 발명의 일 예에 따른 목적 중 다른 하나는, 용량(capacitance)을 향상시킬 수 있는 커패시터 부품을 제공하기 위함이다.
본 발명의 일 예에 따른 목적 중 또 다른 하나는, 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있는 커패시터 부품을 제공하기 위함이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디; 및 상기 바디에 배치되며, 상기 내부전극층과 연결되는 외부전극; 을 포함하고, 상기 내부전극층과 상기 유전체층 사이에는 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 각각 함유한 영역이 있는 커패시터 부품이 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 유전체 그린시트를 형성하는 단계; 및 니켈(Ni)의 제1 분말과, 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 포함하는 제2 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 상기 유전체 그린시트에 도포하는 단계; 를 포함하고, 상기 도전성 페이스트에서 상기 제2 분말은 상기 제1 분말의 전체 질량에 대하여 0.5 wt% 이상 0.8 wt% 이하로 함유된 커패시터 부품의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 측면에 따른 커패시터 부품은 내부전극층의 연결성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 커패시터 부품은 용량(capacitance)을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 커패시터 부품은 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 도 1의 I-I`의 단면도를 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 도 2의 A를 확대 도시한 도면.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 단면 일부를 TEM으로 촬영한 이미지.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 일 영역에 대한 시료의 XRD 분석 결과를 도시한 도면.
도 8은 어느 하나의 내부전극층을 개략적으로 도시한 도면.
도 9A는 실험예 1의 단면에 대한 SEM 이미지이고, 도 9B는 실험예 2의 단면에 대한 SEM 이미지.
도 10A는 실험예 1에 대한 내습 신뢰성 평가 결과를 도시한 도면이고, 도 10B는 실험예 2에 대한 내습 신뢰성 평가 결과를 도시한 도면.
도 2는 도 1의 I-I`의 단면도를 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 도 2의 A를 확대 도시한 도면.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 단면 일부를 TEM으로 촬영한 이미지.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 일 영역에 대한 시료의 XRD 분석 결과를 도시한 도면.
도 8은 어느 하나의 내부전극층을 개략적으로 도시한 도면.
도 9A는 실험예 1의 단면에 대한 SEM 이미지이고, 도 9B는 실험예 2의 단면에 대한 SEM 이미지.
도 10A는 실험예 1에 대한 내습 신뢰성 평가 결과를 도시한 도면이고, 도 10B는 실험예 2에 대한 내습 신뢰성 평가 결과를 도시한 도면.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 그리고, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.
또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서, 제1 방향은 T 방향 또는 두께 방향, 제2 방향은 L 방향은 또는 길이 방향, 제3 방향은 W 방향 또는 폭 방향으로 정의될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2는 도 1의 I-I`의 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3은 도 2의 A를 확대 도시한 도면이다. 도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 단면 일부를 TEM으로 촬영한 이미지이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 커패시터 부품의 일 영역에 대한 시료의 XRD 분석 결과를 도시한 도면이다. 도 8은 어느 하나의 내부전극층을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 커패시터 부품(1000)은, 바디(100) 및 외부전극(210, 220)을 포함한다. 바디(100)는 유전체층(110) 및 내부전극층(121, 122)을 포함한다. 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에는 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 영역이 존재한다.
바디(100)는 본 실시예에 따른 커패시터 부품(1000)의 외관을 이룬다. 바디(100)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이, 바디(100)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소결 과정에서 바디(100)에 포함된 세라믹 분말의 수축으로 인하여, 바디(100)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
바디(100)는, 도 1 및 도 2를 기준으로, 두께 방향(Z)으로 서로 마주보는 제1 면(101)과 제2 면(102), 길이 방향(X)으로 서로 마주보는 제3 면(103)과 제4 면(104), 폭 방향(Y)으로 마주보는 제5 면(105) 및 제6 면(106)을 포함한다. 바디(100)의 제3 내지 제6 면(103, 104, 105, 106) 각각은, 바디(100)의 제1 면(101)과 제2 면(102)을 연결하는 바디(100)의 벽면에 해당한다. 이하에서, 바디(100)의 양 단면(일단면 및 타단면)은 바디의 제3 면(103) 및 제4 면(104)을 의미하고, 바디(100)의 양 측면(일측면 및 타측면)은 바디의 제5 면(105) 및 제6 면(106)을 의미할 수 있다. 또한 바디(100)의 일면과 타면은 각각 바디(100)의 제1 면(101)과 제2 면(102)을 의미할 수 있다. 바디(100)의 일면(101)은, 본 실시예에 따른 커패시터 부품(1000)을 인쇄회로기판 등의 실장기판에 실장함에 있어, 실장면으로 이용될 수 있다.
바디(100)는, 유전체층(110), 및 유전체층(110)을 사이에 두고 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)을 포함한다. 유전체층(110), 제1 내부전극층(121) 및 제2 내부전극층(122) 각각은, 복수의 층으로 형성된다. 이하에서는, 제1 및 제2 내부전극층(121, 122) 간의 구별이 필요한 경우를 제외하고, 내부전극층(121, 122)으로 통칭하기로 한다. 따라서, 내부전극층(121, 122)으로 통칭된 부분에 대한 설명은, 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)에 공통적으로 적용될 수 있다.
바디(100)를 형성하는 복수의 유전체층(110)은 소결된 상태로서, 인접하는 유전체층(110) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)를 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
유전체층(110)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 티탄산바륨(BaTiO3) 분말일 수 있다. 유전체층(110)을 형성하는 재료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
바디(100)의 상부 및 하부, 즉 두께 방향(Z 방향) 양 단부에는 커버층(130)이 배치될 수 있다. 커버층(130)은 외부 충격에 대해 커패시터 부품의 신뢰성을 유지하는 역할을 수행할 수 있다. 커버층(110)은, 유전체층(110)을 형성하기 위한 자재, 또는 유전체층(110)을 형성하기 위한 자재와 상이한 자재를 이용하여 형성될 수 있다. 예로서, 후자의 경우, 유전체층(110) 형성을 위한 자재와, 커버층(110) 형성을 위한 자재는, 자재 내 세라믹 입자의 조성, 크기, 함량 및 분산 정도 중 적어도 하나가 서로 상이하거나, 자재 내 부성분의 조성, 크기, 함량 및 분산 정도 중 적어도 하나가 상이할 수 있다.
내부전극층(121, 122)은 유전체층(110)과 번갈아 배치되며, 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)은 유전체층(110)을 사이에 두고 서로 마주하도록 번갈아 배치되며, 바디(100)의 제3 및 제4 면(103, 104)으로 각각 노출될 수 있다.
내부전극층(121, 122)은 전체적으로 판상의 형태와 유사한 형태를 가질 수 있다. 한편, 도 3 및 도 8에는 내부전극층(121, 122) 각각이 서로 이격된 복수로 구성된 것처럼 도시되어 있으나, 이는 도 3 및 도 8 각각이 바디(100)의 단면(cross-section)의 일부를 도시한 것이기 때문으로, 내부전극층(121, 122)은 후술할 내부전극층(121, 122)을 관통하는 홀(H)이 형성되어 있을 뿐 일체화된 부재이다.
내부전극층(121, 122)은 각각 바디(100)의 길이 방향(X)의 양 단면인 제3 면(103) 및 제4 면(104)으로 번갈아 노출되어, 제1 및 제2 외부전극(210, 220)과 연결된다. 즉, 제1 내부전극층(121)은, 바디(100)의 제3 면(103)으로 노출되어 제1 외부전극(210)과 연결되고, 바디(100)의 제4 면(104)으로 노출되지 않아 제2 외부전극(220)과 연결되지 않는다. 제2 내부전극층(122)은, 바디(100)의 제4 면(104)으로 노출되어 제2 외부전극(220)과 연결되고, 바디(100)의 제3 면(103)으로 노출되지 않아 제1 외부전극(210)과 연결되지 않는다. 따라서, 제1 내부전극층(121)은 바디(100)의 제4 면(104)으로부터 일정거리 이격되고, 제2 내부전극층(122)은 바디(100)의 제3 면(103)으로부터 일정거리 이격된다. 이때, 내부전극층(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(110)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
내부전극층(121, 122)은, 예로서, 팔라듐(Pd), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 도전체를 포함할 수 있다. 일 예로, 내부전극층(121, 122)은, 니켈(Ni)의 제1 분말, 니켈(Ni)과 탄소(C)를 포함하는 제2 분말, 바인더 및 솔벤트 등을 포함하는 도전성 페이스트를 유전체 그린 시트에 적층한 후 이를 소결하여 형성될 수 있으며, 따라서, 내부전극층(121, 122)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
내부전극층(121, 122) 각각의 두께(T1, T2)는 10㎚ 이상 500㎚ 이하일 수 있다. 내부전극층(121, 122)의 두께(T1, T2)가 10㎚ 미만인 경우에는 내부전극층(121, 122)의 연결성이 저하되어 정전 용량이 감소될 수 있다. 내부전극층(121, 122)의 두께(T1, T2)가 500㎚ 초과인 경우에는 동일 크기의 부품을 기준으로, 유전체층(110)의 두께가 얇게 형성되어 내부전극층(121, 122) 간 전기적 절연을 도모하기 힘들 수 있다.
내부전극층(121, 122)의 두께(T1, T2)는, 커패시터 부품을 폭 방향(Y) 중앙부에서 절단한 XZ 단면(cross-section)을 스캔한 광학 이미지 또는 SEM 이미지를 이용하여 측정될 수 있다. 일 예로, 내부전극층(121, 122)의 두께는, 상기 이미지에 도시된 내부전극층(121, 122) 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 하나의 내부전극층의 Z 방향을 따른 디멘전(dimension)을 X 방향을 따라 복수회 측정하고 이를 산술 평균한 것을 의미할 수 있다. 이러한 X 방향을 따른 복수회 측정은, X 방향을 따라 등간격으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 내부전극층(121, 122)의 두께는, 상기 이미지에 도시된 복수의 내부전극층(121, 122) 각각에 대해 전술한 방법으로 각 내부전극층(121, 122)의 두께를 산출하고, 이를 내부전극층(121, 122)의 총 수로 나눈 것을 의미할 수 있다.
내부전극층(121, 122) 내에는, 공극(void, V) 및 세라믹 입자(C)가 배치될 수 있다. 공극(V) 및 세라믹 입자(C)는, 내부전극층(121, 122)를 관통하지 않는다는 점에서, 후술할 홀(H), 및 홀(H)에 배치되는 후술할 비도전성부와 상이하다. 세라믹 입자(C)는 내부전극층 형성을 위한 도전성 페이스트에, 추가적으로 첨가된 티탄산바륨 등의 세라믹 분말에 의해 형성된 것일 수 있다. 세라믹 입자(C)는 유전체층(110)의 유전체와 동일하게 티탄산바륨계 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 공극(V)은, 도전성 페이스트에 포함된 니켈(Ni) 분말의 소결 과정에서의 확산 및 재결정으로 인해 형성되거나, 도전성 페이스트에 포함된 용매 등의 유기 물질이 소결 과정에서 제거됨으로 인해 형성될 수 있다.
내부전극층(121, 122)에는 홀(H)이 형성되고, 홀(H)에는 비도전성부가 배치될 수 있다. 홀(H)은 내부전극층(121, 122)의 연결이 끊어진 영역으로, 내부전극층(121, 122)을 관통한다. 홀(H) 내에는 비도전성부가 형성되는데, 비도전성부가 유전체층(110)의 유전체 및/또는 내부전극층(121, 122) 내의 세라믹 입자(C)와 유사한 조성의 세라믹 물질을 포함한다면, 비도전성부는 어느 하나의 내부전극층(121, 122)을 매개로 인접한 2개의 유전체층(110)을 서로 연결할 수 있다. 이 경우, 비도전성부는, 본 실시예에 따른 커패시터 부품(1000)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 도 3에는, 홀(H) 내에 형성된 비도전성부가 인접한 유전체층(110)을 서로 연결하는 것을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 다른 예로서, 홀(H) 내에 형성된 비도전성부는, 공극(void)일 수 있다.
도 8을 참조하면, 두께 방향(Z)을 따른 바디(100)의 단면(cross-section)에서, 길이 방향(X)을 따른 내부전극층(121, 122)의 총 길이(LT)에 대하여, 비도전성부를 제외한 내부전극층(121, 122)의 길이 방향(X)을 따른 길이(L1+L2+L3)의 비는 0.8 이상일 수 있다. 길이 방향(X)을 따른 내부전극층(121, 122)의 총 길이(LT)는, 내부전극층(121, 122)의 연결이 유지된 영역의 길이(L1, L2, L3)와, 내부전극층(121, 122)의 연결이 끊어진 영역, 즉, 비도전성부의 길이(LH1, LH2)의 총 합을 의미할 수 있다. 상기 비는, 전술한 내부전극층(121, 122)의 연결성과 관련된 것으로서, 상기 비가 0.8 미만인 경우에는 내부전극층(121, 122)의 연결성이 떨어져, 정전 용량이 감소될 수 있다.
여기서, X 방향을 따른 내부전극층(121, 122)의 총 길이(LT)는, 커패시터 부품을 Y 방향의 중앙부에 절단한 XZ 단면(cross-section)을 스캔한 광학 이미지 또는 SEM 이미지를 이용하여 측정될 수 있다. 일 예로, X 방향을 따른 내부전극층(121, 122)의 총 길이(LT)는, 상기 이미지에 도시된 내부전극층(121, 122) 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 하나의 내부전극층(121, 122)의 X 방향을 따른 디멘젼(dimension)을 Z 방향을 따라 복수회 측정하고 이를 산술 평균한 것을 의미할 수 있다. 이러한 Z 방향을 따른 복수회 측정은, Z 방향을 따라 등간격으로 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또는, X 방향을 따른 내부전극층(121, 122)의 총 길이(LT)는, 상기 이미지에 도시된 복수의 내부전극층(121, 122) 각각에 대해 전술한 방법으로 각 내부전극층(121, 122)의 X 방향을 따른 길이를 산출하고, 이러한 값을 내부전극층(121, 122)의 총 갯수로 나눈 평균을 의미할 수 있다. 한편, X 방향을 따른 내부전극층(121, 122)의 총 길이(LT) 측정 방법에 대한 설명은, X 방향을 따른 비도전성부를 제외한 내부전극층(121, 122)의 길이 (L1, L2, L3), 및 X 방향을 따른 비도전성부의 길이(LH1, LH2) 각각에 동일하게 적용될 수 있다.
내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에는 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 영역(10)이 존재한다. 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 상기 영역(10)은 서로 이격된 복수로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 영역(10) 중 적어도 일부는 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에서, 서로 이격된 형태로 배치될 수 있다.
예로서, 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에, 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 영역(10)이 존재하는지 여부는, TEM(Transmission Electron Microscope) 및 STEM(Scanning Transmission Electron Microscope)을 통해 판정할 수 있다. 구체적으로, 도 4와 같이, 폭 방향(W)의 중앙부에서 취한 길이 방향(X)-두께 방향(Z)의 단면(XZ cross-section)의 일부 영역을 TEM 사진(image)을 찍었을 때, 해당 사진에 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에, 내부전극층(121, 122) 및 유전체층(110) 각각과 상이한 콘트라스트(contrast)를 가지는 영역(10)이 존재함을 알 수 있다. 더불어, 도 5 및 도 6과 같이, 도 4의 TEM 사진으로 찍은 단면 영역에 대해, 니켈(Ni) 원소에 대한 스캐닝(도 5) 및 탄소(C) 원소에 대한 스캐닝(도 6)을 수행하면, 도 4의 상이한 콘트라스트(contrast)를 가지는 영역(10)이, 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 포함함을 알 수 있다. 즉, 도 4 내지 도 6의 TEM 및 STEM을 통해, 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에, 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 영역(10)이 존재하는지를 판정할 수 있다.
상기 영역(10)은, 니켈(Ni)과 탄소(C)의 화합물을 함유할 수 있다. 예로서, 상기 영역(10)은, 니켈(Ni)과 탄소(C)가 3:1의 몰 비를 가지는 니켈카바이드(Nickel Carbide, Ni3C)을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 영역(10)이 니켈카바이드(Nickel Carbide, Ni3C)를 포함하는 것은, X선 회절분석법(X-Ray Diffraction, XRD)을 통해 판단할 수 있다. 구체적으로, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에 존재하며, 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 포함하는 영역(10)을 특정한다. 다음으로, 내부전극층(121, 121)과 유전체층(110) 사이에서 상기 영역(10)을 분리한 후 이를 시편으로 하여 XRD를 수행한다. 해당 시편에 대한 XRD 분석 결과는, 도 7에 도시된 바와 같이, 니켈(Ni) 피크와 니켈카바이드(Nickel Carbide, Ni3C) 피크를 모두 가지는데, 결과, 상기 영역(10)은 니켈카바이드(Nickel Carbide, Ni3C)을 포함하는 것으로 판단할 수 있다. 한편, 상기 시편에 대한 XRD 분석 결과에 나타난 니켈(Ni) 피크는, 전술한 분리 과정에서 시편에 내부전극층(121, 122)의 일부가 잔존하는 것으로 판단할 수 있다.
한편, 상기 영역(10)은, 니켈(Ni) 베이스의 주상을 가지는 내부전극층(121, 122), 및 예로서 티탄산바륨(BaTiO3) 베이스의 주상을 가지는 유전체층(110) 각각과 상이한 상태(phase)라는 점에서, 2차상을 의미할 수 있다. 또한, 상기 영역(10)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 단면(cross-section)에서, 길이 방향(X)을 따른 디멘젼(dimension)이 두께 방향(Z)을 따른 디멘젼(dimension)보다 크다는 점에서, 침상 입자를 의미할 수 있다. 또한, 도 3 등에는, 상기 영역(10)이 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 간의 계면에만 존재하는 것을 도시하고 있으나, 이는 예시적인 것에 불과하므로, 본 발명의 범위는 도 3 등에 도시된 것에 제한되지 않는다. 즉, 도 3 등에 도시된 것과 달리, 상기 복수의 영역(10) 중 적어도 하나는, 적어도 일부가 내부전극층(121, 122) 및/또는 유전체층(110) 내에 배치될 수도 있다.
통상적으로, 내부전극층은, 유전체 그린시트에 내부전극층 형성용 도전성 페이스트를 인쇄하고, 상기 그린시트를 복수 적층 및 절단하여 그린칩인 적층체를 제조하고, 적층체를 소결함으로써 형성된다. 일반적으로 내부전극층 형성용 도전성 페이스트 및 유전체 그린시트는, 니켈(Ni) 등의 금속 분말 및 티탄산바륨계 등의 유전체 세라믹 분말 뿐만 아니라, 분산제, 바인더 및 솔벤트 등의 유기 물질을 포함한다. 한편, 소결 공정 등의 열처리 공정에서, 내부전극층 형성용 도전성 페이스트 및 유전체 그린시트에 함유된 분산제, 바인더 및 솔벤트 등의 탄소(C) 성분은, 소결 분위기 등의 산소와 반응하여 이산화탄소 가스를 형성할 수 있다. 이산화탄소 가스는 유전체층 및 내부전극층 간의 경계에 트랩되어 유전체층 및 내부전극층 간의 계면의 균열을 초래하거나, 내부전극층 내부에 공극의 비율을 증가시켜, 나아가 내부전극층에 홀의 비율을 증가시키켜 내부전극층의 연결성을 저하시킬 수 있다.
본 발명에 따른 커패시터 부품(1000)의 경우, 종래의 내부전극층 형성용 도전성 페이스트에, 니켈(Ni)의 제1 분말뿐만 아니라, 니켈카바이드(Ni3C)의 제2 분말을 함께 첨가함으로써, 전술한 문제를 해결하고자 한다. 즉, 내부전극층 형성용 도전성 페이스트에 니켈카바이드(Ni3C)의 제2 분말을 추가함으로써, 소결 공정 등의 열처리 공정에서, 바인더 및 솔벤트 등의 탄소(C) 성분이 이산화탄소의 형태로 내부전극층(121, 122)의 외부로 빠져나가는 것을 감소시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 내부전극층(121, 122)의 연결성을 향상시킬 수 있다. 이로 인해, 본 실시예에 따른 커패시터 부품(1000)의 용량을 향상시킬 수 있다. 또한, 이로 인해, 본 실시예에 따른 커패시터 부품(1000)의 내습 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
니켈카바이드(Ni3C)의 상기 영역(10)의 총 질량은, 내부전극층(121, 122)의 니켈(Ni)의 전체 질량에 대해 0.5 wt% 이상 0.8 wt% 이하일 수 있다. 상기 비율이 0.5 wt% 미만인 경우에는, 전술한 효과가 미미할 수 있다. 상기 비율이 0.8 wt% 초과인 경우에는, 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 사이에 형성된 상기 영역(10)의 비율이 과하게 증가하여 내부전극층(121, 122)과 유전체층(110) 간의 기계적 결합력을 저하시킬 수 있다. 한편, 도전성 페이스트에 함유된 니켈(Ni)의 소결 등의 열처리 공정에서 유전체층(110)으로 확산되는 양이 무시할 만한 수준으로 미미한 경우, 소결 후의 바디(100) 레벨에서의 비율인 상기 비율은, 내부전극층 형성용 도전성 페이스트의 레벨에서도 실질적으로 동일할 수 있다. 즉, 도전성 페이스트에서, 니켈(Ni) 분말 총 질량에 대한 니켈카바이드(Ni3C) 분말 총 질량은, 0.5 wt% 이상 0.8 wt% 이하일 수 있다.
외부전극(210, 220)은 바디(100)에 배치되고 내부전극층(121, 122)과 연결된다. 외부전극(210, 220)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 바디(100)의 제3 및 제4 면(103, 104)에 각각 배치되어 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)과 각각 접속된 제1 및 제2 외부전극(210, 220)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 외부전극(210, 220)은, 바디(100)의 제3 및 제4 면(103, 104)에 각각 배치되어 제1 및 제2 내부전극층(121, 122)과 연결된 제1 및 제2 연결부와, 제1 및 제2 연결부에서 바디(100)의 제1 면(101)으로 연장된 제1 및 제2 연장부를 각각 포함할 수 있다. 제1 및 제2 연장부는 바디(100)의 제1 면(101)에서 서로 이격되게 배치된다. 한편, 제1 및 제2 연장부는, 바디(100)의 제1 면(101)뿐 아니라, 바디(100)의 제2, 제5 및 제6 면(102, 105, 106) 각각으로 연장될 수 있으나, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 외부전극(210, 220) 각각은, 바디(100)의 5개의 면에 형성되는 normal 타입일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 바디(100)의 2개의 면에 형성되는 L 타입, 바디(100)의 3개의 면에 형성되는 C 타입 등일 수 있다.
외부전극(210, 220)은 금속 등과 같이 전기 전도성을 갖는 것이라면 어떠한 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 전기적 특성, 구조적 안정성 등을 고려하여 구체적인 물질이 결정될 수 있으며, 나아가 다층 구조를 가질 수 있다. 예로서, 외부전극(210, 220) 각각은 제1 층 및 제2 층을 포함할 수 있고, 제1 층은, 도전성 금속 및 글라스를 포함하는 소결형 도전성 페이스트를 소결하여 형성되거나, 도전성 금속 및 베이스 수지를 포함하는 경화형 도전성 페이스트를 경화하여 형성되거나, 기상 증착으로 형성될 수 있다. 제2 층은, 도금법으로 제1 층에 순차 형성된 니켈(Ni) 도금층 및 주석(Sn) 도금층일 수 있다.
한편, 본 실시 형태에서는 커패시터 부품(100)이 2개의 외부전극(210, 220)을 갖는 구조를 설명하고 있지만, 외부전극(210, 220)의 개수나 형상 등은 내부전극층(121, 122)의 형태나 기타 다른 목적에 따라 바뀔 수 있을 것이다.
실험예
니켈카바이드(Ni3C) 분말을 함유하지 않는 내부전극층 형성용 도전성 페이스트를 이용해 제작된 미소결의 그린 바디와, 니켈(Ni) 분말 대비 니켈카바이드(Ni3C) 분말을 0.5 wt% 추가한 내부전극층 형성용 도전성 페이스트를 이용해 제작된 미소결의 그린 바디를 제작하고 이를 소결하여 바디를 제조하였다. 전자의 경우를 실험예 1로 하고, 후자의 경우를 실험예 2로 하였다.
실험예 1 및 2는, 전술한 내부전극층 형성용 도전성 페이스트의 니켈카바이드 분말 함유 여부의 조건 만을 달리하고, 나머지 조건, 예로서, i) 유전체 그린시트의 조성, ii) 내부전극층 형성용 도전성 페이스트에 포함된 세라믹 분말의 조성 및 함량, iii) 그린 바디의 size(L*W*T), iv) 승온 조건 및 소결 분위기 등의 소결 조건, v) 유전체층의 총 층수, vi) 내부전극층의 총 층수, vii) 내부전극층의 평균 두께, viii) 유전체층의 평균 두께, ix) 외부전극 조성 및 형성 조건 등을 동일하게 하였다. 예로서, 실험예 1 및 2 모두, 각 내부전극층의 평균 두께는 480 ㎚, 각 유전체층의 평균 두께는 550 ㎚, 내부전극층의 총 수는 287, 그린 바디의 size는 L=785 ㎛, W=440 ㎛, T=430 ㎛ 로서 서로 동일하다.
도 9A는 실험예 1의 바디의 폭 방향(Y) 중앙부에서 취한 길이 방향-두께 방향을 따른 실험예 1의 단면(XZ 단면)의 일부에 대한 SEM 이미지이고, 도 9B는 실험예 2의 바디의 폭 방향(Y) 중앙부에서 취한 길이 방향-두께 방향을 따른 실험예 2의 단면(XZ 단면)의 일부에 대한 SEM 이미지이다. 상기 SEM 이미지들을 이용해 실험예 1 및 2에서 내부전극층의 연결성을 계산하여, 실험예 1은 내부전극층의 연결성이 76.2%이며, 실험예 2의 경우 내부전극층의 연결성이 85.3%이다. 결과, 니켈카바이드(Ni3C)를 함유하는 내부전극층 형성용 도전성 페이스트를 이용한 실험예 2의 내부전극층의 연결성은 실험예 1 대비 12% 가량 향상됨을 알 수 있다((85.3-86.2)/76.2*100=11.9%). 이는 니켈카바이드(Ni3C)가 소결 과정에서 탄소(C)를 흡수함에 따라 탄소 방출량이 감소되고, 이에 따라 내부전극층의 균열 및 손상을 줄이기 때문인 것으로 판단된다.
표 1은, 실험예 1 및 2의 바디를 소결 형성함에 있어 소결 온도(T)를 변화시키면서 형성하고, 이에 따른 실험예 1 및 2의 정전 용량(단위 nF)을 나타낸 것이다. 한편, 표 1의 소결 온도(T)는 소결 공정에서의 최고 온도를 의미할 수 있다.
표 1에서와 같이, 니켈카바이드(Ni3C)를 추가로 함유하는 도전성 페이스트를 이용해 형성된 실험예 2의 경우, 동일 소결 온도로 소결 형성된 실험예 1 보다 정전 용량이 향상됨을 알 수 있다. 이는 도 9A 및 도 9B에서 도시된 바와 같이, 실험예 1 에 비해 실험예 2가 내부전극층의 연결성이 향상되었기 때문이다.
| T | #1 | #2 |
| 1130℃ | 3.81 | 3.98 |
| 1135℃ | 3.94 | 4.12 |
| 1140℃ | 3.89 | 4.03 |
도 10A 및 도 10B는, 실험예 1 및 실험예 2 각각에 대한 내습 신뢰성 평가 결과를 나타낸 것이다. 내습 신뢰성 평가는, 각 실험예 당 20개의 샘플에 대하여, 온도 85℃, 상대 습도 85%, 및 인가 전압 8V 를 실험 조건으로, 시간(t)에 따른 절연 저항(IR)의 변화를 측정하여 수행되었다. 도 10A에 도시된 실험예 1의 경우 1시간 30분 경과 후 총 5개의 샘플의 절연 저항이 급격히 저하되나, 도 10B에 도시된 실험예 2의 경우 동일한 시간 동안 모든 샘플의 절연 저항의 급격한 변화는 관찰되지 않았다. 이는 도 9A 및 도 9B에서 도시된 바와 같이, 실험예 1 에 비해 실험예 2가 내부전극층의 연결성이 향상되었기 때문으로 판단된다. 한편, 샘플의 절연 저항의 급격한 변화란, 초기의 절연 저항 대비 2% 이상의 절연 저항 감소가 나타나는 것을 의미할 수 있다. 참고로, 양산 공정에서는, 절연 저항이 초기의 절연 저항 대비 2 order 이상(102 이상) 하락하는 칩이 1/10 이상 있을 경우, Fail이라고 판정할 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경 또는 삭제 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100: 바디
110: 유전체층
121, 122: 내부전극층
130: 커버층
210, 220: 외부전극
H: 홀
1000: 커패시터 부품
110: 유전체층
121, 122: 내부전극층
130: 커버층
210, 220: 외부전극
H: 홀
1000: 커패시터 부품
Claims (11)
- 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디; 및
상기 바디에 배치되며, 상기 내부전극층과 연결되는 외부전극; 을 포함하고,
상기 내부전극층과 상기 유전체층 사이에는 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 함유한 영역이 있는,
커패시터 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 영역은 니켈(Ni)과 탄소(C)의 화합물을 함유한, 커패시터 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 영역의 상기 화합물은 니켈(Ni) 및 탄소(C)의 몰 비가 3:1인, 커패시터 부품.
- 제2항에 있어서,
상기 내부전극층과 상기 유전체층 사이에서, 상기 영역은 서로 이격된 복수로 배치된,
커패시터 부품.
- 제4항에 있어서,
상기 내부전극층은 니켈(Ni)을 포함하고,
상기 복수의 영역은, 상기 내부전극층의 니켈(Ni)의 전체 질량에 대해 0.5 wt% 이상 0.8 wt% 이하인,
커패시터 부품.
- 제1항에 있어서,
상기 내부전극층에는 상기 내부전극층을 관통하는 비도전성부가 형성되고,
제1 방향을 따른 상기 바디의 단면(cross-section)에서,
상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향을 따른 상기 내부전극층의 총 길이에 대하여, 상기 비도전성부를 제외한 상기 제2 방향을 따른 상기 내부전극층의 길이의 비는, 0.8 이상인,
커패시터 부품.
- 유전체 그린시트를 형성하는 단계; 및
니켈(Ni)의 제1 분말과, 니켈(Ni) 및 탄소(C)를 포함하는 제2 분말을 포함하는 도전성 페이스트를 상기 유전체 그린시트에 도포하는 단계; 를 포함하고,
상기 도전성 페이스트에서, 상기 제2 분말은 상기 제1 분말의 전체 질량에 대하여 0.5 wt% 이상 0.8 wt% 이하로 함유된,
커패시터 부품의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,
상기 제2 분말은 니켈(Ni)과 탄소(C)의 화합물인,
커패시터 부품의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,
상기 제2 분말의 상기 화합물은, 니켈(Ni) 및 탄소(C)의 몰 비가 3:1인,
커패시터 부품의 제조 방법.
- 제8항에 있어서,
상기 도전성 페이스트가 도포된 상기 유전체 그린시트를 복수 적층해 적층체를 형성하는 단계; 및
상기 적층체를 소결해 유전체층 및 내부전극층을 포함하는 바디를 형성하는 단계; 를 더 포함하는,
커패시터 부품의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,
상기 내부전극층과 상기 유전체층 사이에는 상기 제2 분말의 상기 화합물을 함유한 영역이 있는,
커패시터 부품의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210089011A KR20230008405A (ko) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 |
| JP2021169859A JP2023010508A (ja) | 2021-07-07 | 2021-10-15 | キャパシタ部品及びキャパシタ部品の製造方法 |
| US17/506,047 US11990280B2 (en) | 2021-07-07 | 2021-10-20 | Capacitor component having nickel and carbon between internal electrode and dielectric layers |
| CN202111560545.4A CN115602444A (zh) | 2021-07-07 | 2021-12-20 | 电容器组件及制造电容器组件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210089011A KR20230008405A (ko) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230008405A true KR20230008405A (ko) | 2023-01-16 |
Family
ID=84841766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210089011A KR20230008405A (ko) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11990280B2 (ko) |
| JP (1) | JP2023010508A (ko) |
| KR (1) | KR20230008405A (ko) |
| CN (1) | CN115602444A (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014145117A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | ニッケル微粒子含有組成物及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11214242A (ja) | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびそれを用いた積層セラミック電子部品 |
| CN1251259C (zh) * | 1999-11-02 | 2006-04-12 | Tdk株式会社 | 叠层电容器 |
| JP4552260B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2010-09-29 | Ｔｄｋ株式会社 | ニッケル粉末、電極用ペーストおよび電子部品の製造方法 |
| JP4048887B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2008-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| CN1621182A (zh) * | 2003-11-25 | 2005-06-01 | 三星电子株式会社 | 含碳的镍粒子粉末及其制造方法 |
| JP4697539B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-06-08 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末、導体ペーストおよびそれを用いた積層電子部品 |
| JP2010021524A (ja) * | 2008-06-11 | 2010-01-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2010043345A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ニッケル粉末またはニッケルを主成分とする合金粉末およびその製造方法、導電性ペースト、並びに積層セラミックコンデンサ |
| JP5124691B1 (ja) * | 2012-03-21 | 2013-01-23 | 有限会社 ナプラ | 導電性微粉末、導電性ペースト及び電子部品 |
| CN107745120B (zh) * | 2014-06-20 | 2019-08-20 | 昭荣化学工业株式会社 | 碳被覆金属粉末、导电性糊剂及层叠电子部件、以及碳被覆金属粉末的制造方法 |
| JP2022018664A (ja) * | 2020-07-16 | 2022-01-27 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
-
2021
- 2021-07-07 KR KR1020210089011A patent/KR20230008405A/ko unknown
- 2021-10-15 JP JP2021169859A patent/JP2023010508A/ja active Pending
- 2021-10-20 US US17/506,047 patent/US11990280B2/en active Active
- 2021-12-20 CN CN202111560545.4A patent/CN115602444A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014145117A (ja) | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | ニッケル微粒子含有組成物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023010508A (ja) | 2023-01-20 |
| US20230016258A1 (en) | 2023-01-19 |
| US11990280B2 (en) | 2024-05-21 |
| CN115602444A (zh) | 2023-01-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102101932B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| KR101983129B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
| KR102070235B1 (ko) | 커패시터 부품 | |
| KR102061507B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 실장 기판 | |
| KR102568254B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| KR20130120814A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
| KR102076152B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판 | |
| KR102166129B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR20220101911A (ko) | 적층형 전자 부품 | |
| US11955282B2 (en) | Capacitor component | |
| US11664164B2 (en) | Multilayer electronic component | |
| KR20170088794A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
| KR102099775B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| US12033800B2 (en) | Capacitor component and method for manufacturing same | |
| KR101496816B1 (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판 | |
| KR20230100293A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR20230003865A (ko) | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 | |
| KR102538893B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR20230008405A (ko) | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 | |
| KR101489816B1 (ko) | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 | |
| KR20230031623A (ko) | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 | |
| US20240274361A1 (en) | Multilayer electronic component | |
| KR20230102659A (ko) | 적층형 전자 부품 | |
| KR20230031615A (ko) | 커패시터 부품 및 커패시터 부품의 제조 방법 | |
| CN116246885A (zh) | 多层电子组件 |