CN112310308B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板，包括玻璃基板、OLED器件层以及玻璃盖板，玻璃基板与OLED器件的阳极层之间设置有第一一维光子晶体层，OELD器件的阴极层与玻璃盖板之间设置有第二一维光子晶体层，第一一维光子晶体层包括多层第一晶体单元层，第一晶体单元层包括第一高折射率层和第一低折射率层，第二一维光子晶体层包括多层第二晶体单元层、中折射率层、以及多层第三晶体单元层，第二晶体单元层和第三晶体单元层均包括第二高折射率层和第二低折射率层。第一一维光子晶体层采用高折射率材料与玻璃基板接触增加全反射，将光反射回顶部，提高光取出率；第二一维光子晶体层采用低折射率材料与玻璃盖板接触降低全反射，进一步提高光取出效率，同时起到阻隔水汽的作用。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机电致发光二极管)显示屏根据光的取出方式，可以分为底发光型(bottom emission)和顶发光型(top emission)，对于一般的OLED器件而言，均采用底发光模式，但是底发光型器件需要经过TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板，所以发光面积受到限制，而顶发射型则不会经过TFT阵列基板，发光面积不会受限，而且开口率也不会受限，大大提高了光的取出。但是对于顶发光型器件而言，光线需要经过阴极，因此阴极的透过率对光的取出至关重要。
对于顶发光型器件结构，通常尽可能地减少阴极的厚度，提高玻璃与阴极之间的透过率，但是阴极过薄，会导致阴极面电阻过大，面板均一性差，产生明显的压降，因此如何在保证阴极厚度不影响发光均一性前提下，提高光的取出率，减少光线损失成为研究OLED器件光取出的关键技术。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有的顶发光型显示面板，由于光线需要经过阴极取出，通过尽可能地减薄阴极厚度来提高玻璃与阴极之间的透过率，但阴极过薄会导致阴极面电阻过大，进而导致面板均一性差，产生明显压降的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，包括：玻璃基板、设置于所述玻璃基板上的OLED器件层、以及设置于所述OLED器件层上的玻璃盖板，所述OLED器件层包括依次层叠的阳极层、有机功能层、以及阴极层；其中，所述玻璃基板与所述阳极层之间设置有第一一维光子晶体层，所述阴极层与所述玻璃盖板之间设置有第二一维光子晶体层；所述第一一维光子晶体层包括设置于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括靠近所述玻璃基板的第一高折射率层和远离所述玻璃基板的第一低折射率层，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；所述第二一维光子晶体层包括设置于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括靠近所述阴极层的第二高折射率层和远离所述阴极层的第二低折射率层，其中，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小。
在本申请的至少一种实施例中，所述第二晶体单元层的层数不大于所述第三晶体单元层的层数。
在本申请的至少一种实施例中，所述第三晶体单元层的层数至少比所述第二晶体单元层的层数多两层。
在本申请的至少一种实施例中，所述第一晶体单元层的层数为3～10层。
在本申请的至少一种实施例中，所述第一一维光子晶体层还包括设置于多层所述第一晶体单元层上的多层第四晶体单元层，以及设置于多层所述第一晶体单元层与多层所述第四晶体单元层之间的第二中折射率层。
在本申请的至少一种实施例中，所述第一晶体单元层的层数大于所述第四晶体单元层的层数。
在本申请的至少一种实施例中，所述第四晶体单元层包括第三高折射率层和第三低折射率层，所述第三高折射率层的折射率、所述第二中折射率层的折射率、以及所述第三低折射率层的折射率依次减小。
在本申请的至少一种实施例中，所述第三高折射率层靠近所述玻璃基板，所述第三低折射率层远离所述玻璃基板。
在本申请的至少一种实施例中，所述第三低折射率层靠近所述玻璃基板，所述第三高折射率层远离所述玻璃基板。
本申请实施例还提供一种上述任一实施例所述的显示面板的制备方法，所述制备方法包括：
S10，在玻璃基板上形成第一一维光子晶体层，所述第一一维光子晶体层包括形成于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括靠近所述玻璃基板的第一高折射率层和远离所述玻璃基板的第一低折射率层，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；
S20，在所述第一一维光子晶体层上依次形成阳极层、有机功能层、以及阴极层；
S30，在所述阴极层上形成第二一维光子晶体层，所述第二一维光子晶体层包括形成于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括靠近所述阴极层的第二高折射率层和远离所述阴极层的第二低折射率层，其中，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小；
S40，在所述第二一维光子晶体层上形成玻璃盖板。
本发明的有益效果为：通过在显示面板的阳极与玻璃基板之间设置一维光子晶体结构，利用一维光子晶体光波导耦合效应，控制光的传播，采用高折射率材料与玻璃基板接触增加全反射，将光反射回顶部，提高光取出率；同时在阴极与玻璃盖板之间增加一维光子晶体结构，采用低折射率材料与玻璃盖板接触降低全反射，一方面针对不同光色，利用光子晶体禁带特性，提高有用光色的透过率，进一步提高光取出效率，另一方面起到阻隔水汽的作用，保护OLED器件免受水氧的侵蚀。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的第一一维光子晶体层的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的第二一维光子晶体层的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的第一一维光子晶体层的反射率的模拟曲线图；
图5为本申请实施例提供的第二一维光子晶体层的透过率的模拟曲线图；
图6为本申请其他实施例提供的第一一维光子晶体层的结构示意图；
图7为本申请其他实施例提供的第一一维光子晶体层的另一结构示意图；
图8为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1，本申请实施例提供一种显示面板100，包括玻璃基板10、第一一维光子晶体层20、OLED器件层30、第二一维光子晶体层40、以及玻璃盖板50。所述OLED器件层30设置于所述玻璃基板10上，所述玻璃盖板50设置于所述OLED器件层30上，其中，所述OLED器件层30包括依次层叠的阳极层31、有机功能层、以及阴极层37。
其中，所述第一一维光子晶体层20设置于所述玻璃基板10与所述阳极层31之间，所述第二一维光子晶体层40设置于所述阴极层37与所述玻璃盖板50之间。
现有技术中的显示面板由于存在全反射问题，导致OLED器件的光取出率较低，对于顶发光型OLED器件，为了提高光取出效率，一般会采取降低阴极金属厚度，但阴极过薄会造成阴极面电阻过大，从而导致面板均一性差。本申请实施例以定发光型显示面板为例进行说明，本申请实施例利用光子晶体异质结构，利用光子晶体禁带特性，让所需要的光透过率能够达到100％。第一一维光子晶体层20用以增大光线在阳极层31处的反射率，尽可能地将光线反射回OELD器件中，第二一维光子晶体层40用以增大光线在阴极层37处的透过率，使得光线尽可能地发射出去，从而提高OLED器件的光取出率。
一种实施例中,所述有机功能层可包括依次层叠在所述阳极层31上的空穴注入层32、空穴传输层33、发光层34、电子传输层35、电子注入层36。
请参阅图2，所述第一一维光子晶体层20由高低不同折射率的材料交替形成，利用一维光子晶体光波导耦合效应，控制光的传播，采用高折射率的材料与所述玻璃基板10靠近以增加全反射，将光反射回顶部。
具体地，所述第一一维光子晶体层20包括设置于所述玻璃基板10上的多层第一晶体单元层21，所述第一晶体单元层21包括靠近所述玻璃基板10的第一高折射率层211和远离所述玻璃基板10的第一低折射率层212，其中，所述第一高折射率层211的折射率大于所述第一低折射率层212的折射率。
请参阅图3，所述第二一维光子晶体层40可采用异质结构光子晶体，所述第二一维光子晶体层40采用高低不同的折射率材料交替形成，采用低折射率的材料靠近所述玻璃盖板50，以降低全反射，一方面针对不同光色，利用光子晶体禁带特性，提高有用光色的透过率，从而提高OLED器件的光取出效率，另一方面也能起到阻隔水汽的作用，保护OLED器件层30。
具体地，所述第二一维光子晶体层40可包括设置于所述阴极层37上的多层第二晶体单元层41、第一中折射率层43、以及多层第三晶体单元层42，所述第二晶体单元层41和所述第三晶体单元层42均包括靠近所述阴极层37的第二高折射率层411和远离所述阴极层37的第二低折射率层412，其中，所述第二高折射率层411的折射率、所述第一中折射率层43的折射率、以及所述第二低折射率层412的折射率依次减小。
其中，当所述第二晶体单元层41的层数大于所述第三晶体单元层42的层数的时候，光的透过率很小，起到的作用也较小，因此所述第二晶体单元层41的层数不大于所述第三晶体单元层42的层数。
进一步地，所述第三晶体单元层的层数至少比所述第二晶体单元层的层数多两层。
一种实施例中，所述第一一维光子晶体层20可用(AB)R表示，A代表所述第一高折射率层211所选用的材料，B代表所述第一低折射率层212所选用的材料，R代表所述第一晶体单元层21的层数，即光子晶体周期数。
为了提高所述第一一维光子晶体层20的反射率，光子晶体周期数R可取值：3≤R≤10。R取值超过此范围后，取值过低，其反射率值相应会比较低，R取值过大后，反射率的值变化不是很大，也会增加膜层厚度及成本。
所述第一一维光子晶体层20的膜层厚度d可根据公式d＝λ/(4*n)计算，其中λ为光波中心波长，n为材料的折射率。
所述第一高折射率层211的折射率nA不小于1.8，所述第一低折射率层212的折射率nB不大于1.5。
所述第一高折射率层211的材料可采用Ta2O5、TiO2、ZrO2、SnO2、CeO2、Nb2O5、Cr2O3、ZnSe、ZnS、BaS、Gd2O3、BaTiO3、CaO、BN、ZnGe中的一种或者多种组合。
所述第一低折射率层212的材料可采用SiO2、MgF2、YF3、YbF3、CaF2、AlF3、BaF2、LiF、NaF、ThF4、以及BaF2中的一种或者多种组合。
请参阅图4，对膜层反射率进行模拟，各参数取值为：nA＝2.123，nB＝1.431，n玻璃基板＝1.5，波长λ＝460nm，R取1～12之间的整数，模拟结构显示，在460nm波长下，在3≤R≤10时，所述第一一维光子晶体层20的反射率较高，R低于3时，其反射率较低，R高于10后，其反射率的增加量变化不是很明显。
一种实施例中，所述第二一维光子晶体层40可用(CE)MD(CE)N表示，C代表所述第二高折射率层411所选用的材料，E代表所述第二低折射率层412所选用的材料，D代表所述第一中折射率层43所选用的材料，M代表所述第二晶体单元层41的层数，即第二晶体单元层41的光子晶体周期数，N代表所述第三晶体单元层42的层数，即第三晶体单元层42的光子晶体周期数，M≤N，且N-M≤2。
所述第二一维光子晶体层40的厚度也可根据公式d＝λ/(4*n)计算得出。
所述第二高折射率层411的折射率nC不小于1.8，所述第二低折射率层412的折射率nD不大于1.5，所述第一中折射率层43的折射率nD取值范围为1.5～1.8。
所述第二高折射率层411的材料可采用Ta2O5、TiO2、ZrO2、SnO2、CeO2、Nb2O5、Cr2O3、ZnSe、ZnS、BaS、Gd2O3、BaTiO3、CaO、BN、ZnGe中的一种或者多种组合。
所述第二低折射率层412的材料可采用SiO2、MgF2、YF3、YbF3、CaF2、AlF3、BaF2、LiF、NaF、ThF4、以及BaF2中的一种或者多种组合。
所述第一中折射率层43的材料可采用SiO、Y2O3、Al2O3、MgO、HfO2、ITO、PbF2中的一种或者多种组合。
请参阅图5，利用Matlab进行膜层透过率模拟，各参数取值为：nC＝2.123，nE＝1.431，nD＝1.8，n玻璃基板＝1.5，波长λ＝460nm，M＝2，N＝2,3,4，模拟结果显示，在460nm波长下，第二一维光子晶体层40的透过率≥85％。
由于所述第二一维光子晶体层40具有阻隔水氧的作用，因此本申请实施例可不必在OLED器件层上设置封装层，进而减少显示面板的厚度和工艺制程。
请参阅图6和图7，在其他实施例中，所述第一一维光子晶体层20也可采用异质结构光子晶体，所述第一一维光子晶体层20还包括设置于多层所述第一晶体单元层21上的多层第四晶体单元层22，以及设置于多层所述第一晶体单元层21与多层所述第四晶体单元层22之间的第二中折射率层23。
其中，所述第一晶体单元层21的层数可大于所述第四晶体单元层22的层数。
所述第四晶体单元层22包括第三高折射率层221和第三低折射率层222，所述第三高折射率层221的折射率、所述第二中折射率层23的折射率、以及所述第三低折射率层222的折射率依次减小。
请参阅图6，一种实施例中，所述第三高折射率层221靠近所述玻璃基板10，所述第三低折射率层222远离所述玻璃基板10。该实施例中所述第一一维光子晶体层20可用(AB)SF(AB)T表示，(AB)S中的A、B分别表示所述第一晶体单元层21中的第一高折射率层211和第一低折射率层212选用的材料，S为所述第一晶体单元层21的层数，即所述第一晶体单元层的晶体周期数，F表示所述第二中折射率层23采用的材料，(AB)T分别表示第四晶体单元层22的第三高折射率层221和第三低折射率层222选用的材料，T为所述第四晶体单元层22的层数，即第四晶体单元层22的晶体周期数，其中，S大于T。
所述第一高折射率层211和所述第三高折射率层221的折射率不小于1.8，所述第一低折射率层212和所述第三低折射率层222的折射率不大于1.5，所述第二中折射率层23的折射率取值范围为1.5～1.8。其厚度计算公式可参考前述实施例，这里不再赘述。
所述实施例中的高折射率层、中折射率层、以及低折射率层的材料选择均可参考前述实施例中的材料。
请参阅图7，与图6实施例不同的是，所述第三高折射率层221靠近所述玻璃基板10设置，所述第三低折射率层222远离所述玻璃基板10设置。该实施例中所述第一一维光子晶体层20可用(AB)SF(BA)T表示,其他结构可参考前述实施例的描述。
请参阅图8，基于上述各个实施例提供的显示面板100，本申请实施例提供一种显示面板100的制备方法，包括：
在玻璃基板10上形成第一一维光子晶体层20，所述第一一维光子晶体层20包括形成于所述玻璃基板10上的多层第一晶体单元层21，所述第一晶体单元层21包括靠近所述玻璃基板10的第一高折射率层211和远离所述玻璃基板10的第一低折射率层212，其中，所述第一高折射率层211的折射率大于所述第一低折射率层212的折射率；
S20，在所述第一一维光子晶体层20上依次形成阳极层31、有机功能层、以及阴极层37；
S30，在所述阴极层37上形成第二一维光子晶体层40，所述第二一维光子晶体层40包括形成于所述阴极层37上的多层第二晶体单元层41、第一中折射率层43、以及多层第三晶体单元层42，所述第二晶体单元层41和所述第三晶体单元层42均包括靠近所述阴极层37的第二高折射率层411和远离所述阴极层的第二低折射率层412，其中，所述第二高折射率层411的折射率、所述第一中折射率层43的折射率、以及所述第二低折射率层412的折射率依次减小；
S40，在所述第二一维光子晶体层40上形成玻璃盖板50。
请参照图2和图3，在一种实施例中，所述制备方法具体包括：
首先在玻璃基板10上蒸镀一层高折射率材料以形成第一高折射率层211，然后蒸镀一层低折射率材料，一共交替蒸镀R层高折射率材料和R层低折射率材料,以制备所述第一一维光子晶体层20(AB)R；
然后在所述第一一维光子晶体层20上制备阳极层31；
之后在所述阳极层上真空蒸镀空穴注入层32、空穴传输层33、发光层34、电子传输层35、电子注入层36，以形成有机功能层，也可采用喷墨打印(IJP)的方式制备空穴注入层32、空穴传输层33、发光层34，然后再蒸镀电子传输层35、电子注入层36，完成有机功能层的制作；
接着在有机功能层上蒸镀阴极层37；
再在阴极层37上交替蒸镀高折射率材料和低折射率材料，一共交替蒸镀M层高折射率材料和M层低折射率材料，然后蒸镀一层中折射率材料，之后在中折射率材料上，继续交替蒸镀N层高折射率材料、N层低折射率材料，完成所述第二一维光子晶体层40(CE)MD(CE)N的制备；
最后在所述第二一维光子晶体层40上使用热固型树脂将玻璃盖板50与玻璃基板10高温固化粘结在一起。
请参阅图6，在其他实施例中，与上述实施例不同的是所述第一一维光子晶体层20的制备，其结构可采用(AB)SF(AB)T，其制备方法包括：首先在玻璃基板10上蒸镀一层高折射率材料，然后蒸镀一层低折射率材料，一共交替蒸镀S层高折射率材料和S层低折射率材料，然后蒸镀一层中折射率材料，在中折射率材料上，继续交替蒸镀T层高折射率材料和T层低折射率材料，即形成所述第一一维光子晶体层20。
其他步骤，与上述实施例相同，这里不再赘述。
请参阅图7，在其他实施例中，在其他实施例中，与上述实施例不同的是所述第一一维光子晶体层20的制备，所述第一一维光子晶体层20的结构可采用(AB)SF(BA)T，其制备方法包括：首先在玻璃基板10上蒸镀一层高折射率材料，然后蒸镀一层低折射率材料，一共交替蒸镀S层高折射率材料和S层低折射率材料，然后蒸镀一层中折射率材料，再在中折射率材料上，继续交替蒸镀T层低折射率材料和T层高折射率材料，形成所述第一一维光子晶体层20。
其他步骤，与上述实施例相同，这里不再赘述。
通过在玻璃基板和阳极之间设计一维光子晶体结构，将到达底部的光反射回去，同时在盖板与阴极之间设计一维光子晶体结构以增加顶部光的透过率，有效地利用了散射的光，从而提高光的利用效率，针对某种光色的光，提高了该种光的透过率，能够减少滤波片的使用，同时也提高了OLED器件的光取出效率，减少了光损失，且一维光子晶体与二维光子晶体相比，其制备更简单，提高了对大面积发光OLED器件的应用。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板为顶发光型显示面板，并包括：
玻璃基板；
OLED器件层，设置于所述玻璃基板上，所述OLED器件层包括依次层叠的阳极层、有机功能层、以及阴极层；以及
玻璃盖板，设置于所述OLED器件层上；其中，
所述玻璃基板与所述阳极层之间设置有第一一维光子晶体层，所述阴极层与所述玻璃盖板之间设置有第二一维光子晶体层；
所述第一一维光子晶体层包括设置于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括交替形成的第一高折射率层和第一低折射率层，第一高折射率层靠近所述玻璃基板，第一低折射率层远离所述玻璃基板，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；
所述第二一维光子晶体层包括设置于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括交替形成的第二高折射率层和第二低折射率层，其中，所述第二高折射率层靠近所述阴极层，所述第二低折射率层远离所述阴极层，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二晶体单元层的层数不大于所述第三晶体单元层的层数。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三晶体单元层的层数至少比所述第二晶体单元层的层数多两层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体单元层的层数为3～10层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一一维光子晶体层还包括设置于多层所述第一晶体单元层上的多层第四晶体单元层，以及设置于多层所述第一晶体单元层与多层所述第四晶体单元层之间的第二中折射率层，其中，所述第四晶体单元层包括交替形成的第三高折射率层和第三低折射率层，所述第三高折射率层的折射率、所述第二中折射率层的折射率、以及所述第三低折射率层的折射率依次减小。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一晶体单元层的层数大于所述第四晶体单元层的层数。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第三高折射率层靠近所述玻璃基板，所述第三低折射率层远离所述玻璃基板。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第三低折射率层靠近所述玻璃基板，所述第三高折射率层远离所述玻璃基板。
9.一种如权利要求1～8任一权利要求所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S10，在玻璃基板上形成第一一维光子晶体层，所述第一一维光子晶体层包括形成于所述玻璃基板上的多层第一晶体单元层，所述第一晶体单元层包括交替形成的第一高折射率层和第一低折射率层，第一高折射率层靠近所述玻璃基板，第一低折射率层远离所述玻璃基板，其中，所述第一高折射率层的折射率大于所述第一低折射率层的折射率；
S20，在所述第一一维光子晶体层上依次形成阳极层、有机功能层、以及阴极层；
S30，在所述阴极层上形成第二一维光子晶体层，所述第二一维光子晶体层包括形成于所述阴极层上的多层第二晶体单元层、第一中折射率层、以及多层第三晶体单元层，所述第二晶体单元层和所述第三晶体单元层均包括交替形成的第二高折射率层和第二低折射率层，所述第二高折射率层靠近所述阴极层，所述第二低折射率层远离所述阴极层，其中，所述第二高折射率层的折射率、所述第一中折射率层的折射率、以及所述第二低折射率层的折射率依次减小；
S40，在所述第二一维光子晶体层上形成玻璃盖板。
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