KR20100031843A - 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 - Google Patents
전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100031843A KR20100031843A KR1020080090667A KR20080090667A KR20100031843A KR 20100031843 A KR20100031843 A KR 20100031843A KR 1020080090667 A KR1020080090667 A KR 1020080090667A KR 20080090667 A KR20080090667 A KR 20080090667A KR 20100031843 A KR20100031843 A KR 20100031843A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- copper
- neodecanoate
- ink composition
- forming
- powder
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- CLUOTFHJTGLPSG-UHFFFAOYSA-L copper;7,7-dimethyloctanoate Chemical compound [Cu+2].CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O.CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O CLUOTFHJTGLPSG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 44
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L Copper hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Cu+2] JJLJMEJHUUYSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 25
- 239000005750 Copper hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910001956 copper hydroxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 22
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims abstract description 12
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 54
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L copper;diformate Chemical compound [Cu+2].[O-]C=O.[O-]C=O HFDWIMBEIXDNQS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 239000008213 purified water Substances 0.000 claims description 11
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethyloctanoic acid Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC(O)=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical group CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-M 7,7-dimethyloctanoate Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 2
- 241000784732 Lycaena phlaeas Species 0.000 claims 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 54
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 39
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- CASCCINXYVTVRI-UHFFFAOYSA-M sodium;7,7-dimethyloctanoate Chemical compound [Na+].CC(C)(C)CCCCCC([O-])=O CASCCINXYVTVRI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- -1 copper compound copper neodecanoate Chemical class 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- OBITVTZBIATBCL-UHFFFAOYSA-L copper;decanoate Chemical compound [Cu+2].CCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCC([O-])=O OBITVTZBIATBCL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012736 patent blue V Nutrition 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 238000007039 two-step reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/52—Electrically conductive inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 낮은 온도에서의 열처리에 의해 유기성분이 분해되어 금속구리로 분해됨으로써 전도성 금속 전극을 형성할 수 있는 구리네오데카노에이트를 포함하는 전도성 잉크 조성물 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 높은 신뢰성과 전도성의 구현이 가능하여 값비싼 은 페이스트를 가격이 저렴한 구리 페이스트로 대체할 수 있을 뿐 아니라 프린팅 공정에 적용이 가능하므로 대량 생산이 용이하다.
구리네오데카노에이트, 구리하이드록사이드, 구리 분말, 구리 잉크, 저온소성, 스크린 프린팅
Description
본 발명은 전도성 구리 잉크 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저온에서 분해가 가능한 유기구리 화합물과 소결조직의 치밀성을 위한 구리 전구체를 포함하는 구리 잉크 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이, FPCB, RFID의 전극이나 회로를 구성하는 데 있어서 고신뢰성과 고전도성에 대한 요구가 증대되고 있다. 디스플레이의 대화면화와 고효율, 고해상도에 대한 요구가 늘어남과 동시에 플렉서블한 기판을 사용하고자 하는 요구가 증대되고 있다. 또한, PDP, LCD 등 다양한 평판 디스플레이 시장에서 서로의 시장을 넓히기 위한 치열한 경쟁이 가속화됨에 따라 전극 소재를 비롯한 소재의 원가절감과 공정비용을 줄이기 위한 노력이 가속화되고 있다. 이에 따라 저온에서 소결이 가능한 전극소재에 대한 요구가 더불어 늘어나고 있다.
폴리이미드(Poly Imide) 필름 등 플렉서블한 플라스틱 기판을 이용하여 전극을 형성하기 위해서는 플라스틱 기판의 열적 안정성을 고려하여 350℃ 이하의 온도에서 소성이 가능하여 전극을 형성할 수 있어야 하며, 상기와 같이 고효율과 고해 상도를 위해서는 고전도성 및 신뢰성이 요구된다. RFID 안테나 전극의 경우도 이와 비슷하게 기존의 구리 에칭을 이용한 안테나를 전도성 잉크를 이용하여 젯팅 또는 프린팅 공정을 이용한 필름 안테나로 대체하고자 하는 많은 연구가 진행되고 있다. 이를 위한 해결방안으로 은 나노입자를 이용한 나노잉크 및 나노페이스트를 들 수 있다.
일반적으로 나노미터 크기의 입자는 물질 자체의 결정구조 및 전자구조의 변화 혹은 단위 질량당 표면적이 증가로 인한 표면물성의 급격한 증가로 인해 녹는점, 소결성 등 벌크 입자와는 다른 물리·화학적 특징을 나타내며, 입자의 크기가 나노화됨에 따라 이러한 성능이 더욱 향상된다.
이러한 나노 입자의 물리적, 전자기적 특성을 이용하여 잉크 혹은 페이스트를 제조한다면 저온에서 사용 가능한 전도성 페이스트 및 잉크를 만들 수 있을 것으로 기대할 수 있다.
그러나 고체상의 은 나노입자를 이용하여 제조된 은 나노잉크의 경우 은 나노입자가 적당한 휘발성과 기판과의 접촉각, 젖음성을 고려한 용매에 분산되어 있는 형태의 잉크로서 분산성 확보와 저장 안정성 확보가 매우 중요한 요소가 된다. 분산성이 확보되지 않은 잉크의 경우 노즐 막힘 현상, 패터닝된 전극의 단락이나 라인의 세밀함에 문제가 야기되어 전극 품질에 문제가 야기되므로 분산 안정성 등 신뢰성 확보가 우선되어야 한다.
분산 안정성 등 신뢰성 확보를 위해 잉크 조성물 내에서의 나노 입자의 함량을 고농도로 할 수 없기 때문에 낮은 점도의 잉크를 제조할 수밖에 없고 이로 인해 나노 잉크는 젯팅 공정에 응용될 수밖에 없는 한계도 있다.
이로 인해 기존 잉크젯 프린팅 방법에서는 염료 타입의 액체 잉크가 이상적인 대안이 될 것으로 알려져 있다(한국공개특허공보 10-2006-0090023). 은 잉크의 경우 액체상의 잉크를 인쇄한 후 저온에서의 열처리를 통해 금속으로 분해시켜 전극을 형성하는 경우 노즐막힘, 저장 안정성 등의 문제가 발생하지 않을 뿐 더러 유기물 바인더를 통해 점도를 조절하고 표면장력을 조절하여 기판과의 젖음성을 해결하는 연구가 진행되었다.
그러나 상기의 경우 적용되는 잉크가 은 잉크에 한정되어 있을 뿐 아니라 바인더를 사용하여 점도를 높여 젯팅에 적용하였으나 은 필러의 함량이 낮아 도막의 두께가 낮아 충분한 전도성을 확보하기 어렵다는 문제가 있으며 액체상으로만 이루어진 잉크의 경우 바인더를 사용하여 기판과의 부착력과 젖음성 해결하였으나 열처리 시 온도 상승에 따른 유기 고분자의 전단력과 점도의 변화 등을 충분히 고려하지 않아 소결 온도에 따른 문제점을 해결하기 어렵다.
또한, 은 잉크의 경우 저온에서 분해가 가능한 MOD (Metallo-Organic Decompostion) 화합물을 자일렌(xylene) 등의 용매에 녹여 액상의 잉크를 제조하고 여기에 나노 분말이나 카보네이트(carbonate), 옥살레이트(oxalate), 카복실레이트(carboxylate) 등의 염 전구체를 혼합하여 잉크를 제조하는 연구가 진행되었다 (US 6,951,666B2).
그러나 상기와 같이 고체상의 나노입자를 이용하는 나노잉크의 경우와 저온 분해가 가능한 유기 금속을 이용하는 액체상의 잉크 혹은 고체상과 액체상의 하이 브리드 타입의 잉크 모두 가격이 비싼 은 잉크에 대한 연구로 한정되어 있고, 구리 잉크의 경우 소결 후 전도성이 낮아 전극 재료로의 적용이 쉽지 않으며 점도의 조절이 용이하지 않아 잉크젯 프린팅 이외의 공정에는 적용이 어려운 실정이었다.
따라서 저온에서 소결이 가능하여 플렉서블한 기판에 적용이 가능하고 액체상과 고체상의 하이브리드 타입의 잉크로서 점도 및 기판과의 젖음성 등 레올로지 조절이 용이한 구리 잉크 및 페이스트가 더욱 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 저온에서 소결이 가능하고, 액체상과 고체상의 하이브리드 타입의 잉크로서 점도 및 기판과의 젖음성 등 레올로지 조절이 용이한 구리 잉크 조성물 및 그 구리 잉크 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여 구리네오데카노에이트와; 벤젠, 톨루엔, 자일렌 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 구리네오데카노에이트와; 구리하이드록사이드 분말과; 알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 구리네오데카노에이트와; 구리 금속분말과; 알코올류, 아민 류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 구리네오데카노에이트와; 구리하이드록사이드 분말과; 구리금속분말과; 알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 조성물에 바인더를 더 포함하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 정제수에 소듐하이드록사이드를 용해하는 단계; 네오데카노익산을 메탄올에 용해하는 단계; 상기 네오데카노익산 용액을 상기 소듐하이드록사이드 용액에 첨가하여 반응용액을 제조하는 단계; 상기 반응용액에 질산구리를 첨가하여 구리네오데카노에이트를 합성하는 단계; 자일렌, 벤젠, 톨루엔의 용매를 첨가하여 상기 구리네오데카노에이트를 추출하는 단계; 상기 구리네오데카노에이트를 세척하는 단계; 로 이루어지는 구리네오데카노에이트의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 정제수에 질산구리를 용해하는 단계; 별도로 정제수에 소듐하이드록사이드를 용해하는 단계; 상기 소듐하이드록사이드 용액을 상기 질산구리 용액에 첨가하는 단계; 상온에서 상기 용액들을 교반하며 혼합하는 단계; 합성된 구리하이드록사이드 분말을 세척하는 단계;로 이루어지는 구리하이드록사이드 분말의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 소듐하이드록사이드 용액을 상기 질산구리 용액에 첨가하는 단계는 네오데카노에이트산을 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 구리하이드록사이드 분말 의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 전도성 금속 전극형성용 잉크 조성물은 기존의 공정에서 부가적인 추가 공정 없이 고신뢰성 소자를 제작할 수 있어 공정비용 및 시간을 단축할 수 있다.
본 발명의 잉크 조성물은 저온에서 분해가 가능하고, 열처리후의 소결조직이 매우 치밀하다.
또한, 본 발명의 잉크 조성물은 잉크젯용뿐만 아니라 점도를 가하여 프린팅용으로도 겸용 가능하다.
스크린 프린팅 방식으로 인쇄하기에 적합하며, 열처리 또는 광의 조사에 의해 유기성분이 제거되고 이에 의해 구리 전극이 형성된다.
구리네오데카노에이트를 다른 분말과 혼합하지 않고 유기용매인 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등에 용해시켜 제조된 잉크의 경우 균일한 용액 내에 침전물이 없기 때문에 분산성의 문제로 야기되는 노즐의 막힘 현상 등이 우려되지 않는 장점이 있다.
본 발명에 따른 잉크조성물은 유기구리 화합물인 구리네오데카노에이트 및 벤젠, 톨루엔, 자일렌 같은 유기 용매를 함유하며, 구리네오데카노에이트는 유기용매인 벤젠, 톨루엔, 자일렌 중 1종 또는 2종 이상의 용매에 용해되어 액체상을 형성한다.
구리네오데카노에이트는 40∼90중량％, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 중 1종 또는 2종 이상의 용매는 10∼60중량％가 바람직하다.
구리네오데카노에이트는 40중량％ 미만에서는 메탈함량이 낮아 전극 형성 시 낮은 금속 함량에 의한 전도도 저하의 문제가 발생하고, 90중량％ 초과 시에는 점도가 상승하여 잉크젯 젯팅 공정에는 적용이 어렵게 된다.
본 발명에 따른 잉크조성물은 구리네오데카노에이트와 구리하이드록사이드 분말 및/또는 구리 금속분말과 알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 유기 용매의 조성물이다.
이 때, 구리네오데카노에이트는 20∼60중량％, 구리하이드록사이드 및/또는 구리 금속분말 및/또는 구리포메이트(II) 25∼50중량％, 유기 용매 10∼30 중량％이다.
구리네오데카노에이트는 20중량％ 미만에서는 낮은 금속 함량에 의한 전도도 저하문제가 발생하고, 60중량％ 초과하면 점도가 낮아져 프린팅 공정에 적용하기에는 인쇄성이 불량하게 되고, 구리하이드록사이드 및/또는 구리 금속분말 및/또는 구리포메이트(II)는 25중량％ 미만이면 잉크의 점도가 낮아 인쇄성에 문제가 있고, 50 중량％ 초과하면 점도가 지나치게 높아져 프린팅 공정 적용에 어려움이 있고 소결 후 소결조직에 기공이 많이 발생하여 전도성이 낮아지게 된다.
이 때, 구리 금속분말은 구리플레이크, 100nm구리분말, 구형 구리분말 중 1종 또는 2종 이상의 분말이다.
상기 알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상 의 유기 용매는 구리네오데카노에이트를 용해하지는 않지만 전도성 확보를 위해 첨가해야 하는 성분으로서 용매의 역할도 한다.
본 발명에서는 상기 유기용매는 테르피네올이 더욱 바람직하다.
상기 조성물에 부착력의 향상을 위하여 에틸셀룰로오스 수지와 같은 바인더를 첨가할 수 있다.
바인더는 구리잉크 전체 중량의 1～5％가 첨가된다.
바인더가 5％를 초과하면 전체 전도도에 악영향을 주고, 1％ 미만이면 부착력이 부족하다.
구리 잉크조성물의 제조방법
상기 잉크조성물은 다음과 같이 제조한다.
우선, 액상 구리 네오데카노에이트의 구리 잉크 조성물은 구리네오데카노에이트를 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등 유기용매에 용해하여 제조한다.
또한, 액상 구리네오데카노에이트와 구리하이드록사이드 분말 및 구리 금속분말의 구리 잉크 조성물은 다음과 같은 방법으로 제조한다.
구리네오데카노에이트를 구리하이드록사이드 및/또는 구리 금속분말과 알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 유기 용매를 혼합한 후 밀링하여 구리 잉크 조성물을 제조한다.
상기 밀링시에 셀룰로오스나 아크릴계 수지를 첨가하여 부착력을 증대할 수 있다.
본 발명에 사용되는 구리네오데카노에이트와 구리하이드록사이드는 다음의 제조방법에 의하여 제조할 수 있다.
구리네오데카노에이트 합성방법
본 발명의 구리네오데카노에이트는 2단계 반응에 의해 합성될 수 있다.
우선, 네오데카노익산(Neodecanoic acid, C 9 H 19 COOH)을 소듐네오데카노에이트(Sodium neodecanoate, C 9 H 19 COONa)로 전환하고, 형성된 소듐네오데카노에이트를 구리네오데카노에이트(Copper neodecanoate, C 9 H 19 COOCu)로 전환함으로써 합성할 수 있다.
단계 Ⅰ. C 9 H 19 COOH + NaOH → C 9 H 19 COONa + H 2 O
단계 Ⅱ. C 9 H 19 COONa + Cu(NO 3 ) 2 → C 9 H 19 COOCu + Na(NO 3 ) 2
도 1에는 구리네오데카노에이트의 제조공정도를 나타낸다.
소듐하이드록사이드(Sodium hydroxide, NaOH)를 정제수에 용해한 용액에 네오데카노익산을 메탄올에 용해한 용액을 첨가한 후 반응하게 하여 중간체인 소듐네오데카노에이트를 합성한다.
이 때 반응온도는 30 ∼ 70℃, 반응 시간은 30분 ∼ 2시간이며, 가장 적절한 조건은 50℃에서 1시간 동안 반응하는 것이다.
반응온도가 30℃ 미만에서는 반응이 일어나지 않고, 70℃를 초과하면 높은 온도로 인한 용매의 휘발이 문제가 되어 바람직하지 못하고, 시간은 30분 미만이면 반응이 일어나지 않고, 2시간을 초과하면 용매인 메탄올이 휘발하여 바람직하지 못 하다.
그 후, 구리 전구체로 사용된 질산구리(copper nitrate, Cu(NO 3 ) 2 )를 정제수에 용해한 후, 위에서 합성한 소듐네오데카노에이트에 혼합한 후 반응하게 하여 구리네오데카노에이트를 합성 한다.
이 때, 반응온도는 40 ∼ 60℃, 반응시간은 30분 ∼ 90분이며, 가장 적절한 조건은 50℃에서 60분 동안 반응하는 것이다.
반응온도가 40℃ 미만이면 최종적인 수율이 저하되는 문제가 발생하고, 60℃를 초과하면 산화구리로의 반응이 진행되어 부반응물이 생성되는 문제가 발생하여 바람직하지 못하고, 시간은 30분 미만이면 미반응 문제가 발생하고, 90분을 초과하면 산화구리로의 반응이 진행되는 등의 문제가 발생하여 바람직하지 못하다.
용매는 반응이 끝난 슬러리 형태의 구리네오테카노에이트에서 1차적으로 물을 제거한 후 아세톤으로 구리네오테카노에이트를 용해한 후 필터링을 하여 불순물을 제거한 후, 진공증류 과정으로 아세톤을 휘발시킨 후, 여기에 자일렌, 벤젠, 톨루엔과 같은 용매를 넣어 구리네오테카노에이트를 다시 녹여 추출한다.
여기에 물을 첨가하여 구리네오테카노에이트에 첨가되어 있는 Na 이온을 물로 이동시켜 Na 이온을 제거한다.
분별 깔대기를 이용하여 물층과 용매층을 층 분리한다. 이때에 물 층에 Na 이온이 포함되어 있다. 용매층만 회수하고, 회수한 물 층에 다시 용매를 첨가하여 물속에 함유되어 용매에 녹아 있는 구리네오데카노에이트를 다시 첨가한 용매층으 로 이동시켜 분별깔대기에서 층 분리 과정을 반복한다.
이 과정을 수회 반복하여 구리네오테카노에이트에 들어있는 Na 이온을 물을 이용하여 완전히 제거한 후 용매에 녹아 있는 구리네오테카노에이트를 진공증류를 통해 용매를 휘발시킨 후 최종 제품인 구리네오테카노에이트를 회수한다.
구리 하이드록사이드 분말의 합성방법
도 2에서와 같이, 정제수에 질산구리를 용해하고, 별도로 정제수에 소듐하이드록사이드를 용해해 놓는다. 소듐하이드록사이드 용액을 질산구리 용액에 첨가한다. 상온에서 상기 용액을 교반하며 혼합하면 스카이블루의 구리하이드록사이드 분말이 합성된다. 상기 분말을 순수로 세척한 후 건조하면 미크론 사이즈의 구리하이드록사이드 분말이 얻어진다.
도 3에서와 같이, 도 2의 공정에서 네오데카노에이트산을 질산구리 용액에 첨가하면 검은 진녹색의 구리하이드록사이드 분말이 얻어지고 이 분말을 정제수로 세척하고 건조하면 나노 사이즈의 구리하이드록사이드의 분말이 얻어진다.
디스플레이전극을 형성하는 방법
상기 잉크조성물을 이용하여 디스플레이 전극을 형성하는 방법으로는 소정의 기판 상에 스크린 프린팅하는 방법, 또는 롤투롤(roll to roll) 방법 등을 통해 패턴을 형성하는 방법을 들 수 있으나, 이에 한정되지는 아니한다. 열처리를 하는 경우는 실온 상태에서 전면 인쇄를 완료한 후에 저온에서 사전 건조를 한 후에 고온에서 열처리함으로써 전도성 금속 전극을 형성한다.
이하, 본 발명의 내용을 실시예를 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
발명예 1
소듐하이드록사이드 46.4g을 증류수 1ℓ에 용해한 후, 95％의 순수한 네오데카노익산 200g을 메탄올 1ℓ에 용해한 후 소듐하이드록사이드 용액에 첨가하고 50℃에서 1시간 반응시켜 소듐네오데카노에이트를 생성한다.
이 후 질산구리 70g을 증류수 1ℓ에 용해한 후 반응 중간체인 소듐네오데카노에이트(네오데카노익산/소듐하이드록사이드 혼합 용액)에 첨가한 후 반응 온도를 50℃로 유지하면서 1시간 반응하여 구리네오데카노에이트를 생성한다.
반응이 끝난 구리네오데카노에이트는 물과 아세톤으로 세척하여 회수한다.
이렇게 합성한 구리네오데카노에이트는 진녹색의 슬러리 형태이며, 도 4에서 나타나듯이 열분석결과 10％ 유기용매를 제외한 구리네오데카노에이트 의 금속 함량은 15.7％ 이었으며 200℃ 부근에서 열분해가 시작되어 220℃ 부근에서 1차 열분해를 시작하고, 이후 250℃에서 2차 열분해되는 경향을 보였다.
구리네오데카노에이트 1.0g과 벤젠 0.3g을 혼합하여 전도성 잉크를 제조하였다.
제조된 전도성 잉크를 3％ 수소 분위기, 320℃에서 20분간 소결하여 구리피막을 형성하였고, 이 구리피막의 체적저항은 4～5 μΩ·cm 이었다.
발명예 2 ∼ 6
구리네오데카노에이트 1.0g에 구리하이드록사이드 분말 0.4∼0.6g과 테르피 네올 0.2∼0.4g을 투입하여 혼합한 후 삼롤밀(three roll mill)(INOUE S-43/411, Japan)을 이용하여 5회 밀링하여 구리 잉크를 제조하였다.
이 구리 잉크 조성물은 소결조건을 달리하여 소결하였다. 모두 구리피막이 형성되었음을 확인하였다.
또한, 체적저항이 4∼11μΩ·cm로서 매우 우수하였다.
구리 하이드록사이드와 테르피네올을 사용하여 점도가 상승하면서도 체적저항이 매우 우수한 구리피막이 형성되어 프린팅에도 사용이 가능하다.
[표1] 발명예 2∼6
발명예 7 ∼ 9
표 2에는 구리네오데카노에이트와 구리하이드록사이드와 테르피네올의 구리조성물에 바인더인 에틸셀룰로오스수지를 조성물 전체 중량에 대하여 1, 3, 5중량％ 첨가하여 체적저항을 측정하였다. 바인더가 첨가되더라도 체적저항이 크게 상승하지 않는다. 이 때 소결조건은 3％ 수소 분위기중 320℃에서 20분간 유지하는 것 이다.
[표 2] 발명예 7∼9
발명예 10 ∼ 발명예 19
발명예로서 구리플레이크, 100nm 구리 등 구리분말과 구리포메이트(II)를 첨가하였다.
구리네오데카노에이트 1.0g에 구리분말 0.1∼1.0g과 테르피네올 0.2∼0.3g을 투입하여 혼합한 후 삼롤밀(three roll mill)(INOUE S-43/411, Japan)을 이용하여 5회 밀링하여 구리 잉크를 제조하였다.
구리플레이크는 (주)창성 제조의 FCU30A의 3μm급 분말이며, 100nm 구리는 (주)창성 제조의 HCU-100S 제품이다.
이 구리 잉크 조성물은 3％ 수소 분위기, 320℃, 20분의 소결조건에서 소결하였다. 모두 구리피막이 형성되었음을 확인하였다.
또한, 체적저항이 39∼86μΩ·cm로서 대체적으로 양호하였다.
구리네오데카노에이트와 함께 구리 분말 또는 구리포메이트(II)와 테르피네 올을 사용하여 점도가 상승하면서도 체적저항이 매우 우수한 구리피막이 형성되어 프린팅에도 사용이 가능하다,
[표 3] 발명예 10∼19
도 1은 본 발명의 구리네오데카노에이트 화합물의 제조 공정도.
도 2는 본 발명의 미크론 사이즈 구리하이드록사이드의 제조 공정도이다.
도 3은 본 발명의 나노 사이즈 구리하이드록사이드의 제조 공정도이다.
도 4는 구리 네오데카노에이트와 10％의 유기용매를 포함하는 잉크의 열분석 결과이다.
Claims (9)
- 구리네오데카노에이트와;벤젠, 톨루엔, 자일렌 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물.
- 구리네오데카노에이트와;구리하이드록사이드 분말과;알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물.
- 구리네오데카노에이트와;구리 금속분말 또는 구리포메이트(II)와;알코올류, 아민류, 아미드류, 케톤류, 에테르류 중 1종 또는 2종 이상의 용매;를 함유하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물.
- 제 2 항에 있어서,구리 금속분말 또는 구리포메이트(II)를 더 함유하는 전도성 금속 전극 형성 용 잉크조성물.
- 제 2 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,상기 용매는 테르피네올인 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물.
- 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서,에틸셀룰로오스 수지를 더 포함하는 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물.
- 정제수에 소듐하이드록사이드를 용해하는 단계;네오데카노익산을 메탄올에 용해하는 단계;상기 네오데카노익산 용액을 상기 소듐하이드록사이드 용액에 첨가하여 반응용액을 제조하는 단계;상기 반응용액에 질산구리를 첨가하여 구리네오데카노에이트를 합성하는 단계;자일렌, 벤젠, 톨루엔의 용매를 첨가하여 상기 구리네오데카노에이트를 추출하는 단계;상기 구리네오데카노에이트를 세척하는 단계;로 이루어지는 구리네오데카노에이트의 제조방법.
- 정제수에 질산구리를 용해하는 단계;별도로 정제수에 소듐하이드록사이드를 용해하는 단계;상기 소듐하이드록사이드 용액을 상기 질산구리 용액에 첨가하는 단계;상온에서 상기 용액들을 교반하며 혼합하는 단계;합성된 구리하이드록사이드 분말을 세척하는 단계;로 이루어지는 구리하이드록사이드 분말의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 소듐하이드록사이드 용액을 상기 질산구리 용액에 첨가하는 단계는 네오데카노에이트산을 첨가하는 단계를 더욱 포함하는 구리하이드록사이드 분말의 제조방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080090667A KR20100031843A (ko) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 |
| PCT/KR2009/005203 WO2010032937A2 (ko) | 2008-09-16 | 2009-09-14 | 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080090667A KR20100031843A (ko) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100031843A true KR20100031843A (ko) | 2010-03-25 |
Family
ID=42039988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080090667A KR20100031843A (ko) | 2008-09-16 | 2008-09-16 | 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20100031843A (ko) |
| WO (1) | WO2010032937A2 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015178696A1 (ko) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 전도성 조성물 |
| US10883011B2 (en) | 2014-06-19 | 2021-01-05 | Groupe Graham International Inc. | Molecular inks |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201920515A (zh) | 2017-08-01 | 2019-06-01 | 加拿大國家研究委員會 | 銅墨水 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5371258A (en) * | 1991-12-31 | 1994-12-06 | Phillips Petroleum Company | Methods of preparing cuprous and cupric carboxylates |
| US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
| JP4697539B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-06-08 | 昭栄化学工業株式会社 | ニッケル粉末、導体ペーストおよびそれを用いた積層電子部品 |
| US20070193026A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Chun Christine Dong | Electron attachment assisted formation of electrical conductors |
-
2008
- 2008-09-16 KR KR1020080090667A patent/KR20100031843A/ko not_active Application Discontinuation
-
2009
- 2009-09-14 WO PCT/KR2009/005203 patent/WO2010032937A2/ko active Application Filing
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015178696A1 (ko) * | 2014-05-22 | 2015-11-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 전도성 조성물 |
| CN106463201A (zh) * | 2014-05-22 | 2017-02-22 | 株式会社东进世美肯 | 导电性组合物 |
| US10113079B2 (en) | 2014-05-22 | 2018-10-30 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Conductive composition |
| TWI675078B (zh) * | 2014-05-22 | 2019-10-21 | 南韓商東進世美肯有限公司 | 導電性組成物 |
| US10883011B2 (en) | 2014-06-19 | 2021-01-05 | Groupe Graham International Inc. | Molecular inks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010032937A3 (ko) | 2010-06-24 |
| WO2010032937A2 (ko) | 2010-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lee et al. | A low-cure-temperature copper nano ink for highly conductive printed electrodes | |
| JP6005852B2 (ja) | 金属性ナノ粒子分散系 | |
| US8070986B2 (en) | Silver paste for forming conductive layers | |
| KR101207363B1 (ko) | 나노미터 두께의 금속 마이크로판을 함유하는 전도성 페이스트용 조성물 | |
| KR100709724B1 (ko) | 도전막 형성을 위한 금속 페이스트 | |
| KR101276237B1 (ko) | 저온소결 전도성 금속막 및 이의 제조방법 | |
| CA2692067C (en) | Organoamine stabilized silver nanoparticles and process for producing same | |
| JP2008198595A (ja) | 金属微粒子インクペースト及び有機酸処理金属微粒子 | |
| EP2661766B1 (en) | Conductive particle and method of manufacturing the same | |
| JP2009527076A (ja) | 導電線パターン形成のための銀オルガノゾルインク | |
| KR20090115854A (ko) | 금속 나노 입자 분산액 및 그 제조 방법 그리고 금속 나노 입자의 합성 방법 | |
| TW201308353A (zh) | 塗覆銀之銅粉及其製造法、含有該塗覆銀之銅粉的導電膏、導電性接著劑、導電膜及電氣電路 | |
| CN104010752A (zh) | 银微粒及其制造方法、以及含有该银微粒的导电性糊、导电性膜和电子器件 | |
| KR100955496B1 (ko) | 태양전지 전극형성용 도전성 조성물 | |
| JP2017527943A (ja) | 導電性組成物 | |
| Li et al. | Conductivity and foldability enhancement of Ag patterns formed by PVAc modified Ag complex inks with low-temperature and rapid sintering | |
| CN104080561A (zh) | 银微粒及其制造方法以及含有该银微粒的导电性膏、导电性膜和电子设备 | |
| Gu et al. | Comparison of thermal decomposition and chemical reduction of particle-free silver ink for inkjet printing | |
| KR101140270B1 (ko) | 전도성 은나노입자 조성물 및 잉크와 그 제조방법 | |
| KR20100031843A (ko) | 전도성 금속 전극 형성용 잉크조성물 및 그 제조방법 | |
| CN103702786B (zh) | 银微颗粒以及含有该银微颗粒的导电性膏、导电性膜和电子器件 | |
| CN112608642A (zh) | 一种喷墨印刷型石墨烯掺杂的纳米银导电墨水及其制备方法 | |
| JP5773147B2 (ja) | 銀微粒子並びに該銀微粒子を含有する導電性ペースト、導電性膜及び電子デバイス | |
| CN105440801B (zh) | 一种导电墨水及基于该导电墨水的印制电路的制备方法 | |
| KR100945691B1 (ko) | 표면처리된 나노입자, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 잉크조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |