JP2006505092A - 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体 - Google Patents

多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体 Download PDF

Info

Publication number
JP2006505092A
JP2006505092A JP2003553639A JP2003553639A JP2006505092A JP 2006505092 A JP2006505092 A JP 2006505092A JP 2003553639 A JP2003553639 A JP 2003553639A JP 2003553639 A JP2003553639 A JP 2003553639A JP 2006505092 A JP2006505092 A JP 2006505092A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic light
emitting device
electrode
layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003553639A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5143996B2 (ja
Inventor
ウィーバー、マイケル、スチュアート
Original Assignee
ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション filed Critical ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション
Publication of JP2006505092A publication Critical patent/JP2006505092A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5143996B2 publication Critical patent/JP5143996B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Telescopes (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Mirrors, Picture Frames, Photograph Stands, And Related Fastening Devices (AREA)

Abstract

単一の多層スタックによって、望ましい光学的特性及びバリア特性を同時に実現することができる、ＯＬＥＤデバイスに関する新規な構造を提供する。ＯＬＥＤ構造体は、（ａ）基板（１１０）と、（ｂ）基板上に形成され、（１）第１の電極（１４２）と、（２）第１の電極上に形成された発光部（１４４）と、（３）発光部上に形成された第２の電極（１４６）とを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイス（１４０）と、（ｃ）基板上に形成され、（１）第１の屈折率を有する平坦化層（１２１ａ〜１２１ｃ）と、（２）第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層（１２２ａ〜１２２ｃ）とが交互に連続的に配設された多層ミラー（１２０）とを備える。平坦化層及び高密度層の厚さは、多層ミラーが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。

Description

本発明は、周囲の環境内の有害化学種（harmful species）から有機発光デバイスを保護する構造及びこのようなデバイスから出射された光を反射及び透過させる構造に関する。
ポリマ有機発光デバイス及び低分子有機発光デバイスを含む有機発光デバイス（organic light emitting devices：以下、ＯＬＥＤという。）は、例えばラップトップコンピュータ、テレビジョン受像機、デジタル腕時計、電話機、ページャ、移動電話機、計算機等の様々な種類の仮想表示型ディスプレイ（virtual-view type displays）及び直接表示型ディスプレイ（virtual-and direct-view type displays）に採用されている。有機発光デバイスは、無機半導体発光デバイスとは異なり、一般的に構造が単純であり、製造が比較的簡単で安価である。更に、ＯＬＥＤは、多種多様な色を必要とする用途及び表示領域が広い機器への用途にも容易に用いることができる。
画像表示用途（imaging applications）のための２次元ＯＬＥＤアレーは、当該技術分野において知られており、通常、行及び列に配列された複数のアクティブ画素からなるＯＬＥＤ表示領域を含む。図１Ａは、従来のＯＬＥＤ構造を概略的に示す図（断面図）である。ここに示すＯＬＥＤ構造は、単一のアクティブ画素１５を備え、アクティブ画素１５は、例えば電極部（electrode region）であるアノード部（以下、単にアノードという。）１２と、アノード１２上に形成された発光層１４と、発光層１４上に形成された他方の電極部であるカソード部（以下、単にカソードという。）１６とから構成されている。アクティブ画素１５は、基板１０上に配設されている。カバー２０及び基板１０は、封止部２５とともに協働して、外部環境からアクティブ画素１５に酸素や水蒸気が浸入することを防いでいる。
従来の手法では、発光層１４からの光は、基板１０を介して下方に透過される。このような「下方取出し（bottom emitting）」構成では、基板１０及びアノード１２は、透明材料から形成される。一方、この構成では、カソード１６及びカバー２０は、透明である必要はない。
「上取出し（top- emitting）」ＯＬＥＤ及び透明ＯＬＥＤ（transparent OLED：ＴＯＬＥＤ）等の他のＯＬＥＤ構造も知られている。上取出しＯＬＥＤでは、発光層１４から出射された光は、カバー２０を介して上方に透過される。したがって、この場合、基板１０は、不透明な材料から形成してもよく、カバー２０は、透明な材料から形成する必要がある。図１Ａに示すような設計に基づく上取出し構成では、カソード１６に透明材料を用いるが、アノード１２は、透明である必要はない。図１Ｂに示す他の上取出し構成では、図１Ａにおけるアノード１２とカソード１６の位置を入れ替え、このため透明なアノード１２を用いている。この場合、カソード１６は、不透明であってもよい。このような構成は、「反転構成（"inverted" configuration）」と呼ばれることもある。
光が上方及び下方の両方向に（すなわち、デバイスの上面と底面の両方から）出射されるＴＯＬＥＤでは、基板１０、アノード１２、カソード１６、カバー２０の全てが透明である必要がある。この構成は、図１Ａ又は図１Ｂに示すものと同様の構成を有していてもよい。
ＯＬＥＤを形成する場合、通常、反応性金属（reactive metal）の層をカソードとして用いて、効率的な電子注入及び低い動作電圧を実現している。しかしながら、反応性金属及び反応性金属と有機材料の間の界面は、酸素及び水分に影響を受けやすく、これによりデバイスの寿命が著しく制限される。水分及び酸素は、この他にも悪い影響を生じることが知られている。例えば、水分及び酸素により、ＯＬＥＤにおける「ダークスポット領域（dark spot area）」が増加することが知られている。当該技術分野では、このような外部環境からの化学種（species）を侵入させないための様々なバリア部が知られている。その具体例としては、その開示内容全体が引用により本願に援用される米国特許第５，７５７，１２６号明細書、第６，１４６，２２５号明細書、第６，２６８，２９５号明細書等に開示されている多層構造（multi-layer structures）が含まれる。
更に、ＯＬＥＤに関連して分布ブラッグ反射器（distributed Bragg reflector：以下、ＤＢＲという。）を利用することも知られている。これらのＤＢＲは、多くの場合いわゆる「１／４波長スタック（quarter-wave stack）」を用いた多層ミラー構造を有する。このような構造により、とりわけ、発光波長帯域のスペクトル（spectrum of the emission band）を狭くし、ピーク出力輝度を高くし、出射光の向きを変えることができる。このような構造の具体例は、例えば、ドダバラプー（Dodabalapur）他の米国特許第５，６７４，６３６号明細書、ドダバラプー他の米国特許第５，８１４，４１６号明細書、ボロビック（Bulovic）他の米国特許第５，８３４，８９３号明細書、ジョーンズ（Jones）他の米国特許第５，９２０，０８０号明細書等に開示されている。これらの文献は、それぞれ引用により本願に援用されるものとする。
本発明の目的は、ＯＬＥＤデバイスに関連して用いられ、多層ミラーとして及び外部環境からの有害化学種に対するバリアとして同時に機能する新たな構造を提供することである。
本発明に係る有機発光デバイス構造体は、（ａ）基板と、（ｂ）基板上に形成され、第１の電極と、第１の電極上に形成された発光部と、発光部上に形成された第２の電極とを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、（ｃ）基板上に形成され、（１）第１の屈折率を有する平坦化層と、（２）第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された多層ミラーとを備える。平坦化層及び高密度層の厚さは、多層ミラーが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。
多層ミラーは、好ましくは、１／４波長スタック（quarter-wave stack）である。好ましくは、第１の電極はアノードであり、第２の電極はカソードであるが、これと反対の構成としてもよい。更に、用途に応じて、有機発光デバイスは、上取出し型デバイス、下方取出し型デバイス、透明デバイスのいずれであってもよい。
幾つかの実施例においては、１／４波長スタックは有機発光デバイスと基板との間に配設され、第１の電極は透明電極である。これらの実施例では、第２の電極も透明にしてもよく、この場合、必要であれば、第２の電極上に更なる１／４波長スタックを形成してもよい。一方、第２の電極は不透明であってもよく、この場合、第２の電極は反射性を有する反射電極であることが好ましい。
他の実施例では、１／４波長スタックは有機発光デバイス上に配設され、第２の電極は透明電極である。この実施例では、第１の電極は不透明であってもよく、この場合、第１の電極は反射性を有する反射電極であることが好ましい。
本発明の他の側面である有機発光デバイス構造体は、（ａ）透明基板と、（ｂ）透明基板上に形成され、透明アノードと、透明アノード上に形成された発光部と、発光部上に形成された反射カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、（ｃ）基板上に形成され、（１）第１の屈折率を有する平坦化層と、（２）第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された１／４波長スタックとを備える。
この実施例における平坦化層及び高密度層の厚さは、１／４波長スタックが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。更に、平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。
本発明の他の側面である有機発光デバイス構造体は、（ａ）基板と、（ｂ）基板上に形成され、反射アノードと、反射アノード上に形成された発光部と、発光部上に形成された透明カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、（ｃ）基板上に形成され、（１）第１の屈折率を有する平坦化層と、（２）第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された１／４波長スタックとを備える。この場合も、上述と同様に、平坦化層及び高密度層の厚さは、１／４波長スタックが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。
本発明では、単一の多層スタックによって、望ましい光学的特性及びバリア特性を同時に実現することができる。
本発明のこれらの及びこの他の実施例、及び利点は、以下の説明によって当業者に明らかとなる。
以下、本発明の好ましい実施例を示す図面を参照して、本発明を詳細に説明する。但し、本発明は、ここに説明する実施例とは異なる形式で実施することもでき、本発明の構成は、ここに示す形式に限定されるものではない。
なお、図面は、一般的な図面の場合と同様、単純化された図式的な表現に過ぎず、実際の構造は、構成部品の相対的な尺度を含む多くの点で、図面とは異なっている。
ここで用いる所定の材料の「層（layer）」とは、厚さが長さ及び幅に対して小さい材料の部分を指す。層には、シート（sheet）、箔（foil）、膜（film）、積層（lamination）、コーティング（coating）等が含まれる。この明細書において層は、必ずしも平面状である必要はなく、例えば、他の構成部品を少なくとも部分的に包み込むように、湾曲し、屈曲し、又は他の形状に曲がっていてもよい。「層」は、２つ以上の副次的な層、すなわち「副層（sublayer）」を含んでいてもよい。
図２は、包括的に符号１００で指示されるＯＬＥＤデバイスの構造を示し、ＯＬＥＤデバイス１００は、基板１１０と、多層ミラー（この場合、１／４波長スタック）１２０と、ＯＬＥＤ１４０と、カバー部１５０とを備える。
ＯＬＥＤ１４０は、周知のいかなるＯＬＥＤであってもよい。例えば、上述のように、ＯＬＥＤ１４０は、そのアノード及びカソードとして機能する電極部１４２、１４６を備える。更に、ＯＬＥＤ１４０は、電極部１４２、１４６間に配設された発光部１４４（放射部）１４４を備える。
発光部１４４は、（ａ）正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とからなる３層構成（すなわちダブルヘテロ構造構成）、（ｂ）正孔輸送層と、発光及び電子輸送機能を提供する層とからなる２層構成、又は電子輸送層と、発光及び正孔輸送機能を有する層とからなる２層構成（すなわち、シングルヘテロ構造構成）（ｃ）正孔輸送、電子輸送、発光機能を有する単一の層からなる構成（すなわち、単層構成）を含む、数多くの周知の構成に関連して設けることができる。各構成において、更なる層を追加してもよく、例えば、正孔注入又は電子注入を促進するための層を追加してもよく、或いは正孔又は電子をブロックするための層を設けてもよい。このようなデバイスの様々な構造については、例えば、米国特許第５，７０７，７４５号明細書に開示されており、この文献の開示内容全体は、引用により本願に援用される。当該技術分野では、より複雑なＯＬＥＤ構造も実用化されている。
図２に示す実施例では、多くの場合、電極部１４６と１／４波長スタック１２０の組合せによって、微小共振器効果（microcavity effect）が生じる。この実施例においては、電極部１４２は、多くの場合、ＯＬＥＤの所望の出力波長である所定の波長の出力光に対して透明性を有する。ここで言う「透明（transparent）」とは、その領域（この場合、電極部１４２）を通過する出力光の減衰量が小さく、所定の波長において、透過率が通常８０％より大きいことを意味する。
好ましい構成として、電極部１４２をアノードとして選択した場合、適切な透明性を有する材料としては、酸化インジウム−スズ（indium tin oxide：以下、ＩＴＯという。）、酸化亜鉛−スズ等の金属酸化物及び当分野で周知の他の材料が用いられる。電極部１４２をカソードとして選択した場合には、適切な透明性を有する材料としては、例えば、Ｍｇ−Ａｇ／ＩＴＯ、ＬｉＦ／Ａｌ／ＩＴＯ等の金属／金属酸化物の組合せ又は当分野で周知の他の材料が用いられる。
図２に示す構造の好ましい実施例として、図２に示すＯＬＥＤデバイス１００を下方取出し型ＯＬＥＤとした場合、基板１１０は透明である必要があり、一方、カバー１５０は、透明である必要はない。この構成においては、電極部１４６は、例えばＯＬＥＤデバイス１００の共振器効果（cavity effect）を高めるために、反射性材料から形成することが望ましい。ここで「反射性」とは、所定の波長の出力光の相当な量、典型的には少なくとも８０％が反射されることを意味する。電極部１４６をカソードとして選択した場合、適切な反射性を有する材料としては、アルミニウム、アルミニウム／リチウム、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム及び当該技術分野で周知の他の材料を用いることができる。一方、電極部１４６をアノードとして選択した場合、適切な反射性を有する材料としては、例えば金、クロム、ニッケル、プラチナ及び当分野で周知の他の材料を用いることができる。
図２に示すＯＬＥＤデバイス１００をＴＯＬＥＤとした場合、基板１１０及びカバー１５０の両方は透明である。更に、電極部１４６も透明である。電極部１４６に用いることができる透明な材料としては、電極部１４２に関して上述した材料と同様の材料がある。
図２に示すＯＬＥＤデバイス１００を上取出し型ＯＬＥＤとした場合、カバー１５０及び電極部１４６は透明である。
図２に示すＯＬＥＤデバイス１００の特に好ましい構成は、下方取出し型構成であり、この場合、基板１１０は透明基板であり、電極部１４２が透明アノードである、電極部１４６が反射性カソードである。
図３は、包括的に符号２００で示される、本発明の他の実施例であるＯＬＥＤデバイスの構造を示している。この実施例では、多層ミラー（ここでは、１／４波長スタック２２０）を電極部２４６上に基板２１０とは反対側に設けている。
後により詳細に説明するように、本発明に基づく１／４波長スタック２２０は、周辺環境における有害化学種の侵入を阻止する機能を有するため、この実施例では、別個のカバーを設ける必要がない。図３では、１／４波長スタック２２０を電極部２４６上に直接設けているが、１／４波長スタック２２０の形成において用いられるあらゆる基体（substrate）を含む介在層（intervening region）を設けてもよい。また、介在層は、従来と同様、本発明に基づくデバイスの他の様々な層間に設けることができる。
図３に示す実施例では、微小共振器効果は、電極部２４２と１／４波長スタック２２０の組合せによって生じる。この実施例では、電極部２４６は、透明である。
ＯＬＥＤデバイス２００を下方取出し型ＯＬＥＤとした場合、又はＯＬＥＤデバイス２００をＴＯＬＥＤとした場合、基板２１０及び電極部２４２も透明にする。
図３に示す構造の好ましい実施例として、ＯＬＥＤデバイス２００を上取出し型ＯＬＥＤとした場合、電極部２４２を反射性材料から形成して、例えばこのＯＬＥＤデバイス２００の共振器効果を高めることができる。これに代えて、上取出し構成においても、電極部２４２を透明材料から形成してもよい。
図２と同様、電極部２４２は、好ましくはアノードであり、電極部２４６は、好ましくはカソードである。
また、この他、数多くの構成が可能である。例えば、図４に示すＯＬＥＤデバイス３００は、基板３１０と、２つの多層ミラー（この場合、１／４波長スタック３２０ａ、３２０ｂ）と、ＯＬＥＤ３４０とを備える。微小共振器効果は、１／４波長スタック３２０ａと１／４波長スタック３２０ｂの組合せによって生じる。この実施例では、電極部３４２、３４６は、共に透明である。ここでは、電極部３４２をアノードとし、電極部３４６をカソードとすることが好ましい。
ＯＬＥＤデバイス３００は、下方取出し型でも、上取出し型でも、透明型でもよく、この実施例に上述と同様の変形を適用することができる。例えば、ＯＬＥＤデバイス３００をＴＯＬＥＤ又は下方取出し型デバイスとした場合、基板３１０は透明である。図３に示す実施例において好ましい構成は、透明（ＴＯＬＥＤ）構成である。
上述のように、基板１１０、２１０、３１０及びカバー１５０は、望まれる構成に応じて、透明であることが要求される場合もあり、透明であることが要求されない場合もある。これらのコンポーネントの一般的な材料としては、ポリマ、セラミクス、半導体、金属等がある。
金属は、基板及びカバーについて通常用いられる厚さでは、実質的な透明性を有さないが、優れたバリア特性を提供する。更に、金属は、例えば金属缶（metal cans）や金属箔等の様々な構成で設けることができる。この目的に適した金属としては、アルミニウム、金、ニッケル、ニッケル合金、インジウム及び当該技術分野で周知の他の材料を用いることができる。
半導体（例えば、シリコン）は、金属と同様、通常、良好な透明性を示さない。しかしながら、半導体は、水、酸素及びこの他の有害化学種に対する良好なバリア特性を有するとともに、電気回路を作り上げることができる基板を提供する。
セラミクスは、多くの場合、低い透過性と、透明性とを示す。好ましいセラミクスは、ガラスであり、より好ましくはソーダ石灰ガラス及びホウケイ酸ガラスである。
光学的な透明性が望まれる場合、ポリマを材料として用いることが望ましい場合も多い。しかしながら、ポリマを基板又はカバーとして選択した場合、殆どのポリマは、透過であるので、更なるバリア領域を設けることが望ましい。必要であれば、本発明に基づく多層ミラーによりこの機能を実現してもよい。
図２に示す特定の実施例では、基板１１０の材料は、多くの場合、光学的特性、柔軟性、他の表面に対する適合性（conformability）、処理（例えばウェハベースのプロセスを想定）時における寸法の安定性、他のコンポーネント（例えば、この実施例では、１／４波長スタック１２０の協働的なバリア層）との十分な接着性等を含む１つ以上の有利な特性に基づいて選択される。
柔軟性が望まれる場合、基板１１０は、紙、織地、金属泊、フレキシブルガラス（ショットガラステクノロジー社（Schott Glass Technologies）から入手可能）及び／又はポリマ層から構成してもよい。より好ましい柔軟性を有する基板材料としては、他の材料に対して強力な接着力を有する例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリイミド、ポリオレフィン、フルオロポリマ等の１つ以上のポリマコンポーネントがある。このようなポリマコンポーネントは、例えば、ホモポリマ、コポリマ、ポリマ混合体等として入手可能である。好ましいポリマコンポーネントの具体例としては、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエステルカーボナート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルイミド、ポリアクリラート、デュポン社（DuPont）から入手可能なカプトン（Kapton：商標）ポリイミド薄膜のようなポリイミド、ハネウェル社（Honeywell）から入手可能なアクラ（Aclar：商標）フルオロポリマのようなフルオロポリマ、ＢＦグッドリッチ社（BF Goodrich）から入手可能なアピア（Appear：商標）ポリノルボルネン（polynorbornene：ＰＮＢ）、ＢＦグッドリッチ社から入手可能なアートン（Arton：商標）等がある。これらの材料を用いる場合の基板１１０の厚さは、代表的には７５〜６２５μｍの範囲内である。
多層ミラー（この実施例では、１／４波長スタック１２０）は、基板１１０上に、平坦化材料（planarizing material）１２１ａ〜１２１ｃと高密度材料（high-density material）１２２ａ〜１２２ｃの両方を含む一連の協働的なバリア層を形成することによって形成できる。これらの協働的なバリア層は、交互に積層された構成となっている。好ましくは、２〜１０対（又はこれ以上）の層を用いる。すなわち、図２では、３対の層を示しているが、この他の層構成も可能である。更に、図２に示すように、底面層は、平坦化材料層１２１ａであることが望ましいが、底面層は、例えば高密度材料層であってもよい。同様に、図２に示す最上位層は、高密度材料層１２２ｃであるが、この最上位層は、平坦化材料層であってもよい。
この結果、本発明に基づく多層ミラー構造は、水分及び酸素の侵入の防止に適した、複合バリア層（composite barrier layer）としても機能する。更に、これらの構造は、生来的に柔軟性を有し、したがって、フレキシブルＯＬＥＤ（flexible OLED：ＦＯＬＥＤ）の製造に非常に適している。
なお、「平坦化材料（planarizing material）」とは、基底にある表面の不規則な凹凸を反映した表面を形成するのではなく、その材料によって円滑な平面状の表面を形成する材料を意味する。平坦化材料として好ましい材料は、表面に堆積したときに、コンフォーマルでない液体（non-conformal liquid）となる材料である。このような材料としては、例えばアクリラートモノマがある（アクリラートモノマは、通常、紫外線又は電子ビームに晒されて、モノマを架橋させてポリアクリラートを形成する）。好ましい平坦化材料は、例えばフッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートがある。平坦化材料層１２１ａ〜１２１ｃは、例えば、ディッピング、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着コーティング、噴霧、フラッシュ蒸着、化学気相成長等の当該技術分野において周知の技術で形成することができる。
高密度材料とは、特に水や酸素等の汚染物質及び有害化学種（deleterious species）が拡散することを防ぐように、原子間距離が十分小さい材料を意味する。好ましい高密度材料には、例えば、一酸化シリコン（ＳｉＯ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む酸化シリコン、窒化シリコン（通常、Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム（通常、Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン、酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム−スズ（zinc indium tin oxide）、及び例えば銀、クロム、アルミニウム、金等の金属がある。高密度材料層１２２ａ〜１２２ｃは、例えば抵抗加熱蒸着、スパッタリング、プラズマ化学気相成長（plasma-enhanced chemical vapor deposition：ＰＥＣＶＤ）、電子ビーム法等の当該技術分野において周知の方法で形成することができる。
多層バリア部の形成に関する更なる情報は、例えば米国特許第４，８４２，８９３号明細書、第４，９５４，３７１号明細書、第５，２６０，０９５号明細書、第６，２２４，９４８号明細書に開示されており、これらの文献の開示内容全体は、引用により本願に援用されるものとする。
適切な透明性及び十分に異なる屈折率を有する平坦化材料層１２１ａ〜１２１ｃ及び高密度材料層１２２ａ〜１２２ｃを選択することにより、多層ミラー１２０を形成することができる。好ましくは、多層ミラー内の各層の厚さは、透過するように選択された光のピーク波長をλとすると、λ／４とする。なお、本発明に基づく多層ミラー構造を含む多層ミラー構造では、通常、単一の波長ではなく、所定の範囲内に分布する波長の光の波長が透過される。ここで、当該技術分野では周知のように、層の厚さが略λ／４であれば、透過レベルのピークは、略λで生じる。（このような透過波長の分布の結果、特定の波長を透過させるのではなく、特定の波長を反射させる場合には、層の厚さは、λ／４とは大きく異ならせる必要がある。）。このような多層ミラーは、周知であり、多層ミラー内の層の厚さに基づいて、「１／４波長スタック（quater-wave stack）」と呼ばれる。多層ミラーの透過率／反射率は、層の対の数、層の厚さ、用いられる材料の屈折率に依存して定まることが知られている。
本発明を実現するために好ましい平坦化材料と高密度材料の対としては、例えばポリアクリラートと酸化アルミニウムの対がある。
図３及び図４に示す実施例にも、図２に示す１／４波長スタック１２０と同様の１／４波長スタック２２０、３２０ａ、３２０ｂが設けられている。これらのスタックは、平坦化材料層２２１ａ〜２２１ｃ、３２１ａ〜３２１ｃと、高密度材料層２２２ａ〜２２２ｃ、３２２ａ〜３２２ｃとを含んでいる。なお、１／４波長スタック３２０ｂは、基板３１０の上に形成されている。一方、１／４波長スタック２２０、３２０ａは、ＯＬＥＤ２４０、３４０上に形成されており、これらのＯＬＥＤ２４０、３４０は、後に形成される協働的なバリア層２２１ａ〜２２１ｃ、２２２ａ〜２２２ｃ、３２１ａ〜３２１ｃ、３２２ａ〜３２２ｃに対して「基板」として機能する。
具体的な幾つかの実施例を用いて本発明を説明したが、上述した実施例を様々に変形できることは、当業者にとって明らかである。これらの変形は、本発明の範囲内にあり、本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって限定されるものである。
周知のＯＬＥＤ構造を単純化して示す断面図である。 周知のＯＬＥＤ構造を単純化して示す断面図である。 本発明の実施例であるＯＬＥＤ構造の断面図である。 本発明の他の実施例であるＯＬＥＤ構造の断面図である。 本発明の更に異なる実施例であるＯＬＥＤ構造の断面図である。

Claims (19)

  1. 基板と、
    上記基板上に形成され、第１の電極と、該第１の電極上に形成された発光層と、該発光層上に形成された第２の電極とを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、
    上記基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された多層ミラーとを備え、
    上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記多層ミラーが上記所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐことを特徴とする有機発光デバイス構造体。
  2. 上記多層ミラーは、１／４波長スタックからなることを特徴とする請求項１記載の有機発光デバイス構造体。
  3. 上記平坦化層は、フッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートから選択される材料から形成されることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  4. 上記高密度層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム−スズ、酸化亜鉛インジウム−スズ、金属から選択される材料から形成されることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  5. 上記平坦化層は、ポリアクリラートから形成され、上記高密度層は、酸化アルミニウムから形成されることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  6. 上記第１の電極は、アノードであり、上記第２の電極は、カソードであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  7. 当該有機発光デバイスは、上取出し型デバイスであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  8. 当該有機発光デバイスは、下方取出し型デバイスであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  9. 当該有機発光デバイスは、透明デバイスであることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  10. 上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイスと上記基板の間に配設され、上記第１の電極は、透明電極であることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  11. 上記第１の電極は、透明アノードであり、上記第２の電極は、カソードであることを特徴とする請求項１０記載の有機発光デバイス構造体。
  12. 上記第２の電極は、反射カソードであることを特徴とする請求項１１記載の有機発光デバイス構造体。
  13. 上記第２の電極は、透明電極であり、該第２の電極上に形成された更なる１／４波長スタックを備えることを特徴とする請求項１０記載の有機発光デバイス構造体。
  14. 上記第１の電極は、透明アノードであり、上記第２の電極は、透明カソードであることを特徴とする請求項１３記載の有機発光デバイス構造体。
  15. 上記１／４波長スタックは、上記有機発光デバイス上に配設され、上記第２の電極は、透明電極であることを特徴とする請求項２記載の有機発光デバイス構造体。
  16. 上記第１の電極は、アノードであり、上記第２の電極は、透明カソードであることを特徴とする請求項１５記載の有機発光デバイス構造体。
  17. 上記第１の電極は、反射アノードであることを特徴とする請求項１６記載の有機発光デバイス構造体。
  18. 透明基板と、
    上記透明基板上に形成され、透明アノードと、該透明アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された反射カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、
    上記基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された１／４波長スタックとを備え、
    上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記１／４波長スタックが上記所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐことを特徴とする有機発光デバイス構造体。
  19. 基板と、
    上記基板上に形成され、反射アノードと、該反射アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された透明カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、
    上記基板上に形成され、（ａ）第１の屈折率を有する平坦化層と、（ｂ）該第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された１／４波長スタックとを備え、
    上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記１／４波長スタックが上記所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐことを特徴とする有機発光デバイス構造体。
JP2003553639A 2001-11-06 2002-11-06 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体 Expired - Lifetime JP5143996B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/992,437 US6888305B2 (en) 2001-11-06 2001-11-06 Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
US09/992,437 2001-11-06
PCT/US2002/035671 WO2003052842A2 (en) 2001-11-06 2002-11-06 Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012214792A Division JP5379287B2 (ja) 2001-11-06 2012-09-27 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006505092A true JP2006505092A (ja) 2006-02-09
JP5143996B2 JP5143996B2 (ja) 2013-02-13

Family

ID=25538343

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003553639A Expired - Lifetime JP5143996B2 (ja) 2001-11-06 2002-11-06 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体
JP2012214792A Expired - Lifetime JP5379287B2 (ja) 2001-11-06 2012-09-27 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012214792A Expired - Lifetime JP5379287B2 (ja) 2001-11-06 2012-09-27 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6888305B2 (ja)
EP (1) EP1442488B1 (ja)
JP (2) JP5143996B2 (ja)
KR (1) KR100923086B1 (ja)
CN (1) CN100435376C (ja)
AT (1) ATE384340T1 (ja)
AU (1) AU2002365092A1 (ja)
DE (1) DE60224698T2 (ja)
WO (1) WO2003052842A2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010541137A (ja) * 2007-09-26 2010-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス
WO2011055440A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 キヤノン株式会社 表示装置
JP2013069702A (ja) * 2012-12-14 2013-04-18 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101421169B1 (ko) 2011-07-15 2014-07-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자
US9105873B2 (en) 2011-03-24 2015-08-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JP2018519652A (ja) * 2015-06-24 2018-07-19 ジョン エヌ マグノ 局限されたエミッタを備えるバンド端放出強化型有機発光ダイオード

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) * 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6664137B2 (en) * 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
US6879618B2 (en) * 2001-04-11 2005-04-12 Eastman Kodak Company Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity
US20090208754A1 (en) * 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6765351B2 (en) 2001-12-20 2004-07-20 The Trustees Of Princeton University Organic optoelectronic device structures
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
US6730615B2 (en) * 2002-02-19 2004-05-04 Intel Corporation High reflector tunable stress coating, such as for a MEMS mirror
KR100563675B1 (ko) * 2002-04-09 2006-03-28 캐논 가부시끼가이샤 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
KR20050027982A (ko) 2002-05-08 2005-03-21 제오럭스 코포레이션 피드백 증대 발광 다이오드를 이용한 조명 기구
DE10228939A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Elektrolumineszierende Vorrichtung mit transparenter Kathode
JP4185341B2 (ja) * 2002-09-25 2008-11-26 パイオニア株式会社 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
US7510913B2 (en) * 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7648925B2 (en) * 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
US6998648B2 (en) 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
CN100407474C (zh) * 2003-09-15 2008-07-30 统宝光电股份有限公司 具有光效率提升结构的有机发光组件
WO2005041249A2 (en) 2003-10-28 2005-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing optical film
JP4939742B2 (ja) * 2003-10-28 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 光学フィルムの作製方法
GB0401613D0 (en) * 2004-01-26 2004-02-25 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitting diode
EP1722606A4 (en) * 2004-03-05 2008-08-20 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND DISPLAY
US7196835B2 (en) * 2004-06-01 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Aperiodic dielectric multilayer stack
US20050269943A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
KR100615234B1 (ko) * 2004-08-03 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 무기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2006092936A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置
KR100683737B1 (ko) * 2004-12-13 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 전계발광 디스플레이 장치
EP1701395B1 (de) * 2005-03-11 2012-09-12 Novaled AG Transparentes lichtemittierendes Bauelement
DE502005009415D1 (de) * 2005-05-27 2010-05-27 Novaled Ag Transparente organische Leuchtdiode
FR2887684A1 (fr) * 2005-06-28 2006-12-29 Thomson Licensing Sa Diode electroluminescente dont l'une des electrodes est multicouche en carbone amorphe
US20070040501A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Aitken Bruce G Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device
US7722929B2 (en) * 2005-08-18 2010-05-25 Corning Incorporated Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device
US7829147B2 (en) * 2005-08-18 2010-11-09 Corning Incorporated Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device
US20080206589A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Bruce Gardiner Aitken Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
US7521860B2 (en) * 2005-08-29 2009-04-21 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Organic electro-luminescence display with multiple protective films
US8044571B2 (en) * 2005-12-14 2011-10-25 General Electric Company Electrode stacks for electroactive devices and methods of fabricating the same
US20080048178A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Bruce Gardiner Aitken Tin phosphate barrier film, method, and apparatus
KR101201782B1 (ko) * 2006-08-25 2012-11-15 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
EP1895608A3 (de) * 2006-09-04 2011-01-05 Novaled AG Organisches lichtemittierendes Bauteil und Verfahren zum Herstellen
KR101539902B1 (ko) * 2006-09-29 2015-07-27 오스람 오엘이디 게엠베하 유기 발광 소자 및 조명 장치
US8115326B2 (en) 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
JP5249240B2 (ja) * 2006-12-29 2013-07-31 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 金属アルコキシド含有フィルムの硬化方法
KR20090094829A (ko) * 2006-12-29 2009-09-08 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 무기 또는 무기/유기 하이브리드 필름의 제조 방법
US20080164812A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Tpo Displays Corp. Method for fabricating a system for displaying images
JP2008210665A (ja) * 2007-02-27 2008-09-11 Canon Inc 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
KR100873082B1 (ko) 2007-05-30 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN104327758A (zh) * 2007-12-28 2015-02-04 3M创新有限公司 柔性封装膜系统
KR101448003B1 (ko) * 2008-04-04 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20110059563A (ko) * 2008-04-16 2011-06-02 노쓰이스트 마리타임 인스티튜트, 인코포레이티드 선박 용도 및 다른 환경에 대한 금속 및 전자 소자 코팅 방법
GB2460822A (en) * 2008-06-03 2009-12-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic electroluminescent device
WO2010002755A2 (en) * 2008-06-30 2010-01-07 3M Innovative Properties Company Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid barrier films
KR20110095866A (ko) * 2008-10-17 2011-08-25 블로민센스 엘엘씨 투명한 편광된 발광 디바이스
US8637331B2 (en) 2008-10-17 2014-01-28 Bloominescence, Llc Transparent polarized light-emitting device
EP2358529A4 (en) * 2008-11-17 2013-08-28 3M Innovative Properties Co BARRIER WITH A GRADIENT COMPOSITION
FR2939907B1 (fr) * 2008-12-15 2011-03-25 Centre Nat Rech Scient Procede de structuration d'un miroir non metallique multicouche omnidirectionnel
US9184410B2 (en) * 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US9337446B2 (en) * 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US20100167002A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
US20110008525A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 General Electric Company Condensation and curing of materials within a coating system
DE102009034822A1 (de) * 2009-07-27 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt
KR101569406B1 (ko) * 2009-08-19 2015-11-17 주성엔지니어링(주) 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
US9752932B2 (en) 2010-03-10 2017-09-05 Drexel University Tunable electro-optic filter stack
US9576694B2 (en) 2010-09-17 2017-02-21 Drexel University Applications for alliform carbon
KR101752876B1 (ko) 2010-12-16 2017-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US11038144B2 (en) 2010-12-16 2021-06-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
CN103178077B (zh) * 2011-12-21 2016-08-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机电致发光显示器件及其封装方法
KR101450963B1 (ko) * 2012-07-27 2014-10-16 율촌화학 주식회사 적층 배리어 필름
CN104659270B (zh) * 2012-08-30 2017-08-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled封装结构及其制造方法、发光器件
CN102832356B (zh) * 2012-08-30 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 Oled封装结构及其制造方法、发光器件
US9385172B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation One-way transparent display
WO2014084323A1 (ja) * 2012-11-28 2014-06-05 コニカミノルタ株式会社 透明電極、及び、電子デバイス
US10580832B2 (en) 2013-01-18 2020-03-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9629449B2 (en) 2014-02-12 2017-04-25 Sang Geun Lee Portable interdental toothbrush
KR101497266B1 (ko) 2014-02-24 2015-02-27 이상근 휴대용 치간 칫솔
KR101985923B1 (ko) * 2014-05-16 2019-06-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배리어 층 스택, 배리어 층 스택을 제조하기 위한 방법, 및 울트라-하이 배리어 층 및 반사방지 시스템
US9750335B2 (en) 2014-07-17 2017-09-05 Sang Geun Lee Portable interdental toothbrush
ES2678402T3 (es) 2014-09-02 2018-08-10 Sang Geun Lee Cepillo interdental portátil
CN105161584A (zh) * 2015-09-17 2015-12-16 Tcl集团股份有限公司 含光学微腔结构的qled及其制备方法
WO2017051298A1 (en) * 2015-09-21 2017-03-30 Sabic Global Technologies B.V. Distributed bragg reflector on color conversion layer with micro cavity for blue oled lighting application
KR102477262B1 (ko) * 2016-08-05 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP6695785B2 (ja) * 2016-11-29 2020-05-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光装置、表示装置および照明装置
KR101886284B1 (ko) * 2017-06-26 2018-08-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102418609B1 (ko) 2017-11-16 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11552159B2 (en) 2018-06-18 2023-01-10 Universal Display Corporation OLED display with all organic thin film layers patterned
KR20210072199A (ko) 2019-12-06 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
JP7419821B2 (ja) 2020-01-06 2024-01-23 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
JP7415561B2 (ja) * 2020-01-06 2024-01-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
US12065728B2 (en) 2020-05-11 2024-08-20 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
CN112310308B (zh) * 2020-10-22 2022-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112649903B (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 厦门天马微电子有限公司 复合膜组及其制备方法、采光装置和显示装置
US20230157058A1 (en) 2021-11-12 2023-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US20230292605A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230363244A1 (en) 2022-05-09 2023-11-09 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230357918A1 (en) 2022-05-09 2023-11-09 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230413590A1 (en) 2022-06-17 2023-12-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US20240206208A1 (en) 2022-10-27 2024-06-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6364003A (ja) * 1986-09-05 1988-03-22 Teijin Ltd 光学フイルタ−
JPH088061A (ja) * 1993-11-22 1996-01-12 At & T Corp 発光素子の層構造およびこれを含むフラットパネルディスプレイ
JPH0992466A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1012376A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Nec Kansai Ltd 電界発光灯
JPH11224783A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000047028A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 誘電体多層膜フィルタ、その製造方法およびこれを用いた光学部品
JP2000068069A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2000266930A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光学選択フイルター
WO2000076010A1 (en) * 1999-06-02 2000-12-14 Seiko Epson Corporation Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror
WO2001029137A1 (en) * 1999-10-20 2001-04-26 Flex Products, Inc. Color shifting carbon-containing interference pigments

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4842893A (en) * 1983-12-19 1989-06-27 Spectrum Control, Inc. High speed process for coating substrates
US4954371A (en) * 1986-06-23 1990-09-04 Spectrum Control, Inc. Flash evaporation of monomer fluids
US5260095A (en) * 1992-08-21 1993-11-09 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of liquid monomers
US5478658A (en) * 1994-05-20 1995-12-26 At&T Corp. Article comprising a microcavity light source
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5780174A (en) * 1995-10-27 1998-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Micro-optical resonator type organic electroluminescent device
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5814416A (en) * 1996-04-10 1998-09-29 Lucent Technologies, Inc. Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices
US5834893A (en) * 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5920080A (en) * 1997-06-23 1999-07-06 Fed Corporation Emissive display using organic light emitting diodes
US6224948B1 (en) * 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
JP3827839B2 (ja) * 1997-11-27 2006-09-27 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
CA2353506A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
WO2000036665A1 (en) 1998-12-16 2000-06-22 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
WO2000065879A1 (en) 1999-04-28 2000-11-02 Emagin Corporation Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element
JP2001043980A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
US6879618B2 (en) * 2001-04-11 2005-04-12 Eastman Kodak Company Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6364003A (ja) * 1986-09-05 1988-03-22 Teijin Ltd 光学フイルタ−
JPH088061A (ja) * 1993-11-22 1996-01-12 At & T Corp 発光素子の層構造およびこれを含むフラットパネルディスプレイ
JPH0992466A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1012376A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Nec Kansai Ltd 電界発光灯
JPH11224783A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000047028A (ja) * 1998-07-30 2000-02-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 誘電体多層膜フィルタ、その製造方法およびこれを用いた光学部品
JP2000068069A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2000266930A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光学選択フイルター
WO2000076010A1 (en) * 1999-06-02 2000-12-14 Seiko Epson Corporation Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror
JP2003528421A (ja) * 1999-06-02 2003-09-24 セイコーエプソン株式会社 複数波長発光素子、電子機器および干渉ミラー
WO2001029137A1 (en) * 1999-10-20 2001-04-26 Flex Products, Inc. Color shifting carbon-containing interference pigments
JP2003512497A (ja) * 1999-10-20 2003-04-02 フレックス プロダクツ インコーポレイテッド 色シフト性炭素含有干渉顔料

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010541137A (ja) * 2007-09-26 2010-12-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクスデバイス
US8987708B2 (en) 2007-09-26 2015-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component
WO2011055440A1 (ja) * 2009-11-05 2011-05-12 キヤノン株式会社 表示装置
JPWO2011055440A1 (ja) * 2009-11-05 2013-03-21 キヤノン株式会社 表示装置
US8482195B2 (en) 2009-11-05 2013-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus
US9105873B2 (en) 2011-03-24 2015-08-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element
KR101421169B1 (ko) 2011-07-15 2014-07-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자
JP2013069702A (ja) * 2012-12-14 2013-04-18 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018519652A (ja) * 2015-06-24 2018-07-19 ジョン エヌ マグノ 局限されたエミッタを備えるバンド端放出強化型有機発光ダイオード
US11387434B2 (en) 2015-06-24 2022-07-12 Red Bank Technologies Llc Band edge emission enhanced organic light emitting diode with a localized emitter
US11895865B2 (en) 2015-06-24 2024-02-06 Red Bank Technologies Llc Band edge emission enhanced organic light emitting diode with a localized emitter

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003052842A2 (en) 2003-06-26
EP1442488B1 (en) 2008-01-16
DE60224698T2 (de) 2009-01-15
ATE384340T1 (de) 2008-02-15
JP5143996B2 (ja) 2013-02-13
WO2003052842A3 (en) 2004-01-22
DE60224698D1 (de) 2008-03-06
AU2002365092A1 (en) 2003-06-30
KR20040065554A (ko) 2004-07-22
JP2012253046A (ja) 2012-12-20
CN1582504A (zh) 2005-02-16
US20030085652A1 (en) 2003-05-08
JP5379287B2 (ja) 2013-12-25
CN100435376C (zh) 2008-11-19
KR100923086B1 (ko) 2009-10-22
US6888305B2 (en) 2005-05-03
EP1442488A2 (en) 2004-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5379287B2 (ja) 多層ミラーとして機能する封止構造を有する有機発光デバイス構造体
KR100873082B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US7012363B2 (en) OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies
TWI392128B (zh) 有機發光裝置、其製法及包括複數個有機發光裝置之陣列
US20060250084A1 (en) OLED device with improved light output
JP2007536697A (ja) フレキシブルエレクトロルミネッセンスデバイス
JP4832781B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20070096112A1 (en) Area light emitting device
KR101297185B1 (ko) 유기 전계 발광 다이오드 및 광 추출을 촉진하는비반사층을 가지는 다이오드 패널
JP2007519196A (ja) 有機発光ダイオード
US8928013B2 (en) Organic electroluminescence device and multi-color display apparatus using the same
JP2007519196A5 (ja)
US20060267485A1 (en) Organic light emitting diode (oled) with contrast enhancement features
JP2008210665A (ja) 有機発光素子及びそれを用いた表示装置
JP2008538155A (ja) 光出力が改善されたｏｌｅｄデバイス
US20060284170A1 (en) Transparent Light-Emitting Component
JP2007095330A (ja) 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
JP2007280677A (ja) 発光装置および電子機器
JP2003303682A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4742717B2 (ja) 発光装置、その製造方法および電子機器
KR20080104324A (ko) 가요성 전기발광 소자
JP7434511B2 (ja) 発光装置
CN111477673B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN115411212A (zh) 显示面板和显示装置
KR20060111643A (ko) 가요성 전기발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080916

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100119

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100419

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100426

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100519

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110511

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20110519

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20110715

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120927

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121122

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5143996

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term