JP2007065615A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 複数の画素電極と、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられたスイッチング素子と、が形成された素子基板を有する電気光学装置において、
   前記複数の画素電極がマトリクス状に配列してなる表示領域と、
   前記表示領域の外側に設けられた第１及び第２のシールド配線部と、を具備し、
   前記第１のシールド配線部は前記表示領域の少なくとも３辺方向に延在して設けられ、前記第２のシールド配線部は、前記３辺以外の辺を含む前記表示領域の少なくとも３辺方向に延在して設けられてなることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１のシールド配線部及び第２のシールド配線部の少なくとも一方が、前記表示領域を取り囲んで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記複数の画素電極に跨って形成された共通電極を備え、
   前記第１のシールド配線部及び第２のシールド配線部が、前記共通電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記共通電極と電気的に接続された共通電極配線を前記素子基板に備え、該共通電極配線が、第３のシールド配線部を形成していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記スイッチング素子が、前記素子基板に形成されたゲート電極と、該ゲート電極とゲート絶縁膜を介して対向する半導体層と、該半導体層と電気的に接続されたソース／ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタであり、
   前記第１のシールド配線部及び第２のシールド配線部のいずれか一方が、前記ソース／ドレイン電極と同層に同一材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記第１のシールド配線部及び第２のシールド配線部のいずれか一方が、前記ゲート電極と同層に同一材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記画素電極が、前記ソース／ドレイン電極を介して前記スイッチング素子と電気的に接続されており、
   前記第１のシールド配線部及び第２のシールド配線部のいずれか一方が、前記画素電極と同層に同一材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
8. 前記画素電極が、前記ソース／ドレイン電極を介して前記スイッチング素子と電気的に接続されており、
   前記画素電極と同層に同一材料を用いて形成された接続部材により、前記第１乃至第３のシールド配線部の少なくとも２つが互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記素子基板に、互いに交差して延びる複数のデータ線と複数の走査線とが形成され、前記データ線と前記走査線との交差部に対応して前記画素電極が設けられており、
   前記第１のシールド配線部又は第２のシールド配線部と、前記走査線又は前記データ線とが、少なくとも１つ以上の静電保護回路を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 前記静電保護回路が、前記薄膜トランジスタと同層に形成された半導体層を具備したＭＯＳダイオードを有することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記静電保護回路は、前記薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極とを短絡してなる第１のＭＯＳダイオードと第２のＭＯＳダイオードとを互いに逆向きに接続してなることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 前記第１のＭＯＳダイオードにおけるソース電極とゲート電極とが一部平面的に重なって配置されるとともに、前記第２のＭＯＳダイオードにおけるソース電極とゲート電極とが一部平面的に重なって配置された容量結合動作型のＭＯＳダイオードであることを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
13. 前記容量結合動作型のＭＯＳダイオードが、前記データ線と同層に形成された前記シールド配線部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。