JP2007027849A - 遅延回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】遅延回路において、遅延時間制御信号によって信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される第1の遅延素子8と前記信号の位相を反転する位相反転素子9とを含む、そのような周波数可変発振器2から前記遅延時間制御信号Vcntlの供給を受ける第2の遅延素子8と、前記第2の遅延素子8と直列に接続され、前記信号が伝搬する調整素子10と、を備え、前記第2の遅延素子8と前記調整素子10との合計の遅延時間が調整される。
【選択図】図6
Description
がある。DLL回路は、DDR−SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)等の高速LSIの普及に伴い多用されてきている。DLL回路は
、回路設計者の意図する遅延を生成できる。そのため、LSI内部にて、DLLにて所望の遅延を生成し高速LSIとインターフェースをとるために必須の回路(あるいはマクロ)となっている。
。
以下、図1から図9の図面を参照して、本発明の第1実施形態に係るタイミング制御回路を説明する。
図1に、本実施形態に係るタイミング制御回路の基本構成図を示す。このタイミング制御回路は、PLL回路2と、DLL回路4とを組み合わせた構成を有している。このPLL回路2とDLL回路4とを組み合わせた部分は、LSI設計のためのCADツール上のDLLマクロブロック1として提供してもよい。
(遅延素子8が4段とインバータ回路9が1段とによって形成される回路)を2回ループすることで生成される。4段の遅延素子8と1段のインバータ回路9により1回目のループ後の信号は反転状態で先頭の遅延素子8に帰還される。そして、2回目のループ後に正相状態で先頭の遅延素子8に帰還されるからである。
図6に、本実施形態のDLL回路4の構成を示す。このDLL回路4は、図4の遅延線路4Aとその前段の定電流回路10(本発明の調整素子に相当)とを有している。上述の<基本構成>において説明したように、DLL回路4をPLL回路2の遅延素子8だけを16段接続した場合には、PLL回路2のインバータ回路9に流れる貫通電流Iaによる誤差が発生する。そこで、本実施形態のDLL回路8は、DLL回路8の前段に定電流回路10を接続し、定電流回路10による信号の伝搬遅延により、上記誤差を低減する。
ットのそれぞれに対して、所定の電流値を変化させる回路を採用する。このようにすると、図7に示した定電流回路10で、デジタル信号33を変更することで、デジタル信号33の変化量にして、定電流源11の電流値の変化を発生させることがきる。定電流源11の電流値が変化すると、CMOS回路31、32をオンおよびオフするときのゲート容量および負荷回路の容量に対する充放電時間が変化する。したがって、デジタル信号33の変更により、高周波を含むパルス信号がCMOSゲート31、32を通過するときの伝搬時間が変化する。
あり、他のビットがすべて0の場合である。
Ia+Δb,I7=Ia+Δcの各電流を流す定電流源を使用する。また、a3,a1,a1の各ビットが1になったときに、I3=Ia−Δa,I2=Ia−Δb,I1=Ia−Δcの各電流を流す定電流源を使用する。
とで、上記に示したようにPLL回路2のインバータ回路9への貫通電流Iaの影響による早めの遅延を補正できる。その場合、例えば、デジタル信号33として、0001000を設定すればよい。ただし、デジタル信号33として、0001000を設定し、各電流源11にIaを流し、図7の定電流源10全体としてIa×4の電流を流しても、PLL回路2とDLL回路4とで完全には遅延特性が一致せず、例えば、DLX3から正確に90度遅れの信号が出力されない場合がありえる。例えば、すべての遅延素子8の特性が十分に同一と見なせる範囲にない場合である。また、インバータ回路9の遅延時間を無視できな場合である。そのような場合には、デジタル信号33の各ビットa1,a2,a3,a4,a4,a5,a6,a7の値を0001000から変更することで微調整すればよい。
により、所望の位相差の信号をDLX0〜DLX15として生成するようにすればよい。
OSトランジスタ100とNMOSトランジスタ101とがカレントミラー回路を構成する。また、NMOSトランジスタ101のドレインと電源との間に設けられたPMOSトランジスタ102と、PMOSトランジスタ103,104等がカレントミラー回路を構成する。さらに、PMOSトランジスタ102、103等のドレイン(今、これらのグランド側の端子をドレインとする)側には、グランドとの間にPMOSトランジスタ113、114等がスイッチとして設けられている。
するスイッチであるPMOSトランジスタ113、114を示した。しかし、他のビットa1,a2,a3,a6,a7についても、PMOSトランジスタ103、104およびスイッチであるPMOSトランジスタ113、114と同様に構成することができる。
Δb,I7=Ia+Δcの各電流を流す定電流源を構成することができる。また、a3,a2,a1の各ビットが1になったときに、I3Ia−Δa,I2=Ia−Δb,I1=Ia−Δcの各電流を流す定電流源を構成することができる。したがって、これらのビットを制御することにより、図8に示したように、DLX0〜DLX15の各位相を22.5度から22.5度刻みで360度までの値に正確に調整することができる。さらに、a1,a2,a3,a4,a4,a5,a6,a7を切り替えることにより、これらの位相を中心に、微調整することができ
る。さらに、定電流源11の電流を選択することにより、a1,a2,a3,a4,a4,a5,a6,a7のビ
ットにより、22.5度の遅延を等分割するようにしてもよい。
きる構成とした。しかし、これに代えて、例えば、ビット0000001の場合、DLX0〜DLX15の各位相を22.5度刻みに設定してもよい。その場合に、ビットa1,a2,a3,a4,a4,a5,a6,a7を0000001から1111111に向かってオンのビットを増加
することにより、DLX0〜DLX15の各位相を22.5度刻みの値から遅れるようにすればよい。また、例えば、ビットa1,a2,a3,a4,a4,a5,a6,a7を0000001から11
11111に向かってオンのビットを増加することにより、DLX0〜DLX15の各位相を22.5度刻みの値から進むようにしてもよい。
上記第1実施形態では、DLL回路4の前段に、PLL回路2のインバータ回路9の貫通電流Iaに対応する電流を流す定電流回路10を設けた。そして、定電流回路10の電流を制御することにより、定電流回路10に含まれるCMOS回路31、32を通過する信号の伝搬時間を調整した。
上記第1実施形態および第2実施形態では、DLL回路4のタップDLX0からDLX15の位相を正確に調整するため定電流源11を含む定電流回路10を使用した。しかし、本発明の実施は、このような構成に限定されるものではない。
けすること以外は、図11の構成と同様である。したがって、位相調整機能は、図11の場合と同様である。
さらに、本実施の形態は以下の発明を開示する。また、以下の各発明(以下付記と呼ぶ)のいずれかに含まれる構成要素を他の付記の構成要素と組み合わせてもよい。
(付記1)
遅延時間制御信号によって信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される第1の遅延素子と前記信号の位相を反転する位相反転素子とを含む、そのような周波数可変発振器から前記遅延時間制御信号の供給を受ける第2の遅延素子と、
前記第2の遅延素子と直列に接続され、前記信号が伝搬する調整素子と、を備え、
前記第2の遅延素子と前記調整素子との合計の遅延時間が調整される遅延回路。
(付記2)
前記調整素子は、前記遅延時間制御信号とは異なる調整信号によって前記信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される付記1に記載の遅延回路。(2)
(付記3)
遅延時間制御信号によって信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される第1の遅延素子と前
記遅延時間制御信号を分流した分流信号により駆動され前記信号の位相を反転する位相反転素子とを含む、そのような周波数可変発振器から前記遅延時間制御信号の供給を受ける第2の遅延素子と、
前記第2の遅延素子に供給される遅延時間制御信号から前記分流信号と略同等の信号を分流することにより前記第2の遅延素子の遅延時間を調整する調整素子と、を備える遅延回路。(3)
(付記4)
前記調整素子は、前記遅延時間制御信号とは異なる調整信号によって前記分流する信号量を制御される付記3に記載の遅延回路。(4)
(付記5)
前記遅時間制御信号は、前記周波数可変発振器の出力信号の位相を所定の基準信号の位相に同期させる信号であり、前記第2の遅延素子は、前記出力信号の位相が前記基準信号の位相に同期したときの前記第1の遅延素子の遅延時間と略同等の遅延時間にて信号を伝搬する付記1から4のいずれかに記載の遅延回路。
(付記6)
前記調整素子の駆動電流を供給する電流源をさらに備え、
前記調整信号は、前記電流源から供給される駆動電流値を設定する付記2、4、および5のいずれかに記載の遅延回路。(5)
(付記7)
前記調整信号は、前記周波数可変発振器に含まれる前記第1の遅延素子の数に対する前記遅延回路に含まれる第2の遅延素子の数の比率に対応して、前記位相反転素子を駆動する電流値から決定される電流値を前記駆動電流値として設定する付記6に記載の遅延回路。(6)
(付記8)
前記第2の遅延素子は複数個設けられ、それぞれの前記第2の遅延素子は、前記周波数可変発振器における1周期の位相差に対応する前記第1の遅延素子の数と前記遅延回路に含まれる第2の遅延素子の数との比率に相当する数(n)で前記周波数可変発振器の出力信号を(n)分周した後の分周信号が伝搬したときのそれぞれの前記第2の遅延素子による遅延時間後の分周信号を出力し、
前記調整信号は、前記分周信号の位相を制御する付記2、4から7のいずれかに記載の遅延回路。
(付記9)
前記電流源は、カレントミラー回路を構成する複数の電流供給制御素子と、前記電流供給制御素子の出力電流を前記調整素子に遮断可能に供給するスイッチと、を有する付記6から8のいずれかに記載の遅延回路。(7)
(付記10)
前記電流源は、定電圧源と、前記定電圧源に並列に接続される複数の抵抗素子と、前記複数の抵抗素子を通じた前記定電圧源からの電流を前記調整素子に遮断可能に供給するスイッチと、を有する付記6から8のいずれかに記載の遅延回路。(8)
(付記11)
前記調整素子は、前記電流源とグランド電位との間に設けられ前記電流源の負荷となる複数の容量素子と、前記複数の容量素子のそれぞれを前記電流源の負荷として遮断可能に接続するスイッチと、を有する付記6に記載の遅延回路。(9)
(付記12)
前記電流源は、前記スイッチの遮断と接続を制御するデジタル信号入力部をさらに有する付記9から11のいずれかに記載の遅延回路。
(付記13)
前記電流源は、定電圧源と、
前記定電圧源と前記調整素子との間で並列に設けられるべき複数の抵抗素子を接続する端子列と、を有する付記6から8のいずれかに記載の遅延回路。(10)
(付記14)
前記電流源は、前記抵抗素子を通じた前記定電圧源からの電流を前記調整素子に遮断可能に供給するスイッチをさらに有する付記13に記載の遅延回路。
(付記15)
前記調整素子は、前記電流源とグランド電位との間に設けられるべき前記電流源の負荷となる複数の容量素子を接続する端子列を有する付記6に記載の遅延回路。
(付記16)
前記調整素子は、前記端子列に接続された複数の容量素子のそれぞれを前記電流源の負荷として遮断可能に接続するスイッチをさらに有する付記15に記載の遅延回路。
3 電圧制御発信器
4 DLL回路
4A 遅延線路
5,6,7, 分周回路
8 遅延素子
9 インバータ回路
10 定電流回路
11 定電流源
31、32 CMOS回路
33 デジタル信号
51、52 抵抗
61、62 スイッチ
71、72 容量素子
100、101 NMOSトランジスタ
102、103、104、113、114 PMOSトランジスタ
Claims (10)
- 遅延時間制御信号によって信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される第1の遅延素子と前記信号の位相を反転する位相反転素子とを含む、そのような周波数可変発振器から前記遅延時間制御信号の供給を受ける第2の遅延素子と、
前記第2の遅延素子と直列に接続され、前記信号が伝搬する調整素子と、を備え、
前記第2の遅延素子と前記調整素子との合計の遅延時間が調整される遅延回路。 - 前記調整素子は、前記遅延時間制御信号とは異なる調整信号によって前記信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される請求項1に記載の遅延回路。
- 遅延時間制御信号によって信号の伝搬に伴う遅延時間を制御される第1の遅延素子と前記遅延時間制御信号を分流した分流信号により駆動され前記信号の位相を反転する位相反転素子とを含む、そのような周波数可変発振器から前記遅延時間制御信号の供給を受ける第2の遅延素子と、
前記第2の遅延素子に供給される遅延時間制御信号から前記分流信号と略同等の信号を分流することにより前記第2の遅延素子の遅延時間を調整する調整素子と、を備える遅延回路。 - 前記調整素子は、前記遅延時間制御信号とは異なる調整信号によって前記分流する信号量を制御される請求項3に記載の遅延回路。
- 前記調整素子の駆動電流を供給する電流源をさらに備え、
前記調整信号は、前記電流源から供給される駆動電流値を設定する請求項2または4に記載の遅延回路。 - 前記調整信号は、前記周波数可変発振器に含まれる前記第1の遅延素子の数に対する前記遅延回路に含まれる第2の遅延素子の数の比率に対応して、前記位相反転素子を駆動する電流値から決定される電流値を前記駆動電流値として設定する請求項5に記載の遅延回路。
- 前記電流源は、カレントミラー回路を構成する複数の電流供給制御素子と、前記電流供給制御素子の出力電流を前記調整素子に遮断可能に供給するスイッチと、を有する請求項5または6に記載の遅延回路。
- 前記電流源は、定電圧源と、前記定電圧源に並列に接続される複数の抵抗素子と、前記複数の抵抗素子を通じた前記定電圧源からの電流を前記調整素子に遮断可能に供給するスイッチと、を有する請求項5または6に記載の遅延回路。
- 前記調整素子は、前記電流源とグランド電位との間に設けられ前記電流源の負荷となる複数の容量素子と、前記複数の容量素子のそれぞれを前記電流源の負荷として遮断可能に接続するスイッチと、を有する請求項5に記載の遅延回路。
- 前記電流源は、定電圧源と、
前記定電圧源と前記調整素子との間で並列に設けられるべき複数の抵抗素子を接続する端子列と、を有する請求項5または6に記載の遅延回路。
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