JPH0888565A - 無抵抗器型の電圧制御発振器 - Google Patents
無抵抗器型の電圧制御発振器Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 抵抗器を利用せずに、周期的なCLOCK信
号を生成する電圧制御発振器VCOを提供する。 【解決手段】 このVCOは、特殊な抵抗器ベースの設
計制約を受けずに、半導体プロセスで製造されるデバイ
スに有利に内蔵できる。電流制御発振器74は、中間ノ
ードにおける電流を周期的なクロック信号VCO OU
Tに変換する。特に、差動段増幅器76は、第1リング
発振器78および第2リング発振器80の部分レール出
力(partial−rail output)を受け
る。第1および第2リング発振器78,80は交差結合
され、相補クロック信号を生成する。インバータ82の
入力は、差動段増幅器76のフル電圧レール出力を受け
る。インバータ82の出力は、VCO OUTを生成す
る。
号を生成する電圧制御発振器VCOを提供する。 【解決手段】 このVCOは、特殊な抵抗器ベースの設
計制約を受けずに、半導体プロセスで製造されるデバイ
スに有利に内蔵できる。電流制御発振器74は、中間ノ
ードにおける電流を周期的なクロック信号VCO OU
Tに変換する。特に、差動段増幅器76は、第1リング
発振器78および第2リング発振器80の部分レール出
力(partial−rail output)を受け
る。第1および第2リング発振器78,80は交差結合
され、相補クロック信号を生成する。インバータ82の
入力は、差動段増幅器76のフル電圧レール出力を受け
る。インバータ82の出力は、VCO OUTを生成す
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、デジタル制御
システムに関し、さらに詳しくは、電圧制御発振器に関
する。
システムに関し、さらに詳しくは、電圧制御発振器に関
する。
【0002】
【従来の技術】電圧制御発振器(VCO)は、入力電圧
に応答して周期的なクロック信号を生成するデバイスで
ある。VCOは、入力基準クロック信号とダイナミック
に位相・周波数比較されるクロック信号を生成するた
め、位相同期ループ(PLL)で多用される。一般に、
チャージ・ポンプの出力は、VCOに対する入力電圧を
生成する。
に応答して周期的なクロック信号を生成するデバイスで
ある。VCOは、入力基準クロック信号とダイナミック
に位相・周波数比較されるクロック信号を生成するた
め、位相同期ループ(PLL)で多用される。一般に、
チャージ・ポンプの出力は、VCOに対する入力電圧を
生成する。
【0003】既知の設計では、VCOおよびチャージ・
ポンプは、直列の抵抗器およびコンデンサを介して電圧
供給源に接続された共通ノードを介して接続される。チ
ャージ・ポンプは、PLLの位相および周波数比較に応
答してこの共通ノードに対して電流を供給(source)し、
沈める(sink)。抵抗器およびコンデンサは、それにより
この電流ソースおよびシンクを交流成分および直流成分
を有する電圧レベルに変換する。
ポンプは、直列の抵抗器およびコンデンサを介して電圧
供給源に接続された共通ノードを介して接続される。チ
ャージ・ポンプは、PLLの位相および周波数比較に応
答してこの共通ノードに対して電流を供給(source)し、
沈める(sink)。抵抗器およびコンデンサは、それにより
この電流ソースおよびシンクを交流成分および直流成分
を有する電圧レベルに変換する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】VCOはシリコン基板
上に作製され、データ・プロセッサ,組み込み型(embed
ded)コントローラ,デジタル信号プロセッサなどの他の
デバイスと集積される。残念ながら、半導体プロセス
は、抵抗器を高い精度(抵抗の値)または正確度(複数
のデバイス間の抵抗の再現性)で作製できない。従っ
て、既知のVCOを組み込むシステムは、特定のプロセ
スで可能な抵抗の範囲で動作するように設計しなければ
ならない。
上に作製され、データ・プロセッサ,組み込み型(embed
ded)コントローラ,デジタル信号プロセッサなどの他の
デバイスと集積される。残念ながら、半導体プロセス
は、抵抗器を高い精度(抵抗の値)または正確度(複数
のデバイス間の抵抗の再現性)で作製できない。従っ
て、既知のVCOを組み込むシステムは、特定のプロセ
スで可能な抵抗の範囲で動作するように設計しなければ
ならない。
【0005】
【実施例】図1は、本発明により構成された位相同期ル
ープ(以下「PLL」)10のブロック図を示す。PL
L10内の電圧制御発振器は、周期的なクロック信号を
生成し、この信号に対して入力REFERENCE C
LOCK信号はダイナミックに位相・周波数比較され
る。この電圧制御発振器は、抵抗器を必要としない。従
って、本電圧制御発振器は、特殊な抵抗器ベースの設計
制約なしに、半導体プロセスで作製されるデバイスに有
利に組み込むことができる。
ープ(以下「PLL」)10のブロック図を示す。PL
L10内の電圧制御発振器は、周期的なクロック信号を
生成し、この信号に対して入力REFERENCE C
LOCK信号はダイナミックに位相・周波数比較され
る。この電圧制御発振器は、抵抗器を必要としない。従
って、本電圧制御発振器は、特殊な抵抗器ベースの設計
制約なしに、半導体プロセスで作製されるデバイスに有
利に組み込むことができる。
【0006】図1において、PLL10は、直列に接続
された位相/周波数検出器12,チャージ・ポンプ14
および電圧制御発振器(以下「VCO」)16を有す
る。VCO16の出力(「VCO OUT」と記され
る)は、第1の2:1マルチプレクサ(「MUX」と記
される)18の第1入力と、第2の2:1マルチプレク
サ(「MUX」と記される)20の第1入力とに接続さ
れる。第1マルチプレクサ18の第2入力および第2マ
ルチプレクサ20の第2入力はともに、ここではグラン
ドである一定の電圧レベルを受ける。第1マルチプレク
サ18の出力は、常にVCO OUTを通す。第2マル
チプレクサ20の出力は、以下で説明するように、チッ
プ・オンボード・プロセッサ(chip onboard processor)
(以下「COP」)22によって出力される制御信号E
NABLE DISTRIBUTION NETWOR
Kに応答して、その出力のうち1つを通す。
された位相/周波数検出器12,チャージ・ポンプ14
および電圧制御発振器(以下「VCO」)16を有す
る。VCO16の出力(「VCO OUT」と記され
る)は、第1の2:1マルチプレクサ(「MUX」と記
される)18の第1入力と、第2の2:1マルチプレク
サ(「MUX」と記される)20の第1入力とに接続さ
れる。第1マルチプレクサ18の第2入力および第2マ
ルチプレクサ20の第2入力はともに、ここではグラン
ドである一定の電圧レベルを受ける。第1マルチプレク
サ18の出力は、常にVCO OUTを通す。第2マル
チプレクサ20の出力は、以下で説明するように、チッ
プ・オンボード・プロセッサ(chip onboard processor)
(以下「COP」)22によって出力される制御信号E
NABLE DISTRIBUTION NETWOR
Kに応答して、その出力のうち1つを通す。
【0007】第1マルチプレクサ18の出力は、遅延整
合回路網(delay matching network)24の入力に与えら
れる。遅延整合回路網24の出力(「CLOCK1」と
記される)は、スイッチングおよび分周論理ユニット2
6の第1入力に接続される。第2マルチプレクサ20の
出力は、分配回路網(distribution network)28の入力
に与えられる。分配回路網28の出力(「CLOCK
2」と記される)は、スイッチングおよび分周論理ユニ
ット26の第2入力に接続される。スイッチングおよび
分周論理ユニット26は、その出力(「FEEDBAC
K CLOCK」と記される)を位相/周波数検出器1
2に接続して、PLL10における1つのフィードバッ
ク経路を閉じる。スイッチングおよび分周論理ユニット
26は、COP22によって出力される制御信号SEL
ECT PATHに応答して2つの入力のうち1つを選
択する。スイッチングおよび分周論理ユニット26は、
分周機能も実行し、CLOCK1:REFERENCE
CLOCKまたはCLOCK2:REFERENCE
CLOCKのさまざまな比率を生成する。
合回路網(delay matching network)24の入力に与えら
れる。遅延整合回路網24の出力(「CLOCK1」と
記される)は、スイッチングおよび分周論理ユニット2
6の第1入力に接続される。第2マルチプレクサ20の
出力は、分配回路網(distribution network)28の入力
に与えられる。分配回路網28の出力(「CLOCK
2」と記される)は、スイッチングおよび分周論理ユニ
ット26の第2入力に接続される。スイッチングおよび
分周論理ユニット26は、その出力(「FEEDBAC
K CLOCK」と記される)を位相/周波数検出器1
2に接続して、PLL10における1つのフィードバッ
ク経路を閉じる。スイッチングおよび分周論理ユニット
26は、COP22によって出力される制御信号SEL
ECT PATHに応答して2つの入力のうち1つを選
択する。スイッチングおよび分周論理ユニット26は、
分周機能も実行し、CLOCK1:REFERENCE
CLOCKまたはCLOCK2:REFERENCE
CLOCKのさまざまな比率を生成する。
【0008】次に、一般動作について説明する。PLL
10は、入力信号REFERENCE CLOCKに対
して所定の位相・周波数関係を有する出力クロック信号
CLOCK2を生成する。特に、PLL10は、出力ク
ロック信号の位相および周波数をダイナミックに調整し
て、基準クロック信号の位相および周波数を整合させ、
あるいは出力クロック信号の位相および周波数を調整し
て、基準クロック信号の倍数の位相および周波数を整合
させる。
10は、入力信号REFERENCE CLOCKに対
して所定の位相・周波数関係を有する出力クロック信号
CLOCK2を生成する。特に、PLL10は、出力ク
ロック信号の位相および周波数をダイナミックに調整し
て、基準クロック信号の位相および周波数を整合させ、
あるいは出力クロック信号の位相および周波数を調整し
て、基準クロック信号の倍数の位相および周波数を整合
させる。
【0009】位相/周波数検出器12は、2つのクロッ
ク信号を受け、反転アップおよびDOWN制御信号を生
成する。FEEDBACK CLOCKの立ち下がりが
REFERENCE CLOCKの立ち下がりより後に
生じる場合、位相/周波数検出器12はチャージ・ポン
プ14へ制御信号反転UPをアサートする。インバータ
30は、制御信号反転UPをVCO16に入力する前に
その極性を反転する。逆に、FEEDBACK CLO
CKの立ち下がりがREFERENCE CLOCKの
立ち下がりよりも前に生じると、位相/周波数検出器1
2は、チャージ・ポンプ14へ制御信号DOWNをアサ
ートする。インバータ31は、制御信号DOWNをVC
O16に入力する前にその極性を反転する。
ク信号を受け、反転アップおよびDOWN制御信号を生
成する。FEEDBACK CLOCKの立ち下がりが
REFERENCE CLOCKの立ち下がりより後に
生じる場合、位相/周波数検出器12はチャージ・ポン
プ14へ制御信号反転UPをアサートする。インバータ
30は、制御信号反転UPをVCO16に入力する前に
その極性を反転する。逆に、FEEDBACK CLO
CKの立ち下がりがREFERENCE CLOCKの
立ち下がりよりも前に生じると、位相/周波数検出器1
2は、チャージ・ポンプ14へ制御信号DOWNをアサ
ートする。インバータ31は、制御信号DOWNをVC
O16に入力する前にその極性を反転する。
【0010】チャージ・ポンプ14は、位相/周波数検
出器12の出力信号反転UPおよびDOWNに応答し
て、ノード(CP OUT)を充電または放電する。電
流をノードに供給することによって反転UP制御信号が
アサートされると、チャージ・ポンプ14はノードを充
電する。ノードから電流を沈めることによりDOWN制
御信号がアサートされると、チャージ・ポンプ14はノ
ードを放電する。本発明の1実施例は、プログラム可能
なポンプ電流を有するチャージ・ポンプ14を内蔵す
る。ポンプ電流とは、上記のノードを充電または放電す
る電流である。可変電流により、チャージ・ポンプ14
は、スイッチングおよび分周論理ユニット26の分周設
定範囲で一貫して動作する。1993年6月2日に出願
され、本明細書に参考として含まれる米国特許出願第0
8/070,186号 "A Charge Pump with a Program
mable Pump Current and System"は、PLL10に内蔵
できるチャージ・ポンプについて説明する。
出器12の出力信号反転UPおよびDOWNに応答し
て、ノード(CP OUT)を充電または放電する。電
流をノードに供給することによって反転UP制御信号が
アサートされると、チャージ・ポンプ14はノードを充
電する。ノードから電流を沈めることによりDOWN制
御信号がアサートされると、チャージ・ポンプ14はノ
ードを放電する。本発明の1実施例は、プログラム可能
なポンプ電流を有するチャージ・ポンプ14を内蔵す
る。ポンプ電流とは、上記のノードを充電または放電す
る電流である。可変電流により、チャージ・ポンプ14
は、スイッチングおよび分周論理ユニット26の分周設
定範囲で一貫して動作する。1993年6月2日に出願
され、本明細書に参考として含まれる米国特許出願第0
8/070,186号 "A Charge Pump with a Program
mable Pump Current and System"は、PLL10に内蔵
できるチャージ・ポンプについて説明する。
【0011】VCO16は、チャージ・ポンプ14のノ
ード上に存在する電圧と、制御信号UPおよび反転DO
WNに応答して、周期的なクロック信号VCO OUT
を生成する。VCO16については、図2および図3で
説明する。
ード上に存在する電圧と、制御信号UPおよび反転DO
WNに応答して、周期的なクロック信号VCO OUT
を生成する。VCO16については、図2および図3で
説明する。
【0012】クロック信号VCO OUTは、分配回路
網28によってPLL10を内蔵するかあるいは利用す
る回路のすべてのクロックド・ラッチ(clocked latch)
に分配される。図示の実施例では、PLL10はRIS
C(reduced instruction setcomputing) データ・プロ
セッサ(図示せず)に内蔵される。このデータ・プロセ
ッサにおける約7000個のクロックド・ラッチは、ス
イッチングおよび分周論理ユニット26の300個のイ
ンスタンス(instance)を介してCLOCK2を受ける。
2つのインバータ32,34は、分散抵抗およびキャパ
シタンス(「RC」)36として示される「Hツリー(H
-tree)」を介してVCO OUTを送出する前に、第2
マルチプレクサ20の出力をバッファする。Hツリー
は、文字のHの形に形成された一般に左右対称の導電回
路網である。CLOCK2は、Hの横棒の中央に入力さ
れ、スイッチングおよび分周論理ユニット26のすべて
の300個のインスタンスに向けて外側に均等に伝搬す
る。Hの4つのアームのそれぞれは、より小さいH回路
網を有する。これら4つの小さいHのそれぞれは、4つ
のコーナーで4つのさらに小さいHを有する。図示の実
施例におけるHツリーは、約300個の「リーブ(leav
e) 」を含む。各リーブは、スイッチングおよび分周論
理ユニット26に接続される(1つのみを図示)。位相
/周波数検出器12に物理的に近接するこれらの分周論
理ユニットの1つは、遅延整合回路網24の出力も受け
る。他方のスイッチングおよび分周論理ユニット26
は、CLOCK1の代わりに定電圧レベルを受ける。
網28によってPLL10を内蔵するかあるいは利用す
る回路のすべてのクロックド・ラッチ(clocked latch)
に分配される。図示の実施例では、PLL10はRIS
C(reduced instruction setcomputing) データ・プロ
セッサ(図示せず)に内蔵される。このデータ・プロセ
ッサにおける約7000個のクロックド・ラッチは、ス
イッチングおよび分周論理ユニット26の300個のイ
ンスタンス(instance)を介してCLOCK2を受ける。
2つのインバータ32,34は、分散抵抗およびキャパ
シタンス(「RC」)36として示される「Hツリー(H
-tree)」を介してVCO OUTを送出する前に、第2
マルチプレクサ20の出力をバッファする。Hツリー
は、文字のHの形に形成された一般に左右対称の導電回
路網である。CLOCK2は、Hの横棒の中央に入力さ
れ、スイッチングおよび分周論理ユニット26のすべて
の300個のインスタンスに向けて外側に均等に伝搬す
る。Hの4つのアームのそれぞれは、より小さいH回路
網を有する。これら4つの小さいHのそれぞれは、4つ
のコーナーで4つのさらに小さいHを有する。図示の実
施例におけるHツリーは、約300個の「リーブ(leav
e) 」を含む。各リーブは、スイッチングおよび分周論
理ユニット26に接続される(1つのみを図示)。位相
/周波数検出器12に物理的に近接するこれらの分周論
理ユニットの1つは、遅延整合回路網24の出力も受け
る。他方のスイッチングおよび分周論理ユニット26
は、CLOCK1の代わりに定電圧レベルを受ける。
【0013】クロック信号VCO OUTも、遅延整合
回路網24によってスイッチングおよび分周論理ユニッ
ト26に「分配」される。2つのインバータ38,40
は、VCO OUTを分配RC42を介して送出する前
に、遅延整合回路網24において第1マルチプレクサ1
8の出力をバッファする。以下で説明するように、遅延
整合回路網は、分配回路網28によって生じる伝搬遅延
に等しい量だけ、VCO OUTの伝搬を遅延させる。
しかし、インバータ38,40は、インバータ32,3
4より一桁小さい。従って、遅延整合回路網24のみが
イネーブルされたときのPLL10の電力条件は、両方
の回路網がイネーブルされたときに比べて約一桁小さ
い。
回路網24によってスイッチングおよび分周論理ユニッ
ト26に「分配」される。2つのインバータ38,40
は、VCO OUTを分配RC42を介して送出する前
に、遅延整合回路網24において第1マルチプレクサ1
8の出力をバッファする。以下で説明するように、遅延
整合回路網は、分配回路網28によって生じる伝搬遅延
に等しい量だけ、VCO OUTの伝搬を遅延させる。
しかし、インバータ38,40は、インバータ32,3
4より一桁小さい。従って、遅延整合回路網24のみが
イネーブルされたときのPLL10の電力条件は、両方
の回路網がイネーブルされたときに比べて約一桁小さ
い。
【0014】次に、無抵抗器型の電圧制御発振器(resis
torless voltage controlled oscillator)について説明
する。図2は、図1に示すVCOの第1実施例(以下
「第1VCO」)の概略図を示す。コンデンサ44の第
1端子は、チャージ・ポンプ14の出力ノードCP O
UTに接続される。コンデンサ44の第2端子は、第1
電圧供給であるグランドを受ける。(コンデンサ44
は、VCO16の一部であるとみなされない場合が多
い。)ノードCP OUTは、nチャネル・トランジス
タ46の制御電極にも接続される。トランジスタ46の
第1電流電極は、第1電圧供給であるグランドを受け
る。第2電流電極は、中間ノードに接続される。小さい
nチャネル・トランジスタ48の第1電流電極は、中間
ノードに接続される。トランジスタ48の第2電流電極
は、第1電圧供給であるグランドを受ける。トランジス
タ48の制御電極は、第2電圧供給であるVDDを受け
る。電流ソース回路(current sourcing circuit)50
は、インバータ31を介して位相/周波数検出器12に
よって出力された制御信号反転DOWNに応答して、電
流を中間ノードに供給する。特に、定電流源52の第1
端子は、第1電圧供給であるグランドを受ける。定電流
源52の第2端子は、pチャネル・トランジスタ54の
第1電流電極と制御電極とに接続される。トランジスタ
54の第2電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受け
る。トランジスタ54の制御電極は、pチャネル・トラ
ンジスタ56の制御電極にも接続される。トランジスタ
56の第1電流電極は、中間ノードに接続される。トラ
ンジスタ56の第2電流電極は、pチャネル・トランジ
スタ58の第1電流電極に接続される。トランジスタ5
8の第2電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受け
る。トランジスタ58の制御電極は、制御信号反転DO
WNを受ける。最後に、コンデンサ60の第1端子は、
第2電圧供給であるVDDを受ける。コンデンサ60の第
2端子は、トランジスタ54,56の制御電極に接続さ
れる。
torless voltage controlled oscillator)について説明
する。図2は、図1に示すVCOの第1実施例(以下
「第1VCO」)の概略図を示す。コンデンサ44の第
1端子は、チャージ・ポンプ14の出力ノードCP O
UTに接続される。コンデンサ44の第2端子は、第1
電圧供給であるグランドを受ける。(コンデンサ44
は、VCO16の一部であるとみなされない場合が多
い。)ノードCP OUTは、nチャネル・トランジス
タ46の制御電極にも接続される。トランジスタ46の
第1電流電極は、第1電圧供給であるグランドを受け
る。第2電流電極は、中間ノードに接続される。小さい
nチャネル・トランジスタ48の第1電流電極は、中間
ノードに接続される。トランジスタ48の第2電流電極
は、第1電圧供給であるグランドを受ける。トランジス
タ48の制御電極は、第2電圧供給であるVDDを受け
る。電流ソース回路(current sourcing circuit)50
は、インバータ31を介して位相/周波数検出器12に
よって出力された制御信号反転DOWNに応答して、電
流を中間ノードに供給する。特に、定電流源52の第1
端子は、第1電圧供給であるグランドを受ける。定電流
源52の第2端子は、pチャネル・トランジスタ54の
第1電流電極と制御電極とに接続される。トランジスタ
54の第2電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受け
る。トランジスタ54の制御電極は、pチャネル・トラ
ンジスタ56の制御電極にも接続される。トランジスタ
56の第1電流電極は、中間ノードに接続される。トラ
ンジスタ56の第2電流電極は、pチャネル・トランジ
スタ58の第1電流電極に接続される。トランジスタ5
8の第2電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受け
る。トランジスタ58の制御電極は、制御信号反転DO
WNを受ける。最後に、コンデンサ60の第1端子は、
第2電圧供給であるVDDを受ける。コンデンサ60の第
2端子は、トランジスタ54,56の制御電極に接続さ
れる。
【0015】電流シンク回路(current sinking circui
t) 62は、インバータ30を介して位相/周波数検出
器12によって出力された制御信号UPに応答して、電
流を中間ノードから沈める。特に、定電流源64の第1
端子は、第2電圧供給であるVDDを受ける。定電流源6
4の第2端子は、nチャネル・トランジスタ66の第1
電流電極と制御電極とに接続される。トランジスタ66
の制御電極は、第1電圧供給であるグランドを受ける。
トランジスタ66の制御電極は、nチャネル・トランジ
スタ68の制御電極にも接続される。トランジスタ68
の第1電流電極は、中間ノードに接続される。トランジ
スタ68の第2電流電極は、nチャネル・トランジスタ
70の第1電流電極に接続される。トランジスタ70の
第2電流電極は、第1電圧供給であるグランドを受け
る。トランジスタ70の制御電極は、制御信号UPを受
ける。最後に、コンデンサ72の第1端子は、第1電圧
供給であるグランドを受ける。コンデンサ72の第2端
子は、トランジスタ66,68の制御電極に接続され
る。
t) 62は、インバータ30を介して位相/周波数検出
器12によって出力された制御信号UPに応答して、電
流を中間ノードから沈める。特に、定電流源64の第1
端子は、第2電圧供給であるVDDを受ける。定電流源6
4の第2端子は、nチャネル・トランジスタ66の第1
電流電極と制御電極とに接続される。トランジスタ66
の制御電極は、第1電圧供給であるグランドを受ける。
トランジスタ66の制御電極は、nチャネル・トランジ
スタ68の制御電極にも接続される。トランジスタ68
の第1電流電極は、中間ノードに接続される。トランジ
スタ68の第2電流電極は、nチャネル・トランジスタ
70の第1電流電極に接続される。トランジスタ70の
第2電流電極は、第1電圧供給であるグランドを受け
る。トランジスタ70の制御電極は、制御信号UPを受
ける。最後に、コンデンサ72の第1端子は、第1電圧
供給であるグランドを受ける。コンデンサ72の第2端
子は、トランジスタ66,68の制御電極に接続され
る。
【0016】中間ノードは、電流制御発振器74に接続
される。電流制御発振器74は、中間ノードにおける電
流を周期的なクロック信号VCO OUTに変換する。
特に、差動段増幅器76は、第1リング発振器78およ
び第2リング発振器80の部分レール出力(partial-rai
l output) を受ける。第1および第2リング発振器7
8,80は交差結合され、相補クロック信号を生成す
る。インバータ82の入力は、差動段増幅器76のフル
電圧レール出力を受ける。インバータ82の出力は、V
CO OUTを生成する。
される。電流制御発振器74は、中間ノードにおける電
流を周期的なクロック信号VCO OUTに変換する。
特に、差動段増幅器76は、第1リング発振器78およ
び第2リング発振器80の部分レール出力(partial-rai
l output) を受ける。第1および第2リング発振器7
8,80は交差結合され、相補クロック信号を生成す
る。インバータ82の入力は、差動段増幅器76のフル
電圧レール出力を受ける。インバータ82の出力は、V
CO OUTを生成する。
【0017】差動段増幅器76について、pチャネル・
トランジスタ84の第1電流電極は、第2電圧供給であ
るVDDを受ける。トランジスタ84の第2電流電極は、
nチャネル・トランジスタ86の第1電流電極と制御電
極とに接続される。トランジスタ86の第2電流電極
は、第1電圧供給であるグランドを受ける。トランジス
タ86の制御電極は、nチャネル・トランジスタ88の
制御電極にも接続される。トランジスタ88の第1電流
電極は、インバータ82の入力と、pチャネル・トラン
ジスタ90の第1電流電極とに接続される。トランジス
タ88の第2電流電極は、第1電圧供給であるグランド
を受ける。トランジスタ90の第2電流電極は、第2電
圧供給であるVDDを受ける。
トランジスタ84の第1電流電極は、第2電圧供給であ
るVDDを受ける。トランジスタ84の第2電流電極は、
nチャネル・トランジスタ86の第1電流電極と制御電
極とに接続される。トランジスタ86の第2電流電極
は、第1電圧供給であるグランドを受ける。トランジス
タ86の制御電極は、nチャネル・トランジスタ88の
制御電極にも接続される。トランジスタ88の第1電流
電極は、インバータ82の入力と、pチャネル・トラン
ジスタ90の第1電流電極とに接続される。トランジス
タ88の第2電流電極は、第1電圧供給であるグランド
を受ける。トランジスタ90の第2電流電極は、第2電
圧供給であるVDDを受ける。
【0018】第1リング発振器78について、pチャネ
ル・トランジスタ92およびnチャネル・トランジスタ
94は、奇数個の直列接続されたインバータ段の第1イ
ンバータを形成する。トランジスタ92の第1電流電極
は、第2電圧供給であるVDDを受ける。トランジスタ9
2の第2電流電極は、トランジスタ94の第1電流電極
に接続される。トランジスタ94の第2電流電極は、中
間ノードに存在する電圧を受ける。トランジスタ92の
第2電流電極およびトランジスタ94の第1電流電極
は、pチャネル・トランジスタ96およびnチャネル・
トランジスタ98の制御電極に接続される。トランジス
タ96およびトランジスタ98は、第2インバータを形
成する。トランジスタ96の第1電流電極は、第2電圧
供給であるVDDを受ける。トランジスタ96の第2電流
源は、トランジスタ98の第1電流電極に接続される。
トランジスタ98の第2電流電極は、中間ノードに存在
する電圧を受ける。トランジスタ96の第2電流電極お
よびトランジスタ98の第1電流電極は、pチャネル・
トランジスタ100およびnチャネル・トランジスタ1
02の制御電極に接続される。トランジスタ100およ
びトランジスタ102は、第3インバータを形成する。
トランジスタ100の第1電流電極は、第2電圧供給で
あるVDDを受ける。トランジスタ100の第2電流源
は、トランジスタ102の第1電流電極に接続される。
トランジスタ102の第2電流電極は、中間ノードに存
在する電圧を受ける。トランジスタ100の第2電流電
極およびトランジスタ102の第1電流電極は、トラン
ジスタ92,94,90(差動段増幅器76)の制御電
極に接続される。
ル・トランジスタ92およびnチャネル・トランジスタ
94は、奇数個の直列接続されたインバータ段の第1イ
ンバータを形成する。トランジスタ92の第1電流電極
は、第2電圧供給であるVDDを受ける。トランジスタ9
2の第2電流電極は、トランジスタ94の第1電流電極
に接続される。トランジスタ94の第2電流電極は、中
間ノードに存在する電圧を受ける。トランジスタ92の
第2電流電極およびトランジスタ94の第1電流電極
は、pチャネル・トランジスタ96およびnチャネル・
トランジスタ98の制御電極に接続される。トランジス
タ96およびトランジスタ98は、第2インバータを形
成する。トランジスタ96の第1電流電極は、第2電圧
供給であるVDDを受ける。トランジスタ96の第2電流
源は、トランジスタ98の第1電流電極に接続される。
トランジスタ98の第2電流電極は、中間ノードに存在
する電圧を受ける。トランジスタ96の第2電流電極お
よびトランジスタ98の第1電流電極は、pチャネル・
トランジスタ100およびnチャネル・トランジスタ1
02の制御電極に接続される。トランジスタ100およ
びトランジスタ102は、第3インバータを形成する。
トランジスタ100の第1電流電極は、第2電圧供給で
あるVDDを受ける。トランジスタ100の第2電流源
は、トランジスタ102の第1電流電極に接続される。
トランジスタ102の第2電流電極は、中間ノードに存
在する電圧を受ける。トランジスタ100の第2電流電
極およびトランジスタ102の第1電流電極は、トラン
ジスタ92,94,90(差動段増幅器76)の制御電
極に接続される。
【0019】第2リング発振器80について、pチャネ
ル・トランジスタ104およびnチャネル・トランジス
タ106は、奇数個の直列に接続されたインバータ段の
第1インバータを形成する。トランジスタ104の第1
電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受ける。トラン
ジスタ104の第2電流電極は、トランジスタ106の
第1電流電極に接続される。トランジスタ106の第2
電流電極は、中間ノードに存在する電圧を受ける。トラ
ンジスタ104の第2電流電極およびトランジスタ10
6の第1電流電極は、pチャネル・トランジスタ108
およびnチャネル・トランジスタ110の制御電極に接
続される。トランジスタ108およびトランジスタ11
0は、第2インバータを形成する。トランジスタ108
の第1電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受ける。
トランジスタ108の第2電流電極は、トランジスタ1
10の第1電流電極に接続される。トランジスタ110
の第2電流電極は、中間ノードに存在する電圧を受け
る。トランジスタ108の第2電流電極およびトランジ
スタ110の第1電流電極は、pチャネル・トランジス
タ112およびnチャネル・トランジスタ114の制御
電極に接続される。トランジスタ112およびトランジ
スタ114は、第3インバータを形成する。トランジス
タ112の第1電流電極は、第2電圧供給であるVDDを
受ける。トランジスタ112の第2電流電極は、トラン
ジスタ114の第1電流電極に接続される。トランジス
タ114の第2電流電極は、中間ノードに存在する電圧
を受ける。トランジスタ112の第2電流電極およびト
ランジスタ114の第1電流電極は、トランジスタ10
4,106,84(差動段増幅器76)の制御電極に接
続される。
ル・トランジスタ104およびnチャネル・トランジス
タ106は、奇数個の直列に接続されたインバータ段の
第1インバータを形成する。トランジスタ104の第1
電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受ける。トラン
ジスタ104の第2電流電極は、トランジスタ106の
第1電流電極に接続される。トランジスタ106の第2
電流電極は、中間ノードに存在する電圧を受ける。トラ
ンジスタ104の第2電流電極およびトランジスタ10
6の第1電流電極は、pチャネル・トランジスタ108
およびnチャネル・トランジスタ110の制御電極に接
続される。トランジスタ108およびトランジスタ11
0は、第2インバータを形成する。トランジスタ108
の第1電流電極は、第2電圧供給であるVDDを受ける。
トランジスタ108の第2電流電極は、トランジスタ1
10の第1電流電極に接続される。トランジスタ110
の第2電流電極は、中間ノードに存在する電圧を受け
る。トランジスタ108の第2電流電極およびトランジ
スタ110の第1電流電極は、pチャネル・トランジス
タ112およびnチャネル・トランジスタ114の制御
電極に接続される。トランジスタ112およびトランジ
スタ114は、第3インバータを形成する。トランジス
タ112の第1電流電極は、第2電圧供給であるVDDを
受ける。トランジスタ112の第2電流電極は、トラン
ジスタ114の第1電流電極に接続される。トランジス
タ114の第2電流電極は、中間ノードに存在する電圧
を受ける。トランジスタ112の第2電流電極およびト
ランジスタ114の第1電流電極は、トランジスタ10
4,106,84(差動段増幅器76)の制御電極に接
続される。
【0020】2つのpチャネル・トランジスタ116,
118は、第1リング発振器78および第2リング発振
器80の出力が互いに180゜位相がずれることを保証
する。特に、トランジスタ116の第1電流電極は、ト
ランジスタ100の第2電流電極と、トランジスタ10
2の第1電流電極とに接続される。トランジスタ116
の第2電流電極は、トランジスタ108の第2電流電極
と、トランジスタ110の第1電流電極とに接続され
る。トランジスタ116の制御電極は、第1電圧供給で
あるグランドを受ける。トランジスタ118の第1電流
電極は、トランジスタ112の第2電流電極と、トラン
ジスタ114の第1電流電極とに接続される。トランジ
スタ118の第2電流電極は、トランジスタ96の第2
電流電極と、トランジスタ98の第1電流電極とに接続
される。トランジスタ118の制御電極は、第1電圧供
給であるグランドを受ける。
118は、第1リング発振器78および第2リング発振
器80の出力が互いに180゜位相がずれることを保証
する。特に、トランジスタ116の第1電流電極は、ト
ランジスタ100の第2電流電極と、トランジスタ10
2の第1電流電極とに接続される。トランジスタ116
の第2電流電極は、トランジスタ108の第2電流電極
と、トランジスタ110の第1電流電極とに接続され
る。トランジスタ116の制御電極は、第1電圧供給で
あるグランドを受ける。トランジスタ118の第1電流
電極は、トランジスタ112の第2電流電極と、トラン
ジスタ114の第1電流電極とに接続される。トランジ
スタ118の第2電流電極は、トランジスタ96の第2
電流電極と、トランジスタ98の第1電流電極とに接続
される。トランジスタ118の制御電極は、第1電圧供
給であるグランドを受ける。
【0021】動作中、チャージ・ポンプ14は、位相/
周波数検出器12の出力制御信号に応答して、CP O
UTにおいて電流を供給し、沈める。コンデンサ44
は、この信号の交流(「AC」)成分を除去し、トラン
ジスタ46の制御電極で電圧を生成する。この電圧は、
コンデンサ44の比較的大きなサイズのため、時間の関
数として徐々に変化する。トランジスタ46は、この直
流(「DC」)電圧を中間ノードに電流として送る。C
P OUTにおけるこのDC成分電圧により、電流制御
発振器74は、第1リング発振器78および第2リング
発振器80の電圧供給レール両端の電圧差を制御するこ
とにより、VCO OUTの周波数を調整する。一般
に、第1リング発振器78および第2リング発振器80
の両端の電圧差が大きければ、それぞれの発振率(rate
of oscillation) も大きくなる。電流ソース回路50お
よび電流シンク回路62は、位相/周波数検出器12の
出力の交流(「AC」)電圧成分を中間ノードに直接送
出する。これらの小さな電流変化により、電流制御発振
器74は、短い時間期間の間だけ、VCO OUTの周
波数を変化させ、それによりVCO OUTの位相を変
更する。
周波数検出器12の出力制御信号に応答して、CP O
UTにおいて電流を供給し、沈める。コンデンサ44
は、この信号の交流(「AC」)成分を除去し、トラン
ジスタ46の制御電極で電圧を生成する。この電圧は、
コンデンサ44の比較的大きなサイズのため、時間の関
数として徐々に変化する。トランジスタ46は、この直
流(「DC」)電圧を中間ノードに電流として送る。C
P OUTにおけるこのDC成分電圧により、電流制御
発振器74は、第1リング発振器78および第2リング
発振器80の電圧供給レール両端の電圧差を制御するこ
とにより、VCO OUTの周波数を調整する。一般
に、第1リング発振器78および第2リング発振器80
の両端の電圧差が大きければ、それぞれの発振率(rate
of oscillation) も大きくなる。電流ソース回路50お
よび電流シンク回路62は、位相/周波数検出器12の
出力の交流(「AC」)電圧成分を中間ノードに直接送
出する。これらの小さな電流変化により、電流制御発振
器74は、短い時間期間の間だけ、VCO OUTの周
波数を変化させ、それによりVCO OUTの位相を変
更する。
【0022】図3は、図1に示すVCO16の第2実施
例(以下「第2VCO」)の概略図を示す。第2VCO
16は、いくつかの例外を除いて、第1VCO16と同
一である。特に、電流ソース回路120は、制御信号反
転DOWNとCP OUTにおける電圧とに応答して、
電流を中間ノードに供給する。同様に、電流シンク回路
122は、制御信号UPとCP OUTにおける電圧と
に応答して、中間ノードから電流を沈める。電流ソース
回路120,プロセス補償型電流シンク回路122およ
び電流制御発振器74の組み合わせによって生成された
位相補正は、製造プロセスによって生じるばらつきの影
響を比較的受けにくい。
例(以下「第2VCO」)の概略図を示す。第2VCO
16は、いくつかの例外を除いて、第1VCO16と同
一である。特に、電流ソース回路120は、制御信号反
転DOWNとCP OUTにおける電圧とに応答して、
電流を中間ノードに供給する。同様に、電流シンク回路
122は、制御信号UPとCP OUTにおける電圧と
に応答して、中間ノードから電流を沈める。電流ソース
回路120,プロセス補償型電流シンク回路122およ
び電流制御発振器74の組み合わせによって生成された
位相補正は、製造プロセスによって生じるばらつきの影
響を比較的受けにくい。
【0023】電流ソース回路120について、nチャネ
ル・トランジスタ124の第1電流電極は、第1電圧供
給であるグランドを受ける。トランジスタ124の第2
電流電極は、トランジスタ54の第1電流電極と制御電
極とに接続される。トランジスタ124の制御電極は、
CP OUTに接続される。定電流源52は必要ない。
ル・トランジスタ124の第1電流電極は、第1電圧供
給であるグランドを受ける。トランジスタ124の第2
電流電極は、トランジスタ54の第1電流電極と制御電
極とに接続される。トランジスタ124の制御電極は、
CP OUTに接続される。定電流源52は必要ない。
【0024】電流シンク回路122について、トランジ
スタ68の制御電極は、CP OUTに直接接続され
る。定電流源64またはトランジスタ66は必要ない。
スタ68の制御電極は、CP OUTに直接接続され
る。定電流源64またはトランジスタ66は必要ない。
【0025】第2VCO16の動作は、第1VCO16
と実質的に同様である。第2VCO16では、電流ソー
ス回路120および電流シンク回路122は、定電流発
生器を利用しない。その代わりに、これらの回路はCP
OUTにおける電圧を「電流発生器」として利用す
る。この電圧は、チャージ・ポンプ14の出力の関数と
して、およびPLL10を製造する際に用いられる製造
プロセスの関数として変化する。後者の差は、ある程度
制御不可能である。
と実質的に同様である。第2VCO16では、電流ソー
ス回路120および電流シンク回路122は、定電流発
生器を利用しない。その代わりに、これらの回路はCP
OUTにおける電圧を「電流発生器」として利用す
る。この電圧は、チャージ・ポンプ14の出力の関数と
して、およびPLL10を製造する際に用いられる製造
プロセスの関数として変化する。後者の差は、ある程度
制御不可能である。
【0026】第2VCO16を製造するために用いられ
る製造プロセスは、ある範囲の利得を有するVCOを作
る。例えば、VCOのあるロットでは、平均より「高
速」なトランジスタが得られることがある。高速トラン
ジスタは、電流制御発振器16の利得を増加する、すな
わち、中間ノードにおける平均より小さい入力電圧、ま
たはCP OUTにおける平均より大きい入力電圧は、
電流制御発振器74から特定の応答を生成する。逆に、
VCOの別のロットでは、平均よりも「低速な」トラン
ジスタが得られることがある。低速トランジスタは、電
流制御発振器16の利得を低下させる、すなわち、中間
ノードにおける平均より大きい入力電圧、またはCP
OUTにおける平均より小さい入力電圧は、電流制御発
振器74から特定の応答を生成する。
る製造プロセスは、ある範囲の利得を有するVCOを作
る。例えば、VCOのあるロットでは、平均より「高
速」なトランジスタが得られることがある。高速トラン
ジスタは、電流制御発振器16の利得を増加する、すな
わち、中間ノードにおける平均より小さい入力電圧、ま
たはCP OUTにおける平均より大きい入力電圧は、
電流制御発振器74から特定の応答を生成する。逆に、
VCOの別のロットでは、平均よりも「低速な」トラン
ジスタが得られることがある。低速トランジスタは、電
流制御発振器16の利得を低下させる、すなわち、中間
ノードにおける平均より大きい入力電圧、またはCP
OUTにおける平均より小さい入力電圧は、電流制御発
振器74から特定の応答を生成する。
【0027】第2VCO16の性能は、製造ばらつき(m
anufacturing variations)の範囲においてより一貫性が
ある。「高速プロセス」の場合、CP OUTにおける
予想より高い電圧により、電流ソース回路120および
電流シンク回路122は、特定の位相調整についてより
多くの電流を供給し、沈める。「低速プロセス」の場
合、CP OUTにおける予想より低い電圧により、電
流ソース回路120および電流シンク回路122は、特
定の位相調整について少ない電流を供給し、沈める。い
ずれの場合においても、電流ソース回路120および電
流シンク回路122の位相調整特性は、電流制御発振器
74の利得をより緊密に追跡する。従って、第2VCO
16は、今日の半導体プロセスにあり得る製造ばらつき
の影響を受けにくい。第2VCO16は、複数のVCO
からなり、かつ各VCOが同じように挙動することが重
要なシステムに内蔵できる。マルチプロセッサ(「M
P」)データ処理システムは、かかるシステムの一例で
ある。
anufacturing variations)の範囲においてより一貫性が
ある。「高速プロセス」の場合、CP OUTにおける
予想より高い電圧により、電流ソース回路120および
電流シンク回路122は、特定の位相調整についてより
多くの電流を供給し、沈める。「低速プロセス」の場
合、CP OUTにおける予想より低い電圧により、電
流ソース回路120および電流シンク回路122は、特
定の位相調整について少ない電流を供給し、沈める。い
ずれの場合においても、電流ソース回路120および電
流シンク回路122の位相調整特性は、電流制御発振器
74の利得をより緊密に追跡する。従って、第2VCO
16は、今日の半導体プロセスにあり得る製造ばらつき
の影響を受けにくい。第2VCO16は、複数のVCO
からなり、かつ各VCOが同じように挙動することが重
要なシステムに内蔵できる。マルチプロセッサ(「M
P」)データ処理システムは、かかるシステムの一例で
ある。
【0028】次に、遅延整合回路網について説明する。
一般に、2つの回路経路は、第1経路に存在する回路を
第2経路に複製(replicate) し、第2経路に存在する回
路を第1経路に複製すること、すなわち、「ダミー回路
(dummy circuit) 」によって遅延整合される。ダミー回
路に対するさまざまな入力は、定電圧レベルに固定さ
れ、経路の機能が変化しないようにする。例えば、第1
経路が第2経路にはないマルチプレクサを有する場合、
このマルチプレクサは第2経路に追加される。元の第2
経路の出力は、ダミーのマルチプレクサの1つの入力に
接続され、この入力はマルチプレクサの出力として常に
選択される。ダミー回路遅延整合方法は、分配回路網2
8の場合には用いられないことがある。ここでは、ダミ
ーのセルは非常に多くのエリアを必要とし、非常に多く
の電力を消費する。
一般に、2つの回路経路は、第1経路に存在する回路を
第2経路に複製(replicate) し、第2経路に存在する回
路を第1経路に複製すること、すなわち、「ダミー回路
(dummy circuit) 」によって遅延整合される。ダミー回
路に対するさまざまな入力は、定電圧レベルに固定さ
れ、経路の機能が変化しないようにする。例えば、第1
経路が第2経路にはないマルチプレクサを有する場合、
このマルチプレクサは第2経路に追加される。元の第2
経路の出力は、ダミーのマルチプレクサの1つの入力に
接続され、この入力はマルチプレクサの出力として常に
選択される。ダミー回路遅延整合方法は、分配回路網2
8の場合には用いられないことがある。ここでは、ダミ
ーのセルは非常に多くのエリアを必要とし、非常に多く
の電力を消費する。
【0029】遅延整合回路網24の以下の説明は、特定
の半導体プロセスについてである。しかし、この方法は
さまざまな回路に適用でき、同じ結果を達成できる。説
明の実施例は、CMOSプロセスである。
の半導体プロセスについてである。しかし、この方法は
さまざまな回路に適用でき、同じ結果を達成できる。説
明の実施例は、CMOSプロセスである。
【0030】CMOS回路経路の電力消費は、回路のキ
ャパシタンス(C),その動作電圧(V)および、その
動作周波数(f)によって決定される。
ャパシタンス(C),その動作電圧(V)および、その
動作周波数(f)によって決定される。
【0031】
【数1】電力=CV2 f
【0032】従って、遅延整合回路網24の電力消費
は、分配回路網28に対する遅延整合回路網24のキャ
パシタンスおよび負荷を低減することにより、遅延整合
回路網24の電力消費は、分配回路網28の電力消費に
対してN分の1に低減できる。
は、分配回路網28に対する遅延整合回路網24のキャ
パシタンスおよび負荷を低減することにより、遅延整合
回路網24の電力消費は、分配回路網28の電力消費に
対してN分の1に低減できる。
【0033】
【数2】C1 =C2 /N
【0034】ここで、下付き文字「1」は遅延整合回路
網24を表し、下付き文字「2」は分配回路網28を表
す。しかし、キャパシタンスのこの単純な低減によっ
て、2つの回路網における等しい伝搬遅延は得られな
い。従って、個別の伝搬遅延解析が必要になる。
網24を表し、下付き文字「2」は分配回路網28を表
す。しかし、キャパシタンスのこの単純な低減によっ
て、2つの回路網における等しい伝搬遅延は得られな
い。従って、個別の伝搬遅延解析が必要になる。
【0035】遅延整合回路網24または分配回路網28
を介する伝搬遅延(τ)は、回路のキャパシタンス,そ
の抵抗(R),コンデンサ両端の電圧差(ΔV),コン
デンサを充電するために用いられる電流(I)とに比例
する。
を介する伝搬遅延(τ)は、回路のキャパシタンス,そ
の抵抗(R),コンデンサ両端の電圧差(ΔV),コン
デンサを充電するために用いられる電流(I)とに比例
する。
【0036】
【数3】τ∝RC+CΔV/I
【0037】電力およびタイミングの両方の目的を満た
す解を得るためには、数2および数3を同時に解かなけ
ればならない。数2を数3に代入すると、次式が得られ
る。
す解を得るためには、数2および数3を同時に解かなけ
ればならない。数2を数3に代入すると、次式が得られ
る。
【0038】
【数4】R1 C2 /N+C2 ΔV1 /I1 N=R2 C2
+C2 ΔV2 /I2 ここで、下付き文字は上記のように定義され、またΔV
1 =ΔV2 なので、
+C2 ΔV2 /I2 ここで、下付き文字は上記のように定義され、またΔV
1 =ΔV2 なので、
【0039】
【数5】R1 C2 /N+C2 ΔV1 /I1 N=R2 C2
+C2 ΔV1 /I2 となる。数5の1つの解では、第1および第3項が等し
く、かつ第2項および第4項が等しい必要がある。この
解では、遅延整合回路網24に流れる電流を、分配回路
網28に流れる電流に対してN分の1に低減しなければ
ならない。この置換により、数5は次式のようにさらに
整理される。
+C2 ΔV1 /I2 となる。数5の1つの解では、第1および第3項が等し
く、かつ第2項および第4項が等しい必要がある。この
解では、遅延整合回路網24に流れる電流を、分配回路
網28に流れる電流に対してN分の1に低減しなければ
ならない。この置換により、数5は次式のようにさらに
整理される。
【0040】
【数6】R1 C2 /N=R2 C2 または
【0041】
【数7】R1 =R2 N従って、数2および数7は、遅延
整合回路網24の設計を決定する。このような制限され
た回路網は、分配回路28のN分の1の電力しか消費し
ないが、分配回路網28と等しく信号伝搬を遅延させ
る。数2は、インバータ38,40および分配RC42
のキャパシタンスを規定する。インバータ38,40の
キャパシタンスは、トランジスタの幅をN分の1に低減
することにより、インバータ32,34のキャパシタン
スに対してN分の1に低減できる。分配RC42のキャ
パシタンスは、分配RC36に対してN分の1に低減し
なければならない。しかし、数9は、分配RC42の抵
抗は、分配RC36に対してN倍増加しなければならな
いことを規定する。
整合回路網24の設計を決定する。このような制限され
た回路網は、分配回路28のN分の1の電力しか消費し
ないが、分配回路網28と等しく信号伝搬を遅延させ
る。数2は、インバータ38,40および分配RC42
のキャパシタンスを規定する。インバータ38,40の
キャパシタンスは、トランジスタの幅をN分の1に低減
することにより、インバータ32,34のキャパシタン
スに対してN分の1に低減できる。分配RC42のキャ
パシタンスは、分配RC36に対してN分の1に低減し
なければならない。しかし、数9は、分配RC42の抵
抗は、分配RC36に対してN倍増加しなければならな
いことを規定する。
【0042】当業者であれば、特定のキャパシタンスお
よび抵抗を有するさまざまな導電素子を設計できる。こ
の設計プロセスは、導電素子の論理的特性に基づいて、
あるいはPLL10を製造するために用いられる製造プ
ロセスの実際の結果に基づいて行うことができる。
よび抵抗を有するさまざまな導電素子を設計できる。こ
の設計プロセスは、導電素子の論理的特性に基づいて、
あるいはPLL10を製造するために用いられる製造プ
ロセスの実際の結果に基づいて行うことができる。
【0043】論理上、導電素子のキャパシタンスは、そ
の長さと幅の積に比例する。導線素子の抵抗は、その幅
に対する長さの比率に比例する。従って、分配RC42
のキャパシタンスおよび抵抗は、数2および数9に規定
されるように、これらの関係も満たすことによって、分
配RC36のキャパシタンスおよび抵抗に整合できる。
の長さと幅の積に比例する。導線素子の抵抗は、その幅
に対する長さの比率に比例する。従って、分配RC42
のキャパシタンスおよび抵抗は、数2および数9に規定
されるように、これらの関係も満たすことによって、分
配RC36のキャパシタンスおよび抵抗に整合できる。
【0044】実際には、当業者であれば、長さおよび幅
の関数として、さまざまな導電素子のキャパシタンスお
よび抵抗を列挙する表を作成できる。従って、この表か
ら分配RC36のキャパシタンスおよび抵抗を求め、こ
の求められたデータを数2および数9に従って変換し、
新たな特性を有する導電素子についてこの表を検索する
ことにより、分配RC42のキャパシタンスおよび抵抗
を、分配RC36のキャパシタンスおよび抵抗に整合で
きる。PLL10の1実施例では、分配RC36をなす
Hツリーの各レベルは、分配RC42における個別のコ
ンダクタと遅延整合される。
の関数として、さまざまな導電素子のキャパシタンスお
よび抵抗を列挙する表を作成できる。従って、この表か
ら分配RC36のキャパシタンスおよび抵抗を求め、こ
の求められたデータを数2および数9に従って変換し、
新たな特性を有する導電素子についてこの表を検索する
ことにより、分配RC42のキャパシタンスおよび抵抗
を、分配RC36のキャパシタンスおよび抵抗に整合で
きる。PLL10の1実施例では、分配RC36をなす
Hツリーの各レベルは、分配RC42における個別のコ
ンダクタと遅延整合される。
【0045】次に、スイッチングおよび分周論理ユニッ
トについて説明する。図4は、図1に示すスイッチング
および分周論理ユニット26の概略図を示す。マルチプ
レクサ126の第1入力は、遅延整合回路網の出力CL
OCK1を受ける。マルチプレクサ126の第2入力
は、分配回路網28の出力CLOCK2を受ける。CO
P22からの制御信号SELECT PATHは、2つ
の入力のうち一方をマルチプレクサ126の出力として
選択する。マルチプレクサ126の出力は、第1AND
ゲート128の反転入力と、第2ANDゲート130の
第1入力とに接続される。クォリファイア論理ユニット
(qualifier logic unit)132によって生成された第1
制御信号は、第1ANDゲート128の非反転入力に接
続される。クォリファイア論理ユニット132によって
生成された第2制御信号は、ANDゲート130の第2
入力に接続される。第1ANDゲート128の出力およ
び第2ANDゲート130の出力は、NORゲート13
4の第1および第2入力に接続される。NORゲート1
34の出力は、FEEDBACK CLOCKを生成す
る。論理ゲート128,130,134は、AND−O
R−反転(and-or-invert) (「AOI」)ゲート136
として共通に呼ばれる。
トについて説明する。図4は、図1に示すスイッチング
および分周論理ユニット26の概略図を示す。マルチプ
レクサ126の第1入力は、遅延整合回路網の出力CL
OCK1を受ける。マルチプレクサ126の第2入力
は、分配回路網28の出力CLOCK2を受ける。CO
P22からの制御信号SELECT PATHは、2つ
の入力のうち一方をマルチプレクサ126の出力として
選択する。マルチプレクサ126の出力は、第1AND
ゲート128の反転入力と、第2ANDゲート130の
第1入力とに接続される。クォリファイア論理ユニット
(qualifier logic unit)132によって生成された第1
制御信号は、第1ANDゲート128の非反転入力に接
続される。クォリファイア論理ユニット132によって
生成された第2制御信号は、ANDゲート130の第2
入力に接続される。第1ANDゲート128の出力およ
び第2ANDゲート130の出力は、NORゲート13
4の第1および第2入力に接続される。NORゲート1
34の出力は、FEEDBACK CLOCKを生成す
る。論理ゲート128,130,134は、AND−O
R−反転(and-or-invert) (「AOI」)ゲート136
として共通に呼ばれる。
【0046】クォリファイア論理ユニット132は、C
LOCK1およびMODE制御信号を受ける。制御信号
MODEは、FEEDBACK CLOCK1:CLO
CK1の比率を示す。これは、ユーザ(図示せず)にア
クセス可能な専用レジスタの出力から生成でき、あるい
はPLL10の外部ピンに接続できる。クォリファイア
論理ユニット132の出力制御信号は、AOIゲート1
36とともに、マルチプレクサ126の出力の特定の部
分と、マルチプレクサ126の出力の論理反転の特定の
部分とをマスクする。FEEDBACK CLOCKの
遅い周波数により、位相/周波数検出器12は、VCO
OUTの周波数を増加する。それにより、PLL10
は、REFERENCE CLOCKの位相および周波
数をREFERENCE CLOCKの倍数に整合でき
る。スイッチングおよび分周論理ユニット26の分周機
能は、本発明を実施する上で必要ない。ただし、199
4年4月15日に出願され、本明細書に参考として含ま
れる、整理番号AT9−94−024の米国特許出願 "
Apparatus and Method for Generating a Phase-Contro
lled Clock Signal"は、PLL10に内蔵できる新規な
分周機能について説明する。直列に縦続されたフリップ
フロップなどの他の回路も同じ分周機能を実行できる。
LOCK1およびMODE制御信号を受ける。制御信号
MODEは、FEEDBACK CLOCK1:CLO
CK1の比率を示す。これは、ユーザ(図示せず)にア
クセス可能な専用レジスタの出力から生成でき、あるい
はPLL10の外部ピンに接続できる。クォリファイア
論理ユニット132の出力制御信号は、AOIゲート1
36とともに、マルチプレクサ126の出力の特定の部
分と、マルチプレクサ126の出力の論理反転の特定の
部分とをマスクする。FEEDBACK CLOCKの
遅い周波数により、位相/周波数検出器12は、VCO
OUTの周波数を増加する。それにより、PLL10
は、REFERENCE CLOCKの位相および周波
数をREFERENCE CLOCKの倍数に整合でき
る。スイッチングおよび分周論理ユニット26の分周機
能は、本発明を実施する上で必要ない。ただし、199
4年4月15日に出願され、本明細書に参考として含ま
れる、整理番号AT9−94−024の米国特許出願 "
Apparatus and Method for Generating a Phase-Contro
lled Clock Signal"は、PLL10に内蔵できる新規な
分周機能について説明する。直列に縦続されたフリップ
フロップなどの他の回路も同じ分周機能を実行できる。
【0047】次に、チップ・オンボード・プロセッサに
ついて説明する。図5は、図1に示すCOP22の動作
のフローチャート138を示す。リセット後に、PLL
10は、両方のフィードバック経路をイネーブルし、C
LOCK2をフィードバックする。まず、COP22
は、ステップ140において、PLLが内蔵される回路
がノーマルまたは低電力モードであるかを調べる。PL
L10が内蔵された回路がノーマル・モードの場合、P
LL10は元のままで、ステップ140をループする。
低電力モードに入るべきであると判断すると、COP2
2はステップ142に分岐する。COP22は、ステッ
プ142において、制御信号SELECT PATHを
アサートし、遅延整合回路網24の出力をFEEDBA
CK CLOCKとして選択する。次に、ステップ14
4において、COP22は、マルチプレクサ20を介し
て分配回路網28に定電圧レベルを入力する。図示の実
施例は、相補型金属酸化物半導体(「CMOS」)プロ
セスを利用して製造される。CMOS回路は、非クロッ
ク時に全くあるいはほとんど電力を消費しない。ステッ
プ146において、再びCOP22は、PLL10が内
蔵された回路がノーマルまたは低電力モードであるかを
調べる。PLL10が内蔵された回路が低電力モードで
ある場合、PLL10は元のままで、ステップ146を
ループする。COP22は、低電力モードを終了すべき
であると判断すると、ステップ148に分岐する。CO
P22は、ステップ148において、マルチプレクサ2
0を介して分配回路網にVCO OUTを出力する。次
に、ステップ150において、COP22は制御信号S
ELECT PATHをデアサートし、分配回路網28
の出力をFEEDBACK CLOCKとして選択す
る。次に、COP22はステップ140に戻る。この方
法により、PLL10は、VCOOUTを分配回路網2
8を介して送出する前に、CLOCK2を選択しないこ
とが保証される。
ついて説明する。図5は、図1に示すCOP22の動作
のフローチャート138を示す。リセット後に、PLL
10は、両方のフィードバック経路をイネーブルし、C
LOCK2をフィードバックする。まず、COP22
は、ステップ140において、PLLが内蔵される回路
がノーマルまたは低電力モードであるかを調べる。PL
L10が内蔵された回路がノーマル・モードの場合、P
LL10は元のままで、ステップ140をループする。
低電力モードに入るべきであると判断すると、COP2
2はステップ142に分岐する。COP22は、ステッ
プ142において、制御信号SELECT PATHを
アサートし、遅延整合回路網24の出力をFEEDBA
CK CLOCKとして選択する。次に、ステップ14
4において、COP22は、マルチプレクサ20を介し
て分配回路網28に定電圧レベルを入力する。図示の実
施例は、相補型金属酸化物半導体(「CMOS」)プロ
セスを利用して製造される。CMOS回路は、非クロッ
ク時に全くあるいはほとんど電力を消費しない。ステッ
プ146において、再びCOP22は、PLL10が内
蔵された回路がノーマルまたは低電力モードであるかを
調べる。PLL10が内蔵された回路が低電力モードで
ある場合、PLL10は元のままで、ステップ146を
ループする。COP22は、低電力モードを終了すべき
であると判断すると、ステップ148に分岐する。CO
P22は、ステップ148において、マルチプレクサ2
0を介して分配回路網にVCO OUTを出力する。次
に、ステップ150において、COP22は制御信号S
ELECT PATHをデアサートし、分配回路網28
の出力をFEEDBACK CLOCKとして選択す
る。次に、COP22はステップ140に戻る。この方
法により、PLL10は、VCOOUTを分配回路網2
8を介して送出する前に、CLOCK2を選択しないこ
とが保証される。
【0048】特定の実施例を参照して本発明について説
明してきたが、更なる修正や改善は当業者に想起され
る。本発明は、特許請求の範囲で定められるように本発
明の精神および範囲から逸脱しないかかる一切の修正を
網羅するものとする。
明してきたが、更なる修正や改善は当業者に想起され
る。本発明は、特許請求の範囲で定められるように本発
明の精神および範囲から逸脱しないかかる一切の修正を
網羅するものとする。
【図1】本発明により構成された位相同期ループのブロ
ック図である。
ック図である。
【図2】図1に示す電圧制御発振器の第1実施例の概略
図である。
図である。
【図3】図1に示す電圧制御発振器の第2実施例の概略
図である。
図である。
【図4】図1に示すスイッチングおよび分周論理の概略
図である。
図である。
【図5】図1に示すチップ・オンボード・プロセッサの
動作のフローチャートである。
動作のフローチャートである。
10 位相同期ループ(PLL) 12 位相/周波数検出器 14 チャージ・ポンプ 16 電圧制御発振器(VCO) 18 第1の2:1マルチプレクサ 20 第2の2:1マルチプレクサ 22 チップ・オンボード・プロセッサ(COP) 24 遅延整合回路網 26 スイッチングおよび分周論理ユニット 28 分配回路網 30,31,32,34,38,40 インバータ 36,42 分配RC 44 コンデンサ 46 nチャネル・トランジスタ 48 小さいnチャネル・トランジスタ 50 電流ソース回路 52 定電流源 54,56,58 pチャネル・トランジスタ 60 コンデンサ 62 電流シンク回路 64 定電流源 66,68,70 nチャネル・トランジスタ 72 コンデンサ 74 電流制御発振器 76 差動段増幅器 78 第1リング発振器 80 第2リング発振器 82 インバータ 84,90 pチャネル・トランジスタ 86,88 nチャネル・トランジスタ 92,96,100 pチャネル・トランジスタ 94,98,102 nチャネル・トランジスタ 104,108,112 pチャネル・トランジスタ 106,110,114 nチャネル・トランジスタ 116,118 pチャネル・トランジスタ 120 電流ソース回路 122 電流シンク回路 124 nチャネル・トランジスタ 126 マルチプレクサ 128 第1ANDゲート 130 第2ANDゲート 132 クォリファイア論理ユニット 134 NORゲート 136 AOIゲート
Claims (6)
- 【請求項1】 第1端子および第2端子からなるコンデ
ンサ(44)であって、前記第1端子は入力電圧レベル
を受け、前記第2端子は第1電圧供給を受ける、コンデ
ンサ(44);第1電流電極,第2電流電極および制御
電極からなる第1トランジスタであって、前記第1電流
電極は前記第1電圧供給を受け、前記制御電極は、前記
コンデンサの前記第1端子に結合され、前記第2端子
は、中間ノードに結合される、第1トランジスタ(4
6);前記中間ノードに結合された電流ソース回路(5
0または120)であって、第1制御信号に応答して前
記中間ノードに電流を供給する電流ソース回路(50ま
たは120);前記中間ノードに結合された電流シンク
回路(62または122)であって、第2制御信号に応
答して前記中間ノードから電流を沈める電流シンク回路
(62または122);および前記中間ノードに結合さ
れた電流制御発振器(74)であって、前記中間ノード
において供給された電流に応答して周期的なクロック信
号を生成する電流制御発振器(74);によって構成さ
れることを特徴とする無抵抗器型の電圧制御発振器(1
2)。 - 【請求項2】 前記電流ソース回路(50)において:
第1および第2端子からなり、前記第1端子は前記第1
電圧供給を受ける第1定電流源(52);第1電流電
極,第2電流電極および制御電極からなる第2トランジ
スタ(54)であって、前記第1電流電極は、第2電圧
供給を受け、前記第2電流電極および制御電極は、前記
第1定電流源の前記第2端子に結合される、第2トラン
ジスタ(54);第1電流電極,第2電流電極および制
御電極からなる第3トランジスタ(56)であって、前
記第1電流電極は、前記中間ノードに結合され、前記制
御電極は、前記第2トランジスタの前記制御電極に結合
される、第3トランジスタ(56);第1電流電極,第
2電流電極および制御電極からなる第4トランジスタ
(58)であって、前記第1電流電極は、前記第2電圧
供給を受け、前記第2電流電極は、前記第3トランジス
タの前記第2電流電極に結合され、前記制御電極は、前
記第1制御信号を受ける、第4トランジスタ(58);
および、 前記電流シンク回路(62)において:第1および第2
端子からなり、前記第1端子は前記第2電圧供給を受け
る第2定電流源(64);第1電流電極,第2電流電極
および制御電極からなる第5トランジスタ(66)であ
って、前記第1電流電極は、前記第1電圧供給を受け、
前記第2電流電極および制御電極は、前記第2定電流源
の前記第2端子に結合される、第5トランジスタ(6
6);第1電流電極,第2電流電極および制御電極から
なる第6トランジスタ(68)であって、前記第1電流
電極は、前記中間ノードに結合され、前記制御電極は、
前記第5トランジスタの前記第1電流電極と制御電極と
に結合される、第6トランジスタ(68);第1電流電
極,第2電流電極および制御電極からなる第7トランジ
スタ(70)であって、前記第1電流電極は、前記第1
電圧供給を受け、前記第2電流電極は、前記第6トラン
ジスタの前記第2電流電極に結合され、前記制御電極
は、前記第2制御信号を受ける、第7トランジスタ(7
0);からなることを特徴とする請求項1記載の無抵抗
器型の電圧制御発振器。 - 【請求項3】 前記電流ソース回路(120)におい
て:第1電流電極,第2電流電極および制御電極からな
る第2トランジスタ(124)であって、前記第1電流
電極は、前記第1電圧供給を受け、前記制御電極は、前
記第1トランジスタの前記制御電極に結合される、第2
トランジスタ(124);第1電流電極,第2電流電極
および制御電極からなる第3トランジスタ(54)であ
って、前記第1電流電極は、第2電圧供給を受け、前記
第2電流電極および制御電極は、前記第2トランジスタ
の前記第2電流電極に結合される、第3トランジスタ
(54);第1電流電極,第2電流電極および制御電極
からなる第4トランジスタ(56)であって、前記第1
電流電極は、前記中間ノードに結合され、前記制御電極
は、前記第3トランジスタの前記制御電極に結合され
る、第4トランジスタ(56);第1電流電極,第2電
流電極および制御電極からなる第5トランジスタ(5
8)であって、前記第1電流電極は、前記第2電圧供給
を受け、前記第2電流電極は、前記第4トランジスタの
前記第2電流電極に結合され、前記制御電極は、前記第
1制御信号を受ける、第5トランジスタ(58);およ
び、 前記電流シンク電流(122)において:第1電流電
極,第2電流電極および制御電極からなる第6トランジ
スタ(68)であって、前記第1電流電極は、前記中間
ノードに結合され、前記制御電極は、前記第1トランジ
スタの前記制御電極に結合される、第6トランジスタ
(68);第1電流電極,第2電流電極および制御電極
からなる第7トランジスタ(70)であって、前記第1
電流電極は、前記第1電圧供給を受け、前記第2電流電
極は、前記第6トランジスタの前記第2電流電極に結合
され、前記制御電極は、前記第2制御信号を受ける、第
7トランジスタ(70);からなることを特徴とする請
求項1記載の無抵抗器型の電圧制御発振器。 - 【請求項4】 基準クロック信号およびフィードバック
・クロック信号を受ける位相/周波数検出器(12)で
あって、前記位相/周波数検出器は、前記基準クロック
信号およびフィードバック・クロック信号の位相および
周波数関係に応答して、第1制御信号および第2制御信
号を生成する位相/周波数検出器(12);前記位相/
周波数検出器に結合され、前記第1および第2制御信号
に応答して、出力電圧を生成するチャージ・ポンプ(1
4);前記チャージ・ポンプと、前記位相/周波数検出
器とに結合され、前記フィードバック・クロック信号を
生成する電圧制御発振器(16);によって構成される
システムであって、前記チャージ・ポンプにおいて:第
1端子および第2端子からなり、前記第1端子は入力電
圧レベルを受け、前記第2端子は第1電圧供給を受ける
コンデンサ(44);第1電流電極,第2電流電極およ
び制御電極からなる第1トランジスタ(46)であっ
て、前記第1電流電極は、前記第1電圧供給を受け、前
記制御電極は、前記コンデンサの前記第1端子に結合さ
れ、前記第2端子は中間ノードに結合される第1トラン
ジスタ(46);前記中間ノードに結合された電流ソー
ス回路(50または120)であって、前記第1制御信
号に応答して、前記中間ノードに電流を供給する電流ソ
ース回路(50または120);前記中間ノードに結合
された電流シンク回路(62または122)であって、
前記第2制御信号に応答して前記中間ノードから電流を
沈める電流シンク回路(62または122);および前
記中間ノードに結合された電流制御発振器(74)であ
って、前記中間ノードにおいて供給された電流に応答し
て、前記フィードバック・クロック信号を生成する電流
制御発振器(74);によって構成されることを特徴と
するシステム。 - 【請求項5】 前記電流ソース回路において:第1およ
び第2端子からなり、前記第1端子が前記第1電圧供給
を受ける第1定電流源(52);第1電流電極,第2電
流電極および制御電極からなる第2トランジスタ(5
4)であって、前記第1電流電極は、第2電圧供給を受
け、前記第2電流電極および制御電極は、前記第1定電
流源の前記第2端子に結合される、第2トランジスタ
(54);第1電流電極,第2電流電極および制御電極
からなる第3トランジスタ(56)であって、前記第1
電流電極は、前記中間ノードに結合され、前記制御電極
は、前記第2トランジスタの制御電極に結合される、第
3トランジスタ(56);第1電流電極,第2電流電極
および制御電極からなる第4トランジスタ(58)であ
って、前記第1電流電極は、前記第2電圧供給を受け、
前記第2電流電極は、前記第3トランジスタの前記第2
電流電極に結合され、前記制御電極は、前記第1制御信
号を受ける、第4トランジスタ(58);および、 前記電流シンク回路(62)において:第1および第2
端子からなり、前記第1端子が前記第2電圧供給を受け
る第2定電流源(64);第1電流電極,第2電流電極
および制御電極からなる第5トランジスタ(66)であ
って、前記第1電流電極は、前記第1電圧供給を受け、
前記第2電流電極および制御電極は、前記第2定電流源
の前記第2端子に結合される、第5トランジスタ(6
6);第1電流電極,第2電流電極および制御電極から
なる第6トランジスタ(68)であって、前記第1電流
電極は、前記中間ノードに結合され、前記制御電極は、
前記第5トランジスタの前記第1電流電極と制御電極と
に結合される、第6トランジスタ(68);第1電流電
極,第2電流電極および制御電極からなる第7トランジ
スタ(70)であって、前記第1電流電極は、前記第1
電圧供給を受け、前記第2電流電極は、前記第6トラン
ジスタの前記第2電流電極に結合され、前記制御電極
は、前記第2制御信号を受ける、第7トランジスタ(7
0);からなることを特徴とする請求項4記載のシステ
ム。 - 【請求項6】 前記電流ソース回路(120)におい
て:第1電流電極,第2電流電極および制御電極からな
る第2トランジスタ(124)であって、前記第1電流
電極は、前記第1電圧供給を受け、前記制御電極は、前
記第1トランジスタの前記制御電極に結合される、第2
トランジスタ(124);第1電流電極,第2電流電極
および制御電極からなる第3トランジスタ(54)であ
って、前記第1電流電極は、第2電圧供給を受け、前記
第2電流電極および制御電極は、前記第2トランジスタ
の前記第2電流電極に結合される、第3トランジスタ
(54);第1電流電極,第2電流電極および制御電極
からなる第4トランジスタ(56)であって、前記第1
電流電極は、前駆中間ノードに結合され、前記制御電極
は、前記第3トランジスタの前記制御電極に結合され
る、第4トランジスタ(56);第1電流電極,第2電
流電極および制御電極からなる第5トランジスタ(5
8)であって、前記第1電流電極は、前記第2電圧供給
を受け、前記第2電流電極は、前記第4トランジスタの
前記第2電流電極に結合され、前記制御電極は、前記第
1制御信号を受ける、第5トランジスタ(58);およ
び、 前記電流シンク回路(122)において:第1電流電
極,第2電流電極および制御電極からなる第6トランジ
スタ(68)からなり、前記第1電流電極は、前記中間
ノードに結合され、前記制御電極は、前記第1トランジ
スタの前記制御電極に結合される、第6トランジスタ
(68);第1電流電極,第2電流電極および制御電極
からなる第7トランジスタ(70)であって、前記第1
電流電極は、前記第1電圧供給を受け、前記第2電流電
極は、前記第6トランジスタの前記第2電流電極に結合
され、前記制御電極は、前記第2制御信号を受ける、第
7トランジスタ(70);からなることを特徴とする請
求項4記載のシステム。
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528668B2 (en) | 2005-11-14 | 2009-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Differential amplifier, differential amplifying method, and phase locked loop and delay locked loop using the same |
US11206028B2 (en) | 2018-11-22 | 2021-12-21 | Socionext Inc. | Voltage-controlled oscillator and PLL circuit in which same is used |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0158613B1 (ko) * | 1995-08-25 | 1999-03-20 | 김광호 | 에프엠 변조기 |
JP3695833B2 (ja) * | 1996-04-05 | 2005-09-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | Pll回路 |
EP0805553B1 (en) * | 1996-05-02 | 1999-10-13 | STMicroelectronics S.r.l. | Voltage-controlled oscillator and phase lock circuit incorporating this oscillator |
US5889829A (en) * | 1997-01-07 | 1999-03-30 | Microchip Technology Incorporated | Phase locked loop with improved lock time and stability |
US5942947A (en) * | 1997-02-05 | 1999-08-24 | Sun Microsystems, Inc. | Current-regulated, voltage-controlled oscillator with duty cycle correction |
JP3356136B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2002-12-09 | 日本電気株式会社 | Pll回路 |
US6232831B1 (en) * | 1999-12-02 | 2001-05-15 | National Instruments Corporation | Electrical power supply with floating current source suitable for providing bias voltage and current to an amplified transducer |
US6687322B1 (en) * | 2000-10-06 | 2004-02-03 | Adaptec, Inc. | Dual mode clock alignment and distribution device |
US6965653B2 (en) * | 2000-12-21 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Circuit and method for processing an automatic frequency control signal |
JP3561695B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2004-09-02 | 三洋電機株式会社 | 電圧制御型発振器およびそれを用いた位相同期発振器 |
JP2005503707A (ja) * | 2001-09-17 | 2005-02-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 改良された安定化技術を備える周波数又は位相同期ループ |
WO2003058815A1 (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-17 | Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware | Circuit and method for processing afc signals |
US20040012449A1 (en) * | 2002-07-16 | 2004-01-22 | Illegems Paul F. | Ring oscillator with frequency stabilization |
US6861918B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-03-01 | Ene Technology Inc. | Compensation circuit for current control oscillator |
KR100587064B1 (ko) * | 2003-12-08 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 가변 구동 전압을 갖는 오실레이타 |
US7215268B1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-05-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Signal converters with multiple gate devices |
US7279997B2 (en) * | 2005-10-14 | 2007-10-09 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage controlled oscillator with a multiple gate transistor and method therefor |
US7256657B2 (en) * | 2005-10-14 | 2007-08-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage controlled oscillator having digitally controlled phase adjustment and method therefor |
US20070085576A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Hector Sanchez | Output driver circuit with multiple gate devices |
US8665033B2 (en) * | 2011-02-18 | 2014-03-04 | Qualcomm Incorporated | Varactorless tunable oscillator |
US10367514B2 (en) | 2015-01-24 | 2019-07-30 | Circuit Seed, Llc | Passive phased injection locked circuit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1284361C (en) * | 1986-08-29 | 1991-05-21 | Mitel Corporation | Analog phase locked loop |
US4818950A (en) * | 1987-04-24 | 1989-04-04 | Ncr Corporation | Low jitter phase-locked loop |
US5008637A (en) * | 1989-11-15 | 1991-04-16 | Level One Communications, Inc. | Fully integrated charge pump phase locked loop |
US5144156A (en) * | 1990-06-15 | 1992-09-01 | Seiko Epson Corporation | Phase synchronizing circuit with feedback to control charge pump |
EP0569658B1 (en) * | 1992-05-15 | 1998-08-12 | STMicroelectronics S.r.l. | Signals generator having not-overlapping phases and high frequency |
US5371425A (en) * | 1993-09-10 | 1994-12-06 | Sun Microsystems, Inc. | Digital damping method and apparatus for phase-locked loops |
-
1994
- 1994-09-06 US US08/300,238 patent/US5463353A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-04 EP EP95113835A patent/EP0701323A3/en not_active Withdrawn
- 1995-09-05 KR KR1019950028865A patent/KR960012710A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-09-05 JP JP7250084A patent/JPH0888565A/ja active Pending
- 1995-09-06 CN CN95116270A patent/CN1147169A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528668B2 (en) | 2005-11-14 | 2009-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Differential amplifier, differential amplifying method, and phase locked loop and delay locked loop using the same |
US11206028B2 (en) | 2018-11-22 | 2021-12-21 | Socionext Inc. | Voltage-controlled oscillator and PLL circuit in which same is used |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0701323A3 (en) | 1997-08-13 |
EP0701323A2 (en) | 1996-03-13 |
KR960012710A (ko) | 1996-04-20 |
US5463353A (en) | 1995-10-31 |
CN1147169A (zh) | 1997-04-09 |
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