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  1. 絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜とを有するトンネル磁気抵抗効果素子において、
    前記第一の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、
    前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  2. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の強磁性膜は、Ｃｏに対するＦｅの組成比が５０ａｔｍ％より大きく、１００ａｔｍ％より少ないことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  3. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  4. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、
    配向制御膜と、前記配向制御膜の上に順に積層された反強磁性膜、第三の強磁性膜、非磁性膜を有し、前記非磁性膜の上に前記第一の強磁性膜、絶縁膜及び第二の強磁性膜が順に積層され、
    前記第三の強磁性膜の磁化方向は前記反強磁性膜によって固定され、前記第三の強磁性膜と前記第一の強磁性膜とは前記非磁性膜を介して反強磁性結合していることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  5. 請求項４記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第二の強磁性膜の上に第二の非磁性膜と第四の強磁性膜と第二の反強磁性膜がこの順に積層され、前記第四の強磁性膜の磁化方向は前記第二の反強磁性膜によって固定されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  6. 請求項４記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第二の強磁性膜の上に第二の非磁性膜と第四の強磁性膜がこの順に積層されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  7. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、
    配向制御膜を有し、前記配向制御膜の上に前記第一の強磁性膜、絶縁膜及び第二の強磁性膜が順に積層され、
    更に、前記第二の強磁性膜の上に非磁性膜、第三の強磁性膜、反強磁性膜が順に積層され、
    前記第三の強磁性膜の磁化方向は前記反強磁性膜によって固定され、前記第三の強磁性膜と前記第一の強磁性膜とは前記非磁性膜を介して反強磁性結合していることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  8. 請求項７記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記配向制御膜と前記第一の強磁性膜の間に、第二の反強磁性膜と第四の強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層され、前記第四の強磁性膜の磁化方向は前記第二の反強磁性膜によって固定されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  9. 請求項７記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記配向制御膜と前記第一の強磁性膜の間に、第四の強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。
  10. トンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗効果素子に流れる電流をオン・オフ制御するスイッチング素子とを備える磁気メモリにおいて、
    前記トンネル磁気抵抗効果素子は、絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜とを有し、前記第一の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、Ｃｏに対するＦｅの組成比が５０ａｔｍ％より大きく、１００ａｔｍ％より少なく、前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であることを特徴とする磁気メモリ。
  11. 請求項１０記載の磁気メモリにおいて、前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であることを特徴とする磁気メモリ。
  12. 請求項１０記載の磁気メモリにおいて、スピントランスファートルクにより磁気情報を記録することを特徴とする磁気メモリ。
  13. 複数の磁気メモリセルと、所望の磁気メモリセルを選択する手段とを備える磁気ランダムアクセスメモリにおいて、
    前記磁気メモリセルは、ＣｏとＦｅとＢを含有し、Ｃｏに対するＦｅの組成比が５０ａｔｍ％より大きく、１００ａｔｍ％より少ない体心立方構造の第一の強磁性膜と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜と、第二の強磁性膜とが積層されたトンネル磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
  14. 請求項１３記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
  15. 請求項１３記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、スピントランスファートルクにより磁気情報を記録することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
  16. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜は前記第二の強磁性膜の上に形成され、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜の上に形成されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  17. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜は結晶構造を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
  18. 請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一及び第二の強磁性膜は結晶構造を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
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