JP2007134721A - 相補型カーボン・ナノチューブ・トリプル・ゲート技術 - Google Patents
相補型カーボン・ナノチューブ・トリプル・ゲート技術 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007134721A JP2007134721A JP2006304611A JP2006304611A JP2007134721A JP 2007134721 A JP2007134721 A JP 2007134721A JP 2006304611 A JP2006304611 A JP 2006304611A JP 2006304611 A JP2006304611 A JP 2006304611A JP 2007134721 A JP2007134721 A JP 2007134721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- transistor
- carbon nanotube
- source
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims description 203
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 191
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims description 190
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
- Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/94—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application in a logic circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】CNTFETの両極性の性質を克服するために、ソース/ドレイン・ゲート125が、ソース/ドレイン電極105と反対の側のCNT110の下に導入される。ソース/ドレイン・ゲート125は、正電圧または負電圧のいずれかをCNT端部111に印加するために使用され、それにより、対応するFETをそれぞれn型またはp型CNTFETのいずれかに設定する。また、一方がn型CNTFETに、他方がp型CNTFETに設定された隣接する2つのCNTFETにより、相補型CNTFETをデバイス内に組み込むことができる。
【選択図】図1
Description
102 絶縁体
103 基板
105 ソース/ドレイン電極
106 ゲート誘電体
107 バック・ゲート誘電体
108 サイズ
109 領域
110 カーボン・ナノチューブ(CNT)
111 端部
113 チャネル領域
114 ゲート誘電体
115 第1のゲート(フロント・ゲート)
116 第1のゲート・コンタクト
117 第1の側
118 第2の側
125 第2のゲート(ソース/ドレイン・ゲート)
126 第2のゲート・コンタクト
128 ギャップ
135 第3のゲート(バック・ゲート)
136 第3のゲート・コンタクト
200 相補型CNTデバイス
202 絶縁体
203 基板
300 第1のトランジスタ(n型FET)
305 ソース/ドレイン電極
310 カーボン・ナノチューブ
311 端部
313 チャネル領域
315 第1のゲート
325 第2のゲート
335 第3のゲート
400 第2のトランジスタ(p型FET)
405 ソース/ドレイン電極
410 カーボン・ナノチューブ
411 端部
413 チャネル領域
415 第1のゲート
425 第2のゲート
435 第3のゲート
Claims (22)
- 第1の側、第2の側、および両端部を有し、前記両端部の間にチャネル領域を含む、少なくとも1つのカーボン・ナノチューブと、
前記第1の側で前記両端部に接触するソース/ドレイン電極と、
前記第1の側で前記ソース/ドレイン電極間の前記チャネル領域上にある第1のゲートと、
前記第2の側で前記ソース/ドレイン電極と反対の側にある第2のゲートとを含むカーボン・ナノチューブ・トランジスタであって、
前記第2のゲートに印加される予め選択された電圧が、該カーボン・ナノチューブ・トランジスタをp型トランジスタおよびn型トランジスタのうちの一方に設定する、カーボン・ナノチューブ・トランジスタ。 - 前記第2のゲート間に、前記カーボン・ナノチューブ内の前記チャネル領域のサイズを規定するギャップをさらに含む、請求項1に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 前記第2のゲート間にギャップをさらに含み、前記カーボン・ナノチューブ内の導電性を最適化するために、前記第1のゲートが、前記ギャップ上に整列され、前記第2のゲート上に重なる、請求項1に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 前記第1の側の前記第1のゲートおよび前記第2の側の前記第2のゲートの相対位置が、前記第2のゲートと前記第1のゲートとの間の寄生容量を最小化し、前記第2のゲートと前記ソース/ドレイン電極との間の寄生抵抗を防ぐ、請求項1に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 第1の側、第2の側、および両端部を有し、前記両端部の間にチャネル領域を含む、少なくとも1つのカーボン・ナノチューブと、
前記第1の側で前記両端部に接触するソース/ドレイン電極と、
前記第1の側で前記ソース/ドレイン電極間の前記チャネル領域上にある第1のゲートと、
前記第2の側で前記ソース/ドレイン電極と反対の側にある第2のゲートと、
前記第2の側で前記チャネル領域の下にある第3のゲートとを含むカーボン・ナノチューブ・トランジスタであって、
前記第2のゲートに印加される予め選択された電圧が、該カーボン・ナノチューブ・トランジスタをp型トランジスタおよびn型トランジスタのうちの一方に設定し、
前記第3のゲートに印加される予め選択された追加の電圧が、該カーボン・ナノチューブ・トランジスタの閾値電圧を調整する、カーボン・ナノチューブ・トランジスタ。 - 前記第2のゲート間に、前記カーボン・ナノチューブ内の前記チャネル領域のサイズを規定するギャップをさらに含む、請求項5に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 前記第2のゲート間にギャップをさらに含み、前記第3のゲートが、前記ギャップの下に整列される、請求項5に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 前記第1のゲート、前記第2のゲート、および前記第3のゲートがそれぞれゲート誘電体を含み、駆動電流を最適化するために、前記第3のゲートの前記ゲート誘電体が、前記第1のゲートおよび前記第2のゲートの前記ゲート誘電体よりも厚い、請求項5に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 前記第2のゲート間にギャップをさらに含み、前記カーボン・ナノチューブ内の導電性を最適化するために、前記第1のゲートが、前記ギャップ上に整列され、前記第2のゲート上に重なる、請求項5に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 前記第1の側の前記第1のゲートと前記第2の側の前記第2のゲートとの相対位置により、前記第2のゲートと前記第1のゲートとの間の寄生容量を最小化し、前記第2のゲートと前記ソース/ドレイン電極との間の寄生抵抗を防ぐ、請求項5に記載のカーボン・ナノチューブ・トランジスタ。
- 第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに電気的に接続された第2のトランジスタとを含み、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタがそれぞれ、
第1の側、第2の側、および両端部を有し、前記両端部の間にチャネル領域を含む、少なくとも1つのカーボン・ナノチューブと、
前記第1の側で前記両端部に接触するソース/ドレイン電極と、
前記第1の側で前記ソース/ドレイン電極間の前記チャネル領域上にある第1のゲートと、
前記第2の側で前記ソース/ドレイン電極と反対の側にある第2のゲートとを含む相補型カーボン・ナノチューブ・デバイスであって、
前記第1のトランジスタの前記第2のゲートに印加される正電圧が、前記第1のトランジスタをn型トランジスタに設定し、前記第2のトランジスタの前記第2のゲートに印加される負電圧が、前記第2のトランジスタをp型トランジスタに設定する、相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス。 - 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタそれぞれがさらに、前記第2のゲート間に、前記カーボン・ナノチューブ内に前記チャネル領域を画定するギャップを含む、請求項11に記載の相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス。
- 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタそれぞれがさらに、前記第2のゲート間にギャップを含み、前記カーボン・ナノチューブ内の導電性を最適化するために、前記第1のゲートが前記ギャップの上に整列され、前記第2のゲート上に重なる、請求項11に記載の相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス。
- 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタの各々に対して、前記第1の側の前記第1のゲートおよび前記第2の側の前記第2のゲートの相対位置により、前記第2のゲートと前記第1のゲートとの間の寄生容量を最小化し、前記第2のゲートと前記ソース/ドレイン電極との間の寄生抵抗を防ぐ、請求項11に記載の相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス。
- 前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタそれぞれが、独立した閾値電圧調整を可能にするために、前記第2の側で前記チャネル領域の下に第3のゲートを含む、請求項11に記載の相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス。
- 少なくとも1つのトランジスタを形成することを含むカーボン・ナノチューブ・デバイスの形成方法であって、各トランジスタが、
ソース/ドレイン・ゲートを、ギャップによって分離されるようにして基板内に形成するステップと、
両端部とチャネル領域とを有するカーボン・ナノチューブを、前記ソース/ドレイン・ゲートが前記両端部の下に整列され、前記ギャップが前記チャネル領域の下にあるように、前記ソース/ドレイン・ゲート上に形成するステップと、
前記チャネル領域上にフロント・ゲートを形成するステップと、
前記カーボン・ナノチューブの前記両端部上に、それらと接触するソース/ドレイン電極を形成するステップと、
負電圧および正電圧のうちの一方を、それぞれ、前記ソース/ドレイン・ゲートに印加することにより、前記少なくとも1つのトランジスタをp型トランジスタおよびn型トランジスタのうちの一方に設定するステップとによって形成される、方法。 - 前記ギャップのサイズを規定することによって、前記チャネル領域のサイズを規定するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記ソース/ドレイン・ゲートの前記形成ステップの前に、前記チャネル領域の下に整列されるようにバック・ゲートを形成するステップと、
前記トランジスタの閾値電圧を調整するために前記バック・ゲートを使用するステップとをさらに含む、請求項16に記載の方法。 - 前記ソース/ドレイン・ゲートの前記形成ステップがさらに、駆動電流を最適化するために、前記バック・ゲートと前記カーボン・ナノチューブとの間のバック・ゲート誘電体が、前記ソース/ドレイン・ゲートと前記カーボン・ナノチューブとの間のソース/ドレイン・ゲート誘電体よりも厚くなるように、前記バック・ゲート上に前記ソース/ドレイン・ゲートを形成するステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記ギャップのサイズを規定することにより、前記バック・ゲートが作用できる前記カーボン・ナノチューブの領域を画定するステップをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記フロント・ゲートの前記形成ステップがさらに、前記カーボン・ナノチューブ内の導電性を最適化するために、前記ギャップ上に前記フロント・ゲートを整列させ、前記ソース/ドレイン・ゲートの各々の一部分上に前記フロント・ゲートを延在させるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのトランジスタの前記形成ステップが、隣接する2つのトランジスタを同時に形成するステップを含み、前記方法がさらに、前記隣接する2つのトランジスタのうちの一方をp型トランジスタに設定し、前記隣接する2つのトランジスタのうちの他方をn型のトランジスタに設定することにより、相補型カーボン・ナノチューブ・インバータを形成するステップを含む、請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/164,109 US7492015B2 (en) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | Complementary carbon nanotube triple gate technology |
US11/164109 | 2005-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134721A true JP2007134721A (ja) | 2007-05-31 |
JP5220300B2 JP5220300B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=38002877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006304611A Expired - Fee Related JP5220300B2 (ja) | 2005-11-10 | 2006-11-09 | カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタ、これを形成する方法及び相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7492015B2 (ja) |
JP (1) | JP5220300B2 (ja) |
CN (1) | CN100561750C (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009252798A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
KR101026160B1 (ko) | 2008-11-26 | 2011-04-05 | 한국원자력연구원 | 하이브리드형 나노소자 논리회로 및 그 제조 방법 |
CN102024846A (zh) * | 2009-09-10 | 2011-04-20 | 索尼公司 | 3端子电子器件和2端子电子器件 |
JP2013179274A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
KR101432037B1 (ko) | 2008-04-25 | 2014-08-20 | 삼성전자주식회사 | 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한전환가능한 논리회로 |
CN104103692A (zh) * | 2014-07-14 | 2014-10-15 | 南京邮电大学 | 一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管 |
JP2014239202A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド | デュアルモードトランジスタデバイス及びその動作方法 |
KR101549286B1 (ko) | 2008-07-25 | 2015-09-01 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 상보형 논리 게이트 장치 |
JP2018098499A (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-21 | ツィンファ ユニバーシティ | デジタル回路 |
KR20220103589A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 백-게이트 트랜지스터에 대한 cmos 제조 방법 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5029600B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2012-09-19 | 富士通株式会社 | カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及びセンサ |
US8004043B2 (en) | 2006-12-19 | 2011-08-23 | Intel Corporation | Logic circuits using carbon nanotube transistors |
US20080237738A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Christoph Andreas Kleint | Integrated circuit, cell, cell arrangement, method for manufacturing an integrated circuit, method for manufacturing a cell arrangement; memory module |
US7871851B2 (en) * | 2007-05-25 | 2011-01-18 | RF Nano | Method for integrating nanotube devices with CMOS for RF/analog SoC applications |
US20080296689A1 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Dawei Wang | Nanotube dual gate transistor and method of operating the same |
GB2459251A (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-21 | Sharp Kk | Semiconductor nanowire devices |
GB2458907A (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-07 | Sharp Kk | Device interconnects |
US7612270B1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-11-03 | International Business Machines Corporation | Nanoelectromechanical digital inverter |
KR101491714B1 (ko) * | 2008-09-16 | 2015-02-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR101076767B1 (ko) * | 2009-02-11 | 2011-10-26 | 광주과학기술원 | 나노소자 논리회로 및 그 제조방법 |
KR20100094192A (ko) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | 삼성전자주식회사 | 탄소나노튜브 박막을 이용한 에스램 |
US8422273B2 (en) * | 2009-05-21 | 2013-04-16 | International Business Machines Corporation | Nanowire mesh FET with multiple threshold voltages |
WO2011088340A2 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Board Of Regents, The University Of Texas System | A carbon nanotube crossbar based nano-architecture |
US8193032B2 (en) * | 2010-06-29 | 2012-06-05 | International Business Machines Corporation | Ultrathin spacer formation for carbon-based FET |
US8404539B2 (en) | 2010-07-08 | 2013-03-26 | International Business Machines Corporation | Self-aligned contacts in carbon devices |
US8344358B2 (en) | 2010-09-07 | 2013-01-01 | International Business Machines Corporation | Graphene transistor with a self-aligned gate |
US9076873B2 (en) | 2011-01-07 | 2015-07-07 | International Business Machines Corporation | Graphene devices with local dual gates |
US8455365B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-06-04 | Dechao Guo | Self-aligned carbon electronics with embedded gate electrode |
US8557097B2 (en) * | 2011-09-09 | 2013-10-15 | International Business Machines Corporation | Embedding a nanotube inside a nanopore for DNA translocation |
CN102487124B (zh) | 2011-09-19 | 2014-07-23 | 中国科学院物理研究所 | 纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法 |
US8772910B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-07-08 | International Business Machines Corporation | Doping carbon nanotubes and graphene for improving electronic mobility |
US8895417B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-11-25 | International Business Machines Corporation | Reducing contact resistance for field-effect transistor devices |
US9130568B2 (en) | 2012-08-09 | 2015-09-08 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Controllable polarity FET based arithmetic and differential logic |
WO2014165950A1 (pt) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Firmano Lino Junior | Aditivo catalisador não incrustante no processo de craqueamento de petróleo aditivo e na octanagem e queima de combustível |
CN106256023A (zh) * | 2014-04-24 | 2016-12-21 | 佛罗里达大学研究基金会公司 | 用于高功率电子器件的可调势垒晶体管 |
KR102201320B1 (ko) * | 2014-06-12 | 2021-01-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자와 그 제조방법 및 반도체소자를 포함하는 전자소자 |
US9618474B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-04-11 | Edico Genome, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
WO2016100049A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Edico Genome Corporation | Chemically-sensitive field effect transistor |
US9857328B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-01-02 | Agilome, Inc. | Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same |
US9859394B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-01-02 | Agilome, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
US10006910B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-06-26 | Agilome, Inc. | Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same |
US10020300B2 (en) | 2014-12-18 | 2018-07-10 | Agilome, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
CN105810750B (zh) * | 2014-12-29 | 2019-02-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种碳纳米管神经元器件及其制作方法 |
US10380309B2 (en) | 2015-06-01 | 2019-08-13 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Boolean logic optimization in majority-inverter graphs |
US10811539B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-10-20 | Nanomedical Diagnostics, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
US10594319B2 (en) * | 2016-06-03 | 2020-03-17 | Northwestern University | System and method for complimentary VT-drop ambipolar carbon nanotube logic |
US10665798B2 (en) | 2016-07-14 | 2020-05-26 | International Business Machines Corporation | Carbon nanotube transistor and logic with end-bonded metal contacts |
US10665799B2 (en) | 2016-07-14 | 2020-05-26 | International Business Machines Corporation | N-type end-bonded metal contacts for carbon nanotube transistors |
US10903034B2 (en) * | 2016-10-17 | 2021-01-26 | Wisys Technology Foundation, Inc. | Planar field emission transistor |
CN110137356B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、电子装置 |
US11165032B2 (en) * | 2019-09-05 | 2021-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Field effect transistor using carbon nanotubes |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040036128A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-26 | Yuegang Zhang | Multi-gate carbon nano-tube transistors |
JP2004241572A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US20050077527A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-14 | Lee Ji Ung | Method for forming an electrostatically-doped carbon nanotube device |
JP2005116618A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10036897C1 (de) * | 2000-07-28 | 2002-01-03 | Infineon Technologies Ag | Feldeffekttransistor, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors |
US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
US6423583B1 (en) * | 2001-01-03 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes |
US7084507B2 (en) * | 2001-05-02 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Integrated circuit device and method of producing the same |
US20040253741A1 (en) | 2003-02-06 | 2004-12-16 | Alexander Star | Analyte detection in liquids with carbon nanotube field effect transistor devices |
US6891227B2 (en) * | 2002-03-20 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same |
AU2003261205A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-02-09 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale coherent optical components |
US20040144972A1 (en) | 2002-10-04 | 2004-07-29 | Hongjie Dai | Carbon nanotube circuits with high-kappa dielectrics |
DE10250830B4 (de) * | 2002-10-31 | 2015-02-26 | Qimonda Ag | Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays |
JP4036454B2 (ja) | 2003-05-30 | 2008-01-23 | 独立行政法人理化学研究所 | 薄膜トランジスタ。 |
US7211854B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-01 | Nantero, Inc. | Field effect devices having a gate controlled via a nanotube switching element |
KR101015498B1 (ko) | 2003-06-14 | 2011-02-21 | 삼성전자주식회사 | 수직 카본나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 |
EP1508926A1 (en) | 2003-08-19 | 2005-02-23 | Hitachi, Ltd. | Nanotube transistor device |
US7105851B2 (en) * | 2003-09-24 | 2006-09-12 | Intel Corporation | Nanotubes for integrated circuits |
US7378715B2 (en) * | 2003-10-10 | 2008-05-27 | General Electric Company | Free-standing electrostatically-doped carbon nanotube device |
US7253431B2 (en) * | 2004-03-02 | 2007-08-07 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for solution processed doping of carbon nanotube |
US7508039B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-03-24 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University | Carbon nanotube (CNT) multiplexers, circuits, and actuators |
US7180107B2 (en) * | 2004-05-25 | 2007-02-20 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating a tunneling nanotube field effect transistor |
US7345307B2 (en) * | 2004-10-12 | 2008-03-18 | Nanosys, Inc. | Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires |
US7170120B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-01-30 | Intel Corporation | Carbon nanotube energy well (CNEW) field effect transistor |
US7141727B1 (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-28 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for fabricating a carbon nanotube transistor having unipolar characteristics |
US7786024B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-08-31 | Nanosys, Inc. | Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation |
-
2005
- 2005-11-10 US US11/164,109 patent/US7492015B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-08 CN CNB2006101444838A patent/CN100561750C/zh active Active
- 2006-11-09 JP JP2006304611A patent/JP5220300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040036128A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-02-26 | Yuegang Zhang | Multi-gate carbon nano-tube transistors |
JP2004241572A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005116618A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US20050077527A1 (en) * | 2003-10-10 | 2005-04-14 | Lee Ji Ung | Method for forming an electrostatically-doped carbon nanotube device |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009252798A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
KR101432037B1 (ko) | 2008-04-25 | 2014-08-20 | 삼성전자주식회사 | 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한전환가능한 논리회로 |
KR101549286B1 (ko) | 2008-07-25 | 2015-09-01 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 상보형 논리 게이트 장치 |
KR101026160B1 (ko) | 2008-11-26 | 2011-04-05 | 한국원자력연구원 | 하이브리드형 나노소자 논리회로 및 그 제조 방법 |
CN102024846A (zh) * | 2009-09-10 | 2011-04-20 | 索尼公司 | 3端子电子器件和2端子电子器件 |
JP2013179274A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2014239202A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド | デュアルモードトランジスタデバイス及びその動作方法 |
CN104103692A (zh) * | 2014-07-14 | 2014-10-15 | 南京邮电大学 | 一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管 |
JP2018098499A (ja) * | 2016-12-07 | 2018-06-21 | ツィンファ ユニバーシティ | デジタル回路 |
KR20220103589A (ko) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 백-게이트 트랜지스터에 대한 cmos 제조 방법 |
KR102627969B1 (ko) | 2021-01-15 | 2024-01-19 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 백-게이트 트랜지스터에 대한 cmos 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070102747A1 (en) | 2007-05-10 |
CN100561750C (zh) | 2009-11-18 |
CN1964074A (zh) | 2007-05-16 |
JP5220300B2 (ja) | 2013-06-26 |
US7492015B2 (en) | 2009-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5220300B2 (ja) | カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタ、これを形成する方法及び相補型カーボン・ナノチューブ・デバイス | |
US8193524B2 (en) | Nanoelectronic device | |
Johansson et al. | High-frequency gate-all-around vertical InAs nanowire MOSFETs on Si substrates | |
KR101526555B1 (ko) | 재구성 가능한 전자 소자 및 이의 동작 방법 | |
TWI463653B (zh) | 穿隧場效應元件 | |
JP2006505950A (ja) | 分離した複数のゲートを有するダブルゲート半導体デバイス | |
Larrieu et al. | Sub-15 nm gate-all-around field effect transistors on vertical silicon nanowires | |
KR20120076061A (ko) | 복수의 그래핀 채널층을 구비하는 그래핀 전자소자 | |
JP2007281489A (ja) | 静電的に制御されるトンネリング・トランジスタ | |
JP2006114912A (ja) | キャリヤトラッピング物質を含む単極性ナノチューブトランジスタ及びその製造方法 | |
CN108091698B (zh) | 场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件 | |
JP5513955B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
CN110148630B (zh) | 一种双栅小带隙半导体晶体管及其制备方法 | |
US7511344B2 (en) | Field effect transistor | |
US20070187729A1 (en) | Unipolar nanotube and field effect transistor having the same | |
US11309425B2 (en) | Field effect transistor having source control electrode, manufacturing method thereof and electronic device | |
JP2009065057A (ja) | 半導体装置 | |
US9484428B2 (en) | Non-planar exciton transistor (BiSFET) and methods for making | |
JPH10209174A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ | |
JPH04363069A (ja) | 縦型半導体装置 | |
US8629480B2 (en) | Hetero-junction tunneling transistor | |
JP5196470B2 (ja) | 二重絶縁ゲート電界効果トランジスタ | |
CN108054209B (zh) | 场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件 | |
Larrieu et al. | Vertical field effect transistor with sub-15nm gate-all-around on Si nanowire array | |
Gaillardon et al. | Towards functionality-enhanced devices: Controlling the modes of operation in three-independent-gate transistors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121019 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20121003 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130306 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160315 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5220300 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |