JP2000047028A - 誘電体多層膜フィルタ、その製造方法およびこれを用いた光学部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の誘電体多層膜フィルタよりもさらに薄
い誘電体多層膜フィルタ、その製造方法およびこれを用
いた光学部品の提供。 【解決手段】 交互に積層した高屈折率層および低屈折
率層の多層構造体のみからなる誘電体多層膜フィルタ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システム等
において用いられる薄型化した誘電体多層膜フィルタ、
その製造方法およびこれを用いた光学部品に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】光通信システムでは様々な光学素子、光
学部品が用いられる。例えば光路中に微少な間隙を形成
した光学素子に薄い誘電体多層膜フィルタを挿入した光
学部品が用いられる。この誘電体多層膜フィルタには、
誘電体多層膜フィルタを挿入した時に生じる過剰損失を
低減するために薄いものが要求される。例えば、光路中
の微少な間隙を数十μｍ以下（誘電体多層膜フィルタは
それ以下の厚さ）にすることにより、過剰損失を０．５
ｄＢ程度に抑えることが可能である。

【０００３】従来のガラス基板誘電体多層膜フィルタに
おいてこの薄さを実現することは、ガラス基板が非常に
脆いため極めて困難な作業を必要とし、また歩留りもよ
くない。このようなことから取り扱いが容易な誘電体多
層膜フィルタの実現が望まれていた。

【０００４】特開平４−２１１２０３号では、基板がフ
ッ素化ポリイミド膜である誘電体多層膜フィルタを開示
している。この発明を用いることにより、厚さ１０数μ
ｍの誘電体多層膜フィルタを歩留りよく製造することが
可能である。しかしながら過剰損失をより低減するため
に、誘電体多層膜フィルタとしてさらに薄いフィルタが
必要とされる場合がある。一方で、高性能な多層膜フィ
ルタが要求されるようになってきており、ある場合で
は、１００層近くの多層にしなければ要求性能を満足で
きないものもある。多層になるほど誘電体多層膜の厚さ
は厚くなり、薄型化の要求を満足できなくなる。このよ
うに、より薄い誘電体多層膜フィルタが望まれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の誘電
体多層膜フィルタよりもさらに薄い誘電体多層膜フィル
タ、その製造方法およびこれを用いた光学部品を提供す
ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の目
的を達成するため、誘電体多層膜フィルタの構成につい
て鋭意検討した結果、新たな構成の誘電体多層膜フィル
タにより目的を達成できることを見いだし、本発明を完
成するに至った。すなわち、本発明の第１の態様は、交
互に積層した高屈折率層および低屈折率層の多層構造体
のみからなる誘電体多層膜フィルタに関するものであ
る。

【０００７】本発明の第２の態様は、低屈折率層が、高
分子材料から製造される前記に記載の誘電体多層膜フィ
ルタに関するものである。

【０００８】本発明の第３の態様は、高分子材料が、ポ
リイミドである前記に記載の誘電体多層膜フィルタに関
するものである。

【０００９】本発明の第４の態様は、ポリイミドが、フ
ッ素化ポリイミドである前記に記載の誘電体多層膜フィ
ルタに関するものである。

【００１０】本発明の第５の態様は、（ａ）高分子材料
を基板上に真空蒸着重合させ低屈折率膜を形成する工
程、（ｂ）該低屈折率膜上に高屈折率膜を形成する工
程、（ｃ）（ａ）および（ｂ）の工程を交互に繰り返
し、多層構造体を形成する工程、（ｄ）基板上から前記
多層構造体を剥離する工程を具える誘電体多層膜フィル
タの製造方法に関するものである。

【００１１】本発明の第６の態様は、高分子材料がポリ
イミドである前記に記載の誘電体多層膜フィルタの製造
方法に関するものである。

【００１２】本発明の第７の態様は、前記のいずれかに
記載の誘電体多層膜フィルタを備える光学部品に関する
ものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】従来型の誘電体多層膜フィルタで
は、低屈折率層および高屈折率層の双方に無機材料を使
用している。そのため、誘電体多層膜フィルタのみでは
非常に脆く、支持基板が必要とされている。しかしなが
ら、この支持基板は、単に機械的強度を付与するだけの
ものであり、誘電体多層膜フィルムとして本質的なもの
ではなく、支持基板をなくしてもフィルタの性能として
は全く問題がない。

【００１４】本発明では、低屈折率層に機械的強度を有
する高分子材料を用いることにより、支持基板を必要と
することなく多層膜フィルタに十分な機械的強度を持た
せることができる。その結果として、誘電体多層膜フィ
ルタの薄型化が可能となる。

【００１５】本発明の誘電体多層膜フィルタを図１に示
し、以下に概説する。

【００１６】図１は、本発明に係わる誘電体多層膜フィ
ルタ３の製造工程を示す図である。図１（ａ）は基板４
上に低屈折率層１を積層したものであり、図１（ｂ）は
次いで高屈折率層２を積層したものであり、さらに図１
（ｃ）は（ａ）および（ｂ）の工程を交互に繰り返した
後、基板４を剥離して、多層膜フィルタ３としたもので
ある（積層数が３０の場合）。この多層膜フィルタ３に
おいて、高分子材料で形成した低屈折率層１と高屈折率
層２はそれぞれ交互に積層されている。

【００１７】本発明の高屈折率層としては屈折率が大き
いことが好ましく、特に屈折率が２．０を越える材料が
望ましい。具体的には、二酸化チタンまたは五酸化タン
タル等が好適である。低屈折率層としては、種々の高分
子材料を使用することができるが、ポリメチルメタクリ
レート、ポリカーボネート、シリコン樹脂、エポキシ樹
脂のような光学用に通常用いられる高分子材料が好適で
ある。

【００１８】高屈折率層の作製プロセスおよび種々の光
部品、光装置に誘電体多層膜フィルタを用いることを考
慮した場合、耐熱性が非常に重要になってくる。それ
故、耐熱性に優れたポリイミドがより好適である。ポリ
イミドの中でも光透過性に優れたフッ素化ポリイミドが
最も好適である。本発明に使用するポリイミドは、例え
ば、以下に示すテトラカルボン酸の無水物およびジアミ
ンから製造することができる。但し、これらに限定され
るものではない。

【００１９】先ず、テトラカルボン酸としては、以下の
ものが挙げられる。すなわち、（トリフルオロメチル）
ピロメリット酸、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリッ
ト酸、ジ（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸、
ペンタフルオロエチルピロメリット酸、ビス｛３，５−
ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロメリット
酸、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン
酸、３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニル
エーテル、２，３′，３，４′−テトラカルボキシジフ
ェニルエーテル、３，３′，４，４′−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸、２，３，６，７−テトラカルボキシ
ナフタレン、１，４，５，７−テトラカルボキシナフタ
レン、１，４，５，６−テトラカルボキシナフタレン、
３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルメタ
ン、３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニル
スルホン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ヘキサフルオロプロパン、５，５′−ビス（ト
リフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカル
ボキシビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス
（トリフルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラ
カルボキシビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロ
メチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフ
ェニルエーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフ
ェノン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフ
ェノキシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジ
カルボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメ
チル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシ
フェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ）オクタフルオロビフェニル等である。

【００２０】次に、ジアミンとしては、例えば以下のも
のが挙げられる。

【００２１】ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミ
ノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、２，４−ジア
ミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフ
ルオロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキ
シ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロ
フェノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，
３，５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，
２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パー
フルオロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベン
ゼン、ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトル
エン、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレン
ジアミン、２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド、
ビス（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジア
ミノテトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ
（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロブチル）ベンゼン、ベンジジン、２，
２′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメチルベンジ
ジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、２，２′−ジ
メトキシベンジジン、３，３′，５，５′−テトラメチ
ルベンジジン、３，３′−ジアセチルベンジジン、２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、３，３′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリ
ノ）エタン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサ
フルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフ
ルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオ
ロヘプタン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′−５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−４，４′−ジアミノフェニルエーテ
ル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′
−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ−ｐ
−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニル）
ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキシ）
ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミノフ
ェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス［｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル］ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタン、ビス
［｛２−（アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオ
ロイソプロピル］ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。

【００２２】高屈折率層、低屈折率層の厚さおよび層数
は、作製しようとする誘電体多層膜フィルタの仕様、例
えばどの波長を通し、どの波長をカットするのか、その
時の消光比はどの程度であるか、等に依存する。

【００２３】本発明の誘電体多層膜フィルタは、高屈折
率層および高分子材料からなる低屈折率層を交互に積層
することにより製造できる。高屈折率層の形成には、例
えば二酸化チタンまたは五酸化タンタルを材料とすると
き、イオンアシスト蒸着法、スパッタ法のような種々の
慣用の無機薄膜形成法を用いることができる。一方、高
分子材料の低屈折率層の形成には、材料となる高分子の
溶液をスピンコートなどの方法で塗布し、加熱乾燥する
方法、蒸着重合法などが使用できる。膜厚制御性に優れ
た蒸着重合法が好適である。

【００２４】本発明の誘電体多層膜フィルタの製造に
は、次に示す製造装置を使用することができる。すなわ
ち、この製造装置は、真空室内において、それぞれ独立
した低屈折率膜材料の蒸発源および高屈折率膜材料の蒸
発源を備え、各々の蒸発源は基板と対向して位置してい
る。低屈折率層をポリイミド膜にするとき、蒸発源に
は、ポリイミド膜の各原料モノマーを別々に充填させ
る。

【００２５】以下の実施例は、本発明の誘電体多層膜フ
ィルタの製造を例示するものであり、限定するものでは
ない。

【００２６】（実施例１）この実施例は、誘電体多層膜
フィルタの低屈折率層膜がポリイミド膜、高屈折率層が
二酸化チタン膜である場合を例示するものである。

【００２７】上述の多層膜形成装置を用い、まず表面が
光学研磨された石英基板上に誘電体多層膜を形成した。
具体的には、高屈折率膜材料の蒸発源に二酸化チタンを
充填し、低屈折率膜材料の一方の蒸発源に２，（３，４
−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無
水物（以下、６ＦＤＡという）を、もう一方に２，２′
−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビ
フェニル（以下、ＴＦＤＢという）を充填した後排気し
た。続いて、各モノマーを充填させた２つの低屈折率膜
材料の蒸発源のシャッターを開き、６ＦＤＡおよびＴＦ
ＤＢを蒸着させた後シャッターを閉じ、基板上で重合お
よびイミド化させ、１層目のポリイミド膜を形成した。
次いで、二酸化チタン蒸発源から二酸化チタンを蒸発さ
せ、ポリイミド膜上に二酸化チタン膜を形成した。この
工程を繰り返し、全部で３０層の誘電体多層膜を形成し
た。なお、この誘電体多層膜フィルタは、波長１．３μ
ｍの光を透過し、波長１．５５μｍの光を透過させない
機能を持つフィルタである。

【００２８】次に、得られた石英基板上の誘電体多層膜
に、カッターを用いて長さ２ｍｍ、幅２ｍｍの碁盤目状
の切り目を入れ、これを石英基板上から剥離することに
より、長さ２ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ１０μｍの誘電体多
層膜フィルタを得た。

【００２９】得られた誘電体多層膜フィルタについて、
波長１．３μｍの過剰損失を測定したところ０．１ｄＢ
であり、また波長１．５５μｍの透過損失を測定したと
ころ４０ｄＢであった。また、この誘電体多層膜フィル
タを石英光導波路に形成した１５μｍの溝に挿入し、接
着剤で固定した光部品を作製し、誘電体多層膜フィルタ
を挿入した時に生じる過剰損失を測定した結果、その値
は０．３ｄＢであった。誘電体多層膜フィルタを石英光
導波路の溝に挿入した時、破損は全く起こらず、取り扱
い性は、ポリイミド基板誘電体多層膜フィルタと同様で
あった。試験の結果を以下表１に示す。

【００３０】（実施例２）低屈折率層の重合材料として
ピロメリット酸二無水物（以下、ＰＭＤＡという）およ
びＴＦＤＢを用いることを除いて、実施例１と同様に行
った。得られた石英基板上の多層膜フィルタに切り目を
入れ、これを石英基板上から剥離することにより、長さ
２ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ１０μｍの誘電体多層膜フィル
タを得た。フィルタは、取り扱い性に優れており、破損
することなく石英光導波路の溝に挿入できた。同様にフ
ィルタ特性を以下表１に示す。

【００３１】（実施例３）低屈折率層の重合材料として
ＰＭＤＡおよびＴＦＤＢ、および高屈折率層の無機材料
として五酸化タンタルを用いることを除いて、実施例１
と同様に実施した。得られた石英基板上の多層膜フィル
タに切り目を入れ、これを石英基板上から剥離すること
により、長さ２ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ１０μｍの誘電体
多層膜フィルタを得た。フィルタは、取り扱い性に優れ
ており、破損することなく石英光導波路の溝に挿入でき
た。同様にフィルタ特性を以下表１に示す。

【００３２】（比較例１〜２）支持基板としてポリイミ
ド（比較例１）およびガラス（比較例２）を用い、低屈
折率層を二酸化ケイ素で、および高屈折率層を二酸化チ
タンで構成した、フィルタ膜厚全体が２０μｍの誘電体
多層膜フィルタを実施例１と同様にして製造した。同様
に、得られたフィルタの特性を表１に示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１からも分かるように、本発明の支持基
板を持たない誘電体多層膜フィルタは、透過損失を比較
例１および２と同じにした場合においても、過剰損失が
０．５である比較例１および２に対して過剰損失が０．
３と優れた効果を示している。また、本発明の誘電体多
層膜フィルタは、実際に１５μｍの溝を形成した光導波
路に挿入しても破損することはなかった。

【００３５】

【発明の効果】本発明によれば支持基板を必要としない
誘電体多層膜フィルタが実現できるため、従来の基板を
用いた誘電体多層膜フィルタと比較して薄型化が可能と
なり、光導波路等に挿入した際の過剰損失を低減できる
という効果がある。

【００３６】また、この誘電体多層膜フィルタの製造に
おいて、基板上の第１層目をポリイミド膜とすることに
より、多層構造体形成後、これを容易に剥離することが
でき、かつ多量の生産も可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の誘電体多層膜フィルタの製造方法を工
程順に示す断面図である。

【符号の説明】

１ 低屈折率層 ２ 高屈折率層 ３ 誘電体多層膜フィルタ

フロントページの続き (72)発明者 佐々木 重邦 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 澤田 孝 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 松浦 徹 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 山田 典義 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 山本 二三男 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内 (72)発明者 佐藤 昌敏 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 浮島 禎之 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 飯島 正行 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 (72)発明者 高橋 善和 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 Ｆターム(参考） 2H048 GA05 GA33 GA62 4F100 AA21 AK01B AK49B AR00A AR00B BA02 BA03 BA04 BA05 BA08 BA10A BA10B BA13 EG002 EH662 EJ912 GB41 JG05 JL00 JL14 JN18A JN18B

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 交互に積層した高屈折率層および低屈折
   率層の多層構造体のみからなることを特徴とする誘電体
   多層膜フィルタ。
2. 【請求項２】 前記低屈折率層が、高分子材料から構成
   されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体多層膜
   フィルタ。
3. 【請求項３】 前記高分子材料が、ポリイミドであるこ
   とを特徴とする請求項２に記載の誘電体多層膜フィル
   タ。
4. 【請求項４】 前記ポリイミドが、フッ素化ポリイミド
   であることを特徴とする請求項３に記載の誘電体多層膜
   フィルタ。
5. 【請求項５】（ａ）高分子材料を基板上に真空蒸着重合
   させ低屈折率膜を形成する工程、（ｂ）該低屈折率膜上
   に高屈折率膜を形成する工程、（ｃ）（ａ）および
   （ｂ）の工程を交互に繰り返し、多層構造体を形成する
   工程、（ｄ）基板上から前記多層構造体を剥離する工程
   を具えることを特徴とする誘電体多層膜フィルタの製造
   方法。
6. 【請求項６】 前記高分子材料が、ポリイミドであるこ
   とを特徴とする請求項５に記載の誘電体多層膜フィルタ
   の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の誘電体多層膜フィルタを備えることを特徴とする光学
   部品。