JP2006505092A - Organic light emitting device structure having sealing structure that functions as multilayer mirror - Google Patents
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Abstract
単一の多層スタックによって、望ましい光学的特性及びバリア特性を同時に実現することができる、OLEDデバイスに関する新規な構造を提供する。OLED構造体は、(a)基板(110)と、(b)基板上に形成され、(1)第1の電極(142)と、(2)第1の電極上に形成された発光部(144)と、(3)発光部上に形成された第2の電極(146)とを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイス(140)と、(c)基板上に形成され、(1)第1の屈折率を有する平坦化層(121a〜121c)と、(2)第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層(122a〜122c)とが交互に連続的に配設された多層ミラー(120)とを備える。平坦化層及び高密度層の厚さは、多層ミラーが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。It provides a novel structure for OLED devices that can simultaneously achieve desirable optical and barrier properties with a single multilayer stack. The OLED structure is formed on (a) a substrate (110), (b) a substrate, (1) a first electrode (142), and (2) a light emitting unit (1) formed on the first electrode ( 144) and (3) an organic light-emitting device (140) having a second electrode (146) formed on the light-emitting portion and emitting light of a predetermined range of wavelengths when turned on, and (c) (1) a planarization layer (121a to 121c) having a first refractive index, and (2) a high-density layer (122a to 122a) having a second refractive index different from the first refractive index. 122c) and a multilayer mirror (120) arranged alternately and continuously. The thicknesses of the planarization layer and the high-density layer are selected so that the multilayer mirror transmits light having a peak wavelength within a predetermined range of wavelengths. The planarization layer and the dense layer cooperate to prevent water and oxygen permeation.
Description
本発明は、周囲の環境内の有害化学種(harmful species)から有機発光デバイスを保護する構造及びこのようなデバイスから出射された光を反射及び透過させる構造に関する。 The present invention relates to structures for protecting organic light emitting devices from harmful species in the surrounding environment and structures for reflecting and transmitting light emitted from such devices.
ポリマ有機発光デバイス及び低分子有機発光デバイスを含む有機発光デバイス(organic light emitting devices:以下、OLEDという。)は、例えばラップトップコンピュータ、テレビジョン受像機、デジタル腕時計、電話機、ページャ、移動電話機、計算機等の様々な種類の仮想表示型ディスプレイ(virtual-view type displays)及び直接表示型ディスプレイ(virtual-and direct-view type displays)に採用されている。有機発光デバイスは、無機半導体発光デバイスとは異なり、一般的に構造が単純であり、製造が比較的簡単で安価である。更に、OLEDは、多種多様な色を必要とする用途及び表示領域が広い機器への用途にも容易に用いることができる。 Organic light emitting devices (hereinafter referred to as OLED) including polymer organic light emitting devices and small molecule organic light emitting devices are, for example, laptop computers, television receivers, digital watches, telephones, pagers, mobile telephones, computers. Are used in various types of virtual-view type displays and virtual-and direct-view type displays. Unlike inorganic semiconductor light-emitting devices, organic light-emitting devices generally have a simple structure, are relatively easy to manufacture, and are inexpensive. Furthermore, the OLED can be easily used for applications that require a wide variety of colors and for devices with a wide display area.
画像表示用途(imaging applications)のための2次元OLEDアレーは、当該技術分野において知られており、通常、行及び列に配列された複数のアクティブ画素からなるOLED表示領域を含む。図1Aは、従来のOLED構造を概略的に示す図(断面図)である。ここに示すOLED構造は、単一のアクティブ画素15を備え、アクティブ画素15は、例えば電極部(electrode region)であるアノード部(以下、単にアノードという。)12と、アノード12上に形成された発光層14と、発光層14上に形成された他方の電極部であるカソード部(以下、単にカソードという。)16とから構成されている。アクティブ画素15は、基板10上に配設されている。カバー20及び基板10は、封止部25とともに協働して、外部環境からアクティブ画素15に酸素や水蒸気が浸入することを防いでいる。
Two-dimensional OLED arrays for imaging applications are known in the art and typically include an OLED display area consisting of a plurality of active pixels arranged in rows and columns. FIG. 1A is a diagram (cross-sectional view) schematically showing a conventional OLED structure. The OLED structure shown here includes a single
従来の手法では、発光層14からの光は、基板10を介して下方に透過される。このような「下方取出し(bottom emitting)」構成では、基板10及びアノード12は、透明材料から形成される。一方、この構成では、カソード16及びカバー20は、透明である必要はない。
In the conventional method, the light from the
「上取出し(top- emitting)」OLED及び透明OLED(transparent OLED:TOLED)等の他のOLED構造も知られている。上取出しOLEDでは、発光層14から出射された光は、カバー20を介して上方に透過される。したがって、この場合、基板10は、不透明な材料から形成してもよく、カバー20は、透明な材料から形成する必要がある。図1Aに示すような設計に基づく上取出し構成では、カソード16に透明材料を用いるが、アノード12は、透明である必要はない。図1Bに示す他の上取出し構成では、図1Aにおけるアノード12とカソード16の位置を入れ替え、このため透明なアノード12を用いている。この場合、カソード16は、不透明であってもよい。このような構成は、「反転構成("inverted" configuration)」と呼ばれることもある。
Other OLED structures are also known, such as “top-emitting” OLEDs and transparent OLEDs (TOLEDs). In the top extraction OLED, the light emitted from the
光が上方及び下方の両方向に(すなわち、デバイスの上面と底面の両方から)出射されるTOLEDでは、基板10、アノード12、カソード16、カバー20の全てが透明である必要がある。この構成は、図1A又は図1Bに示すものと同様の構成を有していてもよい。
In a TOLED where light is emitted in both upward and downward directions (i.e., from both the top and bottom surfaces of the device), the
OLEDを形成する場合、通常、反応性金属(reactive metal)の層をカソードとして用いて、効率的な電子注入及び低い動作電圧を実現している。しかしながら、反応性金属及び反応性金属と有機材料の間の界面は、酸素及び水分に影響を受けやすく、これによりデバイスの寿命が著しく制限される。水分及び酸素は、この他にも悪い影響を生じることが知られている。例えば、水分及び酸素により、OLEDにおける「ダークスポット領域(dark spot area)」が増加することが知られている。当該技術分野では、このような外部環境からの化学種(species)を侵入させないための様々なバリア部が知られている。その具体例としては、その開示内容全体が引用により本願に援用される米国特許第5,757,126号明細書、第6,146,225号明細書、第6,268,295号明細書等に開示されている多層構造(multi-layer structures)が含まれる。 When forming OLEDs, a layer of reactive metal is typically used as the cathode to achieve efficient electron injection and low operating voltage. However, reactive metals and interfaces between reactive metals and organic materials are sensitive to oxygen and moisture, which severely limits the lifetime of the device. It is known that moisture and oxygen have other adverse effects. For example, it is known that moisture and oxygen increase the “dark spot area” in OLEDs. Various barrier parts are known in the art to prevent the entry of such species from the external environment. Specific examples thereof include US Pat. Nos. 5,757,126, 6,146,225, and 6,268,295, the entire disclosures of which are incorporated herein by reference. Multi-layer structures disclosed in US Pat.
更に、OLEDに関連して分布ブラッグ反射器(distributed Bragg reflector:以下、DBRという。)を利用することも知られている。これらのDBRは、多くの場合いわゆる「1/4波長スタック(quarter-wave stack)」を用いた多層ミラー構造を有する。このような構造により、とりわけ、発光波長帯域のスペクトル(spectrum of the emission band)を狭くし、ピーク出力輝度を高くし、出射光の向きを変えることができる。このような構造の具体例は、例えば、ドダバラプー(Dodabalapur)他の米国特許第5,674,636号明細書、ドダバラプー他の米国特許第5,814,416号明細書、ボロビック(Bulovic)他の米国特許第5,834,893号明細書、ジョーンズ(Jones)他の米国特許第5,920,080号明細書等に開示されている。これらの文献は、それぞれ引用により本願に援用されるものとする。 Furthermore, it is also known to use a distributed Bragg reflector (hereinafter referred to as DBR) in connection with the OLED. These DBRs often have a multilayer mirror structure using a so-called “quarter-wave stack”. With such a structure, in particular, the spectrum of the emission band can be narrowed, the peak output luminance can be increased, and the direction of outgoing light can be changed. Examples of such structures include, for example, Dodabalapur et al., US Pat. No. 5,674,636, Doda Balapu et al., US Pat. No. 5,814,416, Bulovic et al. U.S. Pat. No. 5,834,893, Jones et al. U.S. Pat. No. 5,920,080, and the like. Each of these documents is hereby incorporated by reference.
本発明の目的は、OLEDデバイスに関連して用いられ、多層ミラーとして及び外部環境からの有害化学種に対するバリアとして同時に機能する新たな構造を提供することである。 It is an object of the present invention to provide a new structure used in connection with OLED devices that simultaneously functions as a multilayer mirror and as a barrier against harmful chemical species from the external environment.
本発明に係る有機発光デバイス構造体は、(a)基板と、(b)基板上に形成され、第1の電極と、第1の電極上に形成された発光部と、発光部上に形成された第2の電極とを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、(c)基板上に形成され、(1)第1の屈折率を有する平坦化層と、(2)第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された多層ミラーとを備える。平坦化層及び高密度層の厚さは、多層ミラーが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。 An organic light emitting device structure according to the present invention is formed on (a) a substrate, (b) a substrate, a first electrode, a light emitting portion formed on the first electrode, and a light emitting portion. An organic light-emitting device that emits light having a predetermined wavelength when turned on, and (c) a planarization formed on a substrate and having (1) a first refractive index And (2) a multilayer mirror in which high-density layers having a second refractive index different from the first refractive index are alternately and continuously disposed. The thicknesses of the planarization layer and the high-density layer are selected so that the multilayer mirror transmits light having a peak wavelength within a predetermined range of wavelengths. The planarization layer and the dense layer cooperate to prevent water and oxygen permeation.
多層ミラーは、好ましくは、1/4波長スタック(quarter-wave stack)である。好ましくは、第1の電極はアノードであり、第2の電極はカソードであるが、これと反対の構成としてもよい。更に、用途に応じて、有機発光デバイスは、上取出し型デバイス、下方取出し型デバイス、透明デバイスのいずれであってもよい。 The multilayer mirror is preferably a quarter-wave stack. Preferably, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode, but may be configured in the opposite manner. Furthermore, depending on the application, the organic light emitting device may be any one of an upper extraction device, a lower extraction device, and a transparent device.
幾つかの実施例においては、1/4波長スタックは有機発光デバイスと基板との間に配設され、第1の電極は透明電極である。これらの実施例では、第2の電極も透明にしてもよく、この場合、必要であれば、第2の電極上に更なる1/4波長スタックを形成してもよい。一方、第2の電極は不透明であってもよく、この場合、第2の電極は反射性を有する反射電極であることが好ましい。 In some embodiments, the quarter wave stack is disposed between the organic light emitting device and the substrate, and the first electrode is a transparent electrode. In these embodiments, the second electrode may also be transparent, in which case an additional quarter-wave stack may be formed on the second electrode if desired. On the other hand, the second electrode may be opaque. In this case, the second electrode is preferably a reflective electrode having reflectivity.
他の実施例では、1/4波長スタックは有機発光デバイス上に配設され、第2の電極は透明電極である。この実施例では、第1の電極は不透明であってもよく、この場合、第1の電極は反射性を有する反射電極であることが好ましい。 In other embodiments, the quarter wave stack is disposed on the organic light emitting device and the second electrode is a transparent electrode. In this embodiment, the first electrode may be opaque. In this case, the first electrode is preferably a reflective electrode having reflectivity.
本発明の他の側面である有機発光デバイス構造体は、(a)透明基板と、(b)透明基板上に形成され、透明アノードと、透明アノード上に形成された発光部と、発光部上に形成された反射カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、(c)基板上に形成され、(1)第1の屈折率を有する平坦化層と、(2)第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された1/4波長スタックとを備える。 An organic light emitting device structure according to another aspect of the present invention includes (a) a transparent substrate, (b) a transparent anode formed on the transparent substrate, a light emitting portion formed on the transparent anode, and a light emitting portion. An organic light emitting device that is turned on and emits light of a wavelength in a predetermined range; and (c) a planarization formed on a substrate and having (1) a first refractive index. And a quarter-wave stack in which (2) a high-density layer having a second refractive index different from the first refractive index is alternately and continuously disposed.
この実施例における平坦化層及び高密度層の厚さは、1/4波長スタックが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択される。更に、平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。 The thicknesses of the planarization layer and the high density layer in this embodiment are selected so that the quarter wavelength stack transmits light having a peak wavelength within a predetermined range of wavelengths. Furthermore, the planarization layer and the dense layer cooperate to prevent water and oxygen permeation.
本発明の他の側面である有機発光デバイス構造体は、(a)基板と、(b)基板上に形成され、反射アノードと、反射アノード上に形成された発光部と、発光部上に形成された透明カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、(c)基板上に形成され、(1)第1の屈折率を有する平坦化層と、(2)第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された1/4波長スタックとを備える。この場合も、上述と同様に、平坦化層及び高密度層の厚さは、1/4波長スタックが所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐ。 An organic light emitting device structure according to another aspect of the present invention is formed on (a) a substrate, (b) a reflective anode, a light emitting portion formed on the reflective anode, and a light emitting portion. An organic light emitting device that is turned on and emits light of a wavelength in a predetermined range; (c) a planarization layer formed on a substrate and having (1) a first refractive index; (2) a quarter-wave stack in which high-density layers having a second refractive index different from the first refractive index are alternately and continuously disposed. Again, as above, the thicknesses of the planarization layer and the high density layer are selected so that the quarter wavelength stack transmits light of a peak wavelength within a predetermined range of wavelengths, The dense layer cooperates to prevent water and oxygen permeation.
本発明では、単一の多層スタックによって、望ましい光学的特性及びバリア特性を同時に実現することができる。 In the present invention, the desired optical and barrier properties can be achieved simultaneously with a single multilayer stack.
本発明のこれらの及びこの他の実施例、及び利点は、以下の説明によって当業者に明らかとなる。 These and other embodiments and advantages of the invention will be apparent to those skilled in the art from the following description.
以下、本発明の好ましい実施例を示す図面を参照して、本発明を詳細に説明する。但し、本発明は、ここに説明する実施例とは異なる形式で実施することもでき、本発明の構成は、ここに示す形式に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings illustrating preferred embodiments of the present invention. However, the present invention can be implemented in a format different from the embodiments described herein, and the configuration of the present invention is not limited to the format shown here.
なお、図面は、一般的な図面の場合と同様、単純化された図式的な表現に過ぎず、実際の構造は、構成部品の相対的な尺度を含む多くの点で、図面とは異なっている。 It should be noted that the drawings are only simplified schematic representations, as in general drawings, and the actual structure differs from the drawings in many respects, including the relative scale of the components. Yes.
ここで用いる所定の材料の「層(layer)」とは、厚さが長さ及び幅に対して小さい材料の部分を指す。層には、シート(sheet)、箔(foil)、膜(film)、積層(lamination)、コーティング(coating)等が含まれる。この明細書において層は、必ずしも平面状である必要はなく、例えば、他の構成部品を少なくとも部分的に包み込むように、湾曲し、屈曲し、又は他の形状に曲がっていてもよい。「層」は、2つ以上の副次的な層、すなわち「副層(sublayer)」を含んでいてもよい。 As used herein, a “layer” of a given material refers to the portion of the material whose thickness is small relative to its length and width. Layers include sheets, foils, films, laminations, coatings, and the like. In this specification, the layers are not necessarily planar, and may be curved, bent or bent into other shapes, for example, so as to at least partially enclose other components. A “layer” may include two or more sublayers, or “sublayers”.
図2は、包括的に符号100で指示されるOLEDデバイスの構造を示し、OLEDデバイス100は、基板110と、多層ミラー(この場合、1/4波長スタック)120と、OLED140と、カバー部150とを備える。
FIG. 2 shows the structure of an OLED device indicated generally by the
OLED140は、周知のいかなるOLEDであってもよい。例えば、上述のように、OLED140は、そのアノード及びカソードとして機能する電極部142、146を備える。更に、OLED140は、電極部142、146間に配設された発光部144(放射部)144を備える。
The
発光部144は、(a)正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とからなる3層構成(すなわちダブルヘテロ構造構成)、(b)正孔輸送層と、発光及び電子輸送機能を提供する層とからなる2層構成、又は電子輸送層と、発光及び正孔輸送機能を有する層とからなる2層構成(すなわち、シングルヘテロ構造構成)(c)正孔輸送、電子輸送、発光機能を有する単一の層からなる構成(すなわち、単層構成)を含む、数多くの周知の構成に関連して設けることができる。各構成において、更なる層を追加してもよく、例えば、正孔注入又は電子注入を促進するための層を追加してもよく、或いは正孔又は電子をブロックするための層を設けてもよい。このようなデバイスの様々な構造については、例えば、米国特許第5,707,745号明細書に開示されており、この文献の開示内容全体は、引用により本願に援用される。当該技術分野では、より複雑なOLED構造も実用化されている。
The
図2に示す実施例では、多くの場合、電極部146と1/4波長スタック120の組合せによって、微小共振器効果(microcavity effect)が生じる。この実施例においては、電極部142は、多くの場合、OLEDの所望の出力波長である所定の波長の出力光に対して透明性を有する。ここで言う「透明(transparent)」とは、その領域(この場合、電極部142)を通過する出力光の減衰量が小さく、所定の波長において、透過率が通常80%より大きいことを意味する。
In the embodiment shown in FIG. 2, in many cases, the combination of the electrode portion 146 and the quarter-wave stack 120 causes a microcavity effect. In this embodiment, the
好ましい構成として、電極部142をアノードとして選択した場合、適切な透明性を有する材料としては、酸化インジウム−スズ(indium tin oxide:以下、ITOという。)、酸化亜鉛−スズ等の金属酸化物及び当分野で周知の他の材料が用いられる。電極部142をカソードとして選択した場合には、適切な透明性を有する材料としては、例えば、Mg−Ag/ITO、LiF/Al/ITO等の金属/金属酸化物の組合せ又は当分野で周知の他の材料が用いられる。
As a preferred configuration, when the
図2に示す構造の好ましい実施例として、図2に示すOLEDデバイス100を下方取出し型OLEDとした場合、基板110は透明である必要があり、一方、カバー150は、透明である必要はない。この構成においては、電極部146は、例えばOLEDデバイス100の共振器効果(cavity effect)を高めるために、反射性材料から形成することが望ましい。ここで「反射性」とは、所定の波長の出力光の相当な量、典型的には少なくとも80%が反射されることを意味する。電極部146をカソードとして選択した場合、適切な反射性を有する材料としては、アルミニウム、アルミニウム/リチウム、アルミニウム/フッ化リチウム、アルミニウム/酸化リチウム及び当該技術分野で周知の他の材料を用いることができる。一方、電極部146をアノードとして選択した場合、適切な反射性を有する材料としては、例えば金、クロム、ニッケル、プラチナ及び当分野で周知の他の材料を用いることができる。
As a preferred embodiment of the structure shown in FIG. 2, when the
図2に示すOLEDデバイス100をTOLEDとした場合、基板110及びカバー150の両方は透明である。更に、電極部146も透明である。電極部146に用いることができる透明な材料としては、電極部142に関して上述した材料と同様の材料がある。
When the
図2に示すOLEDデバイス100を上取出し型OLEDとした場合、カバー150及び電極部146は透明である。
When the
図2に示すOLEDデバイス100の特に好ましい構成は、下方取出し型構成であり、この場合、基板110は透明基板であり、電極部142が透明アノードである、電極部146が反射性カソードである。
A particularly preferred configuration of the
図3は、包括的に符号200で示される、本発明の他の実施例であるOLEDデバイスの構造を示している。この実施例では、多層ミラー(ここでは、1/4波長スタック220)を電極部246上に基板210とは反対側に設けている。
FIG. 3 shows the structure of an OLED device that is another embodiment of the present invention, indicated generally at 200. In this embodiment, a multilayer mirror (in this case, a quarter-wave stack 220) is provided on the electrode 246 on the side opposite to the
後により詳細に説明するように、本発明に基づく1/4波長スタック220は、周辺環境における有害化学種の侵入を阻止する機能を有するため、この実施例では、別個のカバーを設ける必要がない。図3では、1/4波長スタック220を電極部246上に直接設けているが、1/4波長スタック220の形成において用いられるあらゆる基体(substrate)を含む介在層(intervening region)を設けてもよい。また、介在層は、従来と同様、本発明に基づくデバイスの他の様々な層間に設けることができる。
As will be described in more detail later, the quarter-
図3に示す実施例では、微小共振器効果は、電極部242と1/4波長スタック220の組合せによって生じる。この実施例では、電極部246は、透明である。
In the embodiment shown in FIG. 3, the microresonator effect is generated by the combination of the
OLEDデバイス200を下方取出し型OLEDとした場合、又はOLEDデバイス200をTOLEDとした場合、基板210及び電極部242も透明にする。
When the
図3に示す構造の好ましい実施例として、OLEDデバイス200を上取出し型OLEDとした場合、電極部242を反射性材料から形成して、例えばこのOLEDデバイス200の共振器効果を高めることができる。これに代えて、上取出し構成においても、電極部242を透明材料から形成してもよい。
As a preferred embodiment of the structure shown in FIG. 3, when the
図2と同様、電極部242は、好ましくはアノードであり、電極部246は、好ましくはカソードである。
As in FIG. 2, the
また、この他、数多くの構成が可能である。例えば、図4に示すOLEDデバイス300は、基板310と、2つの多層ミラー(この場合、1/4波長スタック320a、320b)と、OLED340とを備える。微小共振器効果は、1/4波長スタック320aと1/4波長スタック320bの組合せによって生じる。この実施例では、電極部342、346は、共に透明である。ここでは、電極部342をアノードとし、電極部346をカソードとすることが好ましい。
Many other configurations are possible. For example, the
OLEDデバイス300は、下方取出し型でも、上取出し型でも、透明型でもよく、この実施例に上述と同様の変形を適用することができる。例えば、OLEDデバイス300をTOLED又は下方取出し型デバイスとした場合、基板310は透明である。図3に示す実施例において好ましい構成は、透明(TOLED)構成である。
The
上述のように、基板110、210、310及びカバー150は、望まれる構成に応じて、透明であることが要求される場合もあり、透明であることが要求されない場合もある。これらのコンポーネントの一般的な材料としては、ポリマ、セラミクス、半導体、金属等がある。
As described above, the
金属は、基板及びカバーについて通常用いられる厚さでは、実質的な透明性を有さないが、優れたバリア特性を提供する。更に、金属は、例えば金属缶(metal cans)や金属箔等の様々な構成で設けることができる。この目的に適した金属としては、アルミニウム、金、ニッケル、ニッケル合金、インジウム及び当該技術分野で周知の他の材料を用いることができる。 The metal does not have substantial transparency at the thickness commonly used for substrates and covers, but provides excellent barrier properties. Furthermore, the metal can be provided in various configurations, such as metal cans or metal foils. Suitable metals for this purpose can include aluminum, gold, nickel, nickel alloys, indium and other materials well known in the art.
半導体(例えば、シリコン)は、金属と同様、通常、良好な透明性を示さない。しかしながら、半導体は、水、酸素及びこの他の有害化学種に対する良好なバリア特性を有するとともに、電気回路を作り上げることができる基板を提供する。 Semiconductors (eg, silicon), like metals, usually do not show good transparency. However, the semiconductor provides a substrate that has good barrier properties against water, oxygen, and other harmful chemical species, and that can create an electrical circuit.
セラミクスは、多くの場合、低い透過性と、透明性とを示す。好ましいセラミクスは、ガラスであり、より好ましくはソーダ石灰ガラス及びホウケイ酸ガラスである。 Ceramics often exhibits low transparency and transparency. The preferred ceramic is glass, more preferably soda lime glass and borosilicate glass.
光学的な透明性が望まれる場合、ポリマを材料として用いることが望ましい場合も多い。しかしながら、ポリマを基板又はカバーとして選択した場合、殆どのポリマは、透過であるので、更なるバリア領域を設けることが望ましい。必要であれば、本発明に基づく多層ミラーによりこの機能を実現してもよい。 When optical transparency is desired, it is often desirable to use a polymer as the material. However, when a polymer is selected as the substrate or cover, it is desirable to provide an additional barrier region since most polymers are transmissive. If necessary, this function may be realized by a multilayer mirror according to the present invention.
図2に示す特定の実施例では、基板110の材料は、多くの場合、光学的特性、柔軟性、他の表面に対する適合性(conformability)、処理(例えばウェハベースのプロセスを想定)時における寸法の安定性、他のコンポーネント(例えば、この実施例では、1/4波長スタック120の協働的なバリア層)との十分な接着性等を含む1つ以上の有利な特性に基づいて選択される。 In the particular embodiment shown in FIG. 2, the material of the substrate 110 is often optical properties, flexibility, conformability to other surfaces, and dimensions during processing (eg, assuming a wafer-based process). Selected on the basis of one or more advantageous properties, including, for example, sufficient stability with other components (eg, in this embodiment, a coherent barrier layer of the quarter wave stack 120), etc. The
柔軟性が望まれる場合、基板110は、紙、織地、金属泊、フレキシブルガラス(ショットガラステクノロジー社(Schott Glass Technologies)から入手可能)及び/又はポリマ層から構成してもよい。より好ましい柔軟性を有する基板材料としては、他の材料に対して強力な接着力を有する例えばポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリイミド、ポリオレフィン、フルオロポリマ等の1つ以上のポリマコンポーネントがある。このようなポリマコンポーネントは、例えば、ホモポリマ、コポリマ、ポリマ混合体等として入手可能である。好ましいポリマコンポーネントの具体例としては、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエステルカーボナート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルイミド、ポリアクリラート、デュポン社(DuPont)から入手可能なカプトン(Kapton:商標)ポリイミド薄膜のようなポリイミド、ハネウェル社(Honeywell)から入手可能なアクラ(Aclar:商標)フルオロポリマのようなフルオロポリマ、BFグッドリッチ社(BF Goodrich)から入手可能なアピア(Appear:商標)ポリノルボルネン(polynorbornene:PNB)、BFグッドリッチ社から入手可能なアートン(Arton:商標)等がある。これらの材料を用いる場合の基板110の厚さは、代表的には75〜625μmの範囲内である。 If flexibility is desired, the substrate 110 may be composed of paper, fabric, metal anchors, flexible glass (available from Schott Glass Technologies) and / or polymer layers. More preferred flexible substrate materials include one or more polymer components such as polyesters, polycarbonates, polyethers, polyimides, polyolefins, fluoropolymers, etc. that have strong adhesion to other materials. Such polymer components are available, for example, as homopolymers, copolymers, polymer blends, and the like. Specific examples of preferred polymer components include, for example, polyethersulfone, polyarylate, polyester carbonate, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyetherimide, polyacrylate, Kapton available from DuPont. : A polyimide such as a polyimide thin film, a fluoropolymer such as Aclar ™ fluoropolymer available from Honeywell, an Appear available from BF Goodrich, Inc. ) Polynorbornene (PNB), Arton (trademark) available from BF Goodrich. When these materials are used, the thickness of the substrate 110 is typically in the range of 75 to 625 μm.
多層ミラー(この実施例では、1/4波長スタック120)は、基板110上に、平坦化材料(planarizing material)121a〜121cと高密度材料(high-density material)122a〜122cの両方を含む一連の協働的なバリア層を形成することによって形成できる。これらの協働的なバリア層は、交互に積層された構成となっている。好ましくは、2〜10対(又はこれ以上)の層を用いる。すなわち、図2では、3対の層を示しているが、この他の層構成も可能である。更に、図2に示すように、底面層は、平坦化材料層121aであることが望ましいが、底面層は、例えば高密度材料層であってもよい。同様に、図2に示す最上位層は、高密度材料層122cであるが、この最上位層は、平坦化材料層であってもよい。 A multilayer mirror (in this example, a quarter wave stack 120) includes a series of planarizing materials 121a-121c and high-density materials 122a-122c on a substrate 110. Can be formed by forming a cooperative barrier layer. These cooperating barrier layers are alternately stacked. Preferably, 2-10 pairs (or more) of layers are used. In other words, FIG. 2 shows three pairs of layers, but other layer configurations are possible. Furthermore, as shown in FIG. 2, the bottom layer is desirably a planarizing material layer 121a, but the bottom layer may be, for example, a high-density material layer. Similarly, although the top layer shown in FIG. 2 is the high-density material layer 122c, this top layer may be a planarizing material layer.
この結果、本発明に基づく多層ミラー構造は、水分及び酸素の侵入の防止に適した、複合バリア層(composite barrier layer)としても機能する。更に、これらの構造は、生来的に柔軟性を有し、したがって、フレキシブルOLED(flexible OLED:FOLED)の製造に非常に適している。 As a result, the multilayer mirror structure according to the present invention also functions as a composite barrier layer that is suitable for preventing intrusion of moisture and oxygen. Furthermore, these structures are inherently flexible and are therefore very suitable for the production of flexible OLEDs (FOLEDs).
なお、「平坦化材料(planarizing material)」とは、基底にある表面の不規則な凹凸を反映した表面を形成するのではなく、その材料によって円滑な平面状の表面を形成する材料を意味する。平坦化材料として好ましい材料は、表面に堆積したときに、コンフォーマルでない液体(non-conformal liquid)となる材料である。このような材料としては、例えばアクリラートモノマがある(アクリラートモノマは、通常、紫外線又は電子ビームに晒されて、モノマを架橋させてポリアクリラートを形成する)。好ましい平坦化材料は、例えばフッ化ポリマ、パリレン、シクロテン、ポリアクリラートがある。平坦化材料層121a〜121cは、例えば、ディッピング、スピンコーティング、スパッタリング、蒸着コーティング、噴霧、フラッシュ蒸着、化学気相成長等の当該技術分野において周知の技術で形成することができる。 Note that “planarizing material” means a material that does not form a surface reflecting irregular irregularities of the underlying surface, but forms a smooth planar surface with the material. . A preferred material for the planarizing material is a material that, when deposited on the surface, becomes a non-conformal liquid. An example of such a material is an acrylate monomer (the acrylate monomer is usually exposed to ultraviolet light or an electron beam to crosslink the monomer to form a polyacrylate). Preferred planarizing materials include, for example, fluorinated polymers, parylene, cyclotenes, polyacrylates. The planarizing material layers 121a to 121c can be formed by techniques well known in the art such as dipping, spin coating, sputtering, vapor deposition coating, spraying, flash vapor deposition, chemical vapor deposition, and the like.
高密度材料とは、特に水や酸素等の汚染物質及び有害化学種(deleterious species)が拡散することを防ぐように、原子間距離が十分小さい材料を意味する。好ましい高密度材料には、例えば、一酸化シリコン(SiO)や二酸化シリコン(SiO2)を含む酸化シリコン、窒化シリコン(通常、Si3N4)、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム(通常、Al2O3)、酸化チタン、酸化インジウム−スズ(ITO)、酸化亜鉛インジウム−スズ(zinc indium tin oxide)、及び例えば銀、クロム、アルミニウム、金等の金属がある。高密度材料層122a〜122cは、例えば抵抗加熱蒸着、スパッタリング、プラズマ化学気相成長(plasma-enhanced chemical vapor deposition:PECVD)、電子ビーム法等の当該技術分野において周知の方法で形成することができる。 A high density material means a material with a sufficiently small interatomic distance so as to prevent the diffusion of pollutants such as water and oxygen and deleterious species. Preferred high-density materials include, for example, silicon oxide containing silicon monoxide (SiO) and silicon dioxide (SiO 2 ), silicon nitride (usually Si 3 N 4 ), silicon oxynitride, and aluminum oxide (usually Al 2 O 3 ), titanium oxide, indium tin oxide (ITO), zinc indium tin oxide, and metals such as silver, chromium, aluminum, gold and the like. The high-density material layers 122a to 122c can be formed by a method well known in the art such as resistance heating vapor deposition, sputtering, plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), electron beam method, and the like. .
多層バリア部の形成に関する更なる情報は、例えば米国特許第4,842,893号明細書、第4,954,371号明細書、第5,260,095号明細書、第6,224,948号明細書に開示されており、これらの文献の開示内容全体は、引用により本願に援用されるものとする。 Further information regarding the formation of a multilayer barrier section can be found, for example, in U.S. Pat. Nos. 4,842,893, 4,954,371, 5,260,095, 6,224,948. The entire disclosure of these documents is hereby incorporated by reference.
適切な透明性及び十分に異なる屈折率を有する平坦化材料層121a〜121c及び高密度材料層122a〜122cを選択することにより、多層ミラー120を形成することができる。好ましくは、多層ミラー内の各層の厚さは、透過するように選択された光のピーク波長をλとすると、λ/4とする。なお、本発明に基づく多層ミラー構造を含む多層ミラー構造では、通常、単一の波長ではなく、所定の範囲内に分布する波長の光の波長が透過される。ここで、当該技術分野では周知のように、層の厚さが略λ/4であれば、透過レベルのピークは、略λで生じる。(このような透過波長の分布の結果、特定の波長を透過させるのではなく、特定の波長を反射させる場合には、層の厚さは、λ/4とは大きく異ならせる必要がある。)。このような多層ミラーは、周知であり、多層ミラー内の層の厚さに基づいて、「1/4波長スタック(quater-wave stack)」と呼ばれる。多層ミラーの透過率/反射率は、層の対の数、層の厚さ、用いられる材料の屈折率に依存して定まることが知られている。 By selecting planarizing material layers 121a-121c and high-density material layers 122a-122c having appropriate transparency and sufficiently different refractive indices, the multilayer mirror 120 can be formed. Preferably, the thickness of each layer in the multilayer mirror is λ / 4 where λ is the peak wavelength of light selected to be transmitted. In the multilayer mirror structure including the multilayer mirror structure according to the present invention, the wavelength of light having a wavelength distributed within a predetermined range is normally transmitted instead of a single wavelength. Here, as is well known in the art, if the layer thickness is approximately λ / 4, the peak transmission level occurs at approximately λ. (As a result of such a transmission wavelength distribution, if the specific wavelength is reflected instead of transmitting the specific wavelength, the thickness of the layer needs to be greatly different from λ / 4.) . Such multilayer mirrors are well known and are referred to as “quater-wave stacks” based on the thickness of the layers in the multilayer mirror. It is known that the transmittance / reflectance of a multilayer mirror depends on the number of layer pairs, the layer thickness, and the refractive index of the material used.
本発明を実現するために好ましい平坦化材料と高密度材料の対としては、例えばポリアクリラートと酸化アルミニウムの対がある。 A preferred planarizing material and high density material pair for implementing the present invention is, for example, a polyacrylate and aluminum oxide pair.
図3及び図4に示す実施例にも、図2に示す1/4波長スタック120と同様の1/4波長スタック220、320a、320bが設けられている。これらのスタックは、平坦化材料層221a〜221c、321a〜321cと、高密度材料層222a〜222c、322a〜322cとを含んでいる。なお、1/4波長スタック320bは、基板310の上に形成されている。一方、1/4波長スタック220、320aは、OLED240、340上に形成されており、これらのOLED240、340は、後に形成される協働的なバリア層221a〜221c、222a〜222c、321a〜321c、322a〜322cに対して「基板」として機能する。
3 and 4 are also provided with quarter-
具体的な幾つかの実施例を用いて本発明を説明したが、上述した実施例を様々に変形できることは、当業者にとって明らかである。これらの変形は、本発明の範囲内にあり、本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって限定されるものである。 Although the present invention has been described using several specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made to the embodiments described above. These variations are within the scope of the present invention, which is limited only by the scope of the claims.
Claims (19)
上記基板上に形成され、第1の電極と、該第1の電極上に形成された発光層と、該発光層上に形成された第2の電極とを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、
上記基板上に形成され、(a)第1の屈折率を有する平坦化層と、(b)該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された多層ミラーとを備え、
上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記多層ミラーが上記所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐことを特徴とする有機発光デバイス構造体。 A substrate,
A first electrode formed on the substrate; a light-emitting layer formed on the first electrode; and a second electrode formed on the light-emitting layer. An organic light emitting device emitting light in a range of wavelengths;
(A) a planarization layer having a first refractive index and (b) a high-density layer having a second refractive index different from the first refractive index are alternately and continuously formed on the substrate. And a multi-layer mirror disposed in
The thicknesses of the planarization layer and the high density layer are selected such that the multilayer mirror transmits light having a peak wavelength within the predetermined range of wavelengths, and the planarization layer and the high density layer cooperate. An organic light emitting device structure characterized by preventing permeation of water and oxygen.
上記透明基板上に形成され、透明アノードと、該透明アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された反射カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、
上記基板上に形成され、(a)第1の屈折率を有する平坦化層と、(b)該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された1/4波長スタックとを備え、
上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記1/4波長スタックが上記所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐことを特徴とする有機発光デバイス構造体。 A transparent substrate;
A transparent anode formed on the transparent substrate, having a light emitting layer formed on the transparent anode, and a reflective cathode formed on the light emitting layer. An organic light emitting device that emits light,
(A) a planarization layer having a first refractive index and (b) a high-density layer having a second refractive index different from the first refractive index are alternately and continuously formed on the substrate. A quarter-wave stack disposed in
The thicknesses of the planarization layer and the high-density layer are selected so that the quarter-wave stack transmits light having a peak wavelength within the predetermined range of wavelengths. An organic light-emitting device structure that cooperates to prevent permeation of water and oxygen.
上記基板上に形成され、反射アノードと、該反射アノード上に形成された発光層と、該発光層上に形成された透明カソードとを有し、オンにされて所定の範囲の波長の光を発する有機発光デバイスと、
上記基板上に形成され、(a)第1の屈折率を有する平坦化層と、(b)該第1の屈折率とは異なる第2の屈折率を有する高密度層とが交互に連続的に配設された1/4波長スタックとを備え、
上記平坦化層及び高密度層の厚さは、上記1/4波長スタックが上記所定の範囲の波長内のピーク波長の光を透過するように選択され、上記平坦化層及び高密度層は、協働して、水及び酸素の透過を防ぐことを特徴とする有機発光デバイス構造体。
A substrate,
A reflective anode formed on the substrate, a light emitting layer formed on the reflective anode, and a transparent cathode formed on the light emitting layer, and is turned on to emit light in a predetermined range of wavelengths. An organic light emitting device that emits,
(A) a planarization layer having a first refractive index and (b) a high-density layer having a second refractive index different from the first refractive index are alternately and continuously formed on the substrate. A quarter-wave stack disposed in
The thicknesses of the planarization layer and the high-density layer are selected so that the quarter-wave stack transmits light having a peak wavelength within the predetermined range of wavelengths. An organic light-emitting device structure that cooperates to prevent permeation of water and oxygen.
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010541137A (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic devices |
WO2011055440A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | キヤノン株式会社 | Display device |
JP2013069702A (en) * | 2012-12-14 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | Organic electroluminescent element |
KR101421169B1 (en) | 2011-07-15 | 2014-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
US9105873B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-08-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
JP2018519652A (en) * | 2015-06-24 | 2018-07-19 | ジョン エヌ マグノ | Band edge emission enhanced organic light-emitting diode with localized emitter |
Families Citing this family (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
US20090191342A1 (en) * | 1999-10-25 | 2009-07-30 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6866901B2 (en) * | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6623861B2 (en) * | 2001-04-16 | 2003-09-23 | Battelle Memorial Institute | Multilayer plastic substrates |
US7198832B2 (en) | 1999-10-25 | 2007-04-03 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6664137B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers |
US6879618B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-04-12 | Eastman Kodak Company | Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity |
US20090208754A1 (en) * | 2001-09-28 | 2009-08-20 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
US6765351B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
US7038377B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Display device with a narrow frame |
US6730615B2 (en) * | 2002-02-19 | 2004-05-04 | Intel Corporation | High reflector tunable stress coating, such as for a MEMS mirror |
KR100563675B1 (en) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | Organic luminescence device and organic luminescence device package |
US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US8900366B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US9129552B2 (en) | 2002-05-08 | 2015-09-08 | Zeolux Corporation | Display devices using feedback enhanced light emitting diode |
DE10228939A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent device with transparent cathode |
JP4185341B2 (en) * | 2002-09-25 | 2008-11-26 | パイオニア株式会社 | Multilayer barrier film structure, organic electroluminescence display panel, and manufacturing method |
US7018713B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
US7648925B2 (en) * | 2003-04-11 | 2010-01-19 | Vitex Systems, Inc. | Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks |
US7510913B2 (en) * | 2003-04-11 | 2009-03-31 | Vitex Systems, Inc. | Method of making an encapsulated plasma sensitive device |
US20050023974A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-03 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
US6998648B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-02-14 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
CN100407474C (en) * | 2003-09-15 | 2008-07-30 | 统宝光电股份有限公司 | Organic luminous component with optical efficiency raising structure |
JP4939742B2 (en) * | 2003-10-28 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Method for producing optical film |
CN100489569C (en) | 2003-10-28 | 2009-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | Method of manufacturing optical film |
GB0401613D0 (en) * | 2004-01-26 | 2004-02-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light emitting diode |
CN100482026C (en) * | 2004-03-05 | 2009-04-22 | 出光兴产株式会社 | Organic electroluminescent element and display device |
US7196835B2 (en) * | 2004-06-01 | 2007-03-27 | The Trustees Of Princeton University | Aperiodic dielectric multilayer stack |
US20050269943A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Michael Hack | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
KR100615234B1 (en) * | 2004-08-03 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Inorganic electroluminescent display device and the method of manufacturing that device |
JP2006092936A (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toyota Industries Corp | Organic el device |
KR100683737B1 (en) * | 2004-12-13 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | Electroluminescence display device |
EP1701395B1 (en) * | 2005-03-11 | 2012-09-12 | Novaled AG | Transparent light emitting element |
DE502005009415D1 (en) * | 2005-05-27 | 2010-05-27 | Novaled Ag | Transparent organic light emitting diode |
FR2887684A1 (en) * | 2005-06-28 | 2006-12-29 | Thomson Licensing Sa | ELECTROLUMINESCENT DIODE OF WHICH ONE OF THE ELECTRODES IS MULTILAYER IN AMORPHOUS CARBON |
US20080206589A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Bruce Gardiner Aitken | Low tempertature sintering using Sn2+ containing inorganic materials to hermetically seal a device |
US7722929B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
US7829147B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-11-09 | Corning Incorporated | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
US20070040501A1 (en) | 2005-08-18 | 2007-02-22 | Aitken Bruce G | Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device |
US7767498B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-03 | Vitex Systems, Inc. | Encapsulated devices and method of making |
US7521860B2 (en) * | 2005-08-29 | 2009-04-21 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Organic electro-luminescence display with multiple protective films |
US8044571B2 (en) * | 2005-12-14 | 2011-10-25 | General Electric Company | Electrode stacks for electroactive devices and methods of fabricating the same |
US20080048178A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Bruce Gardiner Aitken | Tin phosphate barrier film, method, and apparatus |
KR101201782B1 (en) * | 2006-08-25 | 2012-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Light emitting device and display apparatus using the same |
EP1895608A3 (en) * | 2006-09-04 | 2011-01-05 | Novaled AG | Organic light-emitting component and method for its manufacture |
KR101691274B1 (en) * | 2006-09-29 | 2016-12-29 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | Organic lighting device and lighting equipment |
US8115326B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-02-14 | Corning Incorporated | Flexible substrates having a thin-film barrier |
BRPI0721301A2 (en) * | 2006-12-29 | 2014-03-25 | 3M Innovative Properties Co | METHOD FOR HEALING FILMS CONTAINING METAL ALCOHIDE |
KR20170019491A (en) * | 2006-12-29 | 2017-02-21 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid films |
US20080164812A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Tpo Displays Corp. | Method for fabricating a system for displaying images |
JP2008210665A (en) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Canon Inc | Organic light-emitting element, and display device using the same |
KR100873082B1 (en) | 2007-05-30 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR101563025B1 (en) * | 2007-12-28 | 2015-10-23 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Flexible encapsulating films and a method of making the same |
KR101448003B1 (en) * | 2008-04-04 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
CA2724602A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-12-17 | Hzo, Inc. | Metal and electronic device coating process for marine use and other environments |
GB2460822A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electroluminescent device |
KR20170005154A (en) * | 2008-06-30 | 2017-01-11 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid barrier films |
EP2370985A1 (en) * | 2008-10-17 | 2011-10-05 | Bloominescence LLC | Transparent polarized light-emitting device |
US8637331B2 (en) | 2008-10-17 | 2014-01-28 | Bloominescence, Llc | Transparent polarized light-emitting device |
US20110223434A1 (en) * | 2008-11-17 | 2011-09-15 | Roehrig Mark A | Gradient composition barrier |
FR2939907B1 (en) * | 2008-12-15 | 2011-03-25 | Centre Nat Rech Scient | METHOD FOR STRUCTURING AN OMNIDIRECTIONAL MULTILAYER NON-METALLIC MIRROR |
US9337446B2 (en) | 2008-12-22 | 2016-05-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output |
US9184410B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-11-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output |
US20100167002A1 (en) * | 2008-12-30 | 2010-07-01 | Vitex Systems, Inc. | Method for encapsulating environmentally sensitive devices |
WO2012037445A2 (en) | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Drexel University | Novel applications for alliform carbon |
US20110008525A1 (en) * | 2009-07-10 | 2011-01-13 | General Electric Company | Condensation and curing of materials within a coating system |
DE102009034822A1 (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electronic component as well as electrical contact |
KR101569406B1 (en) * | 2009-08-19 | 2015-11-17 | 주성엔지니어링(주) | Organic light emitting deivce and method for manufacturing the same |
US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
US9752932B2 (en) | 2010-03-10 | 2017-09-05 | Drexel University | Tunable electro-optic filter stack |
US11038144B2 (en) | 2010-12-16 | 2021-06-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
KR101752876B1 (en) | 2010-12-16 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
CN103178077B (en) * | 2011-12-21 | 2016-08-24 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Organic elctroluminescent device and method for packing thereof |
KR101450963B1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-10-16 | 율촌화학 주식회사 | Lamination barrier film |
CN102832356B (en) | 2012-08-30 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Organic light-emitting diode (OLED) packaging structure, manufacturing method thereof and luminescent device |
CN104659270B (en) * | 2012-08-30 | 2017-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | OLED encapsulating structures and its manufacture method, luminescent device |
US9385172B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | One-way transparent display |
JP6256349B2 (en) * | 2012-11-28 | 2018-01-10 | コニカミノルタ株式会社 | Transparent electrode and electronic device |
US10580832B2 (en) | 2013-01-18 | 2020-03-03 | Universal Display Corporation | High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime |
US9629449B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-04-25 | Sang Geun Lee | Portable interdental toothbrush |
KR101497266B1 (en) | 2014-02-24 | 2015-02-27 | 이상근 | A portable proxabrush |
JP6685932B2 (en) * | 2014-05-16 | 2020-04-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Barrier layer stack, method for manufacturing barrier layer stack, and ultra-high barrier layer and antireflection system |
US9750335B2 (en) | 2014-07-17 | 2017-09-05 | Sang Geun Lee | Portable interdental toothbrush |
US9907390B2 (en) | 2014-09-02 | 2018-03-06 | Sang Geun Lee | Portable interdental toothbrush |
CN105161584A (en) * | 2015-09-17 | 2015-12-16 | Tcl集团股份有限公司 | QLED having optical microcavity structure and preparation method thereof |
US20180241005A1 (en) * | 2015-09-21 | 2018-08-23 | Sabic Global Technologies B.V. | Distributed bragg reflector on color conversion layer with micro cavity for blue oled lighting application |
KR102477262B1 (en) * | 2016-08-05 | 2022-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic electroluminescence display device |
JP6695785B2 (en) * | 2016-11-29 | 2020-05-20 | 株式会社Joled | Light emitting device, display device, and lighting device |
KR101886284B1 (en) * | 2017-06-26 | 2018-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
KR102418609B1 (en) * | 2017-11-16 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US12100696B2 (en) | 2017-11-27 | 2024-09-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode for display and display apparatus having the same |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11552159B2 (en) | 2018-06-18 | 2023-01-10 | Universal Display Corporation | OLED display with all organic thin film layers patterned |
KR20210072199A (en) | 2019-12-06 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display apparatus |
JP7419821B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | Organic electroluminescent devices and electronic equipment |
JP7415561B2 (en) * | 2020-01-06 | 2024-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | Organic electroluminescent devices and electronic equipment |
US12065728B2 (en) | 2020-05-11 | 2024-08-20 | Universal Display Corporation | Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP) |
CN112310308B (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel and preparation method thereof |
CN112649903B (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 厦门天马微电子有限公司 | Composite film group, preparation method thereof, lighting device and display device |
US20230157058A1 (en) | 2021-11-12 | 2023-05-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
US20230292605A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
US20230357918A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-09 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing system |
US20230363244A1 (en) | 2022-05-09 | 2023-11-09 | Universal Display Corporation | Organic vapor jet printing system |
US20230413590A1 (en) | 2022-06-17 | 2023-12-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent devices |
US20240206208A1 (en) | 2022-10-27 | 2024-06-20 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6364003A (en) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Teijin Ltd | Optical filter |
JPH088061A (en) * | 1993-11-22 | 1996-01-12 | At & T Corp | Layer structure of light-emitting element and flat panel display containing it |
JPH0992466A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JPH1012376A (en) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Nec Kansai Ltd | Electroluminescent light |
JPH11224783A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescence element |
JP2000047028A (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dielectric multilayered film filter, its production and optical part using the filter |
JP2000068069A (en) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence device and its manufacture |
JP2000266930A (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical selective filter |
WO2000076010A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-14 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
WO2001029137A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4842893A (en) | 1983-12-19 | 1989-06-27 | Spectrum Control, Inc. | High speed process for coating substrates |
US4954371A (en) | 1986-06-23 | 1990-09-04 | Spectrum Control, Inc. | Flash evaporation of monomer fluids |
US5260095A (en) | 1992-08-21 | 1993-11-09 | Battelle Memorial Institute | Vacuum deposition and curing of liquid monomers |
US5478658A (en) | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5780174A (en) | 1995-10-27 | 1998-07-14 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Micro-optical resonator type organic electroluminescent device |
US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
US5814416A (en) | 1996-04-10 | 1998-09-29 | Lucent Technologies, Inc. | Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices |
US5834893A (en) | 1996-12-23 | 1998-11-10 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency organic light emitting devices with light directing structures |
US5920080A (en) | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
US6224948B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
JP3827839B2 (en) | 1997-11-27 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
US6146225A (en) | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Agilent Technologies, Inc. | Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices |
CA2353506A1 (en) | 1998-11-02 | 2000-05-11 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
EP1524708A3 (en) | 1998-12-16 | 2006-07-26 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material and methods of making. |
WO2000065879A1 (en) | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Emagin Corporation | Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element |
JP2001043980A (en) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | Organic electroluminescent element and display device |
US6879618B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-04-12 | Eastman Kodak Company | Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity |
-
2001
- 2001-11-06 US US09/992,437 patent/US6888305B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-11-06 DE DE60224698T patent/DE60224698T2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-06 AU AU2002365092A patent/AU2002365092A1/en not_active Abandoned
- 2002-11-06 CN CNB028220722A patent/CN100435376C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-06 EP EP02802940A patent/EP1442488B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-06 JP JP2003553639A patent/JP5143996B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-06 AT AT02802940T patent/ATE384340T1/en not_active IP Right Cessation
- 2002-11-06 WO PCT/US2002/035671 patent/WO2003052842A2/en active IP Right Grant
- 2002-11-06 KR KR1020047006780A patent/KR100923086B1/en active IP Right Grant
-
2012
- 2012-09-27 JP JP2012214792A patent/JP5379287B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6364003A (en) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Teijin Ltd | Optical filter |
JPH088061A (en) * | 1993-11-22 | 1996-01-12 | At & T Corp | Layer structure of light-emitting element and flat panel display containing it |
JPH0992466A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JPH1012376A (en) * | 1996-06-24 | 1998-01-16 | Nec Kansai Ltd | Electroluminescent light |
JPH11224783A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescence element |
JP2000047028A (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Dielectric multilayered film filter, its production and optical part using the filter |
JP2000068069A (en) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescence device and its manufacture |
JP2000266930A (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical selective filter |
WO2000076010A1 (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-14 | Seiko Epson Corporation | Multiple wavelength light emitting device, electronic apparatus, and interference mirror |
JP2003528421A (en) * | 1999-06-02 | 2003-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | Multi-wavelength light emitting device, electronic device and interference mirror |
WO2001029137A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Flex Products, Inc. | Color shifting carbon-containing interference pigments |
JP2003512497A (en) * | 1999-10-20 | 2003-04-02 | フレックス プロダクツ インコーポレイテッド | Color-shifting carbon-containing interference pigment |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010541137A (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic devices |
US8987708B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-03-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
WO2011055440A1 (en) * | 2009-11-05 | 2011-05-12 | キヤノン株式会社 | Display device |
JPWO2011055440A1 (en) * | 2009-11-05 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | Display device |
US8482195B2 (en) | 2009-11-05 | 2013-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
US9105873B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-08-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
KR101421169B1 (en) | 2011-07-15 | 2014-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
JP2013069702A (en) * | 2012-12-14 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | Organic electroluminescent element |
JP2018519652A (en) * | 2015-06-24 | 2018-07-19 | ジョン エヌ マグノ | Band edge emission enhanced organic light-emitting diode with localized emitter |
US11387434B2 (en) | 2015-06-24 | 2022-07-12 | Red Bank Technologies Llc | Band edge emission enhanced organic light emitting diode with a localized emitter |
US11895865B2 (en) | 2015-06-24 | 2024-02-06 | Red Bank Technologies Llc | Band edge emission enhanced organic light emitting diode with a localized emitter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5143996B2 (en) | 2013-02-13 |
JP5379287B2 (en) | 2013-12-25 |
EP1442488B1 (en) | 2008-01-16 |
WO2003052842A2 (en) | 2003-06-26 |
DE60224698T2 (en) | 2009-01-15 |
KR100923086B1 (en) | 2009-10-22 |
US6888305B2 (en) | 2005-05-03 |
CN100435376C (en) | 2008-11-19 |
KR20040065554A (en) | 2004-07-22 |
AU2002365092A1 (en) | 2003-06-30 |
CN1582504A (en) | 2005-02-16 |
DE60224698D1 (en) | 2008-03-06 |
US20030085652A1 (en) | 2003-05-08 |
JP2012253046A (en) | 2012-12-20 |
ATE384340T1 (en) | 2008-02-15 |
EP1442488A2 (en) | 2004-08-04 |
WO2003052842A3 (en) | 2004-01-22 |
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JP2007519196A5 (en) | ||
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